JP2008078299A - キャパシタ、その製造方法、および電子基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板11と、基板11上に形成された導電性微粒子を含む樹脂材料からなる下部電極12と、下部電極12上に、下部電極12側の全面に亘って形成された酸化皮膜誘電体部13および上部電極14をこの順に有する弁金属シート15と、弁金属シート15を覆う保護膜16と、下部電極12および上部電極14のそれぞれと電気的に接続され、保護膜16を貫通して形成された電極端子20,21等から構成される。
【選択図】図4
Description
基板の表面に接着性の導電性材料を塗布する工程と、前記貫通孔が形成された弁金属シートを第1の面が前記導電性材料に接するよう基板に貼り合わせる工程と、次いで、前記導電性材料を硬化させて導電性層を形成する工程と、前記弁金属シートの第1の面とは反対側の第2の面を覆う保護膜を形成する工程と、前記保護膜に前記貫通孔内の導電性層および弁金属シートの第2の面の一部を露出する開口部を形成する工程と、前記開口部内に他の導電性材料を充填して電極端子を形成工程とを含むキャパシタの製造方法が提供される。
図2は、本発明の第1の実施の形態に係るキャパシタの斜視図、図3は図2に示すキャパシタの平面図、図4は図3に示すA−A線断面図である。
図7および図8は、それぞれ実施例1、実施例2のキャパシタの平面図であり、電極端子側から視た平面図である。
また、図8を参照するに、実施例2のキャパシタ40は、第1の実施の形態に係るキャパシタと同様の構成を有し、長辺が1.8mm、短辺が1.6mmの矩形で、電極端子41,42の配列は紙面縦方向7個×横方向7個の格子状とした。上部電極に接続された電極端子41と下部電極に接続された電極端子42とを紙面縦方向および横方向のいずれにも交互に配置した電極端子の配列を有する。電極端子の直径を100μm、電極端子の縦方向および横方向の間隔を200μmとした。
第1の実施の形態に係る実施例3のキャパシタを以下のようにして作製した。
第1の実施の形態に係る実施例4のキャパシタを以下のようにして作製した。
第1の実施の形態に係る実施例5のキャパシタを以下のようにして作製した。
図10は、本発明の第2の実施の形態に係る電子基板の概略断面図である。
(付記1)
基板と、
基板上に設けられた導電性粒子を含む導電層と、
前記導電層上に、該導電層側の面の全てに亘って誘電体部が形成された弁金属シートと、
前記弁金属シートを覆う保護膜と、
前記導電層に電気的に接触し、保護膜表面に取り出された第1の電極端子と、
前記弁金属シートの、誘電体部が形成された面とは反対側の面に電気的に接触し、保護膜の外部に取り出された第2の電極端子と、を備え、
前記誘電体部は、弁金属シートの金属材料の酸化物からなると共に導電層側に凹凸面が形成されてなり、その凹凸面に前記導電性粒子が接してなることを特徴とするキャパシタ。
(付記2)
前記誘電体部は、前記凹凸面が多孔質状であり、その孔中に前記導電性微粒子が充填されてなることを特徴とする付記1記載のキャパシタ。
(付記3)
前記誘電体部は、弁金属シートの金属材料の陽極酸化皮膜であることを特徴とする付記1記載のキャパシタ。
(付記4)
前記弁金属シートは箔あるいは板状であることを特徴とする付記1記載のキャパシタ。
(付記5)
前記弁金属シートの金属材料は、アルミニウム、タンタル、ニオブ、チタン、ハフニウム、ジルコニウム、亜鉛、タングステン、ビスマス、およびアンチモンからなる群のうちいずれか1種から選択されてなることを特徴とする付記1記載のキャパシタ。
(付記6)
前記導電性微粒子は、Ag、Au、Cu、およびグラファイトから選択されてなることを特徴とする付記1記載のキャパシタ。
(付記7)
前記第1の電極端子は、弁金属シートの厚さ方向に形成された貫通孔内に形成されなり、第1の電極端子と貫通孔の内面との間に前記保護膜が充填されてなることを特徴とする付記1記載のキャパシタ。
(付記8)
前記第1および第2の電極端子は保護膜表面に第1の方向と該第1の方向に直交する第2の方向に格子状に配置されてなり、
前記第1および第2の方向おそれぞれに沿って、第1の電極端子と第2の電極端子とが交互に配置されてなることを特徴とする付記1記載のキャパシタ。
(付記9)
弁金属シートの第1の面の全てに亘って酸化して誘電体部を形成する工程と、
前記誘電体部が形成された弁金属シートに貫通孔を形成する工程と、
基板の表面に接着性の導電性材料を塗布する工程と、
前記貫通孔が形成された弁金属シートを第1の面が前記導電性材料に接するよう基板に貼り合わせる工程と、
次いで、前記導電性材料を硬化させて導電性層を形成する工程と、
