KR20080072726A - 적층형 필름 콘덴서의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
유전체층과 알루미늄을 포함하는 금속층을 적층하여 제조되는 적층형 필름 콘덴서의 제조 방법에 있어서, 적어도 인산 화합물을 함유하는 용액, 특히 인산 또는 인산염 또는 인산에스테르 화합물의 어느 하나를 함유하는 용액, 특히 인산수소알루미늄을 함유하는 용액으로 처리하는 공정을 갖는 적층형 필름 콘덴서의 제조 방법. 인산수소알루미늄은 인산일수소알루미늄 (Al(H2PO4)3) 또는 인산이수소알루미늄 (Al2(HPO4)3)인 것, 상기 인산수소알루미늄을 함유하는 용액으로 처리하는 공정 후에 가열 공정을 두는 것, 상기 가열 공정시의 콘덴서 소자 표면의 최고 온도가 200 내지 280℃인 것을 특징으로 한다.
적층형 필름 콘덴서, 유전체층, 알루미늄 금속층, 인산 화합물을 함유하는 용액, 콘덴서 소자, 인산수소알루미늄
Description
본원은 내부 전극에 알루미늄을 사용한 적층형 필름 콘덴서의 제조 방법에 관한 것으로서, 구체적으로는 칩형, 특히 PML (Polymer Multi Layer)형 콘덴서 소자 (박막 고분자 다층 콘덴서 소자)의 제조시의 처리 방법에 관한 것으로서, 특히 칩컷 후의 절단면 처리 방법에 관한 것이다.
진공 중에서 유전 재료를 증착·경화시켜서 수지층을 형성하는 PML 콘덴서를 포함하여, 칩형의 적층형 필름 콘덴서는 유전체가 되는 수지층과 내부 전극이 되는 금속 박막층을 번갈아가며 적층한 적층체를 절단 (칩컷)하여 콘덴서 소자의 형상으로 제조된다.
이 적층체를 절단하여 소자로 할 때, 외부 전극이 형성되지 않는 한쌍의 절단면에는 절단시의 마찰이나 열에 의하여 내부 전극의 알루미늄의 버르 (burr)가 노출되어 전기적으로 단락되는데, 클리어 링크 등의 전기적 처리를 실시하여, 콘덴서 특성을 발현시킨다. 또한, 이 절단면에 노출된 내부 전극 (특히, 알루미늄)은 그 상태 대로는 콘덴서의 사용 분위기에 있어서 수분과 반응하여 부식 등을 일으키고 콘덴서 특성 수명을 저하시키기 때문에, 어떠한 처리가 필요하다.
종래의 적층형 필름 콘덴서에서는 노출된 내부 전극을 수산화나트륨 수용액이나 수산화칼륨 수용액 등에 의하여 용해시키는 처리를 실시하고, 단락의 방지나 전극의 수화 (水和) 억제를 하고 있다. 또한, 에폭시 수지 등의 외장을 형성함으로써 외기와 차단하기도 한다. 그러나, 이와 같은 수법은 콘덴서의 크기를 크게 하거나, 수분이 금속에 도달하는 거리를 길게 하는 것에 지나지 않게 되어, 칩형의 적층형 필름 콘덴서의 이점인 소형화를 저해하고, 그 효과가 작은 등의 문제가 있다.
기존의 증착 필름을 적층하여 소자를 형성하는 칩형의 적층형 필름 콘덴서의 경우에는, 주로 칩컷시의 컷 조건에 대하여 연구를 하여, 절단면으로부터 수분이 침입하는 것을 지연시키거나 절연을 향상시키고 있다. 유전체로 되어 있는 기존의 필름은 절단시에 그 열에 의하여 용해되어, 절단면의 내부 전극 알루미늄과 뒤섞인 상태가 된다. 그와 같은 상태의 절단면을 전압 처리함으로써, 콘덴서로서의 절연을 유지하는 것이 가능하게 된다. 그러나, PML 타입의 유전체와 마찬가지로 한 층의 두께가 얇은 적층형 필름 콘덴서에서는 전압 처리만으로는 절연성이 회복되지 않는다.
PML 타입의 콘덴서 칩의 경우에는 절단면에 노출된 내부 전극 알루미늄을 용액에 의하여 에칭하고, 그 표면에 부동태막 (산화막 등)을 형성함으로써 절연을 유지하거나, 또는 내습성을 향상시키는 기술이 개시되어 있다. 또한, 칩 타입의 적층형 필름 콘덴서 소자의 절단면을 처리하는 방법으로서 몇 가지 선행 기술이 개시되어 있다.
