JP2008243817A - 有機光電子及び電子装置の製造方法並びにこれによって得られた装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】この方法は、基板101,102上のフッ素化ポリマー層103を積層し、リリーフパターンを形成するためにフッ素化ポリマーをパターン化し、溶液から基板105,106上に有機半導体又は導電性材料層を積層することを含む。フッ素化ポリマーはフッ素化フォトレジストであり得、有機半導体又は導電性材料を積層する前に紫外線及びオゾンを照射する処理がなされる。この方法は、特に、インクジェット印刷によって有機発光装置を製造する際に応用される。
【選択図】図1(i)
Description
によって変化する。さらに、従来技術のO2/CF4プラズマ処理は数10秒のオーダーの時間以上で実行されなければならず、このような長時間は有機電子又は光電子装置の寿命に有害な影響を有する。O2/CF4プラズマ処理の他の欠点は、産ラインの容易に組み込むことができる連続処理の使用が一般的には好まれるのに対して、真空チャンバー中でバッチ処理しなければならないことにある。この出願は、永久にフッ素化されたリリーフ形状で、表面リリーフ形状の事前のコントロールを必要とせず、複雑な装置や環境に有害なガスを必要としない有機電子及び光電子装置の基板の製造方法を提供し、これはプロセス時間の短縮化と連続プロセスを可能にする。
/CF4プラズマ処理ポリイミド、例えば、フッ素化部分を含むシロキサンのような他の
フッ素化物質によって処理されたポリイミドを含む。フッ素化ポリイミドの例としては、WO00/67072に開示されるフッ素化モノマー及び光活性モノマーの共重合ポリマーを含む。フッ素化フォトレジストはフッ素化ポリイミドを含む。特に、光活性イミド部分及びフッ素化アルキル部分の共重合からなるフッ素化ポリイミドが好ましい。
板は、さらに、盛地を形成するためにパターン化されたフォトレジスト層を有することができる。本発明の基板を有機光電子装置及び電子装置に組み込むさらなるプロセスの目的のために、断面形状が基板表面に近いほど狭くなるネガティブ壁断面を有するフッ素化フォトレジストの盛地が好ましい。図4(a)は、ネガティブ壁断面のフッ素化フォトレジスト窪地を有する基板を示している。図4(b)は、ポジティブ壁断面のフッ素化フォトレジスト窪地及びネガティブ断面形状を有するフッ素化フォトレジスト盛地の上部層を示す。ネガティブ壁断面はアンダーカット断面として知られる。
ドミウム錫酸化物、金、銀、ニッケル、パラジウム及びプラチナのような仕事関数が4.3eVより大きい材料から適切に選ばれる。図1(a)は、ITO層102で被覆されたガラス基板101を有する基板100を示している。
トレジストは壁パターンを含むとき、これらは通常ポジティブ壁断面であり、これは蒸着溶液を窪地により簡単に流れ込むことを可能にする。ポジティブ壁断面を有する窪地を得るための技術は公知であり、ネガ型フォトレジストの場合、フォトレジストを過剰露光後過少露光することを含む。図4(b)は、ガラス基板401、ITOのパターン化された層402、及びポジティブ壁断面を有する窪地パターン404を形成するためにエッチングされたフッ素化フォトレジストを有する基板400を示している。このような基板は、典型的には、さらに、図4(b)に示されるような盛地403を形成するためにパターン化されたフッ素化フォトレジスト層を含む。このようなフッ素化フォトレジストのさらなる層は、標準のフォトリソグラフィー技術のような公知の手法による窪地のパターン層を含む基板上に積層される。図4(b)に示されるようなフォトレジストの2層を含む基板においては、窪地を含むフォトレジストの低い方の層はフッ素化フォトレジストである。他のフォトレジスト材料は、公知のフォトレジストの範囲の中から選ぶことができ、特にネガティブ壁断面を有する盛地を形成することができるような望ましい特性を有するものを選ぶことができる。基板のさらなる溶液プロセスのためには、基板がフォトレジスト2層を有するときは、両者ともフッ素化フォトレジストを含む。
は160〜180nm、最も好ましくは、175nm以下の発光波長を有するUVランプ
を含む。基板からUV源までの距離は、1〜10mnのオーダーであり、基板からの距離の増加に伴いUV減の出力を増加させる必要があることが明らかである。
/CF4プラズマ処理にない前述した利点を有する。本発明の目的のためには、フッ素化
