JP2008509024A5

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Publication number: JP2008509024A5
Application number: JP2007525061A
Authority: JP
Filing date: 2005-08-04
Publication date: 2008-09-11
Anticipated expiration: 2025-08-04

Claims

窪みを、多層基板のノズル層の第一の表面の中へと、エッチングすることであって、該多層基板は、ハンドル層を有する、ことと、
該ノズル層の該第一の表面を、チャンバを有する基板に固定することによって、該窪みが該チャンバに流体的に結合されるようにすることと、
該多層基板の一部分を、少なくとも該多層基板の該ハンドル層を含めて、除去することによって、該チャンバが、該窪みを介して、大気と流体的に結合されるようにすることと
を包含する、デバイスを形成する方法。
窪みをエッチングすることは、該窪みを、６０マイクロメートル以下の厚さであるノズル層の中へとエッチングすることを含む、請求項１に記載の方法。
窪みをノズル層の第一の表面の中へとエッチングすることは、シリコンの中へとエッチングすることを含み、
該ノズル層の該第一の表面を基板に固定することは、該ノズル層の該第一の表面をシリコンに固定することを含む、請求項１に記載の方法。
前記ノズル層の前記第一の表面を固定することは、前記半導体基板を前記多層基板に直接シリコンボンディングすることをさらに包含する、請求項３に記載の方法。
窪みをノズル層の第一の表面の中へとエッチングすることは、シリコンの中へとエッチングすることを含み、
該ノズル層の該第一の表面を基板に固定することは、酸化物材料をシリコン材料に固定することを含む、請求項１に記載の方法。
前記エッチングすることの前に、前記ノズル層の厚さを減らすことをさらに包含する、請求項１に記載の方法。
前記ノズル層の厚さを減らすことは、該ノズル層を約５〜２００マイクロメートルの厚さに研削することを含む、請求項１に記載の方法。
前記ノズル層の厚さを減らすことは、該ノズル層を約４０〜６０マイクロメートルの厚さに研削することを含む、請求項７に記載の方法。
前記多層基板の絶縁体層を除去することをさらに包含する、請求項１に記載の方法。
前記窪みをエッチングすることは、実質的に垂直平行な壁を形成することを含む、請求項１に記載の方法。
前記窪みをエッチングすることは、テーパ付き壁を形成することを含む、請求項１に記載の方法。
前記多層基板は、前記ノズル層と前記ハンドル層との間に、絶縁体層を有し、
前記窪みをエッチングすることは、少なくとも前記絶縁体層が露出されるまで、該窪みをエッチングすることを含む、請求項１に記載の方法。
前記窪みをエッチングすることは、該窪みが前記ノズル層全体を介して拡がる前に、エッチングを中止することを含み、
前記多層基板の一部分を除去することは、該ノズル層の第二の表面から、該ノズル層の一部分を除去し、該窪みを露出することであって、該第二の表面が、前記第一の表面と反対側である、ことを含む、請求項１に記載の方法。
ハンドルシリコン層および酸化物層を有する絶縁体上シリコン基板のシリコンノズル層を研磨することと、
該シリコンノズル層の第一の表面をエッチングして、１つ以上の窪みを形成することと、
該エッチングされた絶縁体上シリコン基板を流路基板と位置合わせすることによって、該１つ以上の窪みのうちの少なくとも１つが、該流路基板内のエッチングされた形態に流体的に結合され、該流路基板がシリコンを含むようにすることと、
該絶縁体上シリコン基板の該シリコンノズル層の該第一の表面を、該流路基板に直接シリコンボンディングすることと、
該ハンドルシリコン層と、該絶縁体層の少なくとも一部分とを除去し、該１つ以上の窪みを露出することと
を包含する、デバイスを形成する方法。
層の第一の表面を異方性エッチングして、テーパ付き壁と、該層の該第一の表面に実質的に平行である窪み表面とを有する窪みを形成することと、
該第一の表面と反対側にある層の第二の表面をエッチングして、実質的に垂直な壁を有する出口を形成することであって、該出口は、該窪みに流体的に接続され、貫通孔を形成し、該出口の該壁は、該窪みの該テーパ付き壁と交差する、ことと
を包含する、デバイスを形成する方法。
ポンプチャンバを有する主部分と、
該主部分に接続されたシリコンから形成されたノズル部分であって、該ノズル部分は、ノズル入口およびノズル出口を有し、該ノズル入口は、中心軸を中心とするテーパ付き壁を有し、該テーパ付き壁は、該ノズル出口に導き、該ノズル出口は、中心軸の周りに約±１°の範囲内で実質的に垂直な壁を有し、該ノズル入口および該ノズル出口は、実質的にどの表面も該中心軸と直交しない、ノズル部分と
を備える、プリントヘッド本体。
テーパ付き壁を有する窪みを有するシリコンを含む本体であって、該窪みは、第一の厚さを有する、本体と、
出口であって、該出口は該窪みに流体的に接続され、貫通孔を形成し、該出口の壁は該窪みの該テーパ付き壁と交差し、該出口は第二の厚さを有し、該第一の厚さと該第二の厚さとは一緒になって６０マイクロメートル以下にほぼ等しい、出口と
を備える、流体排出ノズル層。
前記出口は、実質的に垂直な壁を有する、請求項１７に記載の層。
半導体ノズル層内に通路と、
チャンバを有する半導体基板であって、該基板は、該ノズル層の該第一の表面に固定され、該チャンバは、該通路を介して、大気に、流体的に結合される、半導体基板と
を備え、
該半導体ノズル層は、６０マイクロメートル以下の厚さにほぼ等しい、流体排出デバイス。
デバイス層の第一の表面を異方性エッチングして、テーパ付き壁と、該第一の表面に実質的に平行である窪み表面とを有する窪みを形成することと、
該デバイス層の該第一の表面を、チャンバを有する基板にボンディングすることによって、該窪みが、該チャンバに流体的に接続されることと、
該デバイス層をエッチングして、通路を形成することであって、該通路は、該デバイス層内の該窪みと流体的に接続される、ことと
を包含する、デバイスを形成する方法。
ポンプチャンバを有する主部分と、
該主部分に接続された約６０マイクロメートル以下の厚さを有し、シリコンから形成されたノズル部分であって、該ノズル部分は、ノズル入口およびノズル出口を有し、該ノズル入口は、中心軸を中心とするテーパ付き壁を有し、該テーパ付き壁は、該ノズル出口に導き、該ノズル出口は、実質的に垂直な壁を有し、該ノズル入口および該ノズル出口は、実質的にどの表面も該中心軸と直交しない、ノズル部分と
を備える、プリントヘッド本体。
前記ノズル出口は、中心軸の周りに±１°の範囲内で実質的に垂直な壁を有する、請求項２１に記載のプリントヘッド本体。