CN1210156C - 流体喷射装置及其制造方法 - Google Patents
流体喷射装置及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1210156C CN1210156C CNB998009490A CN99800949A CN1210156C CN 1210156 C CN1210156 C CN 1210156C CN B998009490 A CNB998009490 A CN B998009490A CN 99800949 A CN99800949 A CN 99800949A CN 1210156 C CN1210156 C CN 1210156C
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- hole
- stream
- pressure chamber
- outlet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000012530 fluid Substances 0.000 title claims abstract description 80
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 249
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 91
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 91
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 87
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 64
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 57
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 claims description 18
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 claims description 18
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 12
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 9
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 7
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 4
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 claims description 3
- 238000012797 qualification Methods 0.000 claims description 3
- 229910020684 PbZr Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 4
- 238000006664 bond formation reaction Methods 0.000 claims 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 3
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 abstract description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 38
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 35
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 6
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 5
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 3
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 3
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- KVBCYCWRDBDGBG-UHFFFAOYSA-N azane;dihydrofluoride Chemical compound [NH4+].F.[F-] KVBCYCWRDBDGBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000003292 diminished effect Effects 0.000 description 1
- 239000013536 elastomeric material Substances 0.000 description 1
- 239000002305 electric material Substances 0.000 description 1
- 230000001815 facial effect Effects 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 230000008676 import Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 1
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/1623—Manufacturing processes bonding and adhesion
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/14—Structure thereof only for on-demand ink jet heads
- B41J2/14201—Structure of print heads with piezoelectric elements
- B41J2/14233—Structure of print heads with piezoelectric elements of film type, deformed by bending and disposed on a diaphragm
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1607—Production of print heads with piezoelectric elements
- B41J2/161—Production of print heads with piezoelectric elements of film type, deformed by bending and disposed on a diaphragm
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/1626—Manufacturing processes etching
- B41J2/1628—Manufacturing processes etching dry etching
