JP4226002B2 - 積層形フィルムコンデンサの製造方法 - Google Patents
積層形フィルムコンデンサの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4226002B2 JP4226002B2 JP2005375833A JP2005375833A JP4226002B2 JP 4226002 B2 JP4226002 B2 JP 4226002B2 JP 2005375833 A JP2005375833 A JP 2005375833A JP 2005375833 A JP2005375833 A JP 2005375833A JP 4226002 B2 JP4226002 B2 JP 4226002B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- aluminum
- capacitor
- treatment
- film capacitor
- aqueous solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 140
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 34
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 71
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 69
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 51
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 43
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 42
- RPUZVWKKWXPKIP-UHFFFAOYSA-H dialuminum;hydrogen phosphate Chemical compound [Al+3].[Al+3].OP([O-])([O-])=O.OP([O-])([O-])=O.OP([O-])([O-])=O RPUZVWKKWXPKIP-UHFFFAOYSA-H 0.000 claims description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 22
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 21
- -1 hydrogen aluminum phosphate Chemical class 0.000 claims description 21
- RGPUVZXXZFNFBF-UHFFFAOYSA-K diphosphonooxyalumanyl dihydrogen phosphate Chemical compound [Al+3].OP(O)([O-])=O.OP(O)([O-])=O.OP(O)([O-])=O RGPUVZXXZFNFBF-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 15
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 13
- WMFOQBRAJBCJND-UHFFFAOYSA-M Lithium hydroxide Chemical compound [Li+].[OH-] WMFOQBRAJBCJND-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 6
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 6
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 6
- 101100283604 Caenorhabditis elegans pigk-1 gene Proteins 0.000 claims 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 101
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 56
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 52
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 32
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 32
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 31
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 31
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 23
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 16
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 13
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 12
- 238000006703 hydration reaction Methods 0.000 description 12
- 230000036571 hydration Effects 0.000 description 11
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 10
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 7
- UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M Sodium bicarbonate Chemical compound [Na+].OC([O-])=O UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 6
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 5
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 5
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 5
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 5
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- IIPYXGDZVMZOAP-UHFFFAOYSA-N lithium nitrate Chemical compound [Li+].[O-][N+]([O-])=O IIPYXGDZVMZOAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- 229910017119 AlPO Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 3