前記弁金属シートの第1の面とは反対側の第2の面を覆う保護膜を形成する工程と、
前記保護膜に前記貫通孔内の導電性層および弁金属シートの第2の面の一部を露出する開口部を形成する工程と、
前記開口部内に他の導電性材料を充填して電極端子を形成工程とを含むキャパシタの製造方法。
(付記10)
前記誘電体部を形成する工程は、陽極酸化法により弁金属シートの第1の面に酸化皮膜を形成することを特徴とする付記9記載のキャパシタの製造方法。
(付記11)
前記誘電体部を形成する工程は、酸素ガスを含むプラズマエッチングにより弁金属シートの第1の面に酸化皮膜を形成することを特徴とする付記9記載のキャパシタの製造方法。
(付記12)
前記誘電体部を形成する工程の前に、弁金属シートの第1の面に電解エッチング処理を行い、多孔質状の表面を形成する工程をさらに備えることを特徴とする付記9記載のキャパシタの製造方法。
(付記13)
前記誘電体部を形成する工程の後に、誘電体部の表面に導電性高分子材料を塗布する工程をさらに備えることを特徴とする付記12記載のキャパシタの製造方法。
(付記14)
前記接着性の導電性材料は、導電性ペーストであることを特徴とする付記9記載のキャパシタの製造方法。
(付記15)
付記1〜8のうち、いずれか一項記載のキャパシタと、
半導体装置と、
前記キャパシタと半導体装置とを電気的に接続する配線基板と、を備える電子基板。
11 基板
12 下部電極
12a 導電性粒子
13 酸化皮膜誘電体層
13a 凹凸面
13b 孔
14 上部電極(金属層)
15 弁金属シート
15a 開口部
16 保護膜
16a,16b 開口部
18,18a めっきシード層
19 導電材料
20,21,31,32 電極端子
25 レジスト膜
50 電子基板
51 配線基板
52 LSIチップ
53 デカップリングキャパシタ
54 配線層
Claims (9)
- 基板と、
基板上に設けられた導電性粒子を含む導電層と、
前記導電層上に、該導電層側の面の全てに亘って誘電体部が形成された弁金属シートと、
前記弁金属シートを覆う保護膜と、
前記導電層に電気的に接触し、保護膜表面に取り出された第1の電極端子と、
前記弁金属シートの、誘電体部が形成された面とは反対側の面に電気的に接触し、保護膜の外部に取り出された第2の電極端子と、を備え、
前記誘電体部は、弁金属シートの金属材料の酸化物からなると共に導電層側に凹凸面が形成されてなり、その凹凸面に前記導電性粒子が接してなることを特徴とするキャパシタ。 - 前記誘電体部は、前記凹凸面が多孔質状であり、その孔中に前記導電性微粒子が充填されてなることを特徴とする請求項1記載のキャパシタ。
- 前記誘電体部は、弁金属シートの金属材料の陽極酸化皮膜であることを特徴とする請求項1または2記載のキャパシタ。
- 前記導電性微粒子は、Ag、Au、Cu、およびグラファイトから選択されてなることを特徴とする請求項1〜3のうち、いずれか一項記載のキャパシタ。
- 前記第1および第2の電極端子は保護膜表面に第1の方向と該第1の方向に直交する第2の方向に格子状に配置されてなり、
前記第1および第2の方向おそれぞれに沿って、第1の電極端子と第2の電極端子とが交互に配置されてなることを特徴とする請求項1〜4のうち、いずれか一項記載のキャパシタ。 - 弁金属シートの第1の面の全てに亘って酸化して誘電体部を形成する工程と、
前記誘電体部が形成された弁金属シートに貫通孔を形成する工程と、
基板の表面に接着性の導電性材料を塗布する工程と、
前記貫通孔が形成された弁金属シートを第1の面が前記導電性材料に接するよう基板に貼り合わせる工程と、
次いで、前記導電性材料を硬化させて導電性層を形成する工程と、
前記弁金属シートの第1の面とは反対側の第2の面を覆う保護膜を形成する工程と、
前記保護膜に前記貫通孔内の導電性層および弁金属シートの第2の面の一部を露出する開口部を形成する工程と、
前記開口部内に他の導電性材料を充填して電極端子を形成工程とを含むキャパシタの製造方法。 - 前記誘電体部を形成する工程は、陽極酸化法により弁金属シートの第1の面に酸化皮膜を形成することを特徴とする請求項6記載のキャパシタの製造方法。
- 前記誘電体部を形成する工程の前に、弁金属シートの第1の面に電解エッチング処理を行い、多孔質状の表面を形成する工程をさらに備えることを特徴とする請求項6記載のキャパシタの製造方法。
- 請求項1〜5のうち、いずれか一項記載のキャパシタと、
半導体装置と、
前記キャパシタと半導体装置とを電気的に接続する配線基板と、を備える電子基板。
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