JP5725664B2 - ノズルプレートの製造方法 - Google Patents
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酸化膜を除去する酸化膜除去工程と、を有することを特徴とする。
インクジェットヘッド10の断面を示す図1において、インクジェットヘッド10は、複数のノズル12が形成されたノズルプレート13と、圧力室14や共通流路(図示せず)等の流路が形成された流路基板15と、振動板16と、圧電素子17と、を含んで構成されている。
次に、図2から図4の工程フロー及び図5から図21の説明図を用いて、インクジェットヘッド10の製造工程、特にノズルプレート13の製造工程について説明を行う。なお、図5から図21では、図面の煩雑化を防止するために、インクジェットヘッド10の記録素子の単位となる1チャンネル分のインク噴射素子のみの製造過程を図示している。
積層基板準備工程36では、例えばシリコン基板をスライスするなどして予め形成された第2活性層24を第1活性層23上に積層する(貼り合せる)ことで、図5(B)に示すように積層基板53を形成する。これにより、BOX層51の一面側(図中では上面側)には、第1活性層23と第2活性層24とが順番に積層される。また、第2活性層24を第1活性層23上に積層(貼りあわせる)した後に研削、研磨し所定の厚さにすればよい。第2活性層が薄い場合は、基板のハンドリング性が悪く破損の可能性が高いので、積層後、研削、研磨した方が良い。なお、積層基板53は、メーカで製造されたものを購入してもよい。
図6に示すように、第1保護膜形成工程37では、第2活性層24上に第1保護膜55(マスク層ともいう)を形成する。第1保護膜55はSiO2、SiN、SiC、Al2O3などで形成することができるが、本実施形態ではSiNで第1保護膜55を形成した。この第1保護膜55、すなわちSiN膜は、スパッタ法、CVD法、蒸着法などで形成される。なお、SiN膜の形成方法によっては、図中に示したように積層基板53のハンドル層50側の表面にも第1保護膜55が形成される場合があるが、第2活性層24上のみに第1保護膜55を選択的に形成してもよい。
図3に示すように、非貫通穴形成工程38では、レジストパターン層形成工程57と、第1ドライエッチング工程58と、第2ドライエッチング工程59と、レジスト剥離工程(レジストパターン層除去工程)60とが順番に実行される。なお、第1及び第2ドライエッチング工程58,59は、本発明のドライエッチング工程に相当するものである。
図7に示すように、レジストパターン層形成工程57は、大別して、レジスト層形成ステップと、フォトリソグラフィーステップ(以下、フォトリソステップという)と、ポストベークステップとを経て、第2活性層24上に形成された第1保護膜55上にレジストパターン層62を形成する。以下、特に記載がない限り「第1保護膜55」は、第2活性層24上に形成された第1保護膜55を指す。
図8に示すように、第1ドライエッチング工程58では、周知のドライエッチング装置により、レジストパターン層62をマスクとして第1保護膜55に対してドライエッチング処理を施す。このドライエッチング処理にはフッ素系のガスが用いられる。ドライエッチング処理により、レジストパターン層62の開口部62aの形状が第1保護膜55に転写される。これにより、第1保護膜55には、積層基板53のノズル12(ストレート部20)を形成すべき位置に対応する位置に開口部55aが形成される。開口部55aは、開口部62aと同形状、すなわち円形状(丸孔形状)に形成される。
引き続き、第2ドライエッチング工程59では、レジストパターン層62及び第1保護膜55をマスクとして、ドライエッチング装置により第2活性層24、第1活性層23に順番にドライエッチング処理を施す。
図9に示すように、レジスト剥離工程60では、アッシングや専用の剥離液を用いてレジストパターン層62を剥離する。以上で非貫通穴形成工程38が完了する。
図4に示すように、第2保護膜形成工程39では、非貫通穴64を形成する第1活性層23、第2活性層24、及び第1保護膜55のそれぞれの内面(以下、単に非貫通穴64の内側面という)にそれぞれ第2保護膜69(図11参照)を形成する。第2保護膜形成工程39では、第2保護膜全面形成工程66と、選択エッチング工程67とが順番に実行される。