이들 선행 기술의 대표적인 예로서, 적층형 필름 콘덴서의 제조 방법에 있 어서, 소자의 절단면에 노출된 금속 알루미늄 전극층에 대하여, 알칼리 금속 화합물 함유 수용액을 사용한 화성 처리 방법에 의하여, 각 금속 알류미늄 전극층 표면에 산화 피막을 생성하여 절연화하는 공정을 두는 것을 특징으로 하는 방법이 알려져 있다 (특허 문헌 1). 이 방법에 있어서, 알칼리 금속 화합물의 조합은 금속종으로서 리튬, 나트륨, 칼륨, 루비듐, 세슘, 플란슘 중 적어도 1종이고, 금속염을 구성하는 아니온 종으로서 수산화물, 옥살산화물, 크롬산화물, 초산화물, 탄산화물, 탄산수소화물의 적어도 1종인 것이 기재되어 있다.
이 처리에 의하여 절단 후의 적층형 필름 콘덴서의 단락을 해소하고, 내충격성이나 내습 부하 시험에 있어서도 우수하며, 신뢰성이 높은 콘덴서를 얻는 것을 목적으로 하고 있다.
그러나, 이 방법에 의하여 얻게 되는 산화 피막에서는 콘덴서의 내습 수명 특성을 향상시키는 효과가 충분하다고는 할 수 없고, 얻은 콘덴서의 내습 수명 특성을 충분히 만족시킬 수 있는 것도 아니다.
또한, 기타 선행 기술로서, 금속층과 유전체층을 적층하여 이루어지는 콘덴서부와 이 콘덴서부의 양단에 적층 방향으로 형성된 외부 전극으로 이루어지는 길이가 긴 콘덴서 모재를 길이 방향으로 수직으로 절단하여 구성한 적층형 필름 콘덴서에 있어서, 절단면 근방의 금속층 선단에 부도체층을 형성한 것을 특징으로 하는 적층형 필름 콘덴서 및 그 제조 방법이 알려져 있다 (특허 문헌 2). 이 콘덴서는 부도체층의 구성 성분에 금속층 또는 유도체층의 구성 원소가 포함되는 것, 부도체막이 산화물 또는 질화물로 이루어지는 것, 플라즈마로 부도체막을 형성하는 것 등 이 개시되어 있다.
그러나, 이 방법에 의하여 얻게 되는 부도체층은 매우 얇기 때문에, 절연성이나 내습성을 향상시키는 충분한 효과를 얻을 수 없다. 따라서, 얻은 콘덴서 특성은 초기 절연 저항 값 (초기 IR값), 내습 수명 특성 또는 내충격성 중 어느 하나가 부적당 또는 불충분하여, 이들 특성을 동시에 만족시킬 수 있는 것이 아니다.
또한, PML 콘덴서의 절연 파괴 강도를 개선하는 방법으로서, 염기성 용액 또는 산성 용액 중에서 절단 가장자리부의 내부 전극 금속 (알루미늄)을 에칭하여 제거하거나, 또는 양극 산화하여 산화물로 피복하는 방법이 알려져 있다 (특허 문헌 3). 이 방법에서는, 적합한 에칭 처리액으로서, 염기성 처리액으로서 KOH, NaOH, 산화 처리액으로서 불화수소산, 황산, 인산 등이 개시되어 있다. 또한 양극 산화에 사용되는 용액으로서는 붕산 수용액이 개시되어 있다.
또한, 이 방법으로는 절단면에 노출된 알루미늄을 염기성 용액에 의하여 에칭하고, 이어서 양극 산화시키는 것도 개시되어 있다.
그러나, 이와 같은 처리 방법에서는 처리액만으로는 전술한 바와 같이 내부 전극의 수화에 대한 억제 (지연) 효과만 있을 뿐이어서, 양극 산화는 수용액 중에서 개개의 칩형 콘덴서에 통전시키는 장치가 필요하게 되어 번잡하거나 또는 시간이 걸린다는 문제가 있다. 얻은 콘덴서 특성도 초기 절연 저항 값 (초기 IR값), 내습 수명 특성 또는 내충격성 중 어느 하나가 부적당 또는 불충분하여, 이들의 특성을 동시에 만족시킬 수 있는 것이 아니다.
