JP2000269106A - 基板の直接接合方法 - Google Patents
基板の直接接合方法Info
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- JP2000269106A JP2000269106A JP7053399A JP7053399A JP2000269106A JP 2000269106 A JP2000269106 A JP 2000269106A JP 7053399 A JP7053399 A JP 7053399A JP 7053399 A JP7053399 A JP 7053399A JP 2000269106 A JP2000269106 A JP 2000269106A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】１０００℃以下特には水晶の転移温度である５
７３℃以下の加熱処理によって直接接合を達成する。 【構成】鏡面研磨された一方の基板の表面を親水面とし
他方の基板の表面を疎水面として、両基板の表面同士を
直接に重ね合わせて加熱処理して直接接合する。また、
基板の主成分を珪素（Ｓｉ）とする。
７３℃以下の加熱処理によって直接接合を達成する。 【構成】鏡面研磨された一方の基板の表面を親水面とし
他方の基板の表面を疎水面として、両基板の表面同士を
直接に重ね合わせて加熱処理して直接接合する。また、
基板の主成分を珪素（Ｓｉ）とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は基板の直接接合方法
に関し、特に水晶、ガラス及びシリコン等の主成分を珪
素（Ｓｉ）とした基板の接合方法に関する。
に関し、特に水晶、ガラス及びシリコン等の主成分を珪
素（Ｓｉ）とした基板の接合方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】（発明の背景）直接接合は鏡面研磨され
た基板同士を直接に接合する技術として知られ、通常で
は加熱処理を施すことによって接合強度を高めている。
このようなものでは、例えば水晶片をガラスや半導体素
子に直接に接合して研磨することができるので、水晶振
動子の高周波数化や小型化及び多機能化が計れる（参
照：特開平５−３２７３８３号公報）。
た基板同士を直接に接合する技術として知られ、通常で
は加熱処理を施すことによって接合強度を高めている。
このようなものでは、例えば水晶片をガラスや半導体素
子に直接に接合して研磨することができるので、水晶振
動子の高周波数化や小型化及び多機能化が計れる（参
照：特開平５−３２７３８３号公報）。
【０００３】（従来技術の一例）第４図乃至第６図は従
来技術の一例を説明する模式図である。 直接接合は、
例えばシリコン基板１（ａｂ）の表面を鏡面研磨して、
親水化する。すなわち、Ｓｉ（珪素）にＯＨ基を結合さ
せる。そして、シリコン基板１（ａｂ）の表面同士を重
ね合わせ（仮接合し）、先ずＯＨ基の結合とする（第４
図）。次に、１００〜６００℃の加熱処理を行い、Ｈ2
Ｏ（水）を脱水して、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ（シロキサン基）
結合とする（第５図）。そして、より一層の接合強度を
高めるため、１０００℃以上の加熱処理によりＯを除去
してＳｉ−Ｓｉ結合とする（第６図）。なお、ここでの
鏡面とは面粗さが約１５ｎ（ナノ）ｍ以下とされてい
る。
来技術の一例を説明する模式図である。 直接接合は、
例えばシリコン基板１（ａｂ）の表面を鏡面研磨して、
親水化する。すなわち、Ｓｉ（珪素）にＯＨ基を結合さ
せる。そして、シリコン基板１（ａｂ）の表面同士を重
ね合わせ（仮接合し）、先ずＯＨ基の結合とする（第４
図）。次に、１００〜６００℃の加熱処理を行い、Ｈ2
Ｏ（水）を脱水して、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ（シロキサン基）
結合とする（第５図）。そして、より一層の接合強度を
高めるため、１０００℃以上の加熱処理によりＯを除去
してＳｉ−Ｓｉ結合とする（第６図）。なお、ここでの