図10に示すように、第2保護膜全面形成工程66では、非貫通穴64の内部を含む第1保護膜55の全面上に第2保護膜69を形成する。第2保護膜69は、第1保護膜55と同様にSiO2、SiN、SiC、Al2O3などで形成することができるが、本実施形態ではSiNを用いて形成した。なお、第2保護膜69の製造方法は前述の第1保護膜55の製造方法と基本的に同じであり、本実施形態ではCVD法を用いて0.5μmの厚みの第2保護膜69を形成した。
図11に示すように、選択エッチング工程67では、積層基板53の第2保護膜69が形成された面に対して、基板バイアスを印加したドライエッチング、すなわち、異方性エッチングを行う。この異方性エッチングでは、図中垂直方向のみのエッチングが可能であるので、非貫通穴64の内側面に形成された第2保護膜69が除去されることはない。これにより、第1保護膜55上に形成された第2保護膜69と非貫通穴64の底部に形成された第2保護膜69とが選択的に除去されて、非貫通穴64の内側面に形成された第2保護膜69だけが残る。以上で第2保護膜形成工程39が完了する。なお、図中の符号「51a,51b」については後述する。
図12に示すように、BOX層エッチング工程(酸化膜エッチング工程)40では、HFベーパエッチング装置などを用いて、非貫通穴64を通してBOX層51をベーパエッチングする。この際に、非貫通穴64の底に露呈しているBOX層51以外の部分は第1保護膜55又は第2保護膜69でマスクされているのでベーパエッチングされることはない。従ってBOX層51だけがベーパエッチングされる。このベーパエッチングはいわゆる等方エッチングであるので、BOX層51には非貫通穴64と同軸の丸孔形状の開口部(第1開口部)70が形成される。
(式1)Y=X+(d/tanθ)×2
従って、ストレート部20の孔径Xを20μm、第1活性層23の厚みdを50μm、テーパ部21の角度θを54.74度とした時に、上記(式1)に基づきテーパ部21の開口の大きさYは約90.6μmとなる。このため、テーパ部21の開口の大きさが90.6μmとなるようにエッチング時間を決定してベーパエッチングのエッチングストップを行えばよい。
結晶異方性エッチング工程41では、第1及び第2保護膜55,69とBOX層51とをマスクとして、ウェットエッチング装置により非貫通穴64を通して第1活性層23を開口周縁部23bから結晶異方性エッチングする。非貫通穴64の内側面は第2保護膜69によりマスクされているので、開口部70内に露呈されている第1活性層23の開口周縁部23b、及びハンドル層50のBOX層51との対向面50aがエッチングされる。
図16に示すように、第1及び第2保護膜除去工程42(保護膜除去工程)では、第1及び第2保護膜55,69(本実施形態ではSiN膜)を積層基板53から除去する。本実施形態では、第1及び第2保護膜55,69を例えばウェットエッチングにより除去する。このウェットエッチングには、100〜150℃に加熱した燐酸が用いられる。
図17に示すように、ダミー基板貼付工程43では、第2活性層の対向面24aとは反対側の反対面24b(図中の上面、図1のノズル面13a)上に、ダミー基板76を貼り付ける。なお、図中の符号「76a」は接着層を示す。
図18に示すように、最初にハンドル層除去工程(第3シリコン基板除去工程)44では、周知のポリッシャー装置やCMP(化学機械研磨)装置などの研磨装置、あるいはドライエッチング装置などを用いてハンドル層50を除去してBOX層51を露呈させる。次いで、BOX層除去工程(酸化膜除去工程)45では、HFやBHFを用いたウェットエッチングによりBOX層51を除去する。研磨によらずBOX層51を除去、すなわち、テーパ部21を形成することができるので、前述の特許文献1の製造方法のようにテーパ部21の開口のエッジが欠けることが防止される。
図19に示すように、流路基板貼付工程32では、ノズルプレート13(第1活性層23)の対向面23aに流路基板15(振動板16が接合された状態のもの)を貼り付ける。
図20に示すように、圧電素子形成工程33では、振動板16の圧力室14に対向する面側とは反対面側に、下部電極26と、圧電膜27と、上部電極28とを形成することで、圧電素子17を形成する。圧電素子17の形成方法は公知であるので、ここでは具体的な説明は省略する。
図21に示すように、ダミー基板除去工程34では、ノズルプレート13からダミー基板76を除去(剥離)する。これにより、各ノズル12のノズル開口19が解放される。以上でインクジェットヘッド10の製造工程30が全て完了して、インクジェットヘッド10が完成する。