특허 문헌 1: 특개2002-231563호 공보
특허 문헌 2: 특개2005-45094호 공보
특허 문헌 3: 미국 특허 제5,716,532호 명세서
본 발명은 전술한 바와 마찬가지로 각 선행 기술이 갖는 문제점을 해결하고, 콘덴서의 소형화를 해치지 않으면서, 초기 전기 특성, 초기 절연 저항 값 (초기 IR 값), 내습 수명 특성 및 내충격성 등의 모든 특성이 우수하며, 신뢰성이 높은 소형 적층형 필름 콘덴서를 간편한 처리 방법에 의하여 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 상기 문제를 해결하기 위하여, 제1 실시 형태에 있어서, 유전체층과 알루미늄을 포함하는 금속층을 적층하여 제조되는 적층형 필름 콘덴서의 제조 방법에 있어서, 적어도 인산 화합물을 함유하는 용액으로 콘덴서 소자를 처리하는 공정을 갖는 적층형 필름 콘덴서의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명은 제2 실시 형태로서, 상기 제1 태양에 있어서, 상기 인산 화합물이 인산 또는 인산염, 또는 인산 에스테르 화합물 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 적층형 필름 콘덴서의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 제3의 실시 형태로서 상기 제1 또는 제2 실시 형태에 있어서, 상기 인산 화합물이 인산수소알루미늄인 것을 특징으로 하는 적층형 필름 컨덴서의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명은 제4 실시 형태로서, 상기 제3 실시 형태에 있어서 상기 인산수소알루미늄이 인산일수소알루미늄 (Al2(HPO4)3) 또는 인산이수소알루미늄 (Al(H2PO4)3)인 것을 특징으로 하는 적층형 알루미늄 콘덴서의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 제5 실시 형태로서, 상기 제1 내지 제4 중 어느 하나의 실시 태양에 있어서, 상기 인산 화합물을 함유하는 용액으로 콘덴서 소자를 처리하는 공정의 후에 콘덴서 소자를 가열하는 것을 특징으로 하는 적층형 필름 콘덴서의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명은 제6 실시 형태로서, 상기 제5 실시 형태에 있어서, 상기 가열시의 콘덴서 소자 표면의 최고 온도가 200℃ 내지 280℃인 것을 특징으로 하는 적층형 필름 콘덴서의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명은 제7 실시 형태로서 상기 제1 내지 제6 실시 형태 중 어느 하나의 실시 형태에 있어서, 상기 인산 화합물을 함유하는 용액으로 콘덴서 소자를 처리하는 공정의 전에 알칼리성 수용액에 의하여 처리를 하는 것을 특징으로 하는 적층형 필름 콘덴서의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명은 제8 실시 형태로서, 상기 제7 실시 형태에 있어서, 상기 알칼리성 수용액이 수산화나트륨, 수산화칼륨, 또는 수산화리튬 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 적층형 필름 콘덴서의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명은 제9 실시 형태로서 상기 제1 내지 제8 중 어느 하나의 실시 형태에 있어서, 유전체층이 모노머 또는 올리고머를 진공 중에서 증착법에 의하여 지지체 위에 부착시키고, 그 후 경화시킴으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 적층형 필름 콘덴서의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명은 유전체층과 알루미늄을 포함하는 금속층을 적층하여 제조되는 적층형 필름 콘덴서의 제조 방법에 있어서, 적어도 인산 화합물을 함유하는 용액, 또는 인산 또는 인산염 또는 인산에스테르 화합물의 어느 하나를 함유하는 용액, 또는 특히 인산수소알루미늄을 함유하는 용액으로 콘덴서 소자를 처리하는 공정을 갖는 것을 구성의 특징으로 하지만, 그러한 구성을 가짐으로써, 또는 그 구성과 함께 다른 구성을 가짐으로써 아래와 같은 작용 효과를 가질 수 있다.
도 1은 스트립 형태의 모소자 (스트립) A의 개략도를 나타낸다.
도 2는 칩상 적층형 필름 콘덴서 소자 B의 개략도를 나타낸다.
도 3은 칩상 적층형 필름 콘덴서 소자 B의 인산수소알루미늄 용액에 의한 처리 후의 콘덴서 소자 B의 b-b 절단면의 일부 확대도를 나타낸다.
도 4는 PML 콘덴서의 제조 공정도를 나타낸다.
도 5는 실시예 1 내지 3에 관한 내습 부하 시험 (40℃, 95% RH-25 VDC)의 결과를 나타내는 그래프 1이다.
도 6은 실시예 1 및 비교예 1 내지 4에 관한 내습 부하 시험 (40℃ 95% RH-25 VDC)의 결과를 나타내는 그래프 2이다.
도 7은 FT-IR의 측정 결과를 나타내는 그래프 3이다.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
A 스트립 형상의 모소자 (스트립)
B 칩상 적층형 필름 콘덴서 소자
1 하부 보호층
1' 상부 보호층
2 내부 전극층
3 유전체층 (수지층)
4,4' 외부 전극
5 인산을 함유하는 알루미늄 피막
발명을 실시하기
위한 최선의 실시 상태
본 발명은 전술한 바와 같이 적어도 인산 화합물을 함유하는 용액, 특히 인산 또는 인산염 또는 인산에스테르 화합물 중 어느 하나를 함유하는 용액, 특히 인산수소알루미늄을 함유하는 용액으로 콘덴서 소자를 처리하는 공정을 가짐으로써, 콘덴서 기능을 저해하지 않고 콘덴서 소자 표면, 특히 절단면의 알루미늄 표면에 인산을 포함하는 알루미늄 피막을 형성할 수 있지만, 더 양호한 피막을 얻기 위한 조건으로서는 인산 화합물을 함유하는 용액으로 콘덴서 소자를 처리한 후, 추가로 가열 공정을 갖는 것, 특히 소자 표면의 온도가 100 내지 280℃, 좋기로는 200 내지 250℃, 더 좋기로는 200 내지 220℃이고, 30초 내지 30분 정도가 되도록 열처리를 할 필요가 있다. 다만, 소자 표면의 온도가 280℃를 넘는 고온에서의 열처리, 또는 200℃ 정도의 온도에 있어서도 15분을 넘는 장시간에서의 열처리는 콘덴서, 특히 유전체인 수지층에 악영향을 미칠 우려가 있고, 소자 표면이 200 내지 220℃ 정도의 온도로 30초 내지 15분, 좋기로는 30초 내지 5분, 더 좋기로는 30초 내지 3분 정도의 단시간에 효율적으로 가열 처리를 실시하는 것이 좋다. 100℃ 미만의 낮은 온도에서의 열처리는 건조를 포함하여 시간을 요하게 되고, 또한 내수화성이 우 수한 인산을 함유하는 알루미늄의 피막 형성이 불충분하게 되고, 콘덴서의 내습 성능 향상을 기대할 수 없다.