鏡面とは面粗さが約１５ｎ（ナノ）ｍ以下とされてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】（従来技術の問題点）
しかしながら、上記構成のものでは、Ｓｉ−Ｓｉ結合と
するには１０００℃以上の熱をかけるため、例えば基板
を水晶（ＳｉＯ2）とした場合には、水晶のαからβへ
の転移温度（５７３℃）を越えて、これを採用できない
問題があった。また、基板を他の材料とした場合でも、
熱歪みを生じやすく接合を困難にする問題もあった。
しかしながら、上記構成のものでは、Ｓｉ−Ｓｉ結合と
するには１０００℃以上の熱をかけるため、例えば基板
を水晶（ＳｉＯ2）とした場合には、水晶のαからβへ
の転移温度（５７３℃）を越えて、これを採用できない
問題があった。また、基板を他の材料とした場合でも、
熱歪みを生じやすく接合を困難にする問題もあった。
【０００５】（発明の目的）本発明は、１０００℃以下
特には水晶の転移温度である５７３℃以下の加熱処理に
よって直接接合を達成することを目的とする。
特には水晶の転移温度である５７３℃以下の加熱処理に
よって直接接合を達成することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、珪素（Ｓｉ）
を主成分とする鏡面研磨された一方の基板の表面を親水
面（ＯＨ基）とし他方の基板の表面を疎水面（Ｈ基）と
して、両基板の表面同士を重ね合わせて仮接合し、加熱
処理したことを基本的な解決手段とする。
を主成分とする鏡面研磨された一方の基板の表面を親水
面（ＯＨ基）とし他方の基板の表面を疎水面（Ｈ基）と
して、両基板の表面同士を重ね合わせて仮接合し、加熱
処理したことを基本的な解決手段とする。
【０００７】
【作用】本発明は一方を親水面（ＯＨ基）とし他方を疎
水面（Ｈ基）とするので、界面にＨ2Ｏ（水）を形成す
る。したがって、低温（１００〜６００℃）での加熱処
理によって脱水できる。以下、本発明の一実施例を説明
する。
水面（Ｈ基）とするので、界面にＨ2Ｏ（水）を形成す
る。したがって、低温（１００〜６００℃）での加熱処
理によって脱水できる。以下、本発明の一実施例を説明
する。
【０００８】
【実施例】第１図乃至第３図は本発明の一実施例を説明
する模式図である。なお、前従来例図と同一部分には同
番号を付与してその説明は省略する。この実施例では、
先ず、表面が鏡面研磨されたシリコン基板１（ａｂ）の
一方を親水面（ＯＨ基）とし「第１図（ａ）」、他方を
疎水面（Ｈ基）とする「同図（ｂ）」。親水面は鏡面研
磨後の洗浄時に形成される。疎水面は、例えば希釈フッ
酸（ＨＦ）を親水面に施すことによって、ＯＨ基が除去
されてフッ酸のＨが付加される。すなわち、ＯＨ基がＨ
基に置換して界面改質される。
する模式図である。なお、前従来例図と同一部分には同
番号を付与してその説明は省略する。この実施例では、
先ず、表面が鏡面研磨されたシリコン基板１（ａｂ）の
一方を親水面（ＯＨ基）とし「第１図（ａ）」、他方を
疎水面（Ｈ基）とする「同図（ｂ）」。親水面は鏡面研
磨後の洗浄時に形成される。疎水面は、例えば希釈フッ
酸（ＨＦ）を親水面に施すことによって、ＯＨ基が除去
されてフッ酸のＨが付加される。すなわち、ＯＨ基がＨ
基に置換して界面改質される。
【０００９】次に、シリコン基板１（ａｂ）の表面同士
を直接に重ね合わせて仮接合する（第２図）。そして、
１００〜６００℃の温度で加熱する。したがって、シリ
コン基板１（ａｂ）の親水面と疎水面との接合面に介在
したＯＨ基とＨ基が加熱処理によって脱水宿合反応を起
こす。これにより、界面からＨ2Ｏが除去され、界面を
Ｓｉ−Ｓｉ結合とする（第３図）。
を直接に重ね合わせて仮接合する（第２図）。そして、
１００〜６００℃の温度で加熱する。したがって、シリ
コン基板１（ａｂ）の親水面と疎水面との接合面に介在
したＯＨ基とＨ基が加熱処理によって脱水宿合反応を起
こす。これにより、界面からＨ2Ｏが除去され、界面を
Ｓｉ−Ｓｉ結合とする（第３図）。
【００１０】このようなことから、低温（１００〜６０
０℃）での加熱処理によって、Ｓｉ−Ｓｉ結合を達成で
きる。したがって、転移温度が５７３℃の水晶であって
も、低温加熱処理によるＳｉ−Ｓｉ結合を可能にする。
また、ガラス等の珪素（Ｓｉ）を主成分とした他の材料
