JP2008283203A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2008283203A5
JP2008283203A5 JP2008153645A JP2008153645A JP2008283203A5 JP 2008283203 A5 JP2008283203 A5 JP 2008283203A5 JP 2008153645 A JP2008153645 A JP 2008153645A JP 2008153645 A JP2008153645 A JP 2008153645A JP 2008283203 A5 JP2008283203 A5 JP 2008283203A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polishing composition
carboxylic acid
group
copper
acid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2008153645A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2008283203A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2008153645A priority Critical patent/JP2008283203A/ja
Priority claimed from JP2008153645A external-priority patent/JP2008283203A/ja
Publication of JP2008283203A publication Critical patent/JP2008283203A/ja
Publication of JP2008283203A5 publication Critical patent/JP2008283203A5/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

JP2008153645A 2005-12-21 2008-06-12 研磨用組成物、研磨方法および半導体集積回路用銅配線の作製方法 Withdrawn JP2008283203A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008153645A JP2008283203A (ja) 2005-12-21 2008-06-12 研磨用組成物、研磨方法および半導体集積回路用銅配線の作製方法

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005368082 2005-12-21
JP2006125474 2006-04-28
JP2006277585 2006-10-11
JP2008153645A JP2008283203A (ja) 2005-12-21 2008-06-12 研磨用組成物、研磨方法および半導体集積回路用銅配線の作製方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007551155A Division JP4277930B2 (ja) 2005-12-21 2006-12-21 研磨用組成物、研磨方法および半導体集積回路用銅配線の作製方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009092155A Division JP2009152646A (ja) 2005-12-21 2009-04-06 研磨用組成物、研磨方法および半導体集積回路用銅配線の作製方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008283203A JP2008283203A (ja) 2008-11-20
JP2008283203A5 true JP2008283203A5 (enExample) 2009-06-18

Family

ID=38188693

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007551155A Expired - Fee Related JP4277930B2 (ja) 2005-12-21 2006-12-21 研磨用組成物、研磨方法および半導体集積回路用銅配線の作製方法
JP2008153645A Withdrawn JP2008283203A (ja) 2005-12-21 2008-06-12 研磨用組成物、研磨方法および半導体集積回路用銅配線の作製方法
JP2009092155A Withdrawn JP2009152646A (ja) 2005-12-21 2009-04-06 研磨用組成物、研磨方法および半導体集積回路用銅配線の作製方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007551155A Expired - Fee Related JP4277930B2 (ja) 2005-12-21 2006-12-21 研磨用組成物、研磨方法および半導体集積回路用銅配線の作製方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009092155A Withdrawn JP2009152646A (ja) 2005-12-21 2009-04-06 研磨用組成物、研磨方法および半導体集積回路用銅配線の作製方法

Country Status (6)

Country Link
EP (1) EP1965417B1 (enExample)
JP (3) JP4277930B2 (enExample)
KR (1) KR20080078840A (enExample)
CN (1) CN101346804B (enExample)
TW (1) TW200738852A (enExample)
WO (1) WO2007072918A1 (enExample)