- ILRRQNADMUWWFW-UHFFFAOYSA-K aluminium phosphate Chemical compound O1[Al]2OP1(=O)O2 ILRRQNADMUWWFW-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 235000017557 sodium bicarbonate Nutrition 0.000 description 3
- 229910000030 sodium bicarbonate Inorganic materials 0.000 description 3
- FIHBHSQYSYVZQE-UHFFFAOYSA-N 6-prop-2-enoyloxyhexyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCCCCCOC(=O)C=C FIHBHSQYSYVZQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910013553 LiNO Inorganic materials 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001339 alkali metal compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000003637 basic solution Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CCNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- VEBCLRKUSAGCDF-UHFFFAOYSA-N ac1mi23b Chemical compound C1C2C3C(COC(=O)C=C)CCC3C1C(COC(=O)C=C)C2 VEBCLRKUSAGCDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical class OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 229910052730 francium Inorganic materials 0.000 description 1
- KLMCZVJOEAUDNE-UHFFFAOYSA-N francium atom Chemical compound [Fr] KLMCZVJOEAUDNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- INHCSSUBVCNVSK-UHFFFAOYSA-L lithium sulfate Inorganic materials [Li+].[Li+].[O-]S([O-])(=O)=O INHCSSUBVCNVSK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000001883 metal evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 150000003013 phosphoric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- RBTVSNLYYIMMKS-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 3-aminoazetidine-1-carboxylate;hydrochloride Chemical compound Cl.CC(C)(C)OC(=O)N1CC(N)C1 RBTVSNLYYIMMKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/008—Selection of materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/14—Organic dielectrics
- H01G4/18—Organic dielectrics of synthetic material, e.g. derivatives of cellulose
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/0029—Processes of manufacture
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
気において、水分と反応し、腐食等を引き起こし、コンデンサ特性寿命を低下させるため、何らかの処理が必要である。
aAl3++b[H3-nPO4]n-→[Ala[H3-mPO4]b]3a-bm+b(m-n)H+
aAl3++(b+c)H2O+d[H3-nPO4]n-→[AlaOb(OH)c(H3-mPO4)d]0+[2b+c+d(m-n)]H+
上記反応式によって切断面のアルミニウム表面に形成されたリン酸を含むアルミニウムの皮膜を、更に加熱処理することで、より安定性と耐水和性に優れたものにすることが出来る。
本発明に係るPMLコンデンサの製造方法の一態様を図面、特に図4を用いて説明する。
さらに、得られたチップ状積層形フィルムコンデンサ素子Bを、50℃の10wt%リン酸二水素アルミニウム(Al(H2PO4)3)水溶液中に5分間浸漬させた。次いで、純水洗浄後、素子温度が200℃以上になる時間が1分間以上となるよう加熱処理を行った。
上記コンデンサの製造方法により得られたチップ状積層形フィルムコンデンサ素子を、50℃の10wt%リン酸一水素アルミニウム(Al2(HPO4)3)水溶液中に5分間浸漬させた。その他は実施例1と同様の処理方法で正常な特性のチップ状積層形フィルムコンデンサを得た。
上記コンデンサの製造方法により得られたチップ状積層形フィルムコンデンサ素子を25℃の5wt%水酸化ナトリウム水溶液中に5分間浸漬させ、流水洗浄後、実施例1と同様に50℃の10wt%リン酸二水素アルミニウム(Al(H2PO4)3)水溶液中に5分間浸漬させた。その他は実施例1と同様の処理方法で正常な特性のチップ状積層形フィルムコンデンサを得た。
上記コンデンサの製造方法により得られたチップ状積層形フィルムコンデンサ素子を、リン酸水素アルミニウム水溶液中への浸漬を全くしないで、加熱処理と電圧処理のみ行いチップ状積層形フィルムコンデンサを得た。つまり、実施例1からリン酸二水素アルミニウム水溶液への浸漬処理を除いた。
上記コンデンサの製造方法により得られたチップ状積層形フィルムコンデンサ素子を、25℃の5wt%水酸化ナトリウム水溶液に5分間浸漬させ、流水洗浄して加熱処理した後電圧処理を行い、チップ状積層形フィルムコンデンサを得た。つまり、実施例3からリン酸二水素アルミニウム水溶液への浸漬処理を除いた。
上記コンデンサの製造方法により得られたチップ状積層形フィルムコンデンサ素子を、従来法の切断面に酸化皮膜を形成させる手段として、硝酸リチウムLiNO3と炭酸水素ナトリウムNaHCO3をそれぞれ5mMとなるように純水に溶解させた80℃の水溶液に、素子を30分間浸漬した。その後加熱処理と電圧処理を行い、チップ状積層形フィルムコンデンサを得た。つまり、実施例1のリン酸二水素アルミニウム水溶液の代わりに、硫酸リチウムと炭酸水素ナトリウムを溶解した水溶液を用いた。
上記コンデンサの製造方法により得られたチップ状積層形フィルムコンデンサ素子を、ローラを用いて切断面に直接紫外線硬化樹脂を塗布して、紫外線にて硬化させた。得られた紫外線硬化樹脂膜厚は約0.1mmであった。その後加熱処理と電圧処理を行い、チップ状積層形フィルムコンデンサを得た。
