KR101292493B1

KR101292493B1 - 액체 토출 헤드 및 그 제조 방법

Info

Publication number: KR101292493B1
Application number: KR1020100013960A
Authority: KR
Inventors: 쯔요시 다까하시; 슈지 고야마; 마사끼 오오스미; 마사히사 와따나베
Original assignee: 캐논 가부시끼가이샤
Priority date: 2009-02-25
Filing date: 2010-02-17
Publication date: 2013-08-01
Also published as: US20100212159A1; JP2010221704A; JP5541686B2; US8286350B2; KR20100097020A; CN101811395A; CN101811395B

Abstract

본 발명의 목적은 토출구와 에너지 발생 소자 사이의 거리가 균일하고, 단순하며 정밀도가 좋은 액체 토출 헤드의 제조 방법을 제공하는 것이다.

Description

액체 토출 헤드 및 그 제조 방법{LIQUID DISCHARGE HEAD AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}

본 발명은, 액체 토출 헤드 및 그 제조 방법에 관련된 것이고, 더욱 구체적으로는 피기록 매체에 잉크를 토출함으로써 기록을 행할 수 있는 잉크젯 기록 헤드 및 그 제조 방법에 관한 것이다.

액체 토출 헤드의 응용 예로서는, 잉크를 에너지에 의해 액적들(liquid droplets)로서 피기록 매체(일반적으로, 종이)에 토출함으로써 기록을 행하는 잉크젯 기록 헤드가 있다.

이러한 액체 토출 헤드의 제조 방법의 예가, 미국 특허 제7070912호에 개시되어 있다.

미국 특허 제7070912호에 개시된 제조 방법에서는, 액체를 토출하는 데 이용되는 에너지를 발생시키는 에너지 발생 소자들을 구비한 기판 상에 액체의 유로의 벽들을 제공하고, 유로 내와 유로의 벽들 상에 유기 수지 충전물을 배치하고, 충전물과 유로의 벽들의 상면들을 연마해서 그 상면들을 평탄화한다. 그 후에, 감광성 수지층을 도포하고, 감광성 수지층에 액체 토출구들을 제공한다.

유기 수지 충전물의 연마는, 화학 기계 연마(이하, CMP로 칭한다)용의 장치를 사용해서 행할 수 있지만, 주로 기계적 작용들로 연마가 행하여지고, 화학적 작용들은 적다.

그러나, 연마에 의해 평탄한 기판 표면이 얻어지지 않을 경우가 있을 수 있다. 예를 들어, 유로의 벽과 충전물의 경도가 서로 다르기 때문에, 그들의 연마 속도들이 서로 상이하여, 실리콘 기판 표면 내에서 유기 수지의 막 두께의 균일성이 충분하지 않을 수 있다. 예를 들어, 실리콘 기판인 원반 형상의 웨이퍼로부터 작은 칩들을 잘라내서 액체 토출 헤드를 제조할 경우, 작은 칩 단위를 충족시키지 않는 실리콘 기판으로서의 원반 형상의 웨이퍼의 외주부에는, 유로 벽 부재가 제공되지 않는다. 그러면 웨이퍼의 외주부가 우선적으로 연마되어, 외주부로부터 얻어질 수 있는 작은 칩들은 유로 벽의 높이가 충분히 균일하지 않을 가능성이 있다. 그 위에 제공되는 감광성 수지의 평탄성이 충분하지 않기 때문에, 형성된 토출구들과 에너지 발생 소자들 사이의 거리들이 일정하지 않고, 이것은 토출 특성들에 영향을 끼칠 수 있다.