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008155987A1 (ja) * 2007-06-20 2008-12-24 Asahi Glass Co., Ltd. 研磨用組成物、半導体集積回路表面の研磨方法および半導体集積回路用銅配線の作製方法
WO2008156054A1 (ja) * 2007-06-20 2008-12-24 Asahi Glass Co., Ltd. 研磨用組成物および半導体集積回路装置の製造方法
JP5226278B2 (ja) * 2007-11-08 2013-07-03 株式会社クラレ 研磨用スラリー
JP5413568B2 (ja) * 2008-02-06 2014-02-12 Jsr株式会社 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法
JP5413567B2 (ja) * 2008-02-06 2014-02-12 Jsr株式会社 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法
JP5413566B2 (ja) * 2008-02-06 2014-02-12 Jsr株式会社 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法
US8506359B2 (en) 2008-02-06 2013-08-13 Jsr Corporation Aqueous dispersion for chemical mechanical polishing and chemical mechanical polishing method
JP5333739B2 (ja) * 2008-02-18 2013-11-06 Jsr株式会社 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法
JP2009224771A (ja) * 2008-02-18 2009-10-01 Jsr Corp 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法
JP5333743B2 (ja) * 2008-02-18 2013-11-06 Jsr株式会社 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法
JP5333740B2 (ja) * 2008-02-18 2013-11-06 Jsr株式会社 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法
JP5333742B2 (ja) * 2008-02-18 2013-11-06 Jsr株式会社 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法
JP2010028079A (ja) * 2008-02-18 2010-02-04 Jsr Corp 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法
JP2010028078A (ja) * 2008-02-18 2010-02-04 Jsr Corp 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法
JP2010041027A (ja) * 2008-02-18 2010-02-18 Jsr Corp 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法
JP2010034497A (ja) * 2008-02-18 2010-02-12 Jsr Corp 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法
WO2009104465A1 (ja) * 2008-02-18 2009-08-27 Jsr株式会社 化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法
JP5333744B2 (ja) * 2008-02-18 2013-11-06 Jsr株式会社 化学機械研磨用水系分散体、化学機械研磨方法および化学機械研磨用水系分散体の製造方法
JP5333741B2 (ja) * 2008-02-18 2013-11-06 Jsr株式会社 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法
JP2010028077A (ja) * 2008-02-18 2010-02-04 Jsr Corp 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法
JP2009224767A (ja) * 2008-02-18 2009-10-01 Jsr Corp 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法
JP2010016344A (ja) * 2008-02-18 2010-01-21 Jsr Corp 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法
US20110081780A1 (en) * 2008-02-18 2011-04-07 Jsr Corporation Aqueous dispersion for chemical mechanical polishing and chemical mechanical polishing method
KR101610976B1 (ko) * 2008-05-01 2016-04-08 제이에스알 가부시끼가이샤 화학 기계 연마용 수계 분산체 및 이 화학 기계 연마용 수계 분산체를 제조하기 위한 키트, 및 화학 기계 연마 방법
WO2010024404A1 (ja) * 2008-08-28 2010-03-04 旭硝子株式会社 研磨用組成物および半導体集積回路装置の製造方法
TWI457423B (zh) * 2008-11-10 2014-10-21 Asahi Glass Co Ltd A polishing composition, and a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device
JP6051679B2 (ja) * 2012-08-22 2016-12-27 住友電気工業株式会社 研磨用組成物および化合物半導体基板の製造方法
WO2015140850A1 (ja) * 2014-03-20 2015-09-24 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物および研磨方法
US10613442B2 (en) * 2015-03-12 2020-04-07 Merck Patent Gmbh Compositions and methods that promote charge complexing copper protection during low pKa driven polymer stripping
JPWO2018174092A1 (ja) * 2017-03-22 2020-01-30 三菱ケミカル株式会社 半導体デバイス用基板の洗浄液、半導体デバイス用基板の洗浄方法、半導体デバイス用基板の製造方法及び半導体デバイス用基板
JP7002853B2 (ja) * 2017-04-03 2022-01-20 富士紡ホールディングス株式会社 研磨パッド及びその製造方法、並びに、研磨加工品の製造方法
CN107841288A (zh) * 2017-12-12 2018-03-27 戚明海 Cmp研磨剂及其制造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4171858B2 (ja) * 1999-06-23 2008-10-29 Jsr株式会社 研磨用組成物および研磨方法
JP2002231666A (ja) * 2001-01-31 2002-08-16 Fujimi Inc 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法
TWI291987B (en) * 2003-07-04 2008-01-01 Jsr Corp Chemical mechanical polishing aqueous dispersion and chemical mechanical polishing method
US7485162B2 (en) * 2003-09-30 2009-02-03 Fujimi Incorporated Polishing composition
DE602004026454D1 (de) * 2003-09-30 2010-05-20 Fujimi Inc Polierzusammensetzung und polierverfahren
US20050108947A1 (en) * 2003-11-26 2005-05-26 Mueller Brian L. Compositions and methods for chemical mechanical polishing silica and silicon nitride

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2008283203A5 (enExample)
TW500784B (en) Polishing system and method of its use
TWI338711B (en) Passivative chemical mechanical polishing composition for copper film planarization
TWI535836B (zh) 用於鎢拋光之組合物
CN105144354B (zh) 用于去除钴的研磨组合物
TW201326378A (zh) 金屬化學機械拋光漿料及其應用
TWI413678B (zh) 研磨液
WO2008132983A1 (ja) 研磨剤組成物および半導体集積回路装置の製造方法
TW200535203A (en) Barrier polishing solution
TW200738852A (en) Polishing composition, polishing method, and method for forming copper wiring for semiconductor integrated circuit
JP2009540575A5 (enExample)
TWI347969B (en) Polishing composition
KR20070079055A (ko) 배리어층용 연마액
JP2010153853A5 (enExample)
WO2008156054A1 (ja) 研磨用組成物および半導体集積回路装置の製造方法
JP2007116105A5 (enExample)
WO2011072494A1 (zh) 一种化学机械抛光液
JP2014522098A5 (enExample)
TWI635168B (zh) Chemical mechanical polishing slurry
CN106928859A (zh) 一种化学机械抛光液及其应用
TW200813205A (en) Aqueous dispersion for chemical mechanical polishing, method for producing the same, and chemical mechanical polishing method
CN103194148A (zh) 化学机械抛光水性组合物及其用途
JP2010529672A (ja) 銅ダマシン工程用化学機械的研磨スラリー組成物
Li et al. Exploring the effectiveness of polyhydroxy complexing agents in sapphire chemical mechanical polishing: Combining experiments and theoretical calculation
WO2013189168A1 (zh) 一种用于硅通孔平坦化的化学机械抛光液