JP2005524201A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

（ａ）基板、（ｂ）基板上の第１電極、（ｃ）画素間に位置する複数の盛地、（ｄ）画素上に形成される発光層、（ｅ）発光層上に形成される第２電極を有し、盛地はジグザグ状に配列されることを特徴とする表示装置を提供する。また、（ａ）基板上に第１電極を蒸着する、（ｂ）基板上に複数の盛地を蒸着する、（ｃ）複数の画素領域に発光層を蒸着する、（ｄ）発光層上に第２電極を蒸着することを含む表示装置を製造する方法であって、盛地はジグザグパターンに蒸着されることを特徴とする方法を提供する。

Description

本発明は表示装置、及び、より特定的には、この表示装置に有利に適用される有機発光装置（ＯＬＥＤ）に関係する。特に、本発明は改良された強度及びより大きな表示面積を有する装置に関係する。

新しい表示装置は有機発光材料を使用する。発光有機材料は、国際特許公報ＷＯ９０／１３１４８及び米国特許明細書４，５３９，５０７において開示されている。これら両者文献の内容は、引用文献として本明細書中に取り込まれる。

これら装置の基本構造は、一般的に発光有機層、例えば、電極に挟まれたポリ（ｐ−フェニレンビニレン）（通常ＰＰＶ表記される）の薄膜を有する。電極（カソード）の１つは、負電荷輸送体（電子）を注入し、他方電極（アノード）は正電荷輸送体（正孔）を注入する。電子及び正孔は有機層で結合し、光子を発生する。国際公開公報ＷＯ９０／１３１４８においては、有機発光材料はポリマーである。米国特許４，５３９，５０７明細書においては、有機発光材料は、（８−ヒドロキシキノリノ）アルミニウム（通常Ａｌｑ３と表記される）のような低分子材料として知られる分類のものである。実用上の装置においては、電極の１つは通常透明であり、装置から光子が放出されるのを可能にする。

図１ａは、典型的な有機発光装置の断面構造を示す。ＯＬＥＤは、典型的には、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）のような透明な第１電極で被覆されたガラス又はプラスチック基板上に形成される。このような被覆基板は商業的に有用である。ＩＴＯ被覆基板は、少なくとも電子冷光放射性有機材料の薄膜３並びに通常金属又は合金からなる第２電極を形成する最終層で被覆されている。例えば、電極と電子冷光放射性材料の間の電荷輸送を改良するために、他の層を装置に追加することができる。電荷輸送体を注入するための追加の電荷輸送層５を有する装置の例が図１ｂに示されている。

これらの装置の開発の経過において、製造コストの削減し、装置自体の特質及び特性を増大を導く装置を製造する改良方法が望まれてきた。一般的に、これら装置の構成層のパターン化は、標準のフォトリソグラフィー技術又はシャドウマスクを使用した気相蒸着を使用して達成される。

公開された米国特許２００１／０００９６８９明細書において、有機電子冷光放射性装置の製造プロセスが開示されている。このプロセスは、有機電子冷光放射性要素の特性を低下させることなく、様々な条件下でパターニングの精度を改良することを意図している。このプロセスは、（インクジェット印刷のような）溶液蒸着技術又は気相蒸着を使用した装置の層のパターン化を含む。少なくとも部分的に発光層の厚さを超える高さを有するスペーサーがフォトリソグラフィーにより蒸着される。スペーサーは、シャドウマスクがスペーサーに接触して設置されるが、気相蒸着により蒸着されるときカソードを分離するセパレータとして機能する。スペーサーは、シャドウマスクを毀損することなく層表面に近接して設置することを可能にし、これによってより精密なパターニングを可能にする。溶液プロセス技術が適用されるとき、盛地は溶液が装置の他の領域に流出するのを防ぐ。

