JP2008171838A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置は、基板101と、基板101表面部に形成されたソース領域102と、基板101上に形成された第1の絶縁層103と、第1の絶縁層103上に形成されたゲート電極104と、ゲート電極104上に形成された第2の絶縁層105と、ソース領域102と接続され、第1の絶縁層103、ゲート電極104及び第2の絶縁層105を貫き、ボイド107を内包するように形成されたボディ部106と、ボディ部106を囲み、ゲート電極104との間に形成されたゲート絶縁膜108と、ボディ部106に接続されたドレイン領域110と、を備える。
【選択図】図1
Description
102 ソース領域
103、105 絶縁層
104 ゲート電極
106 ボディ
107 ボイド
108 ゲート絶縁膜
110 ドレイン領域(配線)
Claims (5)
- 基板と、
前記基板表面部に形成されたソース領域と、
前記基板上に形成された第1の絶縁層と、
前記第1の絶縁層上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極上に形成された第2の絶縁層と、
前記ソース領域と接続され、前記第1の絶縁層、前記ゲート電極及び前記第2の絶縁層を貫き、ボイドを内包するボディ部と、
前記ボディ部を囲み、前記ゲート電極との間に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ボディ部に接続されたドレイン領域と、
を備えることを特徴とする半導体装置。 - 前記ボディ部は、前記ゲート電極の少なくとも一部分における直径が前記第1の絶縁層部分における直径及び前記第2の絶縁層部分における直径よりも大きいことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記ゲート絶縁膜は酸化膜、窒化膜及び酸化膜からなるONO膜であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記ソース領域を囲む絶縁膜と、
前記第2の絶縁層上に形成されたゲート電極及び第3の絶縁層と、
をさらに備え、
前記ゲート絶縁膜は電荷蓄積機能を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記ボイドは酸化シリコンによって満たされていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
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