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/1631—Manufacturing processes photolithography
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/1632—Manufacturing processes machining
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/164—Manufacturing processes thin film formation
- B41J2/1646—Manufacturing processes thin film formation thin film formation by sputtering
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/14—Structure thereof only for on-demand ink jet heads
- B41J2002/14387—Front shooter
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
Abstract
用于谋求喷嘴的高密度化及工序效率化喷墨的流体喷射装置及其制造方法。玻璃基板(18)上通过喷砂设有贯穿孔(15),其上直接接合第二硅基板(19)形成排出口(14)。另外,蚀刻第一硅基板(17)以形成压力室(12)、流路(13)及流体供给口(16)并与玻璃基板(18)直接接合后,在压力室(12)正上面与具有弹性体(20)的压电薄膜(11)接合。
Description
技术领域
本发明涉及一种用于喷墨型打印机的打印头等、且用来在良好控制下吐出墨水等流体的流体喷射装置及其制造方法、
背景技术
随着近年来信息化社会的进展,各种OA机器的需求迅速提高。其中,各种打印机不只是用作单纯的记录机构,且在高速印刷、高图像品质等方面的要求也愈来愈强。
在广泛普及的一般喷墨型打印机中,可高速度、且任意地进行墨水吐出的按指令方式的喷墨头是决定机器性能的关键装置。大型喷墨头系由墨水流路、用于加压墨水的压力室、激励器等墨水加压机构、以及吐出墨水的吐出口所构成。为了实现按指令方式,需要控制良好的加压机构,以往多使用通过对于墨水加热而产生的气泡吐出的方式(加热方式)、及通过压电陶瓷等的变形直接加压墨水的方式(压电方式)等。
图11为表示喷墨头的构成一例的立体剖面图。现有的压电式喷墨头系由压电体111、压力室112、流路113、吐出口114、流体(墨水)供给口115、构造体116、构造体117、构造体118、振动板119、及各别电极120a、120b构成。
在此,在压电体的第一面设有各别电极120a、120b,在第二面也同样形成有电极(未图示)。压电体111系透过第二面的电极而与振动板119接合。
其次,振动板119、构造体116、构造体117、构造体118系通过粘合剂等接合而成为一层合构造。在构造体116的内部设有用来形成压力室112及流路113的空洞。压力室112、流路113、各别电极120a、120b等一般设有多个组,并各别地加以划分。构造体117也一样,并形成有墨水供给口115。又,在构造体118上与压力室112的位置相对地设有吐出口114;其系从墨水供给口115导入墨水,并将此墨水填充于流路113及压力室112中。
振动板119为导电材料,且与压电体11的粘接侧的电极导通。因此,通过在振动板119与各别电极120a、120b间施加电压,使压电体111与振动板119的层合部弯曲变形。此时,通过选择施加电压的电极,可使压电体111的任何位置,即对应于任意的压力室112的位置产生弯曲变形。通过由此变形推压压力室112内的墨水,从吐出口114吐出按照推压力的量的墨水。变形量因加在压电体111的电压而异,即,通过控制电压的大小及外加位置,可从任意位置吐出任意量的墨水。
现有的加热方式的喷墨头一般在响应速度等方面不如压电方式。一方面,采用压电方式的喷墨头时,与振动板的弯曲变形由于压电体厚度而受到限制。即,在厚度大的情况下,因压电体其本身的刚性而无法获得充分的变形。若为获得充分的变形而扩大压电体的面积,则喷墨头变大而阻碍喷嘴的高密度化,并成为增加材料成本的重要原因。另外在面积无法扩大时,为了获得充分的变形而需要更高的驱动电压。
现在,通过厚膜形成和一体烧成的技术,虽已实现了压电体厚度20微米左右的压电体,但为了更高的图像品质化而有必要使喷嘴高密度化。当为了喷嘴的高密度化而缩小压电体的面积时,压电体厚度的减少虽不可或缺,但在现有技术方面却对此有界限。
另外,虽为形成流路而在不锈钢等的构造体内部必需设置空洞部,但为了实现既精密且复杂的流路,却有必要更多的层叠。又,接合部的粘接材料由于长时间暴露于液体,必须从可靠性方面加以注意。
发明内容本发明的目的在于提供一种具有更高图样品质且高可靠性、低成本的喷墨头的流体喷射装置。
本发明的一种流体喷射装置,包括:至少一个独立于其它压力腔室划分的压力腔室;连通一所述压力腔室的流路;与所述压力腔室连通的排出口;以及覆盖所述压力腔室的一方的面的压力产生部,它包括一由压电材料和一弹性体制成的层合体;所述压力腔室、所述流路和所述排出口由这样一个结构限定,所述结构包括至少一个平硅基板,所述至少一个平硅基板与至少一个平玻璃基板层合;其特征在于,所述压电材料被划分为其间具有分割部的多个区域,每个区域与各腔室对应,且至少在所述压电材料的分割部设有树脂层。
又,本发明的流体喷射装置制造方法包含有:
在第一基板上形成压力室用贯穿孔及供给口用贯穿孔的形成工序;
接合所述第一基板与第二基板的接合工序;
接合所述第二基板与第三基板的接合工序;
形成由压电材料与弹性材料的层合体构成的压力产生部以覆盖所述压力室用贯穿孔的形成工序。
又,本发明系使用用溅射法所形成的PZT系薄膜材料作为压电体。
又,本发明系使用硅基板及玻璃基板作为构造体,且通过蚀刻及喷砂法进行加工。
又,本发明其构造体的结合并不使用树脂,而通过表面处理及加热处理来进行直接接合。
由于这种构成,压电体可容易实现薄型化,有助于喷嘴(吐出口)的高密度化。又,硅及玻璃可通过蚀刻及喷砂一次对多个进行微细加工,可提高制品加工精度、减少生产工序。而且硅及玻璃可互相直接接合,可容易地确保对于液体的充灌的长期可靠性,同时可进行成批处理的接合,故可实现工序的简单化。
附图说明
图1系本发明第一实施形态中的流体喷射装置的截面立体图;
图2A~2D系该压电薄膜的制造工序图;
图3A~3E系该硅基板加工的制造工序图;
图4A~4E系该吐出口形成的制造工序图;
图5A~5D系该流体喷射装置的制造工序图;
图6A~6F系硅基板加工的其他制造工序图;
图7A~7D系吐出口形成的其他制造工序图;
图8系本发明第二实施形态中的流体喷射装置的截面立体图;
图9A~9E系该硅基板加工的制造工序图;
图10A~10F系该流体喷射装置的制造工序图;
图11为一表示习知流体喷射装置的构成的截面立体图;
图12系本发明第一实施形态中已加工硅基板的俯视图;
图13A~13E为一表示该硅基板及玻璃基板的加工顺序的制造工序图;
图14A~14E为一表示该硅基板及玻璃基板的其他加工顺序的制造工序图;
第15A、15B图系表示本发明第二实施形态的硅基板的加工状态。
具体实施方式
第一实施形态
图1为一表示使用硅、玻璃及压电薄膜的流体喷射装置一例的截面立体图。
如图1所示,本实施形态的流体喷射装置包含有:压电薄膜11;压力室12;流路13;吐出口14;贯穿孔15;流体(墨水)供给口16;第一硅基板17;玻璃基板18;第二硅基板19;弹性体20;及各别电极21a,21b。即,本实施形态的流体喷射装置系包含:由第一硅基板17、玻璃基板18及第二硅基板19所成的层合体;压电体11及弹性体20;及设在该压电膜11上的各别电极21a,21b。