欧州公開明細書ＥＰ０９６９７０１は、電子冷光放射性装置を改良するためにフォトリソグラフィーを利用する。これは、アノードに直交する基板上に盛地を形成する方法を開示している。カソードは盛地を使用してパターン化される。この方法において、盛地は１つのカソードのストリップを他の隣接するカソードストリップから分離する役割を果たす。この方法を採用することにより、隣接するカソード要素が離れた状態を維持して、シャドウマスクを必要とせずに装置の全表面にカソードを蒸着することを可能とする。
米国２００１／０００９６８９号明細書 欧州公開明細書０９６９７０１

これら装置のパターニングの精密化の改良にもかかわらず、さらなる改良の必要性が存在する。発光領域を増大させ、装置の効率を高め、装置の寿命を延ばし、本発明によって製造される有用な装置の歩留まりを高めることによって装置の質を改良する必要性が存在する。

公知技術の方法及び装置に関する上記の問題を解決することが本発明の目的である。製造しやすく、より大きな発光領域を有し、より低い輝度で稼動し、より長い寿命を有し、製造プロセスにおいてより高い歩留まりで製造される表示装置を提供することが本発明の他の目的である。

したがって、本発明は次のものを有する表示装置を提供する。
（ａ）基板
（ｂ）基板上の第１電極
（ｃ）画素間に位置する複数の盛地
（ｄ）画素上に形成される発光層
（ｅ）発光層上に形成される第２電極
ここで、盛地はジグザグ状に配列される。

本発明の文脈においては、ジグザグ状という用語は、盛地を形成するフォトレジストが一方向において交互の部分から形成されるパターンを意味する。例えば、各部分は線状又は実質的に線状であり、ジグザグ状の形をして頂点において隣の交互部につながっている。この形において、各頂点は、ジグザグの範囲を規定する内側（小）及び外側（大）角を有する。ジグザグは、好ましくは規則的である（全ての部分が同じ長さか実質的に同じ長さであり、全ての内角は同じか実質的に同じである）が、本発明は規則的なジグザグに限定されるものではない。よって、他の実施例においては、「ジグ」部分は「ザグ」部分と互いに異なり、内角は盛地の長さに沿って変化する。角度は、隣接する盛地が他方と接触しない限り、下記に示された限度内で変化することができる。

好ましくは、盛地は、互いに平行か実質的に平行である。本発明の文脈において、平行とは、隣接する盛地は互いに接触するように入りこむことはなく、及び／又は第２電極を分離するためにセパレータとして機能できるように互いに十分な距離をおいて形成されている。好ましくは、隣接する盛地は、その全長を通じて互いに同距離か、又は実質的に同距離に残されている。盛地は線状の２つの部分（「ジグ」及び「ザグ」）から形成されることが好ましいが、本発明で使用されるジグザグという用語は、曲がった部分をからなる盛地、例えば、ジグザグの頂点がある盛地が曲がっている、また、より正確には、Ｓ型パターン又は正弦波パターンを含むことを意図されている。曲がった盛地の場合、ジグザグの内角は隣接するジグ及びザグの中間点又は節目のタンジェントの角度で決められる。あるいは、このような曲がった盛地の形状は、盛地によって記述される曲線の半径で記述することができる。

本発明の文脈においては、画素領域は表示画素を形成するために発光層が蒸着される領域を意味する。画素領域は盛地自体によって規定されるか、又は装置は、画素を形成する発光層が蒸着される窪地を規定する追加層を含む（下記参照）。後者の実施例は、赤、緑及び青色画素が互いに分離され、個々にアドレスされるフルカラーディスプレイとして特に好ましい。

下記に説明されるように、本発明の文脈において、盛地のジグザグパターンは特に重要である。

ＥＰ−Ａ−９６９７０１に記載される方法のような盛地を採用する公知の方法の問題は、盛地が狭すぎると、脆弱になり容易に壊れてしまうという点である。１つの電極線と次の電極線の間に断絶が存在することを確保するための自然な「影」を提供する形状であるために、しばしば、盛地は先端より底部でより狭くなっている。この形は、この理由のため有利となっているが、盛地の底部において、より壊れやすいという弱点を有する。もし、盛地が非常に簡単に壊れてしまうと、製造される装置の重要な部分が機能せず、コストを増大させ、効率及び全体の製造プロセスの歩留まりを低下させてしまう。しかしながら、最大の発光可能領域を提供するためには、盛地は可能な限り狭く作られるべきである。盛地が広くなると、基板上でそれが占める割合が増加し、発光材料の利用できる画素領域を狭くしてしまう（図２参照）。発光領域が狭いと、その補償のため装置はより大きな輝度で稼動しなければならず、装置の寿命を縮める。したがって、公知の方法においては、盛地が十分な強度を有する一方で十分な発光領域を提供する妥協点が必要となる。