最初の約15%の容量増加は吸水によるものである。いずれも1000時間経過後も容量の減少はほとんど観察されず良好な耐湿寿命特性を示した。実施例1と実施例2を比較するとほとんど差は無く、処理溶液としてリン酸一水素アルミニウム水溶液を用いた場合でも、リン酸ニ水素アルミニウム水溶液を用いた場合でも耐湿寿命特性向上の効果にほとんど差が無いことがわかった。また、リン酸水素アルミニウム水溶液への浸漬処理をする前に、水酸化ナトリウム水溶液で処理を行った実施例3は、実施例1および2と比べてやや容量の減少が小さく優れた耐湿寿命特性を示した。これは切断面に露出した内部電極アルミニウムが、水酸化ナトリウム水溶液処理によってエッチングされて後退し、その上に更にリン酸皮膜が形成されたため、より耐湿性が向上したものと考えられる。
リン酸二水素アルミニウム水溶液への浸漬処理をした実施例1と、何も処理を行わなかった比較例1を比較すると、明らかに実施例1の方が、耐湿寿命特性が優れていることがわかった。これは素子表面、特には切断面に露出したアルミニウム内部電極層の表面にリン酸を含むアルミニウムの皮膜が形成されたためであると考えられる。この皮膜は大気中で安定であり、耐水和性にも優れる皮膜である。比較例1の素子は素子内部に浸入した水分と電極層のアルミニウムが水和反応したため容量が減少したと考えられる。
※耐湿寿命特性は、40℃95%RHで25V印加し、1000時間経過時の容量変化率が、+10%以上を優、+9〜+5%を良、+5〜0%を不十分、−1%以下を不適とした。
※耐衝撃性は、上述したパーツフィーダーによるテストのIR不良数が、0個を優、1〜3個を良、4〜6個を不十分、7個以上を不適とした。
B チップ状積層形フィルムコンデンサ素子
1 下部保護層
1’ 上部保護層
2 内部電極層
3 誘電体層(樹脂層)
4、4’ 外部電極
5 リン酸を含むアルミニウム皮膜
Claims (7)
- 誘電体層とアルミニウムを含む金属層とを積層して製造される積層形フィルムコンデンサの製造方法において、少なくともリン酸水素アルミニウムを含む溶液でコンデンサ素子を処理する工程を有する積層形フィルムコンデンサの製造方法。
- 前記リン酸水素アルミニウムが、リン酸一水素アルミニウム(Al2(HPO4)3)またはリン酸二水素アルミニウム(Al(H2PO4)3)であることを特徴とする請求項1に記載の積層形フィルムコンデンサの製造方法。
- 前記リン酸水素アルミニウムを含む溶液でコンデンサ素子を処理する工程の後に、コンデンサ素子を加熱することを特徴とする請求項1または2に記載の積層形フィルムコンデンサの製造方法。
- 前記加熱時のコンデンサ素子表面の最高温度が200℃〜280℃であることを特徴とする請求項3に記載の積層形フィルムコンデンサの製造方法。
- 前記リン酸水素アルミニウムを含む溶液でコンデンサ素子を処理する工程の前に、アルカリ性水溶液による処理を行うことを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の積層形フィルムコンデンサの製造方法。
- 前記アルカリ性水溶液が水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、または水酸化リチウムのうち少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項5に記載の積層形フィルムコンデンサの製造方法。
- 前記誘電体層が、モノマーまたはオリゴマーを真空中で蒸着させることにより支持体上に付着させ、その後硬化させることによって形成されることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載の積層形フィルムコンデンサの製造方法。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005375833A JP4226002B2 (ja) | 2005-12-27 | 2005-12-27 | 積層形フィルムコンデンサの製造方法 |
KR1020087014788A KR100999661B1 (ko) | 2005-12-27 | 2006-12-25 | 적층형 필름 콘덴서의 제조 방법 |
PCT/JP2006/326321 WO2007074918A1 (ja) | 2005-12-27 | 2006-12-25 | 積層形フィルムコンデンサの製造方法 |
EP06843695A EP1968082A4 (en) | 2005-12-27 | 2006-12-25 | PROCESS FOR PRODUCING A LAMINATED FILM CONDENSER |
US12/159,238 US20090308532A1 (en) | 2005-12-27 | 2006-12-25 | Process for producing laminated film capacitor |
CNA2006800496477A CN101351856A (zh) | 2005-12-27 | 2006-12-25 | 层叠型薄膜电容器的制造方法 |
TW095149284A TWI349294B (en) | 2005-12-27 | 2006-12-27 | Method for producing a multilayered film capacitor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005375833A JP4226002B2 (ja) | 2005-12-27 | 2005-12-27 | 積層形フィルムコンデンサの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007180199A JP2007180199A (ja) | 2007-07-12 |
JP4226002B2 true JP4226002B2 (ja) | 2009-02-18 |
Family
ID=38218136
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005375833A Expired - Fee Related JP4226002B2 (ja) | 2005-12-27 | 2005-12-27 | 積層形フィルムコンデンサの製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20090308532A1 (ja) |
EP (1) | EP1968082A4 (ja) |
JP (1) | JP4226002B2 (ja) |
KR (1) | KR100999661B1 (ja) |
CN (1) | CN101351856A (ja) |
TW (1) | TWI349294B (ja) |
WO (1) | WO2007074918A1 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
ECSP077628A (es) | 2007-05-03 | 2008-12-30 | Smithkline Beechman Corp | Nueva composición farmacéutica |
US8749950B2 (en) * | 2009-04-22 | 2014-06-10 | Simon Fraser University | Ionic polymer metal composite capacitor |
CN102709053A (zh) * | 2012-06-04 | 2012-10-03 | 电子科技大学 | 一种聚合物叠片式电容器及其制备方法 |
JP2014096498A (ja) * | 2012-11-09 | 2014-05-22 | Rubycon Corp | 積層コンデンサの製造方法、積層コンデンサ、回路基板および電子機器 |
EP3107108B1 (en) * | 2014-02-10 | 2021-05-26 | Rubycon Corporation | Method of manufacturing thin-film polymer multi-layer capacitor |
