JP2010225916A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】良好な特性を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】素子領域1及び素子分離領域2が交互にそれぞれが第1方向に延伸し、素子領域の第1部分上に形成された第1絶縁膜101と、第1絶縁膜上に形成された浮遊電極102と、浮遊電極上に形成された第2絶縁膜103と、第2絶縁膜上に形成された制御電極とを含む第1構造部10と、素子領域の第2部分を含み、第1構造部と第1方向で接する第2構造部20と、素子分離領域の第1部分上に形成された第2絶縁膜と第2絶縁膜上に形成された制御電極とを含み、第2方向で第1構造部に接する第3構造部30と、素子分離領域の第2部分を含み、第2構造部と第2方向で接し第3構造部と第1方向で接する第4構造部40と、第1、第2、第3及び第4構造部を覆う第3絶縁膜107とを備え、素子分離領域の第2部分は上方に突出した側壁部を有し、第3絶縁膜は側壁部の間に中空部を有する。
【選択図】 図3
【解決手段】素子領域1及び素子分離領域2が交互にそれぞれが第1方向に延伸し、素子領域の第1部分上に形成された第1絶縁膜101と、第1絶縁膜上に形成された浮遊電極102と、浮遊電極上に形成された第2絶縁膜103と、第2絶縁膜上に形成された制御電極とを含む第1構造部10と、素子領域の第2部分を含み、第1構造部と第1方向で接する第2構造部20と、素子分離領域の第1部分上に形成された第2絶縁膜と第2絶縁膜上に形成された制御電極とを含み、第2方向で第1構造部に接する第3構造部30と、素子分離領域の第2部分を含み、第2構造部と第2方向で接し第3構造部と第1方向で接する第4構造部40と、第1、第2、第3及び第4構造部を覆う第3絶縁膜107とを備え、素子分離領域の第2部分は上方に突出した側壁部を有し、第3絶縁膜は側壁部の間に中空部を有する。
【選択図】 図3
Description
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関する。
不揮発性半導体記憶装置は通常半導体基板上に形成されたトンネル絶縁膜と、トンネル絶縁膜上に形成された電荷蓄積層と、電荷蓄積層上に形成された絶縁膜と、絶縁膜上に形成された制御ゲート電極とを有している(例えば、特許文献1参照)。
しかし、不揮発性半導体記憶装置では、隣接するメモリセルトランジスタ間の距離が短くなると、電気的な相互作用が増大する。その結果、メモリセルトランジスタの閾値が所望の値から変動してしまうという問題等が生じ、従来は良好な特性を有する半導体装置を得ることが困難であった。
本発明は、良好な特性を有する半導体装置及びその製造方法を提供することを目的としている。
本発明の第一の視点に係る半導体装置の態様は、素子領域及び素子分離領域が交互に配置され、それぞれが第1の方向に延伸している半導体装置であって、前記素子領域の第1の部分上に形成された第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に形成された電荷蓄積層と、前記電荷蓄積層上に形成された第2の絶縁膜の第1の部分と、前記第2の絶縁膜の第1の部分上に形成された制御ゲート電極の第1の部分とを含む第1の構造部と、前記素子領域の第2の部分を含み、前記第1の構造部と前記第1の方向で隣接する第2の構造部と、前記素子分離領域の第1の部分上に形成された前記第2の絶縁膜の第2の部分と、前記第2の絶縁膜の第2の部分上に形成された前記制御ゲート電極の第2の部分とを含み、前記第1の方向に垂直な第2の方向で前記第1の構造部に隣接する第3の構造部と、前記素子分離領域の第2の部分を含み、前記第2の構造部と前記第2の方向で隣接し、前記第3の構造部と前記第1の方向で隣接する第4の構造部と、前記第1、第2、第3及び第4の構造部を覆う被覆絶縁膜と、を備えた半導体装置であって、前記素子分離領域の第2の部分は、互いに対向し且つ上方に突出した一対の側壁部を有し、前記被覆絶縁膜は、前記一対の側壁部の間に中空部を有することを特徴とする。