이러한 문제를 해결하기 위하여, 본 발명의 목적은 토출구와 에너지 발생 소자 사이의 거리가 균일한 액체 토출 헤드의 간편하고 정밀도 높은 제조 방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 일 양태에 따르면, 액체를 토출하기 위한 에너지를 발생시키는 복수개의 에너지 발생 소자, 액체 토출구들을 구비하는 토출구 부재, 및 토출구들과 연통하는 유로를 포함하는 액체 토출 헤드의 제조 방법이 제공되고, 액체 토출 헤드의 제조 방법은, 복수의 개별 유닛- 각각의 개별 유닛은 열들로 배열되고 하나의 액체 토출 헤드에 대응하는 복수의 에너지 발생 소자들로 구성됨 -이 서로 인접하여 배치되는 헤드 영역, 및 상기 헤드 영역의 외측에 위치되고, 상기 개별 유닛의 상기 에너지 발생 소자들의 개수보다 적은 개수의 에너지 발생 소자들이 상기 헤드 영역을 둘러싸도록 열들로 배열되어 있는 주연 영역(peripheral region)을 갖는 기판을 준비하는 단계; 기판의 헤드 영역 및 주연 영역 상에 고체층을 제공하는 단계; 개별 유닛에 대응하는 유로의 복수의 측벽을 헤드 영역 상에 고체층으로부터 형성하고, 복수의 측벽을 둘러싸도록 제공된 외벽 부재를 주연 영역 상에 고체층으로부터 형성하는 단계; 유로의 측벽들 및 외벽 부재를 덮도록, 유로가 될 부분 상에 수지층을 제공하는 단계; 수지층의 표면으로부터 측벽들 및 외벽 부재를 노출하도록 기판을 향하여 수지층을 연마하는 단계; 수지층 및 측벽들을 덮도록 토출구 부재를 제공하는 단계; 수지층을 제거하여 유로를 형성하는 단계; 및 기판으로부터 주연 영역을 제거하는 단계를 포함한다.

본 발명에 따르면, 토출구와 에너지 발생 소자 사이의 거리가 균일한 액체 토출 헤드가 간편하게 고정밀도로 얻어질 수 있다.

본 발명의 추가적인 특징들은 첨부 도면들을 참조하여 이하의 예시적인 실시예들의 설명으로부터 명백하게 될 것이다.

도 1a, 도 1b, 도 1c, 도 1d, 도 1e 및 도 1f는 도 5에 예시된 실리콘 기판의 외주부의 단면 B-B를 사용하는 개략적인 공정 단면도들이며 액체 토출 헤드의 기본적인 제작 공정을 예시한다.
도 2a 및 도 2b는 도 5에 예시된 실리콘 기판의 외주부의 B-B 단면을 이용한 개략적인 공정 단면도들이며 액체 토출 헤드의 기본 제작 공정을 예시한다.
도 3은 도 4의 A-A선을 따라 취해진 단면을 예시하는 개략적인 단면도이다.
도 4는 액체 토출 헤드의 개략적인 사시도이다.
도 5는 기판 상에 칩들이 어떻게 배열되는지를 예시하는 개략도이다.

이제 본 발명의 바람직한 실시예들이 첨부 도면들을 따라 상세하게 설명될 것이다.

이제 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 액체 토출 헤드의 제조 방법이, 첨부 도면들을 따라 상세하게 설명될 것이다.

또한, 본 실시예에서는, 액체 공급구가 실리콘의 이방성 에칭을 사용해서 형성된다. 그러나, 드라이 에칭이 사용될 수 있고, 이 경우에는, 희생막이 필요하지 않다.

도 4는 액체 토출 헤드의 개략적인 사시도이다. 액체 토출 헤드는, 실리콘으로 이루어진 기판(1) 상에 복수의 토출 에너지 발생 소자(3)가, 미리 정해진 피치들로 2개의 열로 배열됨으로써 형성된다. 기판(1) 상에, 밀착층(contacting layer)인 폴리에테르 아미드층(도시하지 않음)이 형성된다. 또한, 기판(1) 상에, 토출 에너지 발생 소자(3)의 상방에 개방된 토출구들(14)을 구비한 천장 부재, 및 유로 측벽들(9)이 경화된 감광성 수지층으로 형성되어, 액체 공급구(16)로부터 각 토출구(14)와 연통하는 유로(17)가 형성된다.

토출 에너지 발생 소자(3)에 신호를 공급하기 위한 패드(5)가 기판(1) 상에 제공되고, 패드(5)로부터 토출 에너지 발생 소자(3)에 배선(도시하지 않음)을 접속하여서 신호가 공급된다.

실리콘의 이방성 에칭에 의해 형성된 액체 공급구(16)는, 토출 에너지 발생 소자들(3)의 2개의 열 사이에 개방되어 있어서, 액체 공급구(16)는, 각 토출 에너지 발생 소자(3)마다에 제공된 유로에 공통적으로 이용된다.