本発明で採用されるジグザグの盛地の最大の利点は、ジグザグ構造によって、強度を低下させることなくより狭い盛地の形成を可能とすることである。したがって、公知の方法では、盛地は通常４．０×１０^-5ｍの幅を有するのに対して、本発明では、約２．０×１０^-5ｍの幅を有する盛地を採用することが可能である。これによって、発光領域を1０％以上多くとることができ、装置の質を改良し、より低い輝度で稼動することができるため装置の寿命を延ばすのに役立つ。さらに、盛地はより強く作られるために、製造プロセスはより効率的であり、欠陥のある装置の数が減少するのでより高い歩留まりを有する。さらに、装置は、製造過程でより厳しい洗浄及び処理技術に耐えることができ、これにより製造される装置の全体的な特質の改良をもたらすことができる。例えば、本装置に存在する最大に問題となり得る不純物の１つはガラスである。基板は通常ガラスであるため、ガラスの微細な破片は製造過程でしばしば生成される。これらの破片は、厳しい洗浄（例えば、高圧スプレー）が破片を除去するただ1つの方法なので、装置を既存することなく装置の表面から除去することが非常に難しい。しかしながら、本発明のジグザグはこれらの厳しい技術に耐えることができる。

本発明で使用されるジグザグの角度は、盛地を強化するに十分であれば特に限定されない。それぞれの内（又は外）角（各「ジグ」又は「ザグ」は１つのより小さい内角と１つのより大きい外角を有する）は、各盛地の長さに沿って同じであることが好ましいが、本発明は好ましい実施例に限定されない（盛地の長さに沿って角度が変わることがあり得る）ことに留意すべきである。したがって、ジグザグは鋭角（９０°以内）又は直角又は鈍角（９０°を超え１８０°以内）の平均内角を有することができる。本発明の好ましい実施例においては、平均のジグザグ内角は鈍角である。平均のジグザグ内角は１００°〜１５０°であることが好ましい。最も好ましくは、平均のジグザグ内角は１２０°〜１４０°である。

装置が曲がった盛地を有するとき、これらは正弦波パターンを有することが好ましく、好ましくは曲率半径が２０〜１８０μｍ、より好ましくは曲率半径が４０〜１００μｍの正弦波パターンが好ましい。正弦波パターンを有する基板は図４及び５に示されている。図４は、盛地１及び窪地２からなる基板、盛地は２０μｍの幅及び８０μｍの旋回半径の写真を示している。図５は、図４の基板のより広い表面上での盛地及び窪地を示す。

他の実施例において、盛地は２つの材料の平行な線で構成され、その結果盛地自体は２つの盛地から形成されるものとして記載され得る。このような構造の利点は、米国特許明細書６００５３４４に開示されている。

本発明の画素領域の形は特に限定されない。また、ジグザグ盛地は画素形状のどのようなタイプを有する装置においても効果的に採用することができる。盛地は画素形状を規定するのを助けることができ、しかし、好ましくは、画素領域は、盛地を蒸着する前に第１電極上に追加の層を蒸着することにより規定される。この追加の層は、各画素領域を取り囲み、発光層を受け入れる窪地を規定する。好ましくは、追加の層は蒸着及びフォトリソグラフィーによってパターン化される。