本発明の第二の視点に係る半導体装置の製造方法の態様は、半導体基板上に第1の絶縁膜を形成する工程と、前記第1の絶縁膜上に電荷蓄積層を形成する工程と、前記電荷蓄積層、前記第1の絶縁膜及び前記半導体基板に第1の方向に延伸した溝を形成する工程と、前記溝の内面に沿って設けられた下層絶縁膜と、前記下層絶縁膜上に設けられ且つ前記下層絶縁膜よりもエッチングレートの高い上層絶縁膜とを含む素子分離絶縁膜を前記溝内に形成する工程と、前記上層絶縁膜及び前記下層絶縁膜のエッチングレートの差を利用して、前記上層絶縁膜及び前記下層絶縁膜をエッチングすることで、凹部を形成する工程と、前記電荷蓄積層及び前記凹部上に第2の絶縁膜を形成する工程と、前記第2の絶縁膜上に制御ゲート電極膜を形成する工程と、前記制御ゲート電極膜、前記第2の絶縁膜、前記電荷蓄積層、前記上層絶縁膜及び前記下層絶縁膜をエッチングすることで、前記第1の方向に垂直な第2の方向に延伸した制御ゲート電極のパタンを形成し、前記制御ゲート電極のパタンに隣接する領域で前記凹部の深さを増加させ、且つ前記深さの増加した凹部を挟む前記下層絶縁膜の一部で形成された一対の側壁部を形成する工程と、前記制御ゲート電極及び前記深さの増加した凹部を覆い、前記一対の側壁部の間に中空部を有する被覆絶縁膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
本発明によれば、良好な特性を有する半導体装置及びその製造方法を提供することができる。
以下、本発明の実施形態の詳細を図面を参照して説明する。なお、本実施形態では、複数のメモリセルトランジスタがワード線方向及びビット線方向に配列され、直列接続された複数のメモリセルトランジスタをセレクトトランジスタ間に設けた構成を有するNAND型不揮発性半導体記憶装置について説明する。
(実施形態)
図1〜図3は、本実施形態の半導体装置の基本的な構成を概略的に示した図である。
図1〜図3は、本実施形態の半導体装置の基本的な構成を概略的に示した図である。
図1は、本実施形態の半導体装置の基本的な構成を模式的に示した平面図である。
図1に示すように、素子領域(AA:Active area)1及びSTI(Shallow trench isolation)構造の素子分離領域2が交互に配置され、ビット線方向(第1の方向)に延伸している。また、ライン部3及びスペース部4がワード線方向(第2の方向)に延伸している。そして、素子領域1とライン部3とが交差する部分に第1の構造部(メモリセルトランジスタ形成部)10が形成され、素子領域1とスペース部4とが交差し、第1の構造部10とビット線方向で隣接する部分に第2の構造部20が形成されている。また、素子分離領域2とライン部3とが交差し、第1の構造部10とワード線方向で隣接する部分に第3の構造部30が形成され、素子分離領域2とスペース部4が交差し、第2の構造部20とワード線方向で隣接し、第3の構造部30とビット線方向で隣接する部分に第4の構造部40が形成されている。なお、素子領域1及び素子分離領域2の幅はほぼ同一である。
図2は、本実施形態のライン部3の基本的な構成を模式的に示したワード線方向に沿った断面図である。
図2に示すように、半導体基板(シリコン基板)100の素子領域1上にはトンネル絶縁膜(第1の絶縁膜)101が形成され、トンネル絶縁膜101上には浮遊ゲート電極(電荷蓄積層)102としてポリシリコン膜が形成されている。また、浮遊ゲート電極102上には、電極間絶縁膜(第2の絶縁膜)103として、例えばシリコン窒化膜、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜の積層構造(NONON膜)の絶縁膜が形成され、電極間絶縁膜103上には制御ゲート電極104としてポリシリコン膜が形成されている。そして、素子領域1を分離するように、HTO(High Temperature Oxide)膜105とPSZ(ポリシラザン)膜106とからなる素子分離領域2が形成されている。素子分離領域2上には電極間絶縁膜103が形成され、電極間絶縁膜103上には制御ゲート電極104が形成されている。
図3は、本実施形態のスペース部4の基本的な構成を模式的に示したワード線に沿った断面図である。