ポリマーは、表面だけがフッ素化したポリマーとは異なりバルク材料全体を通じて共有結合フッ素を含むポリマーを含むものと考えられている。フッ素化ポリマーのパターン層を有する基板はフォトリソグラフィーによって得られるが、ここで、フッ素化ポリマーはフォトレジストではなく、フッ素化ポリマーの上にさらにフォトレジスト層を形成し、フォトレジストをパターン化し、フォトレジストを現像し、フォトレジストの露光部又は未露光部を除去して下層のフッ素化ポリマーを露出させ、例えば、エッチングによって露出されたフッ素化ポリマーを除去することによって達成され、このようなプロセスはWO00/76008に記載されている。他の方法として、フッ素化ポリマーは、例えば、インクジェットプリント又はマイクロコンタクト印刷のような印刷又はマイクロ印刷によって表面上のリリーフパターンの形で供給することもできる。フッ素化ポリマー層は、例えば、WO00/70406又はWO98/21626に記載されるように、例えば、エンボス加工のような機械的加工によってパターン化することもできる。フッ素化ポリマーを使用して作成され、UV/オゾンを使用して処理される基板は、フッ素化フォトレジストを使用して作成される基板と同様の方法で製造される。
は、有機半導体又は導電性材料溶液105が基板101、102、103上にインクジェットヘッド106からインクジェット印刷される状態を示している。積層方法の選択は、求められる有機電子冷光放射性装置の性質によって決まり、例えば、モノクロディスプレイの製造が求められるときには、装置の層の形成に必要な半導体有機ポリマーが、図1(f)のような盛地及び溝を有するパターン化された基板に材料の溶液をスピンコートによって積層される。マルチカラーディスプレイの製造が求められる場合には、装置の層を形成するのに必要な半導体ポリマーは図1(g)に示される基板の窪地にインクジェットプリントによって積層される。この場合、異なる色の発光材料が異なる適当な窪地に積層される。
00nmの厚さのAl層を有するLiF/Ca/Alを含む。他のカソードとしては、BaF2/Ca/Alを使用することができる。
2を供給するUshio UER200−172ランプであり、基板から1.1mmに位
置し、上述したようにオゾンを発生させるために使用された。O2/CF4プラズマ処理が、オゾン中の0.5−2%CF4混合ガス、1.5Torrの圧力で、400Wの電力を
有する直径300mm、深さ450mmのRFバレルエッチング器で実行された。
ITO、ポリイミド及びフッ素化ポリイミドで被覆されたガラス基板の表面上の水溶液の接触角について、UVオゾン処理の効果と従来のO2/CF4プラズマ処理を比較する実験が実行された。接触角を測定する技術は公知であり、本実施例においては、Kruss
DSA10 Drop Shape Analysis 接触角測定システムが使用された。表1に結果が示されており、各表面処理の被覆基体の表面の水溶液の接触角への影響が示されている。表1において、接触角が示されており(単位度)、ITOはITOで被覆されたガラス基板を意味し、fPIはフッ素化ポリイミドで被覆されたガラス基板を意味し、PIはポリイミドで被覆されたガラス基板を意味する。
線の間隔が30ミクロン、厚さ270ミクロンの平行な線を形成するパターン化されたITOで被覆されたガラス基板が提供された。HDマイクロシステムから得られたP12771フッ素化ポリイミドの層は基板上にスピンコートされ、ポリイミドは10ミクロンの高さ、40ミクロンの幅を有する平行な盛地を形成し、幅260ミクロンの盛地の間に露光ITO部の溝を残すようにパターン化される。
PSS層にインクジェット印刷される。このようにして、厚さ100nmのポリフルオレンがPEDOT:PSS上に形成される。積層ポリマーが溝内にあり、盛地に流れ出していないことを確認するために顕微鏡が使用される。
Claims (31)
- 基板上にフッ素化フォトレジスト層を積層し、リリーフパターンを形成するために前記フッ素化フォトレジスト層をパターニングし、半導体又は導電性材料を前記基板上に積層することを含む有機半導体又は光電子装置の製造方法。
- 前記フッ素化フォトレジストはフッ素化ポリイミドを含む請求項1に記載の方法。
- 基板上にフッ素化ポリマーのリリーフパターンの形をしたパターン層を供給し、前記基板及び前記フッ素化ポリマーのパターン層に紫外線を照射し、前記基板上に溶液から有機半導体及び導電性材料の層を積層することを含む有機電子又は光電子装置の製造方法。
- 前記フッ素化ポリマーがフッ素化フォトレジストを含む請求項3に記載の方法。
- 前記フッ素化ポリマーのパターン層がフォトリソグラフィーによってパターン化されている請求項3に記載の方法。