好ましくは、画素領域は六角形又は実質的に六角形である。画素領域が六角形であるとき、ジグザグの平均の内角は好ましくは１２０°である。六角形という用語は、正規の六角形を超えて拡張することが意図されたものであり、望まれるなら引き伸ばされ、又は不完全な六角形、又は他の不規則的な六角形も採用され得る。六角形画素領域の特別な利点は、従来の四角形の画素に比較して頂点がより広がっていることである（９０°に比較して１２０°）。この広がり構造は、画素領域全体をカバーするために発光層を形成する材料を角までゆきわたらせることを可能にする。

第２電極は、好ましくは気相蒸着によって蒸着される。盛地の機能は、電極の隣接する部分（通常は平行な帯）の間の断絶が生じる「影」の存在を確証することである。盛地の形状は、これが達成される限り特に限定されない。しかしながら、典型的には、盛地は上に向かって突き出た部分を有し、底部よりは先端が広い（すなわち、盛地は反転した台形の断面形状を有する突き出た部分を有する）。これは、「ネガティブ壁断面」と定義され、１つの画素領域上に形成された第２電極を隣接する画素領域上に形成された第２電極と分離するための十分な「影」を保証する役割を有する。盛地の断面形状とは関係なく、盛地の幅は好ましくは３．０×１０^-5ｍ又はそれ以下である。より好ましくは、盛地の幅は２．５×１０^-5ｍ又はそれ以下である。最も好ましくは、盛地の幅は、１．０×１０^-5〜２．５×１０^-5ｍである。この幅は盛地の突き出た部分の先端部、底部又は平均の幅であり、盛地が、それぞれ、ネガティブ壁断面を有するか、ポジティブ壁断面を有するか、又は長方形を有するかによって決まる。

本発明のジグザグ盛地を使用することによって、より大きな発光領域を有する装置を製造することが可能である。従来の発光装置と本発明を使用した発光領域との比較は、画素の六角形マトリックスの単位セル（正三角形）を表す図２を参照して描かれる。横の長さ（Ｌ）を有する六角形画素の単位セルの総面積は、１／２（２ｘ＋ｙ）である。画素が占める領域は、３（１／２Ｌｘ）である。画素の横の長さは典型的には約２４．０×１０^-5ｍである。したがって、公知の装置における画素が占める領域（発光領域）の割合は、約８３％である。しかしながら、１．０×１０^-5ｍの幅を有する盛地を使用すると、同じ横の長さを有する画素の発光領域の割合は９５％以上である。

したがって、本発明の装置において、画素領域は基板領域全体の８５％以上を有する。より好ましくは、画素領域は基板領域全体の９０％以上を有する、最も好ましくは、画素領域は基板領域全体の９５％以上を有する。

本発明の有機電子冷光放射性装置に適合する基板としては、ガラス、セラミックス並びにアクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂及び環状オレフィン樹脂のようなプラスチックを含む。基板は、透明、半透明、又は光が装置の反対側から放射されるときは不透明とすることができる。基板は堅固又は柔軟で、例えば、ＥＰ０，９４９，８５０に開示されるガラスとプラスチックの複合材料のような複合材料も含み得る。

本発明の装置においては、第１電極は複数の平行な帯（細い帯によって結合された六角形領域）を含み、盛地は第１電極の帯と垂直になるように位置づけられている。これは、第２電極が、第１電極に垂直な電極帯に蒸着され、盛地によって分離されることを可能にする。第１電極は透明であり、この場合、基板も透明であることが好ましい。しかしながら、他の態様においては、第２電極が透明であり、この場合、基板及び第１電極は透明である必要がない。したがって、電極の少なくとも１つは適当に光透過性があり、好ましくは発光領域から放射された光に対して適当な透明性があるとよい。好ましくは、第１電極はアノードである。

発光層に使用される有機冷光放射性材料はポリマー材料が適当であり、好ましくは半導体ポリマー材料及び共役（完全又は部分的）ポリマー材料がよい。他には、電子冷光放射性材料は、例えば、混合又はコポリマーとして１，２又はそれ以上の冷光放射性成分を含むことができる。