인산수소알루미늄 수용액 처리 후의 가열 온도로서, 소자 표면의 온도가 200℃ 이상의 고온이 되도록 처리하는 것이 좋다. 이것은 내습성에 효과가 있는 인산알루미늄 피막을 형성하는 데에는 통상의 인산알루미늄은 함수염이기 때문에, 이것을 제거할 필요가 있기 때문이다.
나아가, 내부 전극 알루미늄이 인산수소알루미늄을 함유하는 용액에서 처리되는 경우, 처리 용액에 알루미늄이 들어가 있기 때문에, 완충 작용에 의하여 알루미늄을 함유하지 않는 인산 용액에 의한 처리보다 알루미늄의 용해를 억제할 수 있고, 치밀한 피막이 얻어지는 효과와 함께, 내부 전극 알루미늄을 너무 많이 용해함으로써 콘덴서 특성에 대한 악영향을 줄일 수 있다. 또한, 이 구성은 본 발명의 목적인 전술한 바와 같은 각 선행 기술이 갖는 문제점을 해결하고, 콘덴서의 소형화를 저해하지 않으면서, 초기 전기 특성, 초기 절연 저항 값 (초기 IR 값), 내습 수명 특성 및 내충격성의 모든 특성이 우수하고, 신뢰성이 높은 소형 적층형 필름 콘덴서를 제공하는 데 필요한 구성이다.
특히, 진공 중에서 유전체를 증착·경화시켜서 형성하는 PML형 콘덴서에서는 유전체층을 상당히 얇게 (1 ㎛ 이하) 할 수 있고, 이와 같이 한 경우에는 절단면에 있어서의 내부 전극 알루미늄간의 거리가 짧아지기 때문에, 전압 인가시에 아크 방전 등의 문제가 발생하기 쉽다. 그 때문에, 본 발명에 있어서는 콘덴서의 절연 저항을 향상시켜 신뢰성이 높은 콘덴서를 얻기 위하여, 인산수소알루미늄을 함유하는 수용액에서 칩상 적층형 필름 콘덴서 소자의 절단면을 처리하는 공정에 앞서, 알칼리 수용액으로 절단면에 노출되어 있는 알루미늄을 에칭하여 내부 전극간에 연면 (沿面)거리를 크게 함으로써, 더 우수한 특성의 콘덴서를 얻을 수 있다. 이 때, 에칭에 사용되는 용액으로서는 수산화나트륨 수용액, 수산화칼륨 수용액, 수산화리튬 수용액 등을 들 수 있다.
이와 같은 처리에서는 알루미늄의 용해도가 높기 때문에 신속한 처리가 가능하지만, 처리 후의 물 세정이 불충분하고, 알칼리 성분의 잔사가 크면, 콘덴서의 실사용시에 알칼리 성분이 수분과 반응하여 알루미늄을 부식시켜, 콘덴서의 수명·특성에 악영향을 미치는 경우가 있다. 그러나, 이 에칭 처리후에 인산수소알루미늄 수용액에 의한 처리를 함으로써, 절단면으로부터 에칭된 내부 전극 알루미늄의 표면에 안정화 피막으로서 인산을 함유하는 알루미늄의 피막을 형성시킬 수 있다. 또한, 이 때, 산성의 인산이수소알루미늄 수용액을 사용한 경우에는 알칼리 처리에 의하여 소자 내부에 잔류된 부식 성분을 중화시키는 효과도 얻을 수 있다.
처리에 사용하는 인산수소알루미늄을 함유하는 수용액의 액온은 상온 내지 80℃, 좋기로는 30℃ 내지 70℃, 더 좋기로는 40℃ 내지 60℃가 그 효과가 좋다. 80℃보다 높은 액온인 경우에는 내부 전극의 금속 (알루미늄)이 지나치게 용해되는 등 콘덴서 소자에 악영향을 미치기 때문에 처리 조건으로서 좋지 않다. 한편, 액온이 상온 (25℃)보다 지나치게 낮으면 반응 속도가 느려져 (이온의 움직임이 둔해짐으로써 반응 속도가 저하됨), 처리에 시간을 요하고, 충분한 내수화성을 갖는, 높은 안정성을 가진 피막을 효율적으로 얻을 수 없다.