上述の製造工程30では、ノズル12のストレート部20及びテーパ部21の長さを、第2活性層24、第1活性層23の厚みで決定することができる。これら両活性層23,24の厚みは、積層基板53(SOI基板48)の製造時に高精度に管理することができるので、ストレート部20及びテーパ部21の長さも高精度に管理することができる。また、研磨によらずBOX層51を除去する、すなわち、テーパ部21を形成することができるので、テーパ部21の開口のエッジが欠けることが防止される。さらに、非貫通穴64を基準としてBOX層51や第1活性層23をエッチングしてテーパ部21を形成することで、フォトリソグラフィは1回で済む。1枚のマスクでノズル形成が可能であり、さらに積層基板53の一方面側のみからの加工によりストレート部20とテーパ部21とを形成することができる。このため、ストレート部20とテーパ部21との位置ずれが防止される。その結果、製造工程30では、従来よりもノズル12のストレート部20とテーパ部21とを高精度に形成することができる。
図22は、本発明の製造方法で製造されたノズルプレート13を有するインクジェットヘッド10を備えたインクジェット記録装置110の概略を示す全体構成図である。図22に示すように、インクジェット記録装置110は、インクの色ごとに設けられた複数のインクジェットヘッド10K、10C、10M、10Y(上述のインクジェットヘッド10にそれぞれ対応)を有する印字部112と、各インクジェットヘッド(以下、単にヘッドと略す)10K、10C、10M、10Yに供給するインクを貯蔵しておくインク貯蔵/装填部114と、記録紙116を供給する給紙部118と、記録紙116のカールを除去するデカール処理部120と、ヘッド10K、10C、10M、10Yのノズル面(インク吐出面)に対向して配置され、記録紙116の平面性を保持しながら記録紙116を搬送する吸着ベルト搬送部122と印字部112による印字結果を読み取る印字検出部124と、印画済みの記録紙(プリント物)を外部に排紙する排紙部126を備えている。
次に、ヘッドの構造について説明する。色別の各ヘッド10K,10C,10M,12
Yの構造は共通しているので、以下、これらを代表して符号150によってヘッドを示すものとする。
ある。
図25は、インクジェット記録装置110におけるインク供給系の構成を示した概要図である。インクタンク190は、図22に示したインク貯蔵/装填部114に設置されており、ヘッド150にインクを供給する。インクタンク190の形態には、インク残量が少なくなった場合に、補充口(図示省略)からインクを補充する方式と、タンクごと交換するカートリッジ方式とがある。使用用途に応じてインク種類を替える場合には、カートリッジ方式が適している。この場合、インクの種類情報をバーコード等で識別して、インク種類に応じて吐出制御を行うことが好ましい。なお、インクタンク190は、先に記載した図22のインク貯蔵/装填部114と等価のものである。
図26はインクジェット記録装置110のシステム構成を示す要部ブロック図である。インクジェット記録装置110は、通信インターフェース170、システムコントローラ172、画像メモリ174、モータドライバ176、ヒータドライバ178、プリント制御部180、画像バッファメモリ182、ヘッドドライバ184等を備えている。
各ヘッド10K,10C,10M,10Y(ヘッド150)のノズル151(前述のノズル12)が高精度に形成されており、吐出性能が安定しているので、良質な記録画像が得られる。
なお、上記実施形態のインクジェットヘッド10では、各ノズルから液滴を吐出させるための吐出用の圧力(吐出エネルギー)を圧電素子から発生させているが、静電アクチュエータ、サーマル方式(ヒータの加熱による膜沸騰の圧力を利用してインクを吐出させる方式)におけるヒータ(加熱素子)や他の方式による各種アクチュエータなど様々な圧力発生素子(吐出エネルギー発生素子)を適用し得る。ヘッドの吐出方式に応じて、相応のエネルギー発生素子が流路構造体に設けられる。
Claims (12)
- 酸化膜の一面側に面方位が<100>の第1シリコン基板と、面方位が<111>の第2シリコン基板とを順番に積層してなる積層基板の前記第2シリコン基板上に、第1保護膜を形成する第1保護膜形成工程と、