本発明の装置は、目的により発光層に隣接する１又は２以上の追加の輸送層のような追加層を有することができる。好ましくは、電荷輸送層は第１電極と発光層の間に位置される。第１電極がＩＴＯのようにアノードであるとき、電荷輸送層は正電荷注入層であることが好ましい。１つ又は各電荷輸送層は、ポリスチレンスルフォン酸がドープされたポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）、ポリ（２，７−（９，９−ジ−ｎ−オクチルフルオレン）−（１，４−フェニレン−（１，４−フェニレン−（４−イミノ（安息香酸））−１，４−フェニレン−（４−イミノ（安息香酸））−１，４−フェニレン））（ＢＦＡ）、ポリアニリン及びＰＰＶのような１又は２以上のポリマーを適切に含む。

フォトリソグラフィーは、要求されるジグザグ態様における盛地のパターン化に特に有益である。フォトリソグラフィーの他の利点は、画素領域を取り囲むことができ、発光層が基板上の画素領域に蒸着され、他の部分には蒸着されないことを保証することを助ける。これは、典型的には発光層はインクジェットプリントによって蒸着されるから有利なのである。これらの方法において、発光層は窪地に流れ込み、基板の他の部分に流れるのを防止される。

本発明は、さらに、上記で定義されるディスプレイ要素からなる電子又は電子冷光放射性装置を提供する。装置の稼動において、第１電極はアノードであり、第２電極はカソードであることが好ましい。

本発明は、上記のディスプレイ装置を製造する方法も提供する。この方法は、次のものからなる。
（ａ）基板上に第１電極を蒸着する
（ｂ）基板上に複数の盛地を蒸着する
（ｃ）複数の画素上に発光層を蒸着する
（ｄ）発光層上に第２電極を蒸着する
ここで、盛地は、好ましくはフォトリソグラフィーによってジグザグパターンに蒸着される。

プロセスはさらに詳細に検討される。

第１電極を蒸着する方法は特に限定されない。溶液プロセス又は気相蒸着技術のようなこの分野で知られている適当な方法であればどれも採用し得る。したがって、第１電極はスパッタリングによって蒸着され得る。好ましくは、第１電極は、例えば、細い帯によって結合された六角形領域のような発光層を受け入れるための画素領域を形付けるためにフォトレジストを使用してパターン化される。非画素領域、第１電極の細い帯領域は、第１電極の導電性を改良するために金属化される。第１電極は透明であり、画素領域の一部である第１電極の部分は、透明性を維持するため金属化されない。

好ましい実施例において、第１電極は（好ましくはアノード）最終的な発光装置の高い仕事関数の導電性材料を有する。基板を通して光が発光されることが望まれるときは、この導電性材料は透明か又は半透明であり、金属酸化物のような仕事関数が４．３ｅＶを超える材料から適切に選ばれる。第１電極として好ましい材料は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、錫酸化物（ＴＯ）、アルミニウムがドープされた亜鉛酸化物、インジウムがドープされた亜鉛酸化物、マグネシウムインジウム酸化物、カドミウム錫酸化物、金、銀、ニッケル、パラジウム及びプラチナを含む。

典型的には、次いで、基板上の導電層がパターン化される。これは、通常、フォトリソグラフィーを用いて実行される。ここで、第１電極層はフォトレジストによって被覆され、例えば、ＵＶ光源及びフォトマスクを使用してパターン化され、適当な現像液を用いて現像される。次いで、露出された電極は、化学エッチングによって除去され、パターン化層を残す。典型的には、電極は連続した平行な帯を形成するためパターン化され、好ましくは、六角形のような望ましい画素形状を有する画素領域を含む。

通常、１又は２以上のフォトレジスト（フッ素化ポリイミドのような）がパターン化された電極上に蒸着される。フォトレジストはスピンコーティング、ドクターブレードコーティング又は他の適当な技術によって蒸着される。フォトレジストのこれらの層は画素領域を規定する窪地及び第２電極を分離するための盛地を形成する。