또한, 처리액의 농도는 3 wt% 내지 50 wt%, 좋기로는 5 wt% 내지 30 wt%, 더 좋기로는 5 wt% 내지 20 wt% 사이가 좋다. 농도가 너무 높으면, 내부 전극의 금속 (알루미늄)을 지나치게 용해시키고, 처리 후 세정을 하여도 잔사 농도가 높기 때문에 세정 시간이 길어지는 결점이 있다. 또한 세정이 불충분하면 역으로 전극 부식의 원인이 되기 때문에 좋지 않다. 또한 이 농도가 3 wt%보다 낮으면, 충분한 인산을 포함하는 알루미늄의 피막을 형성할 수 없다. 이 인산수소알루미늄을 함유하는 용액에 의한 처리에 있어서, 내부 전극층이 알루미늄일 때에는 이 피막과 금속층의 알루미늄의 밀착성이 매우 좋고, 내습성 향상의 효과가 특히 크다.
본 발명의 PML 타입의 적층형 필름 콘덴서에 있어서, 사용할 수 있는 수지로서는 비닐계 수지나 아크릴 수지가 제조의 용이성이나 얻게 되는 콘덴서 특성의 면에서 좋다. 이들 수지를 구성하는 모노머의 구체적인 예로서는 1,6-헥산디올 디아크릴레이트나 트리시클로데칸디메탄올 디아크릴레이트 등을 들 수 있다.
본 발명에 있어서, 내부 전극으로서 사용할 수 있는 금속으로서는 알루미늄이 있다.
이하에, 본 발명의 기술적 특징에 대한 이해를 돕기 위하여, 발명의 바람직한 실시 상태에 대하여, 실시예를 들어 필요할 경우에는 비교예와 대비하면서, 설명한다. 이하의 실시예는 본 발명의 몇 가지 실시 상태를 설명하는 것으로서, 본 발명의 기술적 범위를 규정하는 것이 아니라는 것을 유의하여야 한다.
PML 콘덴서의 제조예
본 발명에 관한 PML 콘덴서의 제조 방법의 하나의 실시 상태를 도면, 특히 도 4를 들어 설명한다.
적층체 형성 공정 1에 있어서, 적층체를 형성한다. 여기서는 진공조 내에 있어서 표면이 냉각된 회전 드럼 위에 증착실에 의하여 기화된 모노머 (아크릴계)를 직접 증착하였다. 이어서, 드럼이 회전하는 방향에 위치하는 전자선 조사 장치에 의하여 전자선을 조사하고, 드럼 위에 증착된 수지 박막을 경화시킨다. 이 조작을 반복하여, 드럼 표면 위에 두께 4 ㎛의 수지만으로 이루어지는 하부 보호층 (1)을 형성하였다.
다음으로, 이 수지로 만든 하부 보호층 (1) 위에, 증착에 의하여 내부 전극이 되는 두께 250 내지 300 옹스트롬의 알루미늄의 박막층 (2)를 형성하였다. 이어서, 이 내부 전극층 (2) 위에 모노머 (아크릴계)를 증착하고, 그 후 경화시켜 두께 0.4 ㎛의 유전체층 (3)을 형성하였다. 동일하게 하여, 차례로 내부 전극층 (2)와 유전체층 (3)을 교호적으로 적층함으로써 콘덴서가 되도록 소자층을 적층하였다. 이 때, 드럼의 1회전마다 오일을 사용한 패터닝 방법에 의하여 유전체층 위에 전기적 절연 부분을 형성하면서, 금속 증발원으로부터 알루미늄을 증착시켜 내부 전극층을 형성하였다. 이와 같이 하여 수지 박막과 알루미늄을 연속적으로 번갈아가면서 4700층씩 적층하고, 마지막으로 소자층의 표면에 두께 4 ㎛의 수지만으로 이루어지는 상부 보호층 (1')을 형성하여, 총두께 약 2.0 mm의 판상 적층체를 얻었다.
여기서, 아크릴계 수지로서는 1,6-헥산디올디아크릴레이트를 사용하였다.
다음의 평탄화 공정 (2)에 있어서는 얻은 판상 적층체를 드럼의 축선 방향으 로 분할 절단하여 드럼으로부터 꺼내어, 만곡을 없애기 위하여, 가열 프레스함으로써 평판상의 적층체 모소자를 얻었다.
조절단 (粗切斷) 공정 (3)에 있어서는 평판상의 적층체 모소자를 정밀 전단 가능한 크기로 절단하였다.
다음 정밀 절단 공정 (4)에 있어서는 이 거칠게 절단된 적층체 모소자를 패터닝 방향으로 평행하게 절단하여 5.5 mm 폭의 스트립 형상의 모소자 (스트립) A를 얻었다.
