KR101020289B1 - 셀프리프레쉬 테스트회로 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 적어도 하나의 제어신호에 응답하여 커맨드신호를 입력받아 테스트신호를 생성하는 테스트신호 생성부; 및 상기 테스트신호에 응답하여 셀프리프레쉬 오실레이터에서 생성된 주기신호를 셀프리프레쉬 주기로 출력하기 위해 인에이블되는 인에이블신호를 생성하는 인에이블신호 생성부를 포함하는 셀프리프레쉬 테스트회로를 제공한다.
셀프리프레쉬 오실레이터, 테스트모드
Description
본 발명은 반도체 메모리 장치에 관한 것으로, 더욱 구체적으로는 셀프리프레쉬가 수행되지 않더라도 셀프리프레쉬 주기가 출력되도록 함으로써, 셀프리프레쉬 오실레이터를 테스트할 수 있도록 한 셀프리프레쉬 테스트회로에 관한 것이다.
최근 이동전화 단말기, PDA(personal digital assistant) 등의 모바일 제품들에 대한 수요가 급격히 증가함에 따라 이러한 모바일 제품에 장착되는 DRAM(Dynamic Random Access Memory)의 전류 소모를 낮추려는 노력이 계속되고 있다. 특히, 모바일 제품용 DRAM의 리프레쉬(refresh) 전류를 줄이는 것이 큰 이슈가 되고 있다.
메모리 반도체 중에서도 DRAM은 SRAM(Static Random Access Memory)이나 플레쉬 메모리(Flesh Memory)와 달리 시간이 흐름에 따라 메모리 셀에 저장된 정보가 사라지는 현상이 발생한다. 이러한 현상을 방지하기 위하여 외부에서 일정 주기마다 셀에 저장된 정보를 다시 기입해주는 동작을 수행하도록 하고 있으며, 이러한 일련의 동작을 리프레쉬라고 한다. 리프레쉬는 뱅크 안의 각 셀들이 가지는 리텐션 타임(retention time)안에 적어도 한 번씩 워드라인을 활성화해서 데이터를 센싱하여 증폭시켜 주는 방식으로 행해진다. 여기서, 리텐션 타임이란 셀에 어떤 데이터를 기록한 후 리프레쉬 없이 데이터가 셀에 유지될 수 있는 시간을 말한다.
리프레쉬에는 정상 동작 중 수행되는 오토리프레쉬와 파워다운모드 등의 상태에서 수행되는 셀프리프레쉬가 있다. 이 중 셀프리프레쉬는 커맨드 신호 등을 입력받은 커맨드디코더에서 생성되는 셀프리프레쉬 신호에 의해 수행된다. 즉, 셀프리프레쉬를 위해 셀프리프레쉬 신호가 인에이블되면 셀프리프레쉬 오실레이터에서 생성된 주기신호가 셀프리프레쉬 주기로 출력된다.
그런데, 셀프리프레쉬 주기는 셀프리프레쉬 신호가 인에이블되는 경우에만 출력되므로, 셀프리프레쉬 주기를 생성하는 셀프리프레쉬 오실레이터가 제대로 동작하는지 여부를 알아보기 위해서는 셀프리프레쉬에 진입해야만 하는 문제가 있다.
본 발명은 셀프리프레쉬가 수행되지 않더라도 셀프리프레쉬 주기가 출력되도록 함으로써, 셀프리프레쉬 오실레이터를 테스트할 수 있도록 한 셀프리프레쉬 테스트회로를 개시한다.
이를 위해 본 발명은 적어도 하나의 제어신호에 응답하여 커맨드신호를 입력받아 테스트신호를 생성하는 테스트신호 생성부; 및 상기 테스트신호에 응답하여 셀프리프레쉬 오실레이터에서 생성된 주기신호를 셀프리프레쉬 주기로 출력하기 위해 인에이블되는 인에이블신호를 생성하는 인에이블신호 생성부를 포함하는 셀프리프레쉬 테스트회로를 제공한다.
본 발명에서, 상기 테스트신호 생성부는 MRS(Mode Register Set)에 의해 설정된 제어신호 및 커맨드신호의 조합이 입력되는 경우 인에이블되는 상기 테스트신호를 생성하는 것이 바람직하다.
본 발명에서, 상기 제어신호는 클럭인에이블신호 및 칩셀렉트신호인 것이 바람직하다.
본 발명의 셀프리프레쉬 테스트회로는 상기 제어신호에 응답하여 상기 커맨드신호를 디코딩하여 셀프리프레쉬 신호를 생성하는 커맨드디코더를 더 포함한다.
본 발명에서, 상기 커맨드디코더는 MRS에 의해 설정된 제어신호 및 커맨드신호의 조합이 입력되는 경우 인에이블되는 상기 셀프리프레쉬 신호를 생성하는 것이 바람직하다.