在第一硅基板17上设有:相对于各别电极21a,21b的位置个别地设置的贯穿孔即压力室12;与压力室12导通且加工至厚度方向的中途的深度的流路13;及与流路13导通的贯穿孔即流体供给口16。流路13采用一种在中途愈离开压力室12开口面积愈大的形状(以图1的虚线表示)。又,图1中主要表示一组各别电极、压力室、吐出口等。流体喷射装置一般由同一构成的多个组的各别电极、压力室、吐出口所构成。图1中各别电极表示21a及21b二组。
其次,接合第一硅基板17与玻璃基板18,通过此将压力室12及流路13留下一部分并密封。在对应于压力室12的玻璃基板18部分分别设有贯穿孔15。另外,与在第二硅基板19上贯穿孔15大致中央部对应地形成有一面积比贯穿孔15的开口部狭窄的吐出口14。又,将玻璃基板18与第二硅基板19接合。在与压力室12的贯穿孔15相反侧的面上经弹性体20接合有压电薄膜11。在压电薄膜11的表面设有各别电极21a,21b,而在背面也设有各别电极(未图示)。
从流体供给口16流入的液体系填充在流路13、压力室12、贯穿孔15中,而停滞在吐出口14附近。当以此状态将电压施加于压电薄膜11两面的两极间时,压电薄膜11及弹性体的层合体则产生弯曲变形。如弹性体20为薄电材料,便与压电体的背面电极导通,并通过在弹性体20与各别21a,21b间外加电压而产生弯曲变形。又,通过选择外加电压的各别电极21a,21b的场所,可仅在任意部位产生变形。而且由于压电薄膜11及弹性体20的层合体的弯曲而推压压力室12内的流体,相应于推压量从吐出口14喷射流体。
一般而言,压电薄膜11使用具有高压电常数的PbZrxTi1-xO3(PZT系)材料等。此材料的薄膜例如可在压电薄膜用基板MgO上以一定条件通过由溅射法加以成膜而得。通过将压电薄膜用基板MgO浸渍于磷酸等中加以蚀刻,可容易地仅得到压电薄膜11的薄膜。
吐出口14的形状影响到流体的喷射速度和面积等,是喷墨等方面决定印字性能的重要要素。吐出口14的开口面积小虽可实现更细的印字,但其与压力室的面积差过大则衰减增大而无法进行良好的吐出。故在玻璃基板18上设置贯穿孔15,且通过在贯穿孔15中形成一从压力室朝向吐出口减少面积的圆锥以减轻损失。另外,如采取该构成,与只设置锥形孔相比更易于控制吐出口的形状,可形成更微细且均匀形状的吐出口。
在此,推压时压力不仅传递给吐出口14,且也传递至流路13侧,以致有流体倒流的情况。故在流路13设置一朝向压力室12且开口面积变为狭窄的圆锥,通过此增加对于倒流的阻力而使吐出更良好地进行。又,通过在流路13中设置面积狭窄部分,也可期待同样的效果;且将流路13的狭窄部分作成吐出口14的面积的0.5倍~1.5倍,由此可防止倒流并进行良好的吐出。
又,如果采用溅射法,可轻易获得数微米厚度的压电薄膜11,与以往相比为薄型。如果压电薄膜11的厚度变薄,则由于本身的刚性降低而易于获得更大的挠度,在同一挠度中则以较薄者偏斜量小,对于重覆负荷的可靠性增加。因此,压电材料的薄型化,可使激励器部小型化及使吐出口14的面积变小,进而有助于密度的增加,及有助于进一步提高图像品质。
压电薄膜11的厚度过薄将招致驱动力的不足;反之,若要通过薄膜技术来获得厚材料,将招致溅射时间的增加并造成效率的恶化。为此,压电薄膜11的厚度为7微米以下在驱动力及成膜成本上较为妥当。激励器若只是压电薄膜11时并不会弯曲变形,所以有必要与其他弹性体20作成层合构造。从作为弹性体20起作用且具有导电性的观点来看宜使用不锈钢等的金属材料,但弯曲变形时的中立面将根据两者的厚度及材料的刚性改变。中立点愈离开界面,界面的偏斜愈增加并产生剥离的危险性;而如为压电体内部,则将降低驱动效率。因此,为了使中立点的位置为界面附近,而将两者的厚度关系作成金属材料的弹性体与压电体的厚度相比为相等或其以下。
由于压电材料仅在各压力室能驱动即可,故在邻接压力室的隔壁部并不需要形成压电材料。不如说通过分割成各压力室单位可防止邻接压电体彼此间的干扰,且在接合作业时和驱动时可避免压电材料中施加应力,故可防止压电材料的裂痕。
图2为表示一例分割压电材料的加工方法的截面图。
首先,如图2A所示,通过溅射在压电薄膜用基板MgO 24上层叠各别电极用材料23、压电薄膜22。其次,通过选择蚀刻来除去各别电极用材料23及压电薄膜22,以分割成各别电极23a、23b、23c、及压电薄膜22a、22b、22c(图2B)。接着形成由铬等的金属材料构成的弹性体28,并在其上涂布聚酰亚胺等的树脂材料25(图2C)。接着,在通过选择蚀刻来除去分割部位即各别电极用材料23及压电薄膜22的部位,接合硅基板27,以使压电薄膜22a、22b、22c仅配置在压力室26a、26b、26c。最后将压电薄膜用基板MgO浸渍于磷酸中加以除去(图2D)。其结果,通过树脂材料25来加强分割部位,而且树脂材料25因刚性低而对于驱动影响不大。
采用以上的构成,可实现一种从基板平面的任意吐出口吐出流体的流体喷射装置。
其次示出装配工序的一例。图3A-3E、图4A~4E、图5A~5D为表示本发明流体喷射装置的装配工序的剖面图。
图3A~3E系表示第一硅基板31的加工方法的一例。在图3A所示的第一硅基板31的两面涂布抗蚀剂层32a、32b,使用照相平版印刷工法在给定的位置形成图案(图3B)。此时按照对应于各压力室34和流路33等的位置及形状形成图案。
其次,通过RIE(Reactive Ion Etching:反应离子蚀刻)从抗蚀剂层32b侧蚀刻Si。而在向基板厚度方向为给定深度的位置停止蚀刻,仅向单面开口形成流路33(图3C)。接着从抗蚀剂层32a侧进行蚀刻,形成与流路33导通的贯穿部。通过此形成压力室34及流体供给口35(图3D)。最后,剥离抗蚀剂层32a、32b,完成第一硅基板31的加工(图3E)。
图4A~4E系表示玻璃基板41与第二硅基板44的加工方法的一例。
首先,在基板41的两面涂布抗蚀剂层42a、42b,并只在42a侧对应于压力室的位置形成图案(图4A)。其次,通过喷砂工法从抗蚀剂层42a侧喷射磨砂粒,加工玻璃基板41并形成贯穿孔43(图4B)。此时,贯穿孔43系形成从磨砂粒喷射侧朝向贯穿侧变窄的圆锥。又,抗蚀剂层42b具有用来防止因磨砂粒而损伤背面侧的作用。
接着,在剥离抗蚀剂层42a、42b后直接接合第二硅基板44与玻璃基板41,而在第二硅基板44上形成抗蚀剂层45的图案,此抗蚀剂层系用来与各压力室对应地形成吐出口46(图4C)。
直接接合系在不使用树脂等的中间物、且也不使用如阳极接合等那样的高电压下,仅通过基板洗净及加热来接合各基板的方法。例如,用硫酸过水等来洗净表面平坦性良好的玻璃及硅,乾燥后加以重叠。
如此后两基板加压,可获得大致上的吸附,进而通过几百度的加热处理使两基板间的接合强度上升。该手法系通过基板材料、洗净条件、加热条件的最适合化而获得极高的强度。例如在玻璃基板彼此的接合中,能见到非在剥离试验的结果界面的基板内引起破坏的模式看出。因此,与使用树脂等的场合相比,更不需要担心如黏接层中所见的经时性劣化(老化)和因与流体的接触而引起的劣化等,可获得高可靠度。再者,由于只是洗净及加热的工序,故工序简单。此后,通过RIE对于第二硅基板施行蚀刻加工(图4D),并剥离抗蚀剂层,完成作业(图4E)。
采用图4A~4E所示的方法,两方的贯穿孔的定位将变成容易;又,由于因接合而增加厚度,所以易于处理,可使用更薄的第二硅基板,进而可高精度且均匀地形成一对于吐出性影响颇大的第二硅基板的吐出口用贯穿孔。
图5A~5D为截面图,系表示加工后的第一硅基板56、玻璃基板57及第二硅基板58的接合体,及贴合压电薄膜59(包含弹性体)的工序。