典型的には、蒸着に続いて、フォトレジストは従来のフォトリソグラフィー技術を使用してパターン化される。例えば、蒸着後、フォトレジストは乾燥され、マスクを通してＵＶ光を照射する、低温焼成され、例えば、テトラメチルアンモニウム水酸化物によって現像され、洗浄され、高温焼成される。好ましいパターンは、上記のようなジグザグ盛地、又は同様に上記のようなフォトレジストにおける奥まった２次元のパターンである窪地である。フォトレジストの盛地間の第１電極の領域は露光される。

好ましい実施例において、盛地を蒸着するために採用されるフォトリソグラフィーはネガ型フォトリソグラフィーを含む。この技術は、本発明で好まれる盛地の上に向かった突出部の逆台形断面（ネガティブ壁断面）を形成する。画素の窪地を規定する画素領域の窪地を規定する追加層は、好ましくはフォトリソグラフィーによって蒸着され、しかし、ポジティグ壁断面が窪地にとって好ましい。したがって、追加層は、好ましくは非照射フォトレジストが除去されるポジ型フォトリソグラフィーを用いて蒸着される。追加層は、盛地と同じフォトレジスト又は異なるフォトレジストから形成される。盛地に使用されるフォトレジスト及び追加層は好ましくはポリイミドであり、より好ましくはフッ素化ポリイミドである。フッ素化ポリイミドフォトレジストは、典型的には、感光性イミドモノマー単位及びフッ素化モノマー単位から形成されるコポリマーである。本発明で使用されるフッ素化ポリイミドの例は、ＨＤマイクロシステムから入手できるＰＩ２７７１である。本発明で使用されるポリイミドフォトレジストの例は、Ｂｒｅｗｅｒ Ｐｏｌｙｉｎ Ｔ１５０１０である。

ネガティブ壁断面を有する盛地を得る技術は公知であり、典型的には、ネガ型フォトレジストの場合、フォトレジストを過少露光の次に過剰露光を行う。ネガティブ壁断面を有する盛地の準備は基板の次のプロセスに便利であり、特に、ネガティブ壁断面を有する盛地は金属カソードのパターン化された蒸着を助ける。ＥＰ０９６９７０１は、有機電子冷光放射性装置におけるカソードの蒸着において、ネガティブ壁断面を有する盛地の使用を開示している。フォトレジストが窪地のパターンを有するとき、これらは通常ポジティブ壁断面を有し、これは蒸着溶液を窪地により簡単に流れ込むことを可能にする。ポジティブ壁断面を有する窪地を得るための技術は公知であり、典型的には、ネガ型フォトレジストの場合、過剰露光についで過少露光を行うことを含む。

特に、ジグザグ盛地はフォトレジスト層を第１電極（ＩＴＯのような）の事前にパターン化された層、又は窪地及び画素領域を規定する事前にパターンン化された層の上に被覆することにより蒸着され、目的とするジグザグパターンを有するマスクを通してフォトレジストにＵＶ光を照射し、露光されたフォトレジストの層を低温焼成し、フォトレジストを現像し、露光部又は未露光部を除去するために洗浄し（ネガ型又はポジ型フォトレジストの使用によって決まる）、最後に、高温焼成した。

ガラス基板がＩＴＯによって被覆され、線の間隔１５×１０^-6（１６ミクロン）を有する厚さ２７０×１０^-6ｍ（２７０ミクロン）の平行線からなるアノードを形成するためにフォトリソグラフィーによってパターン化された。

次いで、基板は、ＩＴＯの表面エネルギーを溶液蒸着に適するように変えるためにＯ_２／ＣＦ_４プラズマ処理にさらされた。Ｏ_２／ＣＦ_４プラズマ処理は、直径３００ｍｍ、深さ４５０ｍｍ、酸素中に０．５−２％のＣＦ_４混合ガス、２００Ｐａ（１．５Ｔｏｒｒ）の圧力及び４００Ｗの電力のＲＦエッチング容器中で実行された。

