JP2008166327A5 - - Google Patents
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Claims (9)
- 上下側を導通可能にする配線パターンを備えた複数のユニット配線板が、接続端子を介して相互接続されて積層されて構成されるベース配線板と、
前記ベース配線板の上に積層され、上下側を導通可能にする配線パターンを備えて、前記ベース配線板の前記配線パターンに接続端子を介して接続されたシリコンインターポーザと、
前記複数のユニット配線板の間の隙間、及び前記ベース配線板と前記シリコンインターポーザとの隙間に充填され、前記ベース配線板及び前記シリコンインターポーザを一体化する樹脂部とを有し、
前記樹脂部は、前記隙間から前記ベース配線板及び前記シリコンインターポーザの側方にかけて繋がって形成され、
前記シリコンインターポーザはその上面が前記樹脂部から露出した状態で前記樹脂部に埋設され、かつ、前記ベース配線板の最下の前記ユニット配線板はその下面が前記樹脂部から露出した状態で前記樹脂部に埋設されていることを特徴とする配線基板。 - 前記ユニット配線板は、絶縁層の両面側にスルーホール導電層を介して相互接続された前記配線パターンがそれぞれ形成されて構成され、上側に配置された前記ユニット配線板の下面側の前記配線パターンに前記接続端子が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
- 前記ベース配線板には、前記樹脂部に埋設された状態で半導体チップ及び受動部品のいずれか又は両方が接続されて実装されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。
- 前記半導体チップは、下側の前記ユニット配線板にフリップチップ接続され、前記ユニット配線板の間に充填された前記樹脂部に埋設されていることを特徴とする請求項３に記載の配線基板。
- 前記樹脂部はフィラーを含有し、前記樹脂部の熱膨張係数が７乃至２０ｐｐｍ／℃で、かつ弾性率が１５〜２５ＧＰａであることを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。
- 請求項１乃至５のいずれか一項の配線基板と、
前記シリコンインターポーザの上面側の前記配線パターンに接続されて実装された半導体チップとを有することを特徴とする半導体装置。 - 上下側を導通可能にする配線パターンを備えた複数のユニット配線板が、接続端子を介して相互接続されて積層されて構成されるベース配線板と、上下側を導通可能にする配線パターンを備えたシリコンインターポーザとを用意し、前記ベース配線板の前記配線パターンに前記シリコンインターポーザを接続端子を介して接続することにより、インターポーザ付き配線基板を得る工程と、
前記インターポーザ付き配線基板にモールド金型を設置し、真空トランスファモールド法によって、前記複数のユニット配線板の隙間、及び前記ベース配線板と前記シリコンインターポーザとの隙間に樹脂を充填することにより、前記ベース配線板及び前記シリコンインターポーザを一体化する樹脂部を形成する工程とを有し、
前記シリコンインターポーザはその上面が前記樹脂部から露出した状態で前記樹脂部に埋設され、前記ベース配線板の最下の前記ユニット配線板はその下面が前記樹脂部から露出した状態で前記樹脂部に埋設されることを特徴とする配線基板の製造方法。 - 前記樹脂部を形成する工程において、前記モールド金型は下型及び下面に凹部を備えた上型から構成され、前記上型の凹部側の面に、前記樹脂部から前記上型を分離するためのリリースフィルムが設けられていることを特徴とする請求項７に記載の配線基板の製造方法。
- 前記樹脂部はフィラーを含有し、前記樹脂部の熱膨張係数が７乃至２０ｐｐｍ／℃で、かつ弾性率が１５〜２５ＧＰａであることを特徴とする請求項７又は８に記載の配線基板の製造方法。
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