JP2008522345A5 - - Google Patents

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  1. 第１の集積回路ダイと、第２の集積回路ダイとを含む電子システムであって、
    第１の集積回路ダイは、
    ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）セルのアレイと、
    温度センサと、
    アレイのＤＲＡＭセルをリフレッシュするためのリフレッシュ回路と、
    温度センサの測定した温度に基づきアレイのリフレッシュサイクルを実行するリクエストを表すリフレッシュリクエスト指示を供給する外部出力と、を含むことと、
    第２の集積回路ダイは、
    制御回路と、
    リフレッシュリクエスト指示を受信するように接続されている入力と、
    第２の集積回路ダイの制御回路は受信したリフレッシュリクエスト指示を利用して、アレイのリフレッシュサイクルを開始させることと、を含むことと、からなる電子システム。
  2. 自己リフレッシュモードの動作中、第１の集積回路ダイの制御回路はリフレッシュ回路によるアレイの自己リフレッシュサイクルを開始させる請求項１に記載の電子システム。
  3. アクティブモードの動作中、第１の集積回路ダイはアレイのリフレッシュサイクルを実行するリクエストを指示するリフレッシュリクエスト指示を供給することと、
    第１の集積回路ダイは温度センサの測定した温度に基づきアレイのリフレッシュサイクルを実行するリクエストを指示するリフレッシュリクエスト指示を供給することと、を含む請求項２に記載の電子システム。
  4. ＤＲＡＭセルをリフレッシュするための方法であって、
    アクティブモードにて動作する工程と、同工程は、
    ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）セルのアレイと同じ集積回路ダイに位置する温度センサを用いて温度を感知する工程と、
    リフレッシュサイクルを開始させる第１の指示を第１の制御回路へ供給する工程と、第１の指示は温度センサによって測定された温度に基づくことと、
    第１の制御回路によって、第１の指示に基づきアレイのリフレッシュサイクルを開始させる第２の指示を供給する第２指示供給工程と、
    第１の制御回路からの第２の指示によってアレイをリフレッシュする第１アレイリフレッシュ工程と、を含むことと、
    自己リフレッシュサイクルモードにて動作する工程と、同工程は、
    温度センサを用いて温度を感知する温度感知工程と、
    温度センサによって測定された温度に基づき第２の制御回路によるアレイのリフレッシュを開始させるリフレッシュ開始工程と、
    リフレッシュ開始工程によってアレイをリフレッシュする第２アレイリフレッシュ工程と、を含むことと、を含む方法。
  5. ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）セルのアレイと、
    温度センサと、
    制御回路と、
    アレイのＤＲＡＭセルをリフレッシュするためのリフレッシュ回路と、
    リフレッシュリクエスト指示を供給する外部出力と、リフレッシュリクエスト指示は温度センサの測定した温度に基づきアレイのリフレッシュサイクルを実行するリクエストを表すことと、からなる集積回路ダイ。
  6. アクティブモードの動作中、外部出力はアレイのリフレッシュサイクルを実行するリクエストを指示するリフレッシュリクエスト指示を供給することと、
    外部出力は温度センサの測定した温度に基づきアレイのリフレッシュサイクルを実行するリクエストを指示するリフレッシュリクエスト指示を供給することと、を含む請求項５に記載の集積回路ダイ。
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