- 前記フッ素化ポリマーのパターン層が印刷によりパターン化されている請求項3に記載の方法。
- 前記フッ素化ポリマーのパターン層が機械的に、好ましくはエンボス加工によってパターン化されている請求項3に記載の方法。
- 前記リリーフパターンが盛地を含む請求項1又は3に記載の方法。
- 前記リリーフパターンが窪地を含む請求項1又は3に記載の方法。
- 前記窪地がポジティブ壁断面を有する請求項9に記載の方法。
- フッ素化フォトレジスト又はフッ素化ポリマーの前記層の前記リリーフパターンが、さらに、盛地を含むためにパターン化されたフッ素化フォトレジスト又はフッ素化ポリマーを含む請求項9又は10に記載の方法。
- 前記盛地がネガティブ壁断面を有する請求項8又は11に記載の方法。
- 溶液から前記基板上に有機半導体又は導電性材料を積層する前に、前記基板及びフッ素化フォトレジストの前記パターン層をアルゴンプラズマ、大気プラズマ、紫外線及びオゾン、酸素プラズマ、王水又は過酸化物にさらす請求項1、2、8ないし12のいずれかに記載の方法。
- 溶液から基板上に有機半導体又は導電性材料を積層する前に、前記基板及び前記フッ素化フォトレジストのパターン層を紫外線及びオゾンにさらすことを含む請求項13に記載の方法。
- 前記基板及び前記フッ素化フォトレジスト又はフッ素化ポリマーに紫外線及びオゾンを照射するステップが、酸素が前記基板の表面に接触し、前記酸素が紫外線の存在下においてオゾンに転化される間、前記基板及び前記フッ素化フォトレジスト又はフッ素化ポリマーのパターン層に紫外線を照射することを含む請求項3又は14に記載の方法。
- 前記基板及び前記フッ素化フォトレジスト又はフッ素化ポリマーのパターン層を紫外線及
びオゾンに0.1〜300秒、好ましくは1〜60秒、最も好ましくは1〜30秒間照射する請求項3又は14に記載の方法。 - 溶液から有機半導体又は導電性材料の層を積層する工程が水溶液から積層することを含む請求項1又は3に記載の方法。
- 前記基板は導電性材料層で被覆された基板を含み、前記導電性材料は好ましくは4.3eVを超える仕事関数を有し、より好ましくは前記導電性材料はインジウム錫酸化物である請求項1又は3に記載の方法。
- 導電性材料の前記層がパターン化され、好ましくは、前記パターンは連続した平行なストライプを含む請求項18に記載の方法。
- 溶液から基板上に有機半導体又は導電性材料を積層する工程は、スピンコート、ドクターブレードコート、浸漬コート、フレキソ印刷、インクジェットプリント又はスクリーン印刷の手段により前記有機半導体又は導電性材料を積層する工程を含む請求項1又は3に記載の方法。
- 溶液から基板上に有機半導体又は導電性材料を積層する工程は、インクジェットプリントの手段により前記有機半導体又は導電性材料を積層する工程を含む請求項20に記載の方法。
- 前記有機半導体又は導電性材料は、有機ポリマーである請求項1ないし21のいずれかに記載の方法。
- 前記有機導半導体又は導電性材料は、ドープされたポリチオフェン及びポリアニリン、好ましくは、前記有機導電性材料はポリ(エチレンジオキシチオフェン)ポリスチレンスルホン酸から選択される導電性有機ポリマーである請求項22に記載の方法。
- 溶液から前記有機半導体又は導電性材料層上に追加の材料層を積層する工程を含む請求項1ないし23のいずれかに記載の方法。
- 前記追加の材料層は、有機半導体材料を含み、好ましくは、前記有機半導体材料はポリフルオレン及びポリ(フェニレンビニレン)を有する基から選択される請求項24に記載の方法。
- 前記追加の層は、芳香族炭化水素溶媒を含む溶液から積層される請求項24又は25に記載の方法。
- 低い仕事関数の材料層を前記有機導電性若しくは半導体材料層、又は前記有機半導体材料の追加層に積層する工程、好ましくは、前記低い仕事関数の材料はリチウム、ナトリウム、カリウム、マグネシウム、カルシウム、バリウム及びアルミニウム、これら金属の合金及びこれら金属と他の金属との合金から選ばれる請求項1ないし26のいずれかに記載の方法。
- 請求項1ないし27のいずれかに記載の方法によって製造される有機光電子又は電子装置。
- 請求項1ないし28のいずれかに記載の方法によって製造される有機発光装置。
- 請求項1ないし29のいずれかに記載の方法によって製造される有機トランジスタ。
- 請求項1ないし30のいずれかに記載の方法によって製造される有機光起電装置。
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