であっても１０００℃以下の加熱処理となるので、熱歪
みを軽減して接合を強固にする。さらには、加熱処理が
１回で済むので作業工程を簡便にする。
０℃）での加熱処理によって、Ｓｉ−Ｓｉ結合を達成で
きる。したがって、転移温度が５７３℃の水晶であって
も、低温加熱処理によるＳｉ−Ｓｉ結合を可能にする。
また、ガラス等の珪素（Ｓｉ）を主成分とした他の材料
であっても１０００℃以下の加熱処理となるので、熱歪
みを軽減して接合を強固にする。さらには、加熱処理が
１回で済むので作業工程を簡便にする。
【００１１】
【他の事項】上記実施例では、基板１（ａｂ）をシリコ
ンとして両者を接合したが、例えばニオブ酸リチウム
（ＬｉＮｂＯ3）でも一方を親水面とし他方を疎水面と
して熱処理すると同様に直接接合した。このように、本
発明では、例えば加熱処理温度に耐えられないものや潮
解性を有するもの等を除き、一方の板面を親水面として
他方の板面を疎水面とし、これを重ねて加熱処理するこ
とにより、直接接合を可能にする。
ンとして両者を接合したが、例えばニオブ酸リチウム
（ＬｉＮｂＯ3）でも一方を親水面とし他方を疎水面と
して熱処理すると同様に直接接合した。このように、本
発明では、例えば加熱処理温度に耐えられないものや潮
解性を有するもの等を除き、一方の板面を親水面として
他方の板面を疎水面とし、これを重ねて加熱処理するこ
とにより、直接接合を可能にする。
【００１２】また、希釈フッ酸により、親水面から疎水
面を形成したが、界面をＨ基とする手法であればよい。
本発明は、親水面（ＯＨ基）と疎水面（Ｈ基）として界
面の水（Ｈ2Ｏ）を脱水すればよいので、加熱温度を１
０００℃以下にでき、材料の如何に拘わらず、このよう
な趣旨に基く接合方法は適宜自在な変更を含めて本発明
の技術的範囲に属する。
面を形成したが、界面をＨ基とする手法であればよい。
本発明は、親水面（ＯＨ基）と疎水面（Ｈ基）として界
面の水（Ｈ2Ｏ）を脱水すればよいので、加熱温度を１
０００℃以下にでき、材料の如何に拘わらず、このよう
な趣旨に基く接合方法は適宜自在な変更を含めて本発明
の技術的範囲に属する。
【００１３】
【発明の効果】本発明は、鏡面研磨された一方の基板の
表面を親水面とし他方の基板の表面を疎水面として、両
基板の表面同士を重ね合わせて加熱処理したので、１０
００℃以下特には水晶の転移温度である５７３℃以下の
加熱処理によって直接接合を達成できる。
表面を親水面とし他方の基板の表面を疎水面として、両
基板の表面同士を重ね合わせて加熱処理したので、１０
００℃以下特には水晶の転移温度である５７３℃以下の
加熱処理によって直接接合を達成できる。
【図１】本発明の一実施例を説明する模式図である。
【図２】本発明の一実施例を説明する模式図である。
【図３】本発明の一実施例を説明する模式図である。
【図４】従来例の接合方法を説明する模式図である。
【図５】従来例の接合方法を説明する模式図である。
【図６】従来例の接合方法を説明する模式図である。
１（ａｂ） シリコン基板
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１１年３月１８日（１９９９．３．１
８）
８）
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正内容】
【図６】 ─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１１年６月１５日（１９９９．６．１
５）
５）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正内容】
【書類名】明細書
【発明の名称】基板の直接接合方法
【特許請求の範囲】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は基板の直接接合方法
に関し、特に水晶、ガラス及びシリコン等の主成分を珪
素（Ｓｉ）とした基板の接合方法に関する。
に関し、特に水晶、ガラス及びシリコン等の主成分を珪
素（Ｓｉ）とした基板の接合方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】（発明の背景）直接接合は鏡面研磨され
た基板同士を直接に接合する技術として知られ、通常で