단면 플라즈마 처리 (단면 회화) 공정 (5)에 있어서는 외부 전극의 취출을 가능하게 하기 위하여 스트립 A의 대향하는 절단 단면을 산소를 포함하는 플라즈마로 처리하고, 수지층 (유전체층) (3)을 선택적으로 제거하여, 절단면보다 내부 전극층 (2)를 형성하는 알루미늄층을 노출시켰다.
이어서, 전극 형성 공정 (6)에 있어서는 또한 스퍼터링에 의하여 금속층을 형성하고, 외부 전극 (4)을 형성하였다. 이 스퍼터링층 위에 열경화성 페놀 수지 중에 구리 가루를 분산시킨 도전성 페이스트를 도포하여 가열 경화시키고, 또한 그 수지 표면에 전해에 의하여 주석 도금을 실시하였다. 이 외부 전극 (4)이 형성된 스트립 형상 소자 (스트립) A를 도 1에 도시하였다.
그 후, 칩화 공정 (7)에 있어서, 이 스트립 A를 도 1의 절단면 (a)으로 절단하고, 도 2와 같은 칩상 적층형 필름 콘덴서 소자 (B)를 얻었다. 얻은 콘덴서의 사이즈는 5.7 ㎜ × 5.0 ㎜ × 2.1 ㎜이었다. 이상과 같이 하여 얻은 칩상 적측형 필름 콘덴서 소자 B에 각각 다음의 처리를 하였다.
실시예 1
또한, 얻은 칩상 적층형 필름 콘덴서 소자 B를 50℃의 10 wt% 인산이수소 알루미늄 (Al(H2PO4)3) 수용액 중에 5 분간 침지시켰다. 이어서, 순수 세정 후에 소자 온도가 200℃ 이상이 되는 시간이 1 분 이상이 되도록 가열 처리를 하였다.
그 후, 전압 처리에 의하여 절연 회복을 하여 정상적인 특성의 칩상 적층형 필름 콘덴서를 얻었다. 또한, 얻은 콘덴서의 특성에 대하여 검사를 실시하였다.
그 측정 결과는, 이하의 실시예 및 비교예에 의하여 얻은 콘덴서의 특성 값과 함께, 도 5 내지 7에 그래프 1 내지 3으로서 한꺼번에 나타내었다.
실시예 2
상기 콘덴서의 제조 방법에 의하여 얻은 칩상 적층형 필름 콘덴서 소자를 50℃의 10 wt% 인산일수소알루미 (Al2(HPO4)3) 수용액 중에 5분간 침지시켰다. 그 밖에는 실시예 1과 동일한 처리 방법으로 정상적인 특성의 칩상 적층형 필름 콘덴서를 얻었다.
실시예 3
상기 콘덴서의 제조 방법에 의하여 얻은 칩상 적층형 필름 콘덴서 소자를 25℃의 5 wt% 수산화나트륨 수용액 중에 5분간 침지시키고, 흐르는 물에 세정한 후에, 실시예 1과 동일하게 50℃의 10 wt% 인산이수소알루미늄 (Al(H2PO4)3) 수용액 중에 5분간 침지시켰다. 그 밖에는 실시예 1과 동일한 처리 방법으로 정상적인 특성의 칩상 적층형 필름 콘덴서를 얻었다.
비교예 1
상기 콘덴서의 제조 방법에 의하여 얻은 칩상 적층형 필름 콘덴서 소자를 인산수소알루미늄 수용액 중에 침지를 전혀 하지 않고, 가열 처리와 전압 처리만을 하여 칩상 적층형 필름 콘덴서를 얻었다. 즉, 실시예 1로부터 인산이수소알루미늄 수용엑에의 침지 처리를 제외하였다.
비교예 2
상기 콘덴서의 제조 방법에 의하여 얻은 칩상 적층형 필름 콘덴서 소자를 25℃의 5 wt% 수산화나트륨 수용액에 5분간 침지시키고, 흐르는 물에 세정하여 가열 처리한 후, 전압 처리를 실시하고 칩상 적층형 필름 콘덴서를 얻었다. 즉, 실시예 3으로부터 인산이수소알루미늄 수용액에의 침지 처리를 제외하였다.
비교예 3
상기 콘덴서의 제조 방법에 의하여 얻은 칩상 적층형 필름 콘덴서 소자를 종래법의 절단면에 산화 피막을 형성시키는 수단으로서, 초산리튬 LiNO3와 탄산수소나트륨 NaHCO3를 각각 5 mM이 되도록 순수에 용해시킨 80℃의 수용액에 소자를 30분간 침지시켰다. 즉, 실시예 1의 인산이수소알루미늄 수용액 대신에 황산리튬과 탄산수소나트륨을 용해시킨 수용액을 사용하였다.
비교예 4
상기 콘덴서의 제조 방법에 의하여 얻은 칩상 적층형 필름 콘덴서 소자에 롤러를 사용하여 절단면에 직접 자외선 경화 수지를 도포하여 자외선으로 경화시켰 다. 얻은 자외선 경화 수지 막 두께는 약 0.1 mm이었다. 그 후 가열 처리와 전압 처리를 실시하고, 칩상 적층형 필름 콘덴서를 얻었다.