액체 공급구(16)를 통해서 유로(17)에 충전된 액체에, 토출 에너지 발생 소자들(3)을 이용하여 에너지로부터 얻어진 압력을 가하여, 토출구들(14)로부터 액적들을 토출시켜, 액적들을 피기록 매체에 부착시키는 것에 의해 액체 토출 헤드가 기록을 행한다.

도 3은, 도 4의 A-A선을 따라 취해진 단면을 예시하는 개략적인 단면도이다.

실리콘으로 이루어지는 기판(1)의 표면에는, 토출 에너지 발생 소자(3)가 제공된다. 토출 에너지 발생 소자(3)는, 보호막(4)에 의해 덮이고 보호된다. 보호층(4) 상에 형성된 밀착층(7)을 통하여, 유로(17)를 덮도록 유로 측벽들(9)이 형성된다. 토출 에너지 발생 소자(3)와 대향하는 측의 유로 측벽(9)에, 토출구(14)가 제공된다. 유로(17)와 연통하는 액체 공급구(16)가 기판(1) 상에 형성된다. 액체 토출 헤드의 OH 거리(18)는, 에너지 발생 소자의 에너지 발생면으로부터 토출구의 외측까지의 거리이며, 본 실시예에서는, 보호막(4)의 표면으로부터 토출구의 외측까지의 거리이다.

이 액체 토출 헤드는, 프린터, 복사기, 통신 시스템을 갖는 팩시밀리, 프린트부를 갖는 워드프로세서 등의 장치, 및 각종 다중 처리 장치들(multiple processing devices)을 갖는 기록 장치에 탑재될 수 있다. 또한, 액체 토출 헤드에 의해, 종이, 실, 섬유, 피혁, 금속, 플라스틱, 유리, 목재 또는 세라믹 등 각종 재료로 이루어지는 피기록 매체에 기록을 행할 수 있다. 또한, 본 발명에서 "기록"은, 텍스트나 도형 등의 의미를 갖는 화상을 피기록 매체에 대하여 부여하는 것뿐만 아니라, 패턴 등의 의미를 갖지 않는 화상을 부여하는 것도 의미한다.

예 1

이하, 도 3에 예시된 액체 토출 헤드의 제조 방법을, 첨부 도면들을 참조하여 설명한다. 본 예에서는, 액체 토출 헤드가 형성된 제각기의 칩들을 서로 인접시켜서 실리콘으로 이루어지는 기판(1) 상에 함께 형성하고, 기판(1)으로부터 칩들을 잘라내서 개개의 액체 토출 헤드를 얻는 다중 제작 방법(multiple production method)이 사용된다.

도 5는, 실리콘으로 이루어지는 기판(1) 상에 칩들이 어떻게 배열되는지를 예시하는 개략도이다.

노광 반송(exposure transportation) 동안, 기판들의 외주들(outer peripheries) 사이의 접촉에 의한 폐물(rubbish)의 발생을 방지하기 위해서, 예를 들어, 기판(1)의 최외주로부터 3mm이고(일반적으로 보호막으로 덮이는) 기판 표면이 노출되는 구역에 포토레지스트가 형성되지 않는, 영역(빈 영역(21))이 제공된다. 빈 영역(21)에 의해 둘러싸인 영역은 액체 토출 헤드가 각각 형성된 칩들이 배열되는 칩 영역(22)과 칩들이 없는 영역(주연 영역)(23)을 포함하고, 주연 영역(23)은 빈 영역(21) 및 칩 영역(22)에 인접하게 제공된다.

주연 영역(23)은, 완전한 칩을 형성할 수 없는 영역이다. 구체적으로, 칩 영역에서는, 에너지 발생 소자와 그것에 접속되는 배선 등의 소자막이 1 칩 단위로 충분히 형성된다. 그러나, 주연 영역에서는, 1 칩 단위를 충족하는 소자막이 제공되지 않는다. 본 예에서, 칩 단위로 형성된 유로 측벽(9)을 위한 복수의 측벽을 둘러싸기 위해 제공된 외벽 부재로서의 더미 패턴(20)이 주연 영역(23)에 제공된다.

