JP2008217778A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. 基板上に、集積回路部と、アンテナと、を有し、
   前記集積回路部は、薄膜トランジスタで構成されており、
   前記集積回路部上に前記アンテナが配置され、
   前記薄膜トランジスタと前記アンテナとが接続されており、
   前記基板上で前記集積回路部が占める面積は、前記基板上の前記集積回路部が設けられる面の面積の０．５倍以上１倍以下であることを特徴とする半導体装置。
2. 第１の基板上に、集積回路部と、アンテナと、を有し、
   第２の基板上に、ブースターアンテナを有し、
   前記集積回路部は、薄膜トランジスタで構成されており、
   前記集積回路部上に前記アンテナが配置され、前記薄膜トランジスタと前記アンテナとが接続されており、
   前記第１の基板及び前記第２の基板は重畳して設けられ、
   前記第１の基板上で前記集積回路部が占める面積は、前記第１の基板の前記集積回路部が設けられる面の面積の０．５倍以上１倍以下であることを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記集積回路部が占める面積は、前記薄膜トランジスタが設けられている第１の領域と、前記薄膜トランジスタが設けられていない第２の領域を有し、
   前記第１の領域は前記アンテナの面積と同サイズであることを特徴とする半導体装置。
4. 基板上に、集積回路部と、第１のアンテナと、第２のアンテナと、を有し、
   前記集積回路部は、薄膜トランジスタで構成されており、
   前記集積回路部上に前記第１のアンテナ及び前記第２のアンテナが配置され、
   前記薄膜トランジスタと前記第１のアンテナ及び前記第２のアンテナとが接続されており、
   前記基板上で前記集積回路部が占める面積は、前記基板上の前記集積回路部が設けられる面の面積の０．５倍以上１倍以下であることを特徴とする半導体装置。
5. 第１の基板上に、集積回路部と、第１のアンテナと、第２のアンテナと、を有し、
   第２の基板上に、ブースターアンテナを有し、
   前記集積回路部は、薄膜トランジスタで構成されており、
   前記集積回路部上に前記第１のアンテナ及び前記第２のアンテナが配置され、
   前記薄膜トランジスタと前記第１のアンテナ及び前記第２のアンテナとが接続されており、
   前記第１の基板及び前記第２の基板は重畳して設けられ、
   前記第１の基板上で前記集積回路部が占める面積は、前記第１の基板の前記集積回路部が設けられる面の面積の０．５倍以上１倍以下であることを特徴とする半導体装置。
6. 請求項４または請求項５において、
   前記集積回路部が占める面積は、前記薄膜トランジスタが設けられている第１の領域と、前記薄膜トランジスタが設けられていない第２の領域を有し、
   前記第１の領域は、前記第１のアンテナ及び前記第２のアンテナの面積と同サイズであることを特徴とする半導体装置。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
   前記集積回路部が占める面積は、前記集積回路部が設けられる面の面積の０．７倍以上１倍以下であることを特徴とする半導体装置。
8. 請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
   前記集積回路部が占める面積は、前記集積回路部が設けられる面の面積の０．９倍以上１倍以下であることを特徴とする半導体装置。
9. 基板上に、第１の集積回路部と、第２の集積回路部と、アンテナと、を有し、
   前記第１の集積回路部及び前記第２の集積回路部は、薄膜トランジスタで構成されており、
   前記第１の集積回路部上及び前記第２の集積回路部上に前記アンテナが配置され、
   前記薄膜トランジスタと前記アンテナとが接続されており、
   前記基板上で前記第１の集積回路部及び前記第２の集積回路部が占める面積は、前記基板上の前記第１の集積回路部及び前記第２の集積回路部が設けられる面の面積の０．５倍以上１倍以下であることを特徴とする半導体装置。
10. 第１の基板上に、第１の集積回路部と、第２の集積回路部と、アンテナと、を有し、
    第２の基板上に、ブースターアンテナを有し、
    前記第１の集積回路部及び前記第２の集積回路部は、薄膜トランジスタで構成されており、
    前記第１の集積回路部上及び前記第２の集積回路部上に前記アンテナが配置され、
    前記薄膜トランジスタと前記アンテナとが接続されており、前記第１の基板及び前記第２の基板は重畳して設けられ、
    前記第１の基板上で前記第１の集積回路部及び前記第２の集積回路部が占める面積は、前記第１の基板の前記第１の集積回路部及び前記第２の集積回路部が設けられる面の面積の０．５倍以上１倍以下であることを特徴とする半導体装置。
11. 請求項９または請求項１０において、
    前記第１の集積回路部及び前記第２の集積回路部が占める面積は、前記薄膜トランジスタが設けられている第１の領域と、前記半導体層が設けられていない第２の領域を有し、
    前記第１の領域は、前記アンテナの面積と同サイズであることを特徴とする半導体装置。
12. 請求項９乃至請求項１１のいずれか一において、
    前記第１の集積回路部及び前記第２の集積回路部が占める面積は、前記第１の集積回路部及び前記第２の集積回路部が設けられる面の面積の０．７倍以上１倍以下であることを特徴とする半導体装置。
13. 請求項９乃至請求項１１のいずれか一において、
    前記第１の集積回路部及び前記第２の集積回路部が占める面積は、前記第１の集積回路部及び前記第２の集積回路部が設けられる面の面積の０．９倍以上１倍以下であることを特徴とする半導体装置。
14. 請求項１乃至請求項１３のいずれか一において、
    前記半導体装置は、無線信号を受信することで電力を充電するバッテリーを有することを特徴とする半導体装置。
15. 請求項１乃至請求項１４のいずれか一において、
    前記半導体装置は、送受信回路、電源回路、メモリ制御回路、及びメモリ回路を具備することを特徴とする半導体装置。