図3に示すように、半導体基板100の素子領域1上にはトンネル絶縁膜101が形成され、トンネル絶縁膜101上にはライン間絶縁膜(被覆絶縁膜)107が形成されている。そして、素子領域1を分離する素子分離領域2には、HTO膜105とPSZ膜106とからなる素子分離絶縁膜が形成されている。素子分離絶縁膜上にはライン間絶縁膜107が形成されている。また、素子領域1と素子分離領域2との境界近傍においてHTO膜105は、上方に突出した一対の互いに対向する側壁部(突出部)を有し、突出部には電極間絶縁膜103の一部も含まれている。さらに、ライン間絶縁膜107の素子分離領域2の突出部間の部分には、中空部(void)108が形成されている。より具体的には、突出部の先端よりも低い位置且つ第3の構造部30の素子分離絶縁膜の上面よりも低い位置に、中空部108が形成されている。この突出部の高さは、挟スペース幅(素子分離領域2の突出部間の溝の幅)の約4分の1以上である。
上記実施形態によれば、第4の構造部40に形成されたHTO膜105は、図3に示すように、素子領域1と素子分離領域2との境界近傍で上方に突出しており、ライン間絶縁膜107は、HTO膜105の突出部間且つ突出部の先端よりも低い位置に中空部108を有している。この中空部108によってキャパシタンス成分が低減されるため、斜め方向に隣接するメモリセルトランジスタ(第1の構造部10)間の電気的相互作用を抑制することが可能である。
次に、図2〜図12を用いて、本実施形態の半導体装置の基本的な製造方法を概略的に説明する。
図4〜図12は、本実施形態の半導体装置の基本的な製造方法を模式的に示したワード線方向に沿った断面図である。
まず、図4に示すように、半導体基板100上にトンネル絶縁膜101を形成し、トンネル絶縁膜101上に浮遊ゲート電極膜102としてポリシリコン膜を形成する。続いて、CMP(Chemical mechanical polishing)ストッパ膜109としてシリコン窒化膜を形成し、CMPストッパ膜109上に酸化膜110としてTEOS膜を形成する。その後、酸化膜110上にリソグラフィ工程を用いてレジストパタン(図示せず)を形成する。
次に、図5に示すように、レジストパタンをエッチングマスクとしてRIE(Reactive Ion Etching)法によって、酸化膜110、CMPストッパ膜109、浮遊ゲート電極膜102、トンネル絶縁膜101及び半導体基板100をエッチングして加工する。そして、レジストパタンを除去する。これにより、素子領域1上にトンネル絶縁膜101及び浮遊ゲート電極102を含む構造と、素子分離溝とが形成される。なお、素子領域1の幅と、素子分離溝の幅はほぼ同一である。
次に、図6に示すように、素子分離溝の内壁、底面及び酸化膜110上にHTO膜105を形成し、HTO膜105上にPSZ膜106を形成する。これによって、HTO膜105及びPSZ膜106からなる素子分離絶縁膜が形成される。
次に、図7に示すように、PSZ膜106、HTO膜105及び酸化膜110をCMPによって加工し、CMPストッパ膜109に達した時点でCMPを止める。これにより、HTO膜105及びPSZ膜106からなる素子分離絶縁膜が平坦化される。
次に、図8に示すように、RIE法によってエッチバックを行い、PSZ膜106及びHTO膜105を加工する。
次に、図9に示すように、RIE法によってCMPストッパ膜109を除去する。
次に、図10に示すように、EK(くさび型エッチング)プロセスとして、PSZ膜106及びHTO膜105をウェットエッチングする。このとき、PSZ膜106のエッチングレートは、HTO膜105のエッチングレートよりも高い。このため、HTO膜105の内側に形成されたPSZ膜106は、HTO膜105よりも早くエッチングされる。その結果、HTO膜105及びPSZ膜106からなる素子分離絶縁膜には凹部が形成される。EKプロセスを行った後、全面に電極間絶縁膜103としてNONON膜を形成する。続いて、全面に、制御ゲート電極膜104としてポリシリコン膜を形成する。
次に、図11に示すように、図1に示したライン部3に対応した領域を所定のマスク材料パタンで覆い、スペース部4のみ、RIE法によって制御ゲート電極104をエッチングし、続いて電極間絶縁膜103をエッチングする。このRIEの際にHTO膜105及びPSZ膜106もエッチングされる。また、このRIEではPSZ膜106のほうがHTO膜105よりもエッチングレートが高い。そのため、図10の工程で素子分離絶縁膜に形成された凹部の深さが増加し、深さの増加した凹部を挟む一対の側壁部がHTO膜105の一部によって形成される。また、HTO膜105の側壁部上に、電極間絶縁膜103の一部が残る。
