JP2008097804A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008097804A5 JP2008097804A5 JP2007214164A JP2007214164A JP2008097804A5 JP 2008097804 A5 JP2008097804 A5 JP 2008097804A5 JP 2007214164 A JP2007214164 A JP 2007214164A JP 2007214164 A JP2007214164 A JP 2007214164A JP 2008097804 A5 JP2008097804 A5 JP 2008097804A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal
- burn
- voltage
- response
- active
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 claims 7
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 3
- 230000001934 delay Effects 0.000 claims 1
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020060099652A KR100845774B1 (ko) | 2006-10-13 | 2006-10-13 | 반도체 메모리 장치 및 이를 이용한 전압 제어 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2008097804A JP2008097804A (ja) | 2008-04-24 |
| JP2008097804A5 true JP2008097804A5 (enExample) | 2010-09-24 |
Family
ID=39302947
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007214164A Pending JP2008097804A (ja) | 2006-10-13 | 2007-08-20 | 電圧制御装置および電圧制御方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US7502268B2 (enExample) |
| JP (1) | JP2008097804A (enExample) |
| KR (1) | KR100845774B1 (enExample) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100845776B1 (ko) * | 2006-11-23 | 2008-07-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 장치의 센스앰프 제어회로 및 방법 |
| KR100955682B1 (ko) * | 2008-04-28 | 2010-05-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 센싱 지연회로 및 이를 이용한 반도체 메모리 장치 |
| KR101539402B1 (ko) * | 2008-10-23 | 2015-07-27 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 |
| KR101047003B1 (ko) * | 2009-06-26 | 2011-07-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 프리차지신호 생성회로 및 반도체 메모리 장치 |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07105144B2 (ja) * | 1985-05-20 | 1995-11-13 | 富士通株式会社 | 半導体記憶回路 |
| JPS62228177A (ja) * | 1986-03-29 | 1987-10-07 | Toshiba Corp | 半導体集積回路用許容入力電圧検査回路 |
| US5402375A (en) * | 1987-11-24 | 1995-03-28 | Hitachi, Ltd | Voltage converter arrangement for a semiconductor memory |
| JPH01162296A (ja) * | 1987-12-19 | 1989-06-26 | Sony Corp | Dram |
| JP2737293B2 (ja) * | 1989-08-30 | 1998-04-08 | 日本電気株式会社 | Mos型半導体記憶装置 |
| JP2821278B2 (ja) * | 1991-04-15 | 1998-11-05 | 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社 | 半導体集積回路 |
| KR0119887B1 (ko) * | 1994-06-08 | 1997-10-30 | 김광호 | 반도체 메모리장치의 웨이퍼 번-인 테스트 회로 |
| US5901105A (en) * | 1995-04-05 | 1999-05-04 | Ong; Adrian E | Dynamic random access memory having decoding circuitry for partial memory blocks |
| JP3607760B2 (ja) | 1995-10-13 | 2005-01-05 | 富士通株式会社 | 半導体集積回路装置 |
| JPH10106257A (ja) * | 1996-09-06 | 1998-04-24 | Texas Instr Inc <Ti> | 集積回路のメモリ装置及びプリチャージ動作を与える方法 |
| JP3742191B2 (ja) * | 1997-06-06 | 2006-02-01 | 株式会社東芝 | 半導体集積回路装置 |
| JP4090570B2 (ja) * | 1998-06-02 | 2008-05-28 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置、データ処理システム及び不揮発性メモリセルの閾値変更方法 |
| KR100281693B1 (ko) * | 1998-09-02 | 2001-02-15 | 윤종용 | 고속 삼상 부스터 회로 |
| JP3863313B2 (ja) * | 1999-03-19 | 2006-12-27 | 富士通株式会社 | 半導体記憶装置 |
| JP4555416B2 (ja) * | 1999-09-22 | 2010-09-29 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体集積回路およびその制御方法 |
| US6563746B2 (en) * | 1999-11-09 | 2003-05-13 | Fujitsu Limited | Circuit for entering/exiting semiconductor memory device into/from low power consumption mode and method of controlling internal circuit at low power consumption mode |
| KR100333710B1 (ko) * | 1999-12-28 | 2002-04-22 | 박종섭 | 안정적인 리드 동작을 위한 디디알 에스디램 |
| JP3856424B2 (ja) * | 2000-12-25 | 2006-12-13 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
| JP2002231000A (ja) * | 2001-02-05 | 2002-08-16 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
| KR100505702B1 (ko) * | 2003-08-20 | 2005-08-02 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 테스트와 포스트 패키지 테스트에서 선택적으로프로그램 가능한 반도체 메모리 장치의 리페어 장치 및 그리페어 방법 |
| KR100586555B1 (ko) * | 2005-01-17 | 2006-06-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 내부전압 생성 제어회로 및 이를 이용한 내부전압 생성회로 |
-
2006
- 2006-10-13 KR KR1020060099652A patent/KR100845774B1/ko not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-07-05 US US11/822,358 patent/US7502268B2/en active Active
- 2007-08-20 JP JP2007214164A patent/JP2008097804A/ja active Pending
-
2009
- 2009-02-03 US US12/364,670 patent/US7916566B2/en active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5026810B2 (ja) | 半導体記憶装置のアクティブサイクル制御回路及び方法 | |
| KR100757926B1 (ko) | 반도체 메모리 장치의 센스 앰프 제어 회로 및 방법 | |
| KR101008993B1 (ko) | 파이프래치 회로 및 이를 이용한 반도체 메모리 장치 | |
| US7999576B2 (en) | Sense amplifier control circuit | |
| JP2008097804A5 (enExample) | ||
| KR100920843B1 (ko) | 반도체 메모리 장치의 오토리프레쉬 동작 제어회로 | |
| US20150269991A1 (en) | Memory unit and method of testing the same | |
| US7042781B2 (en) | Semiconductor memory device for reducing write recovery time | |
| JP2003203498A (ja) | 半導体メモリ装置 | |
| JP2014089790A5 (enExample) | ||
| KR100642441B1 (ko) | 반도체 메모리 소자의 제어 회로 | |
| JP3992901B2 (ja) | 書込みインタラプト書込み機能を有する同期式dram半導体装置 | |
| KR20090097726A (ko) | 상 변화 메모리 장치 및 그의 테스트 방법 | |
| KR102125568B1 (ko) | 반도체 장치 및 그 테스트 방법 | |
| KR20150006156A (ko) | 반도체 장치, 반도체 메모리 장치 및 그것의 구동 방법 | |
| KR20160075006A (ko) | 반도체 메모리 장치의 컬럼 제어신호 생성 회로 | |
| JP3837267B2 (ja) | ローアドレスストローブ信号発生装置 | |
| KR100406540B1 (ko) | 반도체기억장치내 감지 증폭기의 오버 드라이빙 제어회로및 방법 | |
| JP2009217926A5 (enExample) | ||
| KR100903388B1 (ko) | 내부전압 제어회로 및 그 제어방법 | |
| KR101008987B1 (ko) | 전원 제어 회로 및 이를 이용한 반도체 메모리 장치 | |
| KR100842759B1 (ko) | 반도체메모리소자 및 그의 구동 방법 | |
| KR100935601B1 (ko) | 반도체 메모리 장치의 어드레스 버퍼 제어회로 | |
| KR100583150B1 (ko) | 반도체메모리장치의 데이터 억세스 방법 및 장치 | |
| KR100854458B1 (ko) | 라이트 레이턴시 제어회로 |