は加熱処理を施すことによって接合強度を高めている。
このようなものでは、例えば水晶片をガラスや半導体素
子に直接に接合して研磨することができるので、水晶振
動子の高周波数化や小型化及び多機能化が計れる（参
照：特開平５−３２７３８３号公報）。
た基板同士を直接に接合する技術として知られ、通常で
は加熱処理を施すことによって接合強度を高めている。
このようなものでは、例えば水晶片をガラスや半導体素
子に直接に接合して研磨することができるので、水晶振
動子の高周波数化や小型化及び多機能化が計れる（参
照：特開平５−３２７３８３号公報）。
【０００３】（従来技術の一例）第４図乃至第６図は従
来技術の一例を説明する模式図である。 直接接合は、
例えばシリコン基板１（ａｂ）の表面を鏡面研磨して、
親水化する。すなわち、Ｓｉ（珪素）にＯＨ基を結合さ
せる。そして、シリコン基板１（ａｂ）の表面同士を重
ね合わせ（仮接合し）、先ずＯＨ基の結合とする（第４
図）。次に、１００〜６００℃の加熱処理を行い、Ｈ2
Ｏ（水）を脱水して、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ（シロキサン基）
結合とする（第５図）。そして、より一層の接合強度を
高めるため、１０００℃以上の加熱処理によりＯを除去
してＳｉ−Ｓｉ結合とする（第６図）。なお、ここでの
鏡面とは面粗さが約１５ｎ（ナノ）ｍ以下とされてい
る。
来技術の一例を説明する模式図である。 直接接合は、
例えばシリコン基板１（ａｂ）の表面を鏡面研磨して、
親水化する。すなわち、Ｓｉ（珪素）にＯＨ基を結合さ
せる。そして、シリコン基板１（ａｂ）の表面同士を重
ね合わせ（仮接合し）、先ずＯＨ基の結合とする（第４
図）。次に、１００〜６００℃の加熱処理を行い、Ｈ2
Ｏ（水）を脱水して、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ（シロキサン基）
結合とする（第５図）。そして、より一層の接合強度を
高めるため、１０００℃以上の加熱処理によりＯを除去
してＳｉ−Ｓｉ結合とする（第６図）。なお、ここでの
鏡面とは面粗さが約１５ｎ（ナノ）ｍ以下とされてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】（従来技術の問題点）
しかしながら、上記構成のものでは、Ｓｉ−Ｓｉ結合と
するには１０００℃以上の熱をかけるため、例えば基板
を水晶（ＳｉＯ2）とした場合には、水晶のαからβへ
の転移温度（５７３℃）を越えて、これを採用できない
問題があった。また、基板を他の材料とした場合でも、
熱歪みを生じやすく接合を困難にする問題もあった。
しかしながら、上記構成のものでは、Ｓｉ−Ｓｉ結合と
するには１０００℃以上の熱をかけるため、例えば基板
を水晶（ＳｉＯ2）とした場合には、水晶のαからβへ
の転移温度（５７３℃）を越えて、これを採用できない
問題があった。また、基板を他の材料とした場合でも、
熱歪みを生じやすく接合を困難にする問題もあった。
【０００５】（発明の目的）本発明は、１０００℃以下
特には水晶の転移温度である５７３℃以下の加熱処理に
よって直接接合を達成することを目的とする。
特には水晶の転移温度である５７３℃以下の加熱処理に
よって直接接合を達成することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、珪素（Ｓｉ）
を主成分とする鏡面研磨された一方の基板の表面を親水
面（ＯＨ基）とし他方の基板の表面を疎水面（Ｈ基）と
して、両基板の表面同士を重ね合わせて仮接合し、加熱
処理したことを基本的な解決手段とする。
を主成分とする鏡面研磨された一方の基板の表面を親水
面（ＯＨ基）とし他方の基板の表面を疎水面（Ｈ基）と
して、両基板の表面同士を重ね合わせて仮接合し、加熱
処理したことを基本的な解決手段とする。
【０００７】
【作用】本発明は一方を親水面（ＯＨ基）とし他方を疎
水面（Ｈ基）とするので、界面にＨ2Ｏ（水）を形成す
る。したがって、低温（１００〜６００℃）での加熱処
理によって脱水できる。以下、本発明の一実施例を説明
する。
水面（Ｈ基）とするので、界面にＨ2Ｏ（水）を形成す
る。したがって、低温（１００〜６００℃）での加熱処
