JP2009130104A5 - - Google Patents
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- パッドを有するシリコンよりなる第1の基板と、ビアを有する第2の基板とを積層した構造を有した配線基板であって、
前記第1の基板と前記第2の基板との接続位置において、前記ビアと前記パッドとが直接接続し、
平面視で前記第1の基板を前記第2の基板よりも小さい形状とした配線基板。 - 前記第1の基板と前記第2の基板を積層した際、平面視で前記第2の基板の外部に露出する部位に補強部材を設けてなる請求項1記載の配線基板。
- 前記第1の基板と前記第2の基板との接合位置において、前記ビアと前記パッドとの接続位置を除く部位は、接着剤により接着されてなる請求項1又は2記載の配線基板。
- 請求項1乃至3のいずれか一項に記載された配線基板と、
該配線基板を構成する前記第1の基板に実装される半導体素子とを有する半導体装置。 - パッドを有するシリコンより成る第1の基板に、平面視で該第1の基板よりも広い面積を有する絶縁部材を設ける工程と、
該絶縁部材に前記パッドと直接接続するビアを形成する工程と、
該ビアが形成された絶縁部材上に前記配線層と絶縁層とを積層形成して配線部材を形成する工程とを有し、
前記絶縁部材を設ける工程と共に前記第1の基板の周辺に補強部材が設けられる配線基板の製造方法。 - 前記絶縁部材を設ける工程では、
前記絶縁部材として樹脂フィルムを用い、該樹脂フィルムを前記第1の基板に接着剤を用いて接着する請求項5記載の配線基板の製造方法。 - 前記補強部材として金型を用い、
前記絶縁部材を設ける工程では、
前記第1の基板を前記金型に装着し、樹脂モールドにより前記絶縁部材を形成し、
前記絶縁部材の形成後、前記金型を離型する請求項5記載の配線基板の製造方法。 - 前記ビアを形成する工程では、
前記絶縁部材の前記パッドの形成位置に穴を形成し、該穴から露出した前記パッド上にめっきを行うことにより前記ビアを形成する請求項5乃至7のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
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