US9711286B2 (en) | 2015-03-25 | 2017-07-18 | Sigma Laboratories Of Arizona, Llc | Polymeric monolithic capacitor |
US20180342353A1 (en) * | 2015-03-25 | 2018-11-29 | PolyCharge America Inc. | Polymeric monolithic capcitor |
US20200194179A1 (en) * | 2015-03-25 | 2020-06-18 | PolyCharge America Inc. | Polymeric monolithic capacitor |
KR102198538B1 (ko) * | 2015-12-29 | 2021-01-06 | 삼성전기주식회사 | 적층 전자 부품 |
JP6449798B2 (ja) * | 2016-01-26 | 2019-01-09 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミック電子部品及びその製造方法、並びにセラミック素体 |
JP7348960B2 (ja) * | 2019-12-27 | 2023-09-21 | 株式会社村田製作所 | フィルムコンデンサ、及び、フィルムコンデンサ用フィルム |
DE102020214966A1 (de) | 2020-11-27 | 2022-06-02 | Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Kommutierzelle für einen Inverter |
CN113327771B (zh) | 2021-05-11 | 2022-08-23 | 东莞顺络电子有限公司 | 一种片式导电聚合物电容器封装方法及电容器 |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3351540A (en) * | 1964-03-23 | 1967-11-07 | Olin Mathieson | Method of improving the corrosion resistance of oxidized metal surfaces |
US3345544A (en) * | 1965-05-17 | 1967-10-03 | Mallory & Co Inc P R | Solid aluminum capacitors having a proted dielectric oxide film |
US3518500A (en) * | 1968-03-06 | 1970-06-30 | James C Jimerson | Flat plate feed-through capacitor |
JPS5284450A (en) * | 1975-12-30 | 1977-07-14 | Honshu Paper Co Ltd | Foillrolled capacitor |
JPS5565423A (en) * | 1978-11-13 | 1980-05-16 | Nichicon Capacitor Ltd | Method of manufacturing laminated film capacitor |
JPS56144526A (en) * | 1980-04-10 | 1981-11-10 | Fuaaiisuto Engineering Kk | Method and device for automatically aligning and vacuum immersing electrolytic condenser |
US4515931A (en) * | 1983-12-19 | 1985-05-07 | General Electric Company | Polyfunctional acrylate monomers and polymers thereof useful as capacitor dielectrics |
US5018048A (en) * | 1983-12-19 | 1991-05-21 | Spectrum Control, Inc. | Miniaturized monolithic multi-layer capacitor and apparatus and method for making |
DE3484793D1 (de) * | 1983-12-19 | 1991-08-14 | Spectrum Control Inc | Miniaturisierter monolithischer mehrschichtkondensator sowie geraet und verfahren zur herstellung. |
JP2663544B2 (ja) * | 1988-08-24 | 1997-10-15 | 松下電器産業株式会社 | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
US5036434A (en) * | 1988-12-15 | 1991-07-30 | Nec Corporation | Chip-type solid electrolytic capacitor and method of manufacturing the same |
KR920700460A (ko) * | 1989-09-21 | 1992-02-19 | 마에다 가쯔노스께 | 필름콘덴서 및 그의 제조방법 |
US5085845A (en) * | 1989-11-02 | 1992-02-04 | Tayca Corporation | Production and use of crystalline hydrogen-phosphate compounds having layer structure |
US5716532A (en) * | 1996-06-11 | 1998-02-10 | Sigma Labs, Inc. | Demetallization of polymer/metal multilayer films by etching |
US6600646B1 (en) * | 1999-08-11 | 2003-07-29 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Niobium powder, sintered body thereof and capacitor using same |
US6540810B2 (en) * | 2000-04-21 | 2003-04-01 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Niobium powder for capacitor, sintered body using the powder and capacitor using the same |
JP2002198257A (ja) * | 2000-12-26 | 2002-07-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層体の製造方法及び製造装置 |
JP2002231563A (ja) | 2001-01-30 | 2002-08-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層フィルムコンデンサ及びその製造法 |
US6548324B2 (en) * | 2001-06-06 | 2003-04-15 | Kemet Electronics Corporation | Edge formation process without anodizing for aluminum solid electrolytic capacitor |