次に、図12に示すように、スペース部4のみ、RIEを用いて浮遊ゲート電極膜102をエッチングして除去する。このとき、浮遊ゲート電極膜102のエッチングレートは、電極間絶縁膜103、PSZ膜106及びHTO膜105のエッチングレートよりも高いため、電極間絶縁膜103、PSZ膜106及びHTO膜105は、殆んどエッチングされない。このとき、突出部の高さが挟スペース幅(素子分離領域2の突出部が形成する溝の幅)の約4分の1以上となるようにRIEを行う。
これにより、図2に示すように、ライン部3のみに、制御ゲート電極104が形成され、素子領域1とライン部3とが交差する部分に、素子領域1上に形成されたトンネル絶縁膜101と、トンネル絶縁膜101上に形成された浮遊ゲート電極102と、浮遊ゲート電極102上に形成された電極間絶縁膜103と、電極間絶縁膜103上に形成された制御ゲート電極とを有する第1の構造部(メモリセルトランジスタ部)10が形成される(図1参照)。また、素子分離領域2とライン部3とが交差し、第1の構造部10とワード線方向で隣接する部分に、HTO膜105及びPSZ膜106からなる素子分離絶縁膜と、素子分離絶縁膜上に形成された電極間絶縁膜103と、電極間絶縁膜103上に形成された制御ゲート電極104とを有する第3の構造部30が形成される。
また、図3に示すように、素子領域1とスペース部4とが交差し、第1の構造部10とビット線方向で隣接する部分に、素子領域1上に形成されたトンネル絶縁膜101を有する第2の構造部20が形成される。また、素子分離領域2とスペース部4が交差し、第2の構造部20とワード線方向で隣接し、第3の構造部30とビット線方向で隣接する部分に、HTO膜105と、HTO膜105上に形成されたPSZ膜106と、HTO膜105上に形成された電極間絶縁膜103とを有する第4の構造部40が形成される。次に、CVD(Chemical vapor deposition)法によって全面にライン間絶縁膜としてシリコン酸化膜を形成し、第1〜第4の構造部を覆う。この際、素子分離領域2の突出部の内側には、深い凹部が形成されているため、この凹部には上記シリコン酸化膜が完全には埋め込まれず、中空部(Void)108が形成される。
上記実施形態によれば、素子分離領域2としてエッチングレートが異なるHTO膜105及びPSZ膜106を用いた。PSZ膜106はHTO膜105よりもエッチングレートが高いため、PSZ膜106はHTO膜105よりも早くエッチングされる。そのため、図10の工程で凹部が形成され、さらに図11の工程で凹部の深さを増加させることができる。その結果、図11に示すように素子領域1と素子分離領域2との境界近傍においてHTO膜105が上方に突出する。これにより、突出部間のライン間絶縁膜107に中空部108を形成することができ、斜め方向に隣接するメモリセルトランジスタ(第1の構造部10)間の電気的相互作用を抑制することが可能となる。
なお、上述した実施形態では、第4の構造部40に形成されたライン間絶縁膜107に中空部108が形成されている。しかし、図13に示すように、ライン間絶縁膜107は、素子領域1とスペース部4とが交差する第2の構造部20の上方にも中空部111を有する構造であってもかまわない。この場合、中空部111により、ビット線方向に隣接する第1の構造部(メモリセルトランジスタ部)10間の電気的相互作用を抑制することが可能である。
また、上述した実施形態では、電荷蓄積層として導電体材料を用いた。しかし、電荷蓄積層として電荷トラップ用の電荷蓄積絶縁膜を用いても良い。代表的なものとしては、MONOS型或いはSONOS型の不揮発性半導体記憶装置があげられる。
以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲内において種々変形して実施することが可能である。さらに、上記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示された構成要件を適宜組み合わせることによって種々の発明が抽出される。例えば、開示された構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、所定の効果が得られるものであれば、発明として抽出され得る。
1…素子領域、 2…素子分離領域、 3…ライン部、 4…スペース部、
10…第1の構造部、 20…第2の構造部、 30…第3の構造部、
40…第4の構造部、
100…半導体基板、 101…トンネル絶縁膜、 102…浮遊ゲート電極、
103…電極間絶縁膜、 104…制御ゲート電極、 105…HTO膜、
106…PSZ膜、 107…ライン間絶縁膜、 108、111…中空部、
10…第1の構造部、 20…第2の構造部、 30…第3の構造部、
40…第4の構造部、
100…半導体基板、 101…トンネル絶縁膜、 102…浮遊ゲート電極、
103…電極間絶縁膜、 104…制御ゲート電極、 105…HTO膜、
106…PSZ膜、 107…ライン間絶縁膜、 108、111…中空部、
Claims (5)
- 素子領域及び素子分離領域が交互に配置され、それぞれが第1の方向に延伸している半導体装置であって、
前記素子領域の第1の部分上に形成された第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に形成された電荷蓄積層と、前記電荷蓄積層上に形成された第2の絶縁膜の第1の部分と、前記第2の絶縁膜の第1の部分上に形成された制御ゲート電極の第1の部分とを含む第1の構造部と、
前記素子領域の第2の部分を含み、前記第1の構造部と前記第1の方向で隣接する第2の構造部と、
前記素子分離領域の第1の部分上に形成された前記第2の絶縁膜の第2の部分と、前記第2の絶縁膜の第2の部分上に形成された前記制御ゲート電極の第2の部分とを含み、前記第1の方向に垂直な第2の方向で前記第1の構造部に隣接する第3の構造部と、
前記素子分離領域の第2の部分を含み、前記第2の構造部と前記第2の方向で隣接し、前記第3の構造部と前記第1の方向で隣接する第4の構造部と、
前記第1、第2、第3及び第4の構造部を覆う被覆絶縁膜と、
を備えた半導体装置であって、
前記素子分離領域の第2の部分は、互いに対向し且つ上方に突出した一対の側壁部を有し、
前記被覆絶縁膜は、前記一対の側壁部の間に中空部を有することを特徴とする半導体装置。 - 前記中空部は、前記素子分離領域の第1の部分の上面よりも低い位置に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記素子領域の第2の部分の上方に別の中空部が形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。
- 半導体基板上に第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜上に電荷蓄積層を形成する工程と、
前記電荷蓄積層、前記第1の絶縁膜及び前記半導体基板に第1の方向に延伸した溝を形成する工程と、
前記溝の内面に沿って設けられた下層絶縁膜と、前記下層絶縁膜上に設けられ且つ前記下層絶縁膜よりもエッチングレートの高い上層絶縁膜とを含む素子分離絶縁膜を前記溝内に形成する工程と、
前記上層絶縁膜及び前記下層絶縁膜のエッチングレートの差を利用して、前記上層絶縁膜及び前記下層絶縁膜をエッチングすることで、凹部を形成する工程と、
前記電荷蓄積層及び前記凹部上に第2の絶縁膜を形成する工程と、
前記第2の絶縁膜上に制御ゲート電極膜を形成する工程と、
前記制御ゲート電極膜、前記第2の絶縁膜、前記電荷蓄積層、前記上層絶縁膜及び前記下層絶縁膜をエッチングすることで、前記第1の方向に垂直な第2の方向に延伸した制御ゲート電極のパタンを形成し、前記制御ゲート電極のパタンに隣接する領域で前記凹部の深さを増加させ、且つ前記深さの増加した凹部を挟む前記下層絶縁膜の一部で形成された一対の側壁部を形成する工程と、
前記制御ゲート電極及び前記深さの増加した凹部を覆い、前記一対の側壁部の間に中空部を有する被覆絶縁膜を形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記一対の側壁部の上端部には、それぞれ前記第2の絶縁膜の一部が残存していることを特徴とする請求項4記載の半導体装置の製造方法。
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