次いで、ポリイミド層（Ｂｒｅｗｅｒ Ｓｃｉｅｎｃｅ社から入手される登録商標Ｐｏｌｙｉｎ Ｔ１５０１０）が基板上にスピンコートされた。ポリイミドは、幅２６５×１０^-6ｍ（２６５ミクロン）を有する盛地間の露光されたＩＴＯの溝を残して、高さ１０×１０^-6ｍ（１０ミクロン）及び幅２０×１０^-6ｍ（２５０ミクロン）を有するＩＴＯの平行線に直角な盛地を形成するために、規則的なジグザグ盛地（約２５０×１０^-6ｍ（２５０ミクロン）のジグザグ長さ及び約１２０°の平均内角を有する）にリソグラフィーによってパターン化された。

次いで、０．５％水溶液中のＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ層（電荷輸送層）（登録商標ＢａｙｔｒｏｎとしてＢａｙｅｒ社から入手可能）が基板上にインクジェット印刷され、ＩＴＯの露光領域表面上に厚さ５０ｎｍの層を形成した（インクジェットプリンターはＬｉｔｒｅｘ、ＵＳＡ製）。次いで、ポリフルオレン発光ポリマー層（発光層）が、キシレン：トリメチルベンゼン溶媒中の１．５ｗｔ％溶液からＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ層にインクジェット印刷された。

次いで、厚さ５０ｎｍのカルシウム層及び厚さ２５０ｎｍのアルミニウム層からなるカソードが真空蒸着によってポリフルオレン層上に蒸着された。次いで、装置は、金属缶を使用してカプセル化された。

装置はテストされ、ジグザグ盛地は、たった幅２０×１０^-6ｍ（２０ミクロン）にもかかわらず損傷することなくカソード分離層として適格に機能することが示され、十分機能することが確認された。

フォトリソグラフィーを使用して供給される窪地の追加層を有する他の基板が、上記の方法によって製造された。上記のように窪地層の上に盛地が供給された。基板に平均内角１２７°有する直線部からなるジグザグパターン並びに曲線の半径が４０μｍ及び８０μｍを有する六角形パターンの盛地（後者は図４及び５に示さる）が形成された。基板は、Ｌｉｔｒｅｘ １４０インクジェットプリンター（Ｌｉｔｒｅｘ社から入手可能）を使用して、インクジェットプリントにより窪地にＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ層が形成される。発光ポリマー層がＰＥＤＴ：ＰＳＳ上に形成され、発光装置にカソード及び上記のカプセルが供給された。

本明細書の記載から、本発明の他の多くの実施例、効果的な代替が可能であることは当業者にとって自明である。本発明は本明細書に記載された特定の実施例に限定されることはなく、当業者に自明で本発明の精神と特許請求の範囲に沿う改良を包含する。

典型的な有機発光装置の断面構造を示す。 追加の電荷輸送層を含む有機発光装置の断面構造を示す。 辺の長さがＬを有し、幅ｙの盛地によって区切られている六角形画素マトリックスの単位セル及びセルの画素領域の割合（％）が３（１／２Ｌｘ）／１／２ｚ（２ｘ＋ｙ）１００で表されることを示す。 盛地６の直下にある追加層７であって、は発光層が蒸着される窪地８を規定する前記追加層７を示す。前記追加層７は画素領域を、窪地を規定する前後領域が明確に示されていない。 曲率半径が８０μｍで幅２０μｍの六角盛地を示す本発明の基板の写真を示す。 曲率半径が８０μｍで幅２０μｍの六角盛地を示す本発明の基板の写真を示す。

Claims (32)