도 5의 부분 확대도에 의해 예시된 바와 같이, 유로 측벽들을 형성하는 공정에서, 주연 영역(23) 상에 형성될 복수의 측벽을 둘러싸도록 제공되는 외벽 부재로서의 더미 패턴(20)으로서, 유로 측벽(9)의 평면 형상의 일부와 동일한 형상으로 유로 측벽(9)의 일부가 형성된다. 더미 패턴(20)은, 유로 측벽(9)의 장변측에, 유로 측벽(9)의 장변측과 평행하게 제공된다.

기록 속도의 증가로 인해 액체 토출 헤드의 다수의 토출구가 제공되어, 유로 측벽(9)의 패턴을 길게 하는 것이 예상될 수 있다. 더미 패턴(20)은, 유로 측벽(9)의 장변을 따라 제공될 수 있다.

포토레지스트가 형성되지 않는 빈 영역(21)을 제공하는 이유는, 노광 반송 동안, 기판들(1)의 외주들 사이의 접촉에 의한 폐물의 발생을 방지하기 위해서이고, 감광성 수지(포토레지스트)를 도포하고, 예를 들어, 스핀 코팅 장치를 이용한 사이드 린싱(side rinsing)에 의해, 도포된 수지를 미리 제거함으로써 빈 영역(21)이 형성될 수 있다.

또한, 빈 영역(21)이 제공되지 않는 경우에도, 완전한 칩을 형성할 수 없는 주연 영역(23)이 칩 영역(22)에 인접하면서 칩 영역(22)의 외측에 제공된다.

도 1a, 도 1b, 도 1c, 도 1d, 도 1e 및 도 1f는, 도 5에 예시된 실리콘 기판의 외주부의 B-B 단면을 사용한 개략적인 공정 단면도들이고, 액체 토출 헤드의 기본적인 제조 공정을 예시한다.

복수의 토출 에너지 발생 소자(3)를 갖는 기판 표면의 결정 방위가 (100)면인 실리콘 기판으로 이루어지는 기판(1)이 사용된다. 토출 에너지 발생 소자들(3)이 형성되는 기판(1)의 한쪽의 면을 전(front)(외)면이라고 하고, 전면에 대향하는 측은 이면이라고 한다.

기판(1)의 이면은 실리콘 산화막(6)으로 덮인다. 액체 공급구(16)가 형성될 기판(1)의 영역에는, 희생막(2)이 제공되고, 희생막(2)과 토출 에너지 발생 소자들(3)을 덮도록, 보호막(4)이 형성된다. 희생막(2)은, 후술될 실리콘의 이방성 에칭에 사용하는 알칼리 용액으로 에칭될 수 있기 때문에, 희생막(2)은 폴리실리콘, 에칭 속도가 빠른 알루미늄, 알루미늄 실리콘, 알루미늄 구리 또는 알루미늄 실리콘 구리로 만들어질 수 있다. 본 예에서, 희생막(2)은 CVD법을 사용해서 폴리실리콘으로 형성되고, 포토레지스트를 마스크로 사용한 드라이 에칭에 의해서 패터닝된다. 보호막(4)은 토출 에너지 발생 소자(3)를 잉크 등의 액체로부터 보호하기 위한 막이며, 실리콘 질화막, 실리콘 산화막, 또는 실리콘 산질화막과 같은 실리콘 절연막이다. 본 예에서, 실리콘 질화막은 CVD법에 의해 형성된다(도 1a 참조).

기판(1)의 전면과 이면 전체에, 폴리에테르 아미드 수지를 도포하고, 베이킹(baking)에 의해 경화시켰다. 다음에, 포지티브형 포토레지스트가 스핀 코팅에 의해 기판(1)의 이면에 도포된다(도시되지 않음). 그 후, 일반적인 포토리소그래피법을 사용하여 에칭 마스크가 기판(1)의 이면 상에 형성되고, 드라이 에칭이 사용됨으로써 폴리에테르 아미드 수지 패턴(8)을 형성한다(도 1b 참조).

폴리에테르 아미드 수지가 이면 상에서 패터닝될 때 기판(1)의 전(외(outer))면이 보호될 수 있는 것은 말할 필요도 없다.

다음에, 기판(1)의 전면의 전체에, 유로 측벽이 될 수지층(도시하지 않음, 이하, 고체층이라고 칭함)을 형성한다. 고체층으로서는 네거티브형 포토레지스트를 사용했다.

그 후, 기판(1)의 최외주로부터 3mm의 구역의 고체층을, 사이드 린싱을 사용해서 제거한다. 그 후, 일반적인 포토리소그래피법을 사용함으로써, 칩 영역(22) 상에는 경화된 고체층으로 이루어지는 유로 측벽(9)을 형성하고, 주연 영역(23) 상에는 경화된 고체층으로 이루어지는 더미 패턴(20)이 형성된다(도 1c 참조).

이 결과, 기판(1)의 최외주로부터 3mm 내에는, 보호막(4)이 노출되는 빈 영역(21)이 형성되고, 칩 영역(22)에는 유로 측벽(9)이 형성되고, 빈 영역(21)과 칩 영역(22) 사이의 주연 영역(23)에는 더미 패턴(20)이 형성된다.

더미 패턴(20)은, 유로 측벽(9)의 평면 형상의 전체 또는 일부와 동일한 패턴으로 형성될 수 있다. 그러나, 유로 측벽(9)에 평행한 선을 따라 직사각형 패턴을 갖는 더미 패턴(도시하지 않음)이 형성될 수 있다. 유로 측벽(9)과 더미 패턴(20)은 고체층으로 형성되므로, 그들의 높이들은 이 층의 두께에 따른다. 유로 측벽(9)을 형성한 후, 폴리에테르 아미드 수지로 이루어지는 밀착층이, 유로 측벽들(9) 및 더미 패턴(20)을 마스크로서 이용해서 드라이 에칭에 의해 패터닝된다.

다음에, 기판(1)의 전면측에 유로 측벽(9)을 매립하기 위해서, 포지티브형 포토레지스트로 이루어지는 매립 재료층(11)이 적층된다(도 1d 참조).

매립 재료층(11)은, 후술되는 액체 공급구를 통해서 용출되기(eluted) 때문에, 용해 가능한 수지층이 사용될 수 있다. 포지티브형 포토레지스트 이외에도, 액체 공급구를 통해서 용해 가능한 임의의 재료가 사용될 수 있다.

매립 재료층(11)의 두께는, 후술되는 연마에 의해 매립 재료층(11)과 유로 측벽(9)의 상면으로 이루어지는 전면을 평탄하게 연마하기 위해서, 유로 측벽(9)의 막 두께보다 두꺼울 수 있다. 이 결과, 유로가 될 부분이 매립 재료층(11)에 의해 매립되어, 유로 측벽(9)과 더미 패턴(20)이 매립 재료층(11)에 의해 덮인다.

다음에, 고체층을 연마하기 위하여 매립 재료층(11)의 상면으로부터 유로 측벽(9)의 상면이 노출될 때까지 화학적 기계 연마(CMP)용의 장치에 의해 연마 공정을 행하여, 평탄면(19)이 형성된다(도 1e 참조).

유로 측벽(9) 및 더미 패턴(20)은, 노광에 의해 경화된 네거티브형 포토레지스트로 이루어지는 고체층들이고, 막 경도가, 포지티브형 포토레지스트로 이루어지는 용해 가능한 수지층의 막 경도보다 높다. 따라서, 용해 가능한 수지층의 연마 속도가, 유로 측벽(9)을 형성하기 위해 노광에 의해 경화되는 네거티브형 포토레지스트의 연마 속도보다 높기 때문에, 고체층의 표면이 용해 가능한 수지층으로부터 노출될 때 용해 가능한 수지층의 연마가 행하여지지 않는다.

이로 인해, 평탄면(19)의 기판으로부터의 두께는, 보호막(4), 밀착층(7) 및 유로 측벽(9)이 되는 포지티브형의 레지스트의 막 두께들의 합과 실질적으로 동등하다.

본 예에서는, 종래 기술과 달리, 액체 토출 헤드를 형성하는 칩들 중에서 최외측의 칩에 인접하여, 더미 패턴(20)이 형성되어, 평탄면(19)의 기판으로부터의 두께가 균일하게 될 수 있다.

CMP 장치에 의해 연마를 행할 때에 발생하는 임의의 스크래치(작은 균열들)나 디싱(dishing)(요철)을 방지 또는 억제하기 위해서 적절한 조건 하에서 튜닝을 행하는 것은 말할 필요도 없다. 연마 공정에 의해, 기판(1)의 전면이 평탄화되고, 후술되는 공정에서 천장 부재를 형성할 때에 천장 부재의 막 두께를 균일화할 수 있으므로, 고체층의 막 두께와 매립 재료층의 막 두께에 의해 결정되는 OH 거리를 정밀하게 제어할 수 있다.

천장 부재의 막 두께(OH 거리)는, 25μm 이상 80μm 이하일 수 있다.

더미 패턴(20)이 제공되기 때문에, 매립 재료층(11)을 연마할 때 전면의 평탄성의 제어가 용이하게 되고, 연마 공정의 수율이 향상될 수 있다.

다음에, 연마 공정이 실시된 표면에, 천장 부재가 될 네거티브형 포토레지스트(도시하지 않음)를 스핀 코팅에 의해 도포하여, 수지층을 적층한다. 네거티브형 포토레지스트는 유로 벽의 천장의 일부를 형성하기 위한 것이며, 그 재료는 이러한 목적을 위해서 선택될 수 있다. 유로 측벽을 형성하기 위해 사용한 네거티브형 포토레지스트가 사용될 수 있다. 연마 공정에 의해, 네거티브형 포토레지스트가 도포되는 표면의 평탄성이 확보되므로, 수지층의 전체에 걸쳐 두께의 편차를 효과적으로 억제할 수 있다.

그 후, 3mm의 네거티브형 포토레지스트가 최외주부로부터 제거된다. 다음에, 일반적인 포토리소그래피법을 사용해 토출구(14)가 형성됨으로써 유로 측벽(9)의 천장 부재(12)가 완성된다(도 1f 참조).

또한, 토출구(14)를 형성하는 것은, 동일 마스크를 사용한 포토리소그래피법에 의해 행할 수 있다. 도 1f는, 더미 패턴(20)이 형성되는 영역이 차광되는 조건을 예시한다.

다음에, 기판(1)의 전면과 측면을 덮도록 보호재(15)가, 스핀 코팅에 의해 형성된다(도 2a 참조). 보호재(15)는 장치들 사이에서의 반송 동안의 균열들을 방지하기 위한 보호재이며, 이방성 에칭을 위해 사용하는 강 알칼리 용액을 충분히 견디어낼 수 있는 재료로 만들어질 수 있다.

다음에, 기판(1)의 이면의 실리콘 산화막(6)을, 폴리에테르 아미드 수지 패턴(8)을 마스크로서 사용하여 웨트 에칭에 의해 패터닝하여, 이방성 에칭의 개시면인 실리콘면이 노출된다. 그 후, 기판(1)에, TMAH 등의 강 알칼리 용액을 사용하여 이방성 에칭을 행해 액체 공급구(16)를 형성한다. 다음에, 폴리에테르 아미드 수지 패턴(8)을 제거한 후, 유로 측벽들(9)에 충전되는 매립 재료층(11)을 액체 공급구(16)로부터 용출시킴으로써, 유로(17)가 형성된다(도 2b 참조).

유로(17)의 높이, 즉, 유로 측벽(9)의 막 두께는 15μm 이상 20μm 이하일 수 있다.

포지티브형 포토레지스트로 이루어지는 매립 재료층(11)을 제거하기 전에, 매립 재료층(11)을 노광(예를 들어, 딥(Deep) UV 광으로 조사)한다. 그 후, 현상액을 사용하여 매립 재료층(11)을 용이하게 제거할 수 있다.

최후에, 기판(1)을 다이싱 소우(dicing saw)를 사용해서 절단 분리하여 칩들을 얻음으로써, 그에 의해 액체 토출 헤드들이 완성된다. 액체 토출 헤드들이 완성될 때, 헤드는 도 2b에 도시된 C-C'선을 따라 절단되고, 주연 영역(23)이 기판(1)으로부터 제거되고 외벽 부재(20)가 유로의 벽으로부터 분리된다.