이와 같이 하여 얻은 실시예 1 내지 3과 비교예 1 내지 4의 콘덴서의 초기 특성을 표 1에 나타낸다. 어느 조건에 있어서도 초기 특성 (용량·tanδ·ESR)에 거의 차는 없고 양호하며, 어느 처리 방법도 콘덴서 특성에 악영향을 미치지 않았다. 이것으로부터, 인산일수소알루미늄 수용액에 대한 침지 처리와 수산화나트륨 수용액에 대한 침지 처리는 어느 쪽도 콘덴서의 초기 특성에 악영향을 미치지 않는 다는 것을 알 수 있다.
IR 값(절연 저항값)에 대하여는 실시예 1 및 2와 비교예 1을 비교하면 인산수소알루미늄 수용액으로 처리함으로써 IR이 향상되는 것을 알 수 있다. 이것은 절단면에 인산을 포함하는 알루미늄의 피막이 형성되었기 때문이라고 생각된다.
또한, 수산화나트륨 수용액만으로 처리한 비교예 2는 비교적 큰 IR 값을 나타내었다. 이것은 절단면에 노출된 알루미늄 전극층이 에칭되어, 소자 내부 방향으로 일정한 거리가 제거되었기 때문이라고 생각된다. 이 수산화나트륨 수용액에 의한 처리를 인산수소알루미늄 수용액에 의한 처리와 조합함으로써 (실시예 3), IR 값을 더 향상시키는 것이 가능하다.
수지를 절단면에 도포한 비교예 4에서는 비율은 상당히 작기 때문에, 수지를 직접 도포할 때에 소자 절단면의 표면에 상처를 내게 되어, IR을 현저하게 저하시키는 경우가 있었다. 수지 유전체층의 한 층의 두께가 얇은 소자일수록 그 비율이 커진다. 또한, 소자 절단면의 면적이 작을수록, 그 표면에 수지를 균일하고 얇게 도포하는 것이 곤란하게 된다.
| 용량 [㎌ at 1 kHz] | tanδ [% at 1 kHz] | ESR [mΩ at 100 kHz] | IR [MΩ at 25 V] | |
| 실시예 1 Al(H2PO4)3) | 8.3 | 1.0 | 9.6 | 380 |
| 실시예 2 (Al2(HPO4)3) | 8.2 | 1.0 | 9.8 | 370 |
| 실시예 3 NaOH→Al(H2PO4)3) | 8.1 | 1.1 | 9.7 | 950 |
| 비교예 1 처리 없음 | 8.3 | 1.1 | 9.6 | 160 |
| 비교예 2 NaOH 만 | 8.1 | 1.2 | 9.8 | 710 |
| 비교예 3 LiNO3+NaHCO3 | 8.2 | 1.2 | 9.7 | 340 |
| 비교예 4 수지 도포 | 8.3 | 1.1 | 9.6 | 430 |
다음으로, 이와 같이 하여 얻은 실시예 1 내지 3과 비교예 1 내지 4의 콘덴서를 기판상에 리플로 실장한 후, 40℃ 95% RH의 내습 부하 시험을 실시하였다. 인가 전압은 직류 25 V로 실시하였다.
실시예 1 내지 3의 시험 결과를 그래프 1에 나타내었다.
최초의 약 15%의 용량 증가는 물의 흡수에 의한 것이다. 모두 1000 시간 경과 후에도 용량의 감소는 거의 관찰되지 않고, 양호한 내습 수명 특성을 나타내었다. 실시예 1과 실시예 2를 비교하면 차이는 거의 없고, 처리 용액으로서 인산일수소알루미늄 수용액을 사용한 경우에도, 인산이수소알루미늄 수용액을 사용한 경우에도 내습 수명 특성 향상의 효과에 거의 차이가 없다는 것을 알 수 있다. 또한, 인산수소알루미늄 수용액에의 침지 처리를 하기 전에, 수산화나트륨 수용액으로 처리를 한 실시예 3은 실시예 1 및 2와 비교하여 다소 용량의 감소가 작고 우수한 내습 수명 특성을 나타내었다. 이것은 절단면에 노출된 내부 전극 알루미늄이 수산화나트륨 수용액 처리에 의하여 에칭되어 후퇴하고, 그 위에 다시 인산 피막이 형성되었기 때문에 내습성이 더 향상된 것으로 생각된다.
다음으로, 실시예 1과 비교예 1 내지 4의 시험 결과를 그래프 2에 나타낸다.
인산이수소알루미늄 수용액에 대한 침지 처리를 한 실시예 1과, 아무런 처리를 하지 않은 비교예 1을 비교하면, 분명히 실시예 1이 내습 수명 특성이 우수하다는 것을 알 수 있다. 이것은 소자 표면, 특히 절단면에 노출된 알루미늄 내부 전극층의 표면에 인산을 포함하는 알루미늄 피막이 형성되었기 때문이라고 생각된다. 이 피막은 대기중에서 안정적이고, 내수화성도 우수한 피막이다. 비교예 1의 소자는 소자 내부에 침입한 수분과 전극층의 알루미늄이 수화 반응하였기 때문에 용량이 감소된 것으로 생각된다.