1. 次のものを有する表示装置であって、
   （ａ）基板
   （ｂ）基板上の第１電極
   （ｃ）画素間に位置する複数の盛地
   （ｄ）画素上に形成される発光層
   （ｅ）発光層上に形成される第２電極
   ここで、盛地はジグザグ状に配列されることを特徴とする表示装置。
2. 基板が透明基板である請求項１に記載の装置。
3. 平均のジグザグの内角が鈍角である請求項１又は２に記載の装置。
4. 平均のジグザグの内角が１００〜１５０°、好ましくは１２０〜１４０°である請求項３に記載の装置。
5. 盛地が曲折している請求項１に記載の装置。
6. 盛地が極率半径２０〜１８０μｍの六角形パターン、好ましくは極率半径４０〜１００μｍの六角形パターンを有する請求項５に記載の装置。
7. 盛地が上部に突き出た部分を有し、前記部分はネガティブ壁断面を有し、前記部分は１つの画素領域上に形成された第２電極を隣接する画素領域上に形成された第２電極から分離する働きをする請求項１ないし６のいずれかに記載の装置。
8. 盛地の底部の幅が３．０×１０^-5ｍ以下であり、好ましくは盛地の底部の幅が２．５×１０^-5ｍ以下であり、最も好ましくは盛地の底部の幅が１．０×１０^-5ｍ〜２．５×１０^-5ｍである請求項７に記載の装置。
9. 装置が画素領域を囲む窪地を規定する追加層を含む請求項１ないし８のいずれかに記載の装置。
10. 窪地を規定する追加層が盛地と離れており、盛地が追加層上に形成される請求項９に記載の装置。
11. 基板上の画素領域が８５．０％以上である請求項１ないし１０のいずれかに記載の装置。
12. 画素領域が９０％以上である請求項１１に記載の装置。
13. 画素領域が９５％以上である請求項１２に記載の装置。
14. 画素領域が六角形である請求項１ないし１３のいずれかに記載の装置。
15. 発光層に隣接する追加電荷輸送層を含む請求項１ないし１４のいずれかに記載の装置。
16. 電荷輸送層が第１電極と発光層の間に位置する請求項１５に記載の装置。
17. 第１電極が複数の平行な帯を有し、盛地は第１電極の帯に垂直の方向に位置づけられている請求項１ないし１６のいずれかに記載の装置。
18. 次を含む表示装置の製造方法であって、
    （ａ）基板上に第１電極を蒸着する
    （ｂ）基板上に複数の盛地を蒸着する
    （ｃ）複数の画素領域に発光層を蒸着する
    （ｄ）発光層上に第２電極を蒸着する
    ここで、盛地はジグザグパターンに蒸着されることを特徴とする方法。
19. 平均のジグザグの内角が鈍角である請求項１８に記載の方法。
20. 平均のジグザグの内角が１００〜１５０°、好ましくは１２０〜１４０°である請求項１９に記載の方法。
21. 盛地が曲折している請求項１８に記載の方法。
22. 盛地が極率半径２０〜１８０μｍの六角形パターン、好ましくは極率半径４０〜１００μｍの六角形パターンを有する請求項２１に記載の方法。
23. 盛地が上部に突き出た部分を有し、前記部分はネガティブ壁断面を有し、前記部分は１つの画素領域上に形成された第２電極を隣接する画素領域上に形成された第２電極から分離する働きをする請求項１８ないし２２のいずれかに記載の方法。
24. 画素領域を囲む窪地を規定する追加層が蒸着される請求項１８ないし２３のいずれかに記載の装置。
25. 窪地を規定する追加層が盛地と離れており盛地を形成する前に蒸着される請求項２４に記載の装置。
26. 盛地を蒸着するためのフォトリソグラフィー法がネガ型フォトリソグラフィーを含む請求項１８ないし２５のいずれかに記載の方法。
27. 画素領域が六角形である請求項１８ないし２６のいずれかに記載の方法。
28. 発光層に隣接して電荷輸送層を蒸着するステップをさらに含む請求項１８ないし２７のいずれかに記載の方法。
29. 第１電極上に電荷輸送層が蒸着される請求項２８に記載の方法。
30. 第１電極が複数の平行な帯を形成し、盛地が第１電極の帯に垂直になるように蒸着される請求項１８ないし２９のいずれかに記載の方法。
31. 発光層を受け入れるための画素領域を形成するために第１電極がフォトリソグラフィーによってパターン化されている請求項３０に記載の方法。
32. 請求項１ないし１７のいずれかのように定義される表示装置を含む電子又は電子冷光放射性装置。

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