首先,将按照所述图3A~3E施行的加工完成的第一硅基板56、按照图4A~4E加工的第二硅基板58与玻璃基板的接合体(图5A),经与所述同样的手法进行直接接合(图5B)。此时,事前进行压力室51与贯穿孔54的位置对准。此后,在压力室51上部贴合一在MgO等的压电薄膜用基板60上成膜的压电薄膜59(包含弹性体)(图5C)。最后除去压电薄膜用基板60并完成作业(图5D)。若压电薄膜用基板60为MgO时,可通过浸渍于磷酸液等除去。
采用上述方法,可通过微细加工技术来进行高精度且高效率的加工,且接合工序也简易,可靠性也高。另外,若使用喷砂工序,则特别可快速地进行玻璃等脆性材料的加工,且贯穿孔的形状自动具有均匀的圆锥,所以可形成适于流体吐出的形状。另外,所述加工可通过图案设计来加工各种形状,设计范围宽广。
另外,在上述第一硅基板56的加工方法中的流路形成方法中虽沿厚度方向形成给定深度沟槽,但也有将贯穿部形成在流路部的其他方法,现说明如下。
图6A~6F系表示第一硅基板61的加工及装配方法的截面图。
在图6A图所示的第一硅基板61上涂布第一抗蚀剂层62以进行图案形成(图6B图)。此时,在给定的位置进行图案形成,以使流路63、压力室64、流体供给口65成为可加工状态。其次,通过由RIE等的手法贯穿形成流路63、压力室64、流体供给口65的全部(图6C)。除去第一抗蚀剂层62以后,直接接合密封用玻璃基板66,进而涂布第二抗蚀剂层67,进行图案形成(图6D)。此后,通过喷砂来进行对应于压力室67及流体供给口65部分的加工,形成分别导通于压力室64及流体供给口65的第一玻璃贯穿孔68、第二玻璃贯穿孔69(第6E图)。此时,若需要从喷砂保护第一硅基板61时,在两面设抗蚀剂层也可。或者,也可将贯穿前停止借助喷砂的加工代的用氟化氢铵等来蚀刻残留部分的玻璃以形成玻璃贯穿孔。最后,剥离第二抗蚀剂层67并完成作业(图6F)。
图12中表示从基板表面看的用该方法加工的第一硅基板的形状。如图所示,连接压力室64与供给口65的流路63形成为愈接近压力室愈变窄。这是如前所述为了增加对于流体倒流的阻止以使吐出更佳。
采用该方法,第一硅基板61的加工并不需要如图3A~3E那样进行二次,进行一次具有良好的效率,且流路63的形状也依第一硅基板61的厚度而定,故可形成均匀的形状。加上压力室的空洞部分可增加密封用玻璃基板66部分的厚度,可使更多的流体充填于压力室内,有助于吐出条件的最适合化。由于硅基板的厚度大,无法进行良好的贯穿加工,所以在其意义上也非常有效。
而且由于通过图6所示的工序密封流路63的一侧,所以与图5所示例一样可实施与其它要素的贴合工序。另外,在图6所示例方面,虽直接接合玻璃基板及硅基板后进行玻璃基板的加工,但与的同样的方法也可在其他工序中同样地实施。
参照图13作为一例来说明形成流路部的其他方法。将已通过喷砂形成有贯穿孔54的玻璃基板57(图13A)与第一硅基板61直接接合(图13B)。其次,在第一硅基板61上涂布抗蚀剂层62并进行图案形成(图13C)。在此,将抗蚀剂层平面地制作图案成图12所示的形状。其后,通过由RIE总括地加工对应于压力室及流体供给口的贯穿孔64、65及流路用贯穿孔63(图13D),然后除去抗蚀剂层62,完成作业(图13E)。
采用该方法,因基板的总厚度增加而提高强度,故可防止工序中造成的损坏。又,由于易受垃圾及污脏影响的直接接合最初进行,其后的工序不会受到影响。另外,由于直接接合,而较的使用树脂等的接合更不需要考虑蚀刻等时的对于界面的浸蚀。再者,由于玻璃基板与第一硅基板接合之后进行第一硅基板的加工,所以贯穿孔等的定位容易,且因板厚的增加而不易产生裂痕。又,由于第一硅基板的蚀刻在与玻璃基板的接合面受到阻碍,所以可均匀地控制沟槽部的贯穿侧的形状,可形成高均匀性的流路。
另外,即使在本实施例的最初方法(图3A图~图5D)中,也可施行如下的加工法。在第一硅基板31上涂布抗蚀剂层32a、32b后,进行图案形成(图14A)。用RIE沿硅基板31的厚度方向加工到中途为止,通过此形成流路33(图14B)。其次,与已通过喷砂形成有贯穿孔54的玻璃基板直接接合(图14C)。在第一硅基板31上涂布抗蚀剂层32c,并进行图案形成(图14D)。其次通过RIE,于第一硅基板31上形成对应于压力室及流体供给口的贯穿孔34、35(图14E)。采用该方法,则由于可一面参照玻璃基板57的贯穿孔54,一面进行第一硅基板31的贯穿孔34的加工的定位和大小的控制,因而精度高且容易。在第一硅基板31与玻璃基板57的接合部方面,由于材质各异而蚀刻速也不同,可正确地停止贯穿孔54的加工,贯穿孔形状的均一性良好。
与此相同,如图7所示,接合玻璃基板71与第二硅基板72时的情况相同,也可将两者直接接合后加工两者的贯穿孔。
另外,通过由研磨使第二硅基板72成为薄板,通过此可完成更微细且精密的加工。图7A~7D为表示包含有通过研磨使第二硅基板72变薄时的工序的一例的截面图。
与前例一样,直接接合玻璃基板71与第二硅基板72(图7A)。此后,研磨第二硅基板72使厚度减少(图7B)。接着,与所述一样通过喷砂、RIE等形成贯穿孔73及吐出口74(图7C、7D)。如第二硅基板72的厚度较厚,加工则费时,加上易产生加工偏差而不易获得均匀的孔,更难以加工既微小且深的贯穿孔。
因此,虽说第二硅基板72的厚度薄些较为理想,但在硅单板中,从工序的处理上及加工成品率的观点却有限制。因此通过与玻璃基板直接接合以增加刚性,使研磨作业变为容易。另外,研磨后可直接进入下一工序。虽为了实现更高的吐出高密度的流体喷射装置而需要将吐出口径小型化至大约几十微米以下,但如将硅板厚也同样缩小到50微米以下,则可形成更小型、高密度且均匀形状的吐出口。另外,由于待两基板的接合后进行玻璃基板及第二硅基板的贯穿孔的加工,而不需要接合时的定位,且在加工前即已接合,所以在加工中不会损坏接合面,也不会粘附污脏,具有可获得良好接合的作用。
毋庸置言,如研磨时没有问题,则也可在玻璃基板设贯穿孔后进行直接接合、研磨,可获得同样效果。
加以由喷砂所加工的贯穿孔如前所述具有开口面积从磨砂粒喷射侧朝向贯穿侧缩小的圆锥形状。因此,虽受磨砂粒的大小和喷射速度等的若干影响,但只要将玻璃的板厚及磨砂粒喷射侧的直径(抗蚀剂层的开口直径)作成均一,也就决定了贯穿侧的开口直径。因此,通过选择玻璃板厚及磨砂粒喷射侧的直径以便贯穿侧的直径稍大于吐出口径,能均匀地加工最适合的形状。如前所述,为了与几十微米以下的吐出口对应,若为0.8mm以下的玻璃基板时,将磨砂粒喷射侧的直径设为rg,并将贯穿侧的直径设为rs时的玻璃基板的厚度大致为1.2(rg-rs)~1.9×(rg-rs)的条件。
第二实施形态
图8为一表示第二实施形态的流体喷射装置的截面立体图。
在图8中,硅基板86、第一玻璃基板87、第二玻璃基板88,系通过第一实施形态中所述的直接接合加以接合而成为层合构造。硅基板86系通过RIE等手法设有向基板端面部开口的吐出口84(84a、84b)、与其导通且贯穿的压力室82、及成为流体供给口85的一部分的贯穿部。又,在第一玻璃基板87中也设有贯穿部,贯穿部的一部分则与压力室82导通而形成流路83,另一部分构成流体供给口85的一部分。
在压力室82的正上面接合有压电薄膜81与弹性体89的层合体,该压电薄膜81上设有各别电极90a、90b。各压力室82与流路83系互相被分割而独立,与各压力室82对应地配置有各别电极90a、90b。第二玻璃基板88系密封第一玻璃基板87的贯穿部的一方并形成流路83的一部分。流体则从流体供给口85经由流路83而填充于压力室82;其后通过压电薄膜上外加电压时的变形推压流体并从吐出口84a、84b等喷射流体。
其次说明制造方法。
图9A~9E系表示硅基板的加工方法的截面图。
在图9A所示的硅基板91的两面涂布抗蚀剂层92a、92b并进行图案形成(图9B)。其次,通过由RIE从一方的面加以蚀刻进行浅加工并形成吐出口93(图9C图)。接着从另一方的面进行贯穿加工并形成压力室94及流体供给口95。此时将吐出口93及压力室94作成一部分导通的结构(图9D)。最后,剥离两面的抗蚀剂层而完工(图9E)。
图10A~10F系表示全体的装配方法的截面图。
如图10A~10F所示,通过由喷砂对于已加工完成的硅基板101(图10A)进行贯穿加工并直接接合已设有流路106的第一玻璃基板105(图10B)。此时,将流路106设成导通于压力室103及流体供给口104,且在吐出口10侧直接接合。进而直接接合第二玻璃基板107及第一玻璃基板105并密封流路106的一侧(图10C)。
其次,与第一实施形态同样地将设在MgO基板110上的压电薄膜108与弹性体(图10D)接合并浸渍于磷酸水溶液以除去MgO基板110(图10E)。最后,当分割三片基板的层合体时,在与吐出口102长度方向垂直方向进行切块等,使吐出口102向外部开口而完成作业(图10F)。
还有,吐出口102的形状虽是决定流体吐出能力的重要因素,但吐出口102为微细时,因通过上述切块等分割时产生切屑而可能损坏形状。作为回避此形状损坏的一例,首先在借助硅基板的蚀刻加工形成吐出口前,在吐出口位置预先切断硅基板,以便在吐出口形成后不进行加工。又,若因切断而产生晶圆处理上的问题时,有不完全切断吐出口部分而使切入量至中途等方法。例如,如图15A图中的硅基板的截面形状及图15B的从下观看硅基板的俯视图所示,有预先在硅基板101中形成凹型部分130并与之垂直地形成吐出口用沟槽102,在全体分割时,用比所述凹部狭窄的刀片等沿切断线140切断而吐出口则在切断时不施加加工等方法。又,在图15A~15B中,103为压力室,104为供给口。由此,在硅基板形成沟槽的同时形成所有吐出口,在吐出口部分由于其后不需要加工,所以可保持吐出口的均匀状态而不损及吐出性能。
又,本发明的所有实施形态由于具有全部可由平板构件的层叠形成等的特征,所以易于微细加工,且可实现构造的微细化。并可采用将图9或15所示的单位构造作成在大面积的硅基板上形成多个矩阵状,并在第一及第二玻璃基板上也同样造作多个单位构造,如图10所示将它们接合、其后各别地加以切断等的方法。因此,可一次制造大量流体喷射装置而具有高效率。
采用上述本实施形态的方法,除了可一样获得第一实施形态所述的微细加工及直接接合、压电薄膜的效果以外,更可形成从端面喷射等的不同形态的流体喷射装置。采用该方法可通过抗蚀剂层图案来任意进行吐出口的设计,大大有助于形状的最适化。吐出口的面积仅加工的宽度及深度量,可容易以良好的均匀性地微细地设定。再者,若第一玻璃基板的流路并不贯穿而能半蚀刻时,只通过一次的直接接合即可实施而不需要第二基板,可进一步削减工序。如上所述,依照本发明,通过使用硅及玻璃的微细加工技术及压电薄膜,可形成更小型且具有高密度的流体喷射装置。另外,由于从平板状基板的两方向的加工及层合,能以多个一体形成,生产效率非常良好,设计的自由度也大。此外,各基板间的接合为直接接合,所以不需要使用粘接材料,易于工序管理,还可消除从流体密封方面的长期可靠性的劣化因素。
其结果,可实现喷墨型打印机的按指令方式喷墨头的高密度化、高可靠性化、低价格化。
Claims (40)
1.一种流体喷射装置,包括:
至少一个独立于其它压力腔室划分的压力腔室(12,82);
连通一所述压力腔室的流路(13,83);
与所述压力腔室连通的排出口(14,84a,84b);以及
覆盖所述压力腔室的一方的面的压力产生部,它包括一由压电材料(11,81)和一弹性体(20,89)制成的层合体;
所述压力腔室、所述流路和所述排出口由这样一个结构限定,所述结构包括至少一个平硅基板,所述至少一个平硅基板与至少一个平玻璃基板(18,87)层合;
其特征在于,所述压电材料被划分为其间具有分割部的多个区域,每个区域与各腔室对应,且至少在所述压电材料的分割部设有树脂层(25)。
2.如权利要求1所述的流体喷射装置,其特征在于:
所述压电材料的厚度不超过7微米,所述弹性体的厚度与所述压电材料的厚度相等或其以下。
3.如权利要求2所述的流体喷射装置,其特征在于:
所述弹性体包含一金属材料。
4.如权利要求1所述的流体喷射装置,其特征在于:
所述压电材料包含PbZrxTi1-xO3。
5.如权利要求1所述的流体喷射装置,其特征在于:
所述硅基板与所述玻璃基板系相互直接接合。
6.如权利要求1所述的流体喷射装置,其特征在于,所述流路的狭窄部分的横截面积为排出口横截面积的0.5~1.5倍。
7.如权利要求1所述的流体喷射装置,其特征在于,所述流路的横截面积为圆锥状,且锥顶朝向排出口。
8.如权利要求1所述的流体喷射装置,其特征在于,所述排出口从一与压力腔室连通的宽端至一窄端为圆锥状。
9.如权利要求1所述的流体喷射装置,其特征在于,所述层合结构包括:
具有一压力腔室用的贯穿孔和一流体供给口用的贯穿孔的第一基板(17,86);
与所述第一基板粘接的第二基板(18,87);以及
与所述第二基板粘接的第三基板(19,88)。
10.如权利要求9所述的流体喷射装置,其特征在于,所述第三基板的厚度为50微米以下。
11.如权利要求9所述的流体喷射装置,其特征在于,所述第一基板包括一硅单晶基板,所述第二基板包括一玻璃基板,所述第三基板包括一玻璃基板或一硅单晶基板。
12.如权利要求9所述的流体喷射装置,其特征在于,
所述流路在第一基板中包括一沟槽(13),所述沟槽与压力腔室(12)用的贯穿孔和一流体供给口(16)用的贯穿孔部分连通;
所述排出口在从一与第一基板接触的宽端至一与第三基板接触的窄端为圆锥状的第二基板中具有一圆锥状贯穿孔(15),在所述第三基板中具有一贯穿孔(14)。
13.如权利要求12所述的流体喷射装置,其特征在于,所述在第三基板中用于排出口的贯穿孔与在第二基板中的圆锥状贯穿孔的窄端的中心对准,所述第三基板中的贯穿孔的直径小于第二基板中的圆锥状贯穿孔的窄端直径。
14.如权利要求13所述的流体喷射装置,其特征在于,所述第三基板的厚度为50微米以下,所述第二基板的厚度小于0.8毫米,且厚度范围为1.2(rg-rs)~1.9×(rg-rs),其中,rg为第二基板中圆锥状贯穿孔的宽端直径,rs为第二基板中圆锥状贯穿孔的窄端直径。
15.如权利要求9所述的流体喷射装置,其特征在于,
所述流路(13)在第一基板(17,61)中包括一贯穿孔;
所述排出口在从一与第一基板接触的宽端至一与第三基板(19)接触的窄端为圆锥状的第二基板(18)中具有一贯穿孔(15),在所述第三基板中具有一贯穿孔(14);
所述装置还包括一与所述第一基板(61)粘接、其内具有一压力腔室用的贯穿孔(64)和一流路用的沟槽(63)的第四基板(66)。
16.如权利要求15所述的流体喷射装置,其特征在于,所述第一基板包括一硅单晶基板,所述第二基板包括一玻璃基板,所述第三基板包括一玻璃基板或一硅单晶基板,所述第四基板包括一玻璃基板。
17.如权利要求15所述的流体喷射装置,其特征在于,所述在第三基板中用于排出口的贯穿孔与在第二基板中的圆锥状贯穿孔的窄端的中心对准,所述第三基板中的贯穿孔的直径小于第二基板中的圆锥状贯穿孔的窄端直径。
18.如权利要求17所述的流体喷射装置,其特征在于,所述第三基板的厚度为50微米以下,所述第二基板的厚度小于0.8毫米,厚度范围为1.2(rg-rs)~1.9×(rg-rs),其中,rg为第二基板中圆锥状贯穿孔的宽端直径,rs为第二基板中圆锥状贯穿孔的窄端直径。
19.如权利要求9所述的流体喷射装置,其特征在于,所述排出口在所述与压力腔室的贯穿孔(82)部分连通用的第一基板(86)中包括一沟槽(84a,84b),所述流路在所述第二基板(87)中包括一贯穿部(83)。
20.如权利要求19所述的流体喷射装置,其特征在于,所述流路在所述第一基板上还包括使所述流路在所述第二基板中对准并与压力腔室的贯穿孔(82)部分连通用的贯穿部(83)和流体供给口用的贯穿孔(85)。
21.如权利要求19所述的流体喷射装置,其特征在于,所述排出口用的沟槽位于所述第一基板的一边缘处。
22.一种流体喷射装置的制造方法,所述装置包括:至少一个独立于其他压力腔室划分的压力腔室(12,82),与所述压力腔室连通的流路(13,83),与所述压力腔室连通的排出口(14,84a,84b),以及覆盖所述压力腔室的一方的面的压力产生部,它包括一由压电材料(11,81)和一弹性体(20,89)制成的层合体,所述压力腔室、所述流路和所述排出口由这样一个结构限定,所述结构包括至少一个平硅基板,所述至少一个平硅基板与至少一个平玻璃基板(18,87)层合;
其特征在于,所述方法包括以下步骤:
(a1)在第一基板(17,86)上形成压力腔室用贯穿孔及供给口用贯穿孔;
(b)粘合所述第一基板与第二基板(18,87);
(c)粘合所述第二基板与第三基板(19,88);
(d)用压力产生部罩复用于压力腔室的贯穿孔。
23.如权利要求22所述的方法,其特征在于,还包括以下步骤:
(a2)在所述第一基板(17)中形成流路(13),该流路包括一与用于所述压力腔室的贯穿孔(12)部分连通的沟槽和一用于供给口的贯穿孔(16);
(e)在所述第二基板中形成一贯穿孔(15),该贯穿孔从一与所述第一基板接触的宽端至一与第三基板接触的窄端成圆锥状;以及
(f)在所述第三基板中形成排出口用贯穿孔(14)。
24.如权利要求24所述的方法,其特征在于:
在进行了所述工序(a2)及工序(b)之后进行所述工序(a1)。
25.如权利要求22所述的方法,其特征在于,还包括以下步骤:
(a3)在所述第一基板(61)中形成流路用贯穿孔(63);
(e)在所述第二基板中形成一贯穿孔,该贯穿孔从一与所述第一基板接触的宽端至一与第三基板接触的窄端成圆锥状;以及
(f)在所述第三基板中形成排出口用贯穿孔;
(g)在第四基板(66)中形成压力室用贯穿孔(64);以及
(h)粘合所述第一基板(61)与第四基板(66)以形成流路用沟槽。
26.如权利要求25所述的方法,其特征在于:
在进行所述工序(e)及所述工序(b)之后进行所述工序(a1)及工序(a3)。
27.如权利要求23或25所述的方法,其特征在于:
在进行所述工序(e)及所述工序(c)之后进行工序(f)。
28.如权利要求23或25所述的方法,其特征在于:
在进行所述工序(c)之后进行所述工序(e)及所述工序(f)。
29.如权利要求23或25所述的方法,其特征在于,在步骤(e)和任选地在步骤(f)之后进行步骤(c),所述方法还包括通过研磨使所述第三基板的至少一部分变薄,所述变薄部分与所述第二基板上的贯穿孔对准。
30.如权利要求23或25所述的方法,其特征在于,
在步骤(f)中在所述第三基板上形成排出口用贯穿孔,其直径小于所述第二基板上的圆锥状贯穿孔的窄端直径;以及
在步骤(c)中使所述第三基板上的排出口用贯穿孔与所述第二基板上的圆锥状贯穿孔的窄端直径的中心对准。
31.如权利要求23或25所述的方法,其特征在于,所述第三基板的厚度为50微米以下,所述第二基板的厚度小于0.8毫米,且厚度范围为1.2(rg-rs)~1.9×(rg-rs),其中,rg为第二基板中圆锥状贯穿孔的宽端直径,rs为第二基板中圆锥状贯穿孔的窄端直径。
32.如权利要求22所述的方法,其特征在于,还包括以下步骤:
(a4)在所述第一基板(86)中形成与压力腔室(82)用贯穿孔部分连通的排出口用沟槽(84a,84b);以及
(i)在所述第二基板中形成流路用贯穿部(83)。
33.如权利要求32所述的方法,其特征在于,还包括:通过将所述第一基板(86)与所述第二基板(87)粘接形成所述流路,以使压力腔室用贯穿孔(82)与供给口用贯穿孔(85)在所述第一基板中对准,并在所述第二基板中与流路用贯穿部(83)部分连通。
34.如权利要求32所述的方法,其特征在于,在步骤(a4)中还包括在所述第一基板的一边缘形成所述排出口用的沟槽。
35.如权利要求32所述的方法,其特征在于,还包括:
在所述第一基板中形成一凹部(130);
与所述凹部横向地形成排出口用沟槽(102);
在与排出口用沟槽的纵向成直角处形成一开口部;以及
不与凹部接触地沿凹部切割所述第一基板。
36.如权利要求35所述的方法,其特征在于,还包括在与排出口用沟槽的纵向成直角处切割所述第一基板。
37.如权利要求23至32之一所述的方法,其特征在于,还包括形成横截面积大小为排出口横截面积的0.5~1.5倍的流路。
38.如权利要求23至32之一所述的方法,其特征在于,在步骤(a2)中还包括形成横截面积朝向排出口成圆锥状的流路。
39.如权利要求23至32之一所述的方法,其特征在于,在粘接步骤包括直接粘接。
40.如权利要求23至32之一所述的方法,其特征在于,在所述基板上形成特征的步骤包括在至少一个所述硅基板上进行至少一个反应离子蚀刻工序,并在至少一个所述玻璃基板上进行至少一个喷砂工序。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP171060/1998 | 1998-06-18 | ||
JP17106098 | 1998-06-18 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1272818A CN1272818A (zh) | 2000-11-08 |
CN1210156C true CN1210156C (zh) | 2005-07-13 |
Family
ID=15916330
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB998009490A Expired - Fee Related CN1210156C (zh) | 1998-06-18 | 1999-06-16 | 流体喷射装置及其制造方法 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6554408B1 (zh) |
EP (1) | EP1005986B1 (zh) |
JP (1) | JP4357600B2 (zh) |
KR (1) | KR100567478B1 (zh) |
CN (1) | CN1210156C (zh) |
DE (1) | DE69932911T2 (zh) |
MY (1) | MY124609A (zh) |
TW (1) | TW473436B (zh) |
WO (1) | WO1999065689A1 (zh) |
Families Citing this family (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3327246B2 (ja) * | 1999-03-25 | 2002-09-24 | 富士ゼロックス株式会社 | インクジェット記録ヘッド及びその製造方法 |
JP2002086725A (ja) * | 2000-07-11 | 2002-03-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | インクジェットヘッド、その製造方法及びインクジェット式記録装置 |
US6550895B1 (en) * | 2000-10-20 | 2003-04-22 | Silverbrook Research Pty Ltd | Moving nozzle ink jet with inlet restriction |
JP4954376B2 (ja) | 2001-01-15 | 2012-06-13 | パナソニック株式会社 | 液体噴射装置 |
KR100438836B1 (ko) * | 2001-12-18 | 2004-07-05 | 삼성전자주식회사 | 압전 방식의 잉크젯 프린트 헤드 및 그 제조방법 |
JP3862624B2 (ja) * | 2002-07-10 | 2006-12-27 | キヤノン株式会社 | 液体吐出ヘッドおよび、該ヘッドの製造方法 |
JP3862625B2 (ja) * | 2002-07-10 | 2006-12-27 | キヤノン株式会社 | 液体吐出ヘッドの製造方法 |
KR100474423B1 (ko) * | 2003-02-07 | 2005-03-09 | 삼성전자주식회사 | 버블 잉크젯 프린트 헤드 및 그 제조방법 |
JP4251019B2 (ja) * | 2003-06-13 | 2009-04-08 | パナソニック株式会社 | 微小固形成分分離デバイスとその製造方法、およびこれを用いた微小固形成分の分離方法 |
ATE467665T1 (de) | 2003-08-25 | 2010-05-15 | Dip Tech Ltd | Tinte für keramische oberflächen |
ITTO20030841A1 (it) * | 2003-10-27 | 2005-04-28 | Olivetti I Jet Spa | Testina di stampa a getto d'inchiostro e suo processo di fabbricazione. |
US20050280674A1 (en) * | 2004-06-17 | 2005-12-22 | Mcreynolds Darrell L | Process for modifying the surface profile of an ink supply channel in a printhead |
US7347532B2 (en) | 2004-08-05 | 2008-03-25 | Fujifilm Dimatix, Inc. | Print head nozzle formation |
US7563691B2 (en) * | 2004-10-29 | 2009-07-21 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method for plasma enhanced bonding and bonded structures formed by plasma enhanced bonding |
JP4936880B2 (ja) * | 2006-12-26 | 2012-05-23 | 株式会社東芝 | ノズルプレート、ノズルプレートの製造方法、液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置 |
KR20080095337A (ko) * | 2007-04-24 | 2008-10-29 | 삼성전기주식회사 | 잉크젯 헤드 및 그 제조방법 |
KR101301157B1 (ko) * | 2007-11-09 | 2013-09-03 | 삼성전자주식회사 | 다단계 기판 식각 방법 및 이를 이용하여 제조된테라헤르츠 발진기 |
US8585181B2 (en) * | 2007-12-10 | 2013-11-19 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Inkjet head and electrostatic attraction type inkjet head |
JP5448581B2 (ja) * | 2008-06-19 | 2014-03-19 | キヤノン株式会社 | 液体吐出ヘッド用基板の製造方法及び基板の加工方法 |
KR100976205B1 (ko) * | 2008-09-30 | 2010-08-17 | 삼성전기주식회사 | 잉크젯 헤드 및 그 제조방법 |
JPWO2010146945A1 (ja) * | 2009-06-15 | 2012-12-06 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | インクジェットヘッド |
JP2010201940A (ja) * | 2010-06-11 | 2010-09-16 | Seiko Epson Corp | 記録ヘッドおよび液体噴射装置 |
KR20120002688A (ko) * | 2010-07-01 | 2012-01-09 | 삼성전기주식회사 | 노즐 플레이트 및 그 제조 방법, 그리고 상기 노즐 플레이트를 구비하는 잉크젯 프린터 헤드 |
KR101197945B1 (ko) * | 2010-07-21 | 2012-11-05 | 삼성전기주식회사 | 잉크젯 프린트 헤드 및 그 제조방법 |
KR101288257B1 (ko) * | 2011-09-30 | 2013-07-26 | 삼성전기주식회사 | 미세토출장치의 구동부 제작방법 |
JP5099257B2 (ja) * | 2011-12-08 | 2012-12-19 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射装置 |
KR101369846B1 (ko) * | 2012-02-17 | 2014-03-25 | (주) 디바이스이엔지 | 디스펜서형 노즐장치 |
WO2014003772A1 (en) * | 2012-06-29 | 2014-01-03 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fabricating a fluid ejection device |
KR102340966B1 (ko) | 2015-04-30 | 2021-12-17 | 휴렛-팩커드 디벨롭먼트 컴퍼니, 엘.피. | 유체 방출 장치 |
WO2018056290A1 (ja) * | 2016-09-20 | 2018-03-29 | 京セラ株式会社 | 液体吐出ヘッド、および記録装置 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4312008A (en) * | 1979-11-02 | 1982-01-19 | Dataproducts Corporation | Impulse jet head using etched silicon |
US4283228A (en) * | 1979-12-05 | 1981-08-11 | University Of Illinois Foundation | Low temperature densification of PZT ceramics |
JP2993075B2 (ja) * | 1990-08-20 | 1999-12-20 | セイコーエプソン株式会社 | インクジェット式印字ヘッド |
JPH05286131A (ja) * | 1992-04-15 | 1993-11-02 | Rohm Co Ltd | インクジェットプリントヘッドの製造方法及びインクジェットプリントヘッド |
JP3379106B2 (ja) * | 1992-04-23 | 2003-02-17 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射ヘッド |
JPH06143559A (ja) * | 1992-11-02 | 1994-05-24 | Fujitsu Ltd | インクジェットヘッド |
JPH07304173A (ja) * | 1994-05-16 | 1995-11-21 | Fuji Electric Co Ltd | インクジェット記録ヘッド |
JPH08267744A (ja) * | 1995-03-31 | 1996-10-15 | Minolta Co Ltd | インクジェット記録装置 |
EP0736915A1 (en) * | 1995-04-03 | 1996-10-09 | Seiko Epson Corporation | Piezoelectric thin film, method for producing the same, and ink jet recording head using the thin film |
JPH09267479A (ja) * | 1996-03-29 | 1997-10-14 | Seiko Epson Corp | インクジェットヘッドの製造方法 |
JPH09286101A (ja) * | 1996-04-23 | 1997-11-04 | Seiko Epson Corp | インクジェットヘッドおよびその製造方法 |
JP3713921B2 (ja) * | 1996-10-24 | 2005-11-09 | セイコーエプソン株式会社 | インクジェット式記録ヘッドの製造方法 |
JP4144043B2 (ja) * | 1997-04-16 | 2008-09-03 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電体薄膜素子の製造方法 |
-
1999
- 1999-06-16 JP JP55781899A patent/JP4357600B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1999-06-16 DE DE69932911T patent/DE69932911T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-06-16 CN CNB998009490A patent/CN1210156C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1999-06-16 EP EP99957038A patent/EP1005986B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-06-16 KR KR1020007001587A patent/KR100567478B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1999-06-16 WO PCT/JP1999/003198 patent/WO1999065689A1/ja active IP Right Grant
- 1999-06-18 MY MYPI99002525A patent/MY124609A/en unknown
- 1999-06-22 TW TW088110235A patent/TW473436B/zh not_active IP Right Cessation
-
2000
- 2000-02-18 US US09/506,751 patent/US6554408B1/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE69932911D1 (de) | 2006-10-05 |
MY124609A (en) | 2006-06-30 |
KR20010022979A (ko) | 2001-03-26 |
WO1999065689A1 (fr) | 1999-12-23 |
KR100567478B1 (ko) | 2006-04-03 |
DE69932911T2 (de) | 2007-02-22 |
US6554408B1 (en) | 2003-04-29 |
JP4357600B2 (ja) | 2009-11-04 |
EP1005986B1 (en) | 2006-08-23 |
TW473436B (en) | 2002-01-21 |
EP1005986A1 (en) | 2000-06-07 |
CN1272818A (zh) | 2000-11-08 |
EP1005986A4 (en) | 2001-10-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN1210156C (zh) | 流体喷射装置及其制造方法 | |
CA2380144C (en) | Droplet deposition apparatus | |
KR101137643B1 (ko) | 박막을 구비한 프린트 헤드 | |
AU762936B2 (en) | Droplet deposition apparatus | |
CN1678460A (zh) | 打印头 | |
CN100391740C (zh) | 喷墨记录头和用于制造喷墨记录头的方法 | |
US20060187262A1 (en) | Inkjet Head And A Method Of Manufacturing An Inkjet Head | |
CN103991288A (zh) | 压电喷墨头及包括该压电喷墨头的打印设备 | |
JP4678298B2 (ja) | ノズル基板の製造方法、液滴吐出ヘッドの製造方法、液滴吐出装置の製造方法及びデバイスの製造方法 | |
JP4321574B2 (ja) | ノズル基板の製造方法、液滴吐出ヘッドの製造方法、液滴吐出ヘッドおよび液滴吐出装置 | |
JP2007111957A (ja) | 液滴吐出ヘッド及びその製造方法並びに液滴吐出装置 | |
CN1167550C (zh) | 墨水喷射头及其制造方法以及墨水喷射式记录装置 | |
CN102407664A (zh) | 悬臂式压电头结构的制造方法 | |
JPH08142325A (ja) | インクジェットヘッド及びその製造方法 | |
JP2002137403A (ja) | インクジェットヘッド | |
JP2006076194A (ja) | インクジェット記録ヘッド及びインクジェット記録ヘッドの製造方法 | |
TWI398361B (zh) | 懸臂式壓電頭結構之製造方法 | |
JP2003154667A (ja) | 剪断モード型インクジェットヘッド | |
JP2006175762A (ja) | 液滴吐出ヘッド、液滴吐出装置及び液滴吐出ヘッドの製造方法 | |
JPH09131867A (ja) | インクジェット記録ヘッド及びその製造方法 | |
JPH04345856A (ja) | インクジェットヘッド及びその製造方法 | |
JP2002370366A (ja) | インクジェットヘッド及びその製造方法 | |
JP2003311949A (ja) | 液体吐出ヘッドおよびその製造方法 | |
JP2000190498A (ja) | インクジェットヘッド装置のキャビティプレ―ト及びその製造方法、並びにインクジェットヘッド装置及びその製造方法 | |
JPH0994963A (ja) | インクジェットヘッドの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20050713 Termination date: 20140616 |
|
EXPY | Termination of patent right or utility model |