理によって脱水できる。以下、本発明の一実施例を説明
する。
【０００８】
【実施例】第１図乃至第３図は本発明の一実施例を説明
する模式図である。なお、前従来例図と同一部分には同
番号を付与してその説明は省略する。この実施例では、
先ず、表面が鏡面研磨されたシリコン基板１（ａｂ）の
一方を親水面（ＯＨ基）とし「第１図（ａ）」、他方を
疎水面（Ｈ基）とする「同図（ｂ）」。親水面は鏡面研
磨後の洗浄時に形成される。疎水面は、例えば希釈フッ
酸（ＨＦ）を親水面に施すことによって、ＯＨ基が除去
されてフッ酸のＨが付加される。すなわち、ＯＨ基がＨ
基に置換して界面改質される。
する模式図である。なお、前従来例図と同一部分には同
番号を付与してその説明は省略する。この実施例では、
先ず、表面が鏡面研磨されたシリコン基板１（ａｂ）の
一方を親水面（ＯＨ基）とし「第１図（ａ）」、他方を
疎水面（Ｈ基）とする「同図（ｂ）」。親水面は鏡面研
磨後の洗浄時に形成される。疎水面は、例えば希釈フッ
酸（ＨＦ）を親水面に施すことによって、ＯＨ基が除去
されてフッ酸のＨが付加される。すなわち、ＯＨ基がＨ
基に置換して界面改質される。
【０００９】次に、シリコン基板１（ａｂ）の表面同士
を直接に重ね合わせて仮接合する（第２図）。そして、
１００〜６００℃の温度で加熱する。したがって、シリ
コン基板１（ａｂ）の親水面と疎水面との接合面に介在
したＯＨ基とＨ基が加熱処理によって脱水宿合反応を起
こす。これにより、界面からＨ2Ｏが除去され、界面を
Ｓｉ−Ｓｉ結合とする（第３図）。
を直接に重ね合わせて仮接合する（第２図）。そして、
１００〜６００℃の温度で加熱する。したがって、シリ
コン基板１（ａｂ）の親水面と疎水面との接合面に介在
したＯＨ基とＨ基が加熱処理によって脱水宿合反応を起
こす。これにより、界面からＨ2Ｏが除去され、界面を
Ｓｉ−Ｓｉ結合とする（第３図）。
【００１０】このようなことから、低温（１００〜６０
０℃）での加熱処理によって、Ｓｉ−Ｓｉ結合を達成で
きる。したがって、転移温度が５７３℃の水晶であって
も、低温加熱処理によるＳｉ−Ｓｉ結合を可能にする。
また、ガラス等の珪素（Ｓｉ）を主成分とした他の材料
であっても１０００℃以下の加熱処理となるので、熱歪
みを軽減して接合を強固にする。さらには、加熱処理が
１回で済むので作業工程を簡便にする。
０℃）での加熱処理によって、Ｓｉ−Ｓｉ結合を達成で
きる。したがって、転移温度が５７３℃の水晶であって
も、低温加熱処理によるＳｉ−Ｓｉ結合を可能にする。
また、ガラス等の珪素（Ｓｉ）を主成分とした他の材料
であっても１０００℃以下の加熱処理となるので、熱歪
みを軽減して接合を強固にする。さらには、加熱処理が
１回で済むので作業工程を簡便にする。
【００１１】
【他の事項】上記実施例では、基板１（ａｂ）をシリコ
ンとして両者を接合したが、例えばニオブ酸リチウム
（ＬｉＮｂＯ3）でも一方を親水面とし他方を疎水面と
して熱処理すると同様に直接接合した。このように、本
発明では、例えば加熱処理温度に耐えられないものや潮
解性を有するもの等を除き、一方の板面を親水面として
他方の板面を疎水面とし、これを重ねて加熱処理するこ
とにより、直接接合を可能にする。
ンとして両者を接合したが、例えばニオブ酸リチウム
（ＬｉＮｂＯ3）でも一方を親水面とし他方を疎水面と
して熱処理すると同様に直接接合した。このように、本
発明では、例えば加熱処理温度に耐えられないものや潮
解性を有するもの等を除き、一方の板面を親水面として
他方の板面を疎水面とし、これを重ねて加熱処理するこ
とにより、直接接合を可能にする。
【００１２】また、希釈フッ酸により、親水面から疎水
面を形成したが、界面をＨ基とする手法であればよい。
本発明は、親水面（ＯＨ基）と疎水面（Ｈ基）として界
面の水（Ｈ2Ｏ）を脱水すればよいので、加熱温度を１
０００℃以下にでき、材料の如何に拘わらず、このよう
な趣旨に基く接合方法は適宜自在な変更を含めて本発明
の技術的範囲に属する。
面を形成したが、界面をＨ基とする手法であればよい。
本発明は、親水面（ＯＨ基）と疎水面（Ｈ基）として界
面の水（Ｈ2Ｏ）を脱水すればよいので、加熱温度を１
０００℃以下にでき、材料の如何に拘わらず、このよう