본 발명이 예시적인 실시예들을 참조하여 설명되었지만, 본 발명은 개시된 예시적인 실시예들에 한정되지 않는다는 것이 이해되어야 한다. 다음의 청구항들의 범위는 그러한 모든 변형들 및 동등한 구조들 및 기능들을 포함하도록 최광의의 해석에 따라야 한다.

1: 기판
3: 토출 에너지 발생 소자
5: 패드
14: 토출구
16: 액체 공급구

Claims

액체를 토출하기 위한 에너지를 발생시키는 복수개의 에너지 발생 소자, 액체 토출구들을 구비하는 토출구 부재, 및 상기 토출구들과 연통하는 유로를 포함하는 액체 토출 헤드의 제조 방법으로서,
복수의 개별 유닛이 서로 인접하여 배치되는 헤드 영역 - 상기 헤드 영역의 복수의 개별 유닛 각각은 1개의 액체 토출 헤드에 대응하고 1개의 액체 토출 헤드분을 충족하는 크기의 소자막을 가짐 - , 및 상기 헤드 영역의 외측에 위치되는 주연 영역(peripheral region) - 상기 주연 영역의 복수의 개별 유닛 각각은 1개의 액체 토출 헤드에 대응하지 않고 1개의 액체 토출 헤드분을 충족하지 못하는 크기의 소자막을 가짐 - 을 갖는 기판을 준비하는 단계;
상기 기판의 상기 헤드 영역 및 상기 주연 영역 상에 고체층을 제공하는 단계;
상기 개별 유닛에 대응하는 상기 유로의 복수의 측벽을 상기 헤드 영역 상에 상기 고체층으로부터 형성하고, 상기 복수의 측벽을 둘러싸도록 제공된 외벽 부재를 상기 주연 영역 상에 상기 고체층으로부터 형성하는 단계;
상기 유로의 상기 측벽들 및 상기 외벽 부재를 덮도록, 상기 유로가 될 부분 상에 수지층을 제공하는 단계;
상기 수지층의 표면으로부터 상기 측벽들 및 상기 외벽 부재를 노출하도록 상기 기판을 향하여 상기 수지층을 연마하는 단계;
상기 수지층 및 상기 측벽들을 덮도록 상기 토출구 부재를 제공하는 단계;
상기 수지층을 제거하여 상기 유로를 형성하는 단계; 및
상기 기판으로부터 상기 주연 영역을 제거하는 단계
를 포함하는, 액체 토출 헤드의 제조 방법.
제1항에 있어서,
상기 고체층은 네거티브형의 감광성 수지로 이루어지는 층인, 액체 토출 헤드의 제조 방법.
제1항에 있어서,
서로 대향하는 상기 측벽과 상기 외벽 부재가 서로 평행한, 액체 토출 헤드의 제조 방법.
제1항에 있어서,
상기 수지층은 포지티브형 감광성 수지로 이루어지는 층인, 액체 토출 헤드의 제조 방법.
제1항에 있어서,
상기 헤드 영역은 직사각형 영역인, 액체 토출 헤드의 제조 방법.
제1항에 있어서,
다이싱(dicing)을 사용하여 상기 기판을 절단함으로써 상기 주연 영역을 상기 기판으로부터 제거하는, 액체 토출 헤드의 제조 방법.
제1항에 있어서,
상기 기판의 상기 헤드 영역을 분단함으로써 하나의 액체 토출 헤드를 얻는, 액체 토출 헤드의 제조 방법.
제1항에 있어서,
상기 주연 영역과 그 위에 형성된 구조물을 상기 기판으로부터 제거하는, 액체 토출 헤드의 제조 방법.
제1항에 있어서,
상기 헤드 영역의 각각의 개별 유닛에는 1개의 액체 토출 헤드에 대응하는 개수의 에너지 발생 소자가 설치되고, 상기 주연 영역의 각각의 개별 유닛에는 1개의 액체 토출 헤드에 대응하는 개수를 충족하지 못한 개수의 에너지 발생 소자가 설치되는, 액체 토출 헤드의 제조 방법.