본 발명에서, 상기 인에이블신호 생성부는 상기 테스트신호 및 상기 셀프리 프레쉬 신호를 입력받아 상기 인에이블신호를 생성하되, 상기 인에이블신호는 상기 테스트신호 또는 상기 셀프리프레쉬 신호가 인에이블되는 경우 인에이블되는 것이 바람직하다.
본 발명에서, 상기 인에이블신호 생성부는 상기 테스트신호 및 상기 셀프리프레쉬 신호를 입력받아 논리합 연산을 수행하는 논리부를 포함한다.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 이들 실시예는 단지 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 본 발명의 권리 보호 범위가 이들 실시예에 의해 제한되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 셀프리프레쉬 테스트회로의 구성을 도시한 블럭도이고, 도 2는 도 1에 도시된 셀프리프레쉬 테스트회로에 포함된 인에이블신호 생성부의 회로도이다.
도 1 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 셀프리프레쉬 테스트회로는 커맨드버퍼(1), 테스트신호 생성부(2), 인에이블신호생성부(3), 셀프리프레쉬오실레이터(4) 및 출력제어부(5)로 구성된다.
커맨드버퍼(1)는 내부클럭(ICLK)에 동기하여 커맨드신호(CMD), 클럭인에이블신호(CKE), 칩셀렉트신호(CSB)를 입력받아 셀프리프레쉬신호(SREF)를 생성한다. 커맨드버퍼(1)는 일반적인 커맨드버퍼회로로 구현되며, MRS(Mode Register Set)에 의해 설정된 커맨드신호(CMD), 클럭인에이블신호(CKE), 칩셀렉트신호(CSB)의 조합이 입력되는 경우 인에이블되는 셀프리프레쉬신호(SREF)를 생성한다. 즉, 저전력 소모를 위한 파워다운모드가 진행될 때 설정된 조합의 커맨드신호(CMD), 클럭인에이블신호(CKE), 칩셀렉트신호(CSB)가 입력되고, 커맨드버퍼(1)는 하이레벨로 인에이블된 셀프리프레쉬신호(SREF)를 생성한다.
테스트신호 생성부(2)는 내부클럭(ICLK)에 동기하여 커맨드신호(CMD), 클럭인에이블신호(CKE), 칩셀렉트신호(CSB)를 입력받아 테스트신호(TM)를 생성한다. 테스트신호 생성부(2)는 커맨드버퍼회로와 동일한 회로적 구현을 가지며, MRS(Mode Register Set)에 의해 설정된 커맨드신호(CMD), 클럭인에이블신호(CKE), 칩셀렉트신호(CSB)의 조합이 입력되는 경우 인에이블되는 테스트신호(TM)를 생성한다. 즉, 정상모드에서 리프레쉬오실레이터(4)를 구동시키는 테스트를 수행하려 할 때 설정된 조합의 커맨드신호(CMD), 클럭인에이블신호(CKE), 칩셀렉트신호(CSB)를 입력하고, 이에 따라 테스트신호 생성부(2)는 하이레벨로 인에이블된 테스트신호(TM)를 생성한다. 여기서, 커맨드신호(CMD)는 로우어드레스스트로브신호(RAS, Row Address Strobing signal), 컬럼어드레스스트로브신호(CAS, Column Address Strobing signal), 라이트인에이블신호(WE, Write Enable signal)등이 포함될 수 있으며, LPDDR2(Low Power DDR2)의 경우 어드레스커맨드(CA<0:9>)를 통해 입력된다. 어드레스커맨드(CA<0:9>)는 어드레스신호와 커맨드신호를 모두 포함하며 클럭신호(ICLK)에 동기되어 어드레스신호 또는 커맨드신호로 입력된다.
인에이블신호생성부(3)는 셀프리프레쉬신호(SREF) 및 테스트신호(TM)를 입력받아 논리합 연산을 수행하여 인에이블신호(OSC_EN)를 생성하는 노어게이트(NR30) 및 인버터(IV30)로 구성된다. 인에이블신호생성부(3)는 셀프리프레쉬신호(SREF) 또는 테스트신호(TM)가 하이레벨로 인에이블되는 경우 하이레벨로 인에이블된 인에이블신호(OSC_EN)를 생성한다.
셀프리프레쉬오실레이터(4)는 일반적인 오실레이터회로로 구성되어 주기신호(PD)를 출력한다.
출력제어부(5)는 인에이블신호(OSC_EN)가 하이레벨인 경우 주기신호(PD)를 셀프리프레쉬 주기(SREF_PD)로 출력한다. 즉, 출력제어부(5)는 셀프리프레쉬 진입을 위해 셀프리프레쉬신호(SREF)가 하이레벨인 경우뿐만 아니라, 테스트신호(TM)가 하이레벨로 인에이블되는 경우에도 주기신호(PD)를 셀프리프레쉬 주기(SREF_PD)로 출력한다.