な趣旨に基く接合方法は適宜自在な変更を含めて本発明
の技術的範囲に属する。
【００１３】
【発明の効果】本発明は、鏡面研磨された一方の基板の
表面を親水面とし他方の基板の表面を疎水面として、両
基板の表面同士を重ね合わせて加熱処理したので、１０
００℃以下特には水晶の転移温度である５７３℃以下の
加熱処理によって直接接合を達成できる。
表面を親水面とし他方の基板の表面を疎水面として、両
基板の表面同士を重ね合わせて加熱処理したので、１０
００℃以下特には水晶の転移温度である５７３℃以下の
加熱処理によって直接接合を達成できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例を説明する模式図である。
【図２】本発明の一実施例を説明する模式図である。
【図３】本発明の一実施例を説明する模式図である。
【図４】従来例の接合方法を説明する模式図である。
【図５】従来例の接合方法を説明する模式図である。
【図６】従来例の接合方法を説明する模式図である。
【符号の説明】 １（ａｂ） シリコン基板
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小泉 光次 埼玉県狭山市大字上広瀬1275番地の２ 日 本電波工業株式会社狭山事業所内 Ｆターム(参考） 5J108 MM11
Claims (2)
- 【請求項１】鏡面研磨された一方の基板の表面を親水面
とし他方の基板の表面を疎水面として、両基板の表面同
士を直接に重ね合わせて加熱処理したことを特徴とする
基板の直接接合方法。 - 【請求項２】請求項１において、前記基板は主成分を珪
素（Ｓｉ）とすることを特徴とする基板の直接接合方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7053399A JP2000269106A (ja) | 1999-03-16 | 1999-03-16 | 基板の直接接合方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7053399A JP2000269106A (ja) | 1999-03-16 | 1999-03-16 | 基板の直接接合方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000269106A true JP2000269106A (ja) | 2000-09-29 |
Family
ID=13434281
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7053399A Pending JP2000269106A (ja) | 1999-03-16 | 1999-03-16 | 基板の直接接合方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000269106A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6870430B2 (en) | 2002-06-06 | 2005-03-22 | Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. | PLL-controlled oscillator |
| JP2006203372A (ja) * | 2005-01-18 | 2006-08-03 | Fujitsu Media Device Kk | 圧電振動子及びその製造方法 |
| JP2010115137A (ja) * | 2008-11-12 | 2010-05-27 | Yamabiko Corp | ブームスプレーヤ及びブームスプレーヤのブーム揺動支持機構 |
| JP2011156873A (ja) * | 2004-08-05 | 2011-08-18 | Fujifilm Dimatix Inc | プリントヘッドのノズル形成 |
-
1999
- 1999-03-16 JP JP7053399A patent/JP2000269106A/ja active Pending
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