前記積層基板のノズルを形成すべき位置に、前記第1保護膜、前記第2シリコン基板、及び前記第1シリコン基板を貫通して前記酸化膜の一面まで達する非貫通穴を形成することで、前記第2シリコン基板に前記ノズルのストレート部を形成する非貫通穴形成工程と、
前記非貫通穴を形成する前記第1シリコン基板、前記第2シリコン基板、及び前記第1保護膜のそれぞれの内面に第2保護膜を形成する第2保護膜形成工程と、
前記第1保護膜及び第2保護膜をマスクとして、前記非貫通穴を通して前記酸化膜をエッチングすることで、前記酸化膜と対向する前記第1シリコン基板の対向面における前記非貫通穴の開口周縁部を露呈させる酸化膜エッチング工程と、
前記酸化膜、前記第1保護膜、及び前記第2保護膜をマスクとして、前記第1シリコン基板を前記開口周縁部から前記第2シリコン基板に達するまで結晶異方性エッチングする結晶異方性エッチング工程であって、前記結晶異方性エッチングにより露呈された前記第1シリコン基板の<111>面により、前記ストレート部に連通しかつ当該ストレート部に近づくのに従って次第に先細りとなる前記ノズルのテーパ部を形成する結晶異方性エッチング工程と、
前記第1保護膜及び前記第2保護膜を除去する保護膜除去工程と、
前記酸化膜を除去する酸化膜除去工程と、
を有するノズルプレートの製造方法。 - 前記酸化膜エッチング工程は、前記酸化膜にベーパエッチングまたはウェットエッチングを施して、当該酸化膜に前記非貫通穴と同軸の第1開口部を形成するものであり、
前記酸化膜エッチング工程でのエッチング時間を調整して前記第1開口部の開口径の大きさを調整することにより、前記テーパ部の開口径の大きさを決定する請求項1記載のノズルプレートの製造方法。 - 前記第1シリコン基板の厚みを調整することにより、前記テーパ部の長さを決定する請求項1または2記載のノズルプレートの製造方法。
- 前記第2シリコン基板の厚みを調整することにより、前記ストレート部の長さを決定する請求項1から3のいずれか1項記載のノズルプレートの製造方法。
- 前記結晶異方性エッチング工程では、前記第2シリコン基板が前記第1シリコン基板を
結晶異方性エッチングする際のエッチングストッパとして機能する請求項1から4のいず
れか1項記載のノズルプレートの製造方法。
- 前記非貫通穴形成工程では、前記非貫通穴を丸孔形状に形成する請求項1から5のいずれか1項記載のノズルプレートの製造方法。
- 前記非貫通穴形成工程は、
前記ノズルを形成すべき位置に第2開口部を有するレジストパターン層を前記第1保護膜上に形成するレジストパターン層形成工程と、
前記レジストパターン層をマスクとして前記第1保護膜、前記第2シリコン基板、及び前記第1シリコン基板を順番にドライエッチングして、前記非貫通穴を形成するドライエッチング工程と、
前記レジストパターン層を除去するレジストパターン層除去工程と、
を有する請求項1から6のいずれか1項記載のノズルプレートの製造方法。 - 前記第2保護膜形成工程は、
前記非貫通穴の内部と前記第1保護膜上とに前記第2保護膜を形成する第2保護膜全面形成工程と、
前記第2保護膜全面形成工程で形成された前記第2保護膜に異方性エッチングを施して、前記第1保護膜上に形成された前記第2保護膜と、前記非貫通穴の底部に形成された前記第2保護膜とを除去する選択エッチング工程と、
を有する請求項1から7のいずれか1項に記載のノズルプレートの製造方法。 - 前記積層基板は、第3シリコン基板上に前記酸化膜及び前記第1シリコン基板を順番に積層してなるSOI基板と、前記SOI基板の前記第1シリコン基板上に積層された前記第2シリコン基板とを有するものであり、
前記保護膜除去工程と前記酸化膜除去工程との間に、前記第3シリコン基板を除去する第3シリコン基板除去工程を有する請求項1から8のいずれか1項に記載のノズルプレートの製造方法。 - 前記第1保護膜形成工程の前に、前記積層基板を準備する積層基板準備工程を有する請求項1から9のいずれか1項に記載のノズルプレートの製造方法。
- 前記酸化膜は、SiO2膜である請求項1から10のいずれか1項記載のノズルプレートの製造方法。
- 前記第1保護膜及び第2保護膜は、SiN、SiO2、SiC、Al2O3のいずれかである請求項1から11のいずれか1項に記載のノズルプレートの製造方法。
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