US7289314B2 (en) * | 2002-08-30 | 2007-10-30 | Showa Denko K.K. | Metal foil for capacitor, solid electrolytic capacitor using the foil and production methods of the foil and the capacitor |
JP4383204B2 (ja) * | 2003-03-31 | 2009-12-16 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
JP2005045094A (ja) | 2003-07-24 | 2005-02-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層形コンデンサ及びその製造方法 |
JP4738299B2 (ja) * | 2006-09-20 | 2011-08-03 | 富士通株式会社 | キャパシタ、その製造方法、および電子基板 |
-
2005
- 2005-12-27 JP JP2005375833A patent/JP4226002B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-12-25 CN CNA2006800496477A patent/CN101351856A/zh active Pending
- 2006-12-25 US US12/159,238 patent/US20090308532A1/en not_active Abandoned
- 2006-12-25 EP EP06843695A patent/EP1968082A4/en not_active Withdrawn
- 2006-12-25 KR KR1020087014788A patent/KR100999661B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2006-12-25 WO PCT/JP2006/326321 patent/WO2007074918A1/ja active Application Filing
- 2006-12-27 TW TW095149284A patent/TWI349294B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100999661B1 (ko) | 2010-12-08 |
CN101351856A (zh) | 2009-01-21 |
US20090308532A1 (en) | 2009-12-17 |
JP2007180199A (ja) | 2007-07-12 |
WO2007074918A1 (ja) | 2007-07-05 |
TW200739630A (en) | 2007-10-16 |
TWI349294B (en) | 2011-09-21 |
EP1968082A1 (en) | 2008-09-10 |
EP1968082A4 (en) | 2011-11-09 |
KR20080072726A (ko) | 2008-08-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4226002B2 (ja) | 積層形フィルムコンデンサの製造方法 | |
WO1999065043A1 (fr) | Feuille electrode pour condensateur electrolytique solide, son procede de fabrication, et condensateur electrolytique solide | |
JP2008300463A (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
WO2009113285A1 (ja) | 固体電解コンデンサとその製造方法 | |
JP2010161151A (ja) | 電解コンデンサの製造方法 | |
CN1327245A (zh) | 铝电解电容器及其制法 | |
US20130128473A1 (en) | Method for producing capacitor, capacitor, wiring board, electronic device, and ic card | |
JP4520385B2 (ja) | 電解コンデンサ用アルミニウム電極箔の製造方法 | |
JP2000068159A (ja) | 固体電解コンデンサ用電極箔、その製造方法及び固体電解コンデンサ | |
JP2007173454A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
JP2008091452A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
JP4709069B2 (ja) | 電解コンデンサ用アルミニウム電極箔の製造方法 | |
KR20150045051A (ko) | 적층형 알루미늄 캐패시터용 전극박의 제조방법 | |
JP2008010854A (ja) | 電気二重層キャパシタ及びその製造方法 | |
JP4998089B2 (ja) | 電気二重層キャパシタ | |
WO2023248890A1 (ja) | 電子部品の製造方法及び電子部品 | |
JP2008091358A (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
WO2022092010A1 (ja) | 固体電解コンデンサ用のカーボンペースト、固体電解コンデンサ素子、および固体電解コンデンサ | |
WO2024142872A1 (ja) | 誘電体、それを含むキャパシタ、およびキャパシタを備える機器 | |
JP2008244346A (ja) | 電解コンデンサ用電解液 | |
JPS63285921A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JPS62185307A (ja) | 固体電解コンデンサの製造法 | |
JP2003264129A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
KR100339755B1 (ko) | 알루미늄 전해 콘덴서 제조방법 | |
JP2009164360A (ja) | コンデンサ用リードタブ端子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080819 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081001 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20081028 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20081125 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111205 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4226002 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111205 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141205 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |