JP2018026437A5 - - Google Patents

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本配線基板は、第1絶縁膜の一方の面に第2絶縁膜が積層され、前記第1絶縁膜の他方の面が外部に露出する絶縁層と、前記第1絶縁膜に埋め込まれ、所定面が前記第1絶縁膜の他方の面から露出する第1配線層と、を有し、前記絶縁層は、前記第1絶縁膜及び前記第2絶縁膜を貫通し、前記第1配線層の前記所定面の反対面を露出する開口部を備え、前記第1絶縁膜は、前記第1配線層の側面と、前記所定面の反対面を被覆し、前記第1絶縁膜は樹脂のみから構成され、前記第2絶縁膜は補強部材に樹脂を含浸させた構成とされていることを要件とする。

Claims (16)

  1. 第1絶縁膜の一方の面に第2絶縁膜が積層され、前記第1絶縁膜の他方の面が外部に露出する絶縁層と、
    前記第1絶縁膜に埋め込まれ、所定面が前記第1絶縁膜の他方の面から露出する第1配線層と、を有し、
    前記絶縁層は、前記第1絶縁膜及び前記第2絶縁膜を貫通し、前記第1配線層の前記所定面の反対面を露出する開口部を備え、
    前記第1絶縁膜は、前記第1配線層の側面と、前記所定面の反対面を被覆し、
    前記第1絶縁膜は樹脂のみから構成され、
    前記第2絶縁膜は補強部材に樹脂を含浸させた構成とされている配線基板。
  2. 記開口部に露出する前記所定面の反対面は、外部接続用パッドである請求項1記載の配線基板。
  3. 前記開口部の前記第1絶縁膜に形成された部分に、前記開口部の内壁を前記第1絶縁膜側に後退させる凹部が形成されている請求項2記載の配線基板。
  4. 前記第1絶縁膜の他方の面に厚さ方向に窪む凹部が形成され、前記第1配線層の前記所定面が前記凹部内において前記第1絶縁膜の他方の面よりも窪んだ位置に露出している請求項3記載の配線基板。
  5. 前記第2絶縁膜の前記第1絶縁膜と接する面の反対面に、粘着層を介して支持体が設けられている請求項3又は4記載の配線基板。
  6. 前記第2絶縁膜の前記第1絶縁膜の一方の面と接する面の反対面に形成された配線パターン、及び前記開口部内に形成され、前記配線パターンと前記第1配線層とを接続するビア配線、を含む第2配線層を有する請求項記載の配線基板。
  7. 前記第2配線層の配線パターンを被覆するように、前記第2絶縁膜に積層された他の絶縁層と、
    前記他の絶縁層に積層され、前記第2配線層の配線パターンと接続される第3配線層と、を有する請求項記載の配線基板。
  8. 前記第1絶縁膜の他方の面に、前記第1配線層の複数のパッドの所定面を一括で露出する開口部を備えたソルダーレジスト層が積層されている請求項1乃至の何れか一項記載の配線基板。
  9. 前記第1絶縁膜の他方の面は、半導体チップを搭載するチップ搭載面である請求項1乃至の何れか一項記載の配線基板。
  10. 前記第1絶縁膜の他方の面上に、他の絶縁層と配線層が積層されている請求項1乃至の何れか一項記載の配線基板。
  11. 支持体の上面に第1配線層を形成する工程と、
    前記支持体の上面に、前記第1配線層の上面及び側面を被覆するように、樹脂のみから構成された半硬化状態の第1絶縁膜を形成する工程と、
    前記第1絶縁膜の一方の面上に、補強部材に樹脂を含浸させた構成とされた半硬化状態の第2絶縁膜を積層する工程と、
    前記第1絶縁膜及び前記第2絶縁膜を硬化させ、前記第1絶縁膜上に前記第2絶縁膜が積層された絶縁層を作製する工程と、
    前記絶縁層の前記第1絶縁膜及び前記第2絶縁膜を貫通し、前記第1配線層の上面を露出する開口部を形成する工程と、を有する配線基板の製造方法。
  12. 支持体の上面に第1配線層を形成する工程と、
    樹脂のみから構成された半硬化状態の第1絶縁膜、及び前記第1絶縁膜の一方の面上に積層された、補強部材に樹脂を含浸させた構成とされた半硬化状態の第2絶縁膜、を有する絶縁層を準備する工程と、
    前記第1絶縁膜を前記支持体側に向けて、前記支持体の上面に前記第1配線層の上面及び側面を被覆するように前記絶縁層を貼り付け、前記絶縁層を硬化させる工程と、
    前記絶縁層の前記第1絶縁膜及び前記第2絶縁膜を貫通し、前記第1配線層の上面を露出する開口部を形成する工程と、を有する配線基板の製造方法。
  13. 前記開口部の前記第1絶縁膜に形成された部分に、前記開口部の内壁を前記第1絶縁膜側に後退させる凹部を形成する工程を有する請求項11又は12記載の配線基板の製造方法。
  14. 前記第2絶縁膜上に形成された配線パターン、及び前記開口部内に形成され、前記配線パターンと前記第1配線層とを接続するビア配線、を含む第2配線層を形成する工程を有する請求項11乃至13の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
  15. 前記支持体を除去する工程を有する請求項11乃至14の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
  16. 前記第1絶縁膜の他方の面上に、他の絶縁層と配線層を積層する工程を有する請求項15記載の配線基板の製造方法。
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