이와 같이 구성된 셀프리프레쉬 테스트회로의 동작을 설명하면 다음과 같다.
우선, 정상 동작 시 MRS에 의해 설정된 조합의 커맨드신호(CMD), 클럭인에이블신호(CKE), 칩셀렉트신호(CSB)가 입력되며 테스트신호 생성부(2)는 내부클럭(ICLK)에 동기하여 커맨드신호(CMD), 클럭인에이블신호(CKE), 칩셀렉트신호(CSB)를 입력받아 하이레벨로 인에이블된 테스트신호(TM)를 생성한다.
다음으로, 인에이블신호생성부(3)는 하이레벨로 인에이블된 테스트신호(TM)를 입력받아 하이레벨로 인에이블된 인에이블신호(OSC_EN)를 생성한다. 이때, 셀프리프레쉬오실레이터(4)는 오실레이팅 동작에 의해 주기신호(PD)를 생성한다.
다음으로, 출력제어부(5)는 하이레벨로 인에이블된 인에이블신호(OSC_EN)가 입력되는 경우 주기신호(PD)를 셀프리프레쉬 주기(SREF_PD)로 출력한다.
이상 살펴본 바와 같이, 본 실시예에 따른 셀프리프레쉬 테스트회로는 셀프리프레쉬가 수행되지 않더라도 셀프리프레쉬 주기(SREF_PD)가 출력되도록 하고 있다. 즉, 정상 동작 시 MRS에 의해 설정된 조합의 커맨드신호(CMD), 클럭인에이블신호(CKE), 칩셀렉트신호(CSB)가 입력되는 경우 하이레벨로 인에이블되는 테스트신호(TM)에 의해 셀프리프레쉬오실레이터(4)에서 생성된 주기신호(PD)가 셀프리프레쉬 주기(SREF_PD)로 출력되도록 함으로써, 셀프리프레쉬오실레이터(4)가 정상적인 셀프리프레쉬 주기(SREF_PD)를 설정할 수 있는 주기신호(PD)를 생성하고 있는지 여부를 테스트할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 셀프리프레쉬 테스트회로의 구성을 도시한 블럭도이다.
도 2는 도 1에 도시된 셀프리프레쉬 테스트회로에 포함된 인에이블신호 생성부의 회로도이다.
Claims (8)
- 적어도 하나의 제어신호에 응답하여 커맨드신호를 입력받아 테스트신호를 생성하는 테스트신호 생성부;상기 제어신호에 응답하여 상기 커맨드신호를 디코딩하여 셀프리프레쉬 신호를 생성하는 커맨드버퍼;상기 테스트신호에 응답하여 상기 셀프리프레쉬 신호를 버퍼링하여 인에이블신호를 생성하는 인에이블신호 생성부;주기신호를 생성하는 오실레이터; 및상기 인에이블신호에 응답하여 상기 주기신호를 셀프리프레쉬 주기로 출력하는 출력제어부를 포함하는 셀프리프레쉬 테스트회로.
- 제 1 항에 있어서, 상기 테스트신호 생성부는 MRS(Mode Register Set)에 의해 설정된 제어신호 및 커맨드신호의 조합이 입력되는 경우 인에이블되는 상기 테스트신호를 생성하는 셀프리프레쉬 테스트회로.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제어신호는 클럭인에이블신호 및 칩셀렉트신호인 셀프리프레쉬 테스트회로.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서, 상기 커맨드버퍼는 MRS에 의해 설정된 제어신호 및 커맨드신호의 조합이 입력되는 경우 인에이블되는 상기 셀프리프레쉬 신호를 생성하는 셀프리프레쉬 테스트회로.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서, 상기 인에이블신호 생성부는 상기 테스트신호 및 상기 셀프리프레쉬 신호를 입력받아 상기 인에이블신호를 생성하되, 상기 인에이블신호는 상기 테스트신호 또는 상기 셀프리프레쉬 신호가 인에이블되는 경우 인에이블되는 셀프리프레쉬 테스트회로.
- 제 7 항에 있어서, 상기 인에이블신호 생성부는 상기 테스트신호 및 상기 셀프리프레쉬 신호를 입력받아 논리합 연산을 수행하는 논리부를 포함하는 셀프리프 레쉬 테스트회로.
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KR20030001826A (ko) * | 2001-06-28 | 2003-01-08 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 메모리 장치의 셀프 리프레쉬 회로 및 그 방법 |
KR20050011970A (ko) * | 2003-07-24 | 2005-01-31 | 주식회사 하이닉스반도체 | 메모리 장치의 셀프 리프레쉬 주기 측정 방법 및 그 장치 |
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2008
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KR20050011970A (ko) * | 2003-07-24 | 2005-01-31 | 주식회사 하이닉스반도체 | 메모리 장치의 셀프 리프레쉬 주기 측정 방법 및 그 장치 |
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