JP2008294380A5 - - Google Patents

Claims (4)

1. 無機フィラ及び熱硬化性樹脂を含む混合物によって形成され、少なくとも一つ以上の電子部品が内蔵された内蔵層と、
   前記内蔵層の少なくとも一方の面に設けられた基板と、
   前記内蔵層の一方の面と他方の面の間に形成された貫通孔に、導電性樹脂が充填されて形成されたインナービアとを備え、
   前記内蔵層の熱膨張係数は、
   前記基板の熱膨張係数以下であり、
   前記導電性樹脂の熱膨張係数以下である、部品内蔵モジュール。
2. 前記電子部品は、前記基板に実装されている半導体素子であり、
   前記半導体素子と前記基板の間には、封止樹脂が設けられており、
   前記内蔵層の熱膨張係数は、前記封止樹脂の熱膨張係数以下である、請求項１記載の部品内蔵モジュール。
3. 第１の基板の配線パターンに電子部品を実装する実装工程と、
   無機フィラ及び未硬化状態の熱硬化性樹脂を含む混合物によって形成され、硬化後の熱膨張係数が前記第１の基板の熱膨張係数以下となる内蔵層に貫通孔を形成し、前記貫通孔に導電性樹脂を充填し、インナービアを形成するインナービア形成工程と、
   前記内蔵層の一方の面に、前記電子部品を実装した面が対向するように前記第１の基板を配置し、前記内蔵層の他方の面に、前記内蔵層の前記硬化後の熱膨張係数以上の熱膨張係数を有する第２の基板を配置し、前記第１の基板、前記内蔵層及び前記第２の基板を加熱及び加圧する加熱・加圧工程とを備えた、部品内蔵モジュールの製造方法。
4. 基板及び離型キャリアの少なくとも一方の配線パターンに電子部品を実装する実装工程と、
   無機フィラ及び未硬化状態の熱硬化性樹脂を含む混合物によって形成され、硬化後の熱膨張係数が前記基板の熱膨張係数以下となる内蔵層に貫通孔を形成し、前記貫通孔に導電性樹脂を充填し、インナービアを形成するインナービア形成工程と、
   前記基板及び前記離型キャリアのうち一方を、その電子部品が実装された面と、前記内蔵層の一方の面が対向するように配置し、前記内蔵層の他方の面に、前記基板及び前記離型キャリアのうちの他方を配置し、前記基板、前記内蔵層及び前記離型キャリアを加熱及び加圧する加熱・加圧工程と、
   前記離型キャリアを剥離する剥離工程とを備えた、部品内蔵モジュールの製造方法。