수산화나트륨 수용액을 사용한 처리만 한 비교예 2에서는 내습 수명 특성의 향상을 거의 보이지 않았다.
초산리튬 LiNO3와 탄산수소나트륨 NaHCO3를 용해한 수용액을 사용하여 침지 처리를 한 비교예 3에서는 내습 수명 특성의 향상이 나타났지만, 인산이수소알루미늄 용액으로 처리한 실시예 1에 의하여도 그 효과는 작았다.
절단면에 자외선 경화 수지를 도포한 비교예 4에서는 실시예 1과 동등한 내습 수명 특성을 나타내었다. 다만, 도포한 수지 판 두께가 0.1 ㎜ 정도로 두껍고, 소자 치수에 대한 도포된 수지의 두께가 상대적으로 커지면, 기판에의 실장 불량이나 도포된 수지막이 박리되는 문제가 발생한다. 또한, 적층형 필름 콘덴서의 소형화의 이점을 저해하게 된다.
다음으로, 파트피더를 사용하여 내충격성을 조사하였다. 실시예 1 내지 3과 비교예 1 내지 4의 소자를 각각 100개씩, 60 Hz의 주파수의 파트피더에 투입하고, 운반된 소자의 IR값을 조사하였다. IR 값이 1 MΩ 이하인 소자를 불량으로 하고, 그 수를 표 2에 나타내었다.
| IR 불량수 (100개 중) | |
| 실시예 1 Al(H2PO4)3) | 0 |
| 실시예 2 (Al2(HPO4)3) | 0 |
| 실시예 3 NaOH→Al(H2PO4)3) | 0 |
| 비교예 1 처리 없음 | 8 |
| 비교예 2 NaOH 만 | 4 |
| 비교예 3 LiNO3+NaHCO3 | 0 |
| 비교예 4 수지 도포 | 4 |
실시예 1 내지 3에서는 IR이 1MΩ 이하인 소자는 없었다. 이는 실시예 1 내지 3에서는 절단면 표면에 안정적인 인산을 포함하는 알루미늄 피막이 형성되어 있고, 소자와의 밀착성도 좋기 때문에, 절연성이 유지되는 것으로 생각된다. 또한 절단면에 산화 피막을 형성한 비교예 3에서도 IR 불량 소자는 없었다.
한편, 비교예 1, 2 및 4에서는 각각 100개 중 4 내지 8개, IR 불량 소자가 보였다.
이 원인으로서, 비교예 1과 2에서는 절단면 표면에 아무런 피막이 없었기 때문에 소자 절단면에 상처가 생겨 IR 불량을 일으키는 것으로 생각된다.
비교예 4에서는 절단면에 수지막이 형성되어 있었지만, 파트피더로 소자에 충격을 가한 때에 수지막이 박리된 것을 알 수 있었다. 그 박리된 절단면에 상처가 생겨 IR 불량을 일으키는 것으로 생각된다.
실시예와 비교예에 대하여 이상의 결과를 정리한 것을 표 3에 나타낸다.
| 초기 전기 특성 | 초기 IR | 내습 수명 특성 | 내충격성 | |
| 실시예 1 Al(H2PO4)3) | 우수 | 양호 | 우수 | 우수 |
| 실시예 2 (Al2(HPO4)3) | 우수 | 양호 | 우수 | 우수 |
| 실시예 3 NaOH→Al(H2PO4)3) | 우수 | 우수 | 우수 | 우수 |
| 비교예 1 처리 없음 | 우수 | 불충분 | 부적합 | 부적합 |
| 비교예 2 NaOH 만 | 우수 | 우수 | 부적합 | 불충분 |
| 비교예 3 LiNO3+NaHCO3 | 우수 | 양호 | 불충분 | 우수 |
| 비교예 4 수지 도포 | 우수 | 양호 | 우수 | 불충분 |
※ 초기 IR은 501 MΩ 이상을 우수, 500 내지 201 MΩ을 양호, 200 내지 101 MΩ를 불충분, 100 MΩ 이하를 부적합으로 하였다.
※ 내습 수명 특성은 40℃ 95% RH로 25 V를 인가하여, 1000 시간 경과시의 용량 변화율이 +10% 이상이면 우수, +9 내지 +5이면 양호, +5 내지 0%이면 불충분, -1% 이하이면 부적합으로 하였다.
※ 내충격성은 전술한 파트피더에 의한 테스트의 IR 불량수가 0개이면 우수, 1 내지 3개이면 양호, 4 내지 6개이면 불충분, 7개 이상이면 부적합으로 하였다.
표 3으로부터 인산수소알루미늄 수용액으로 소자를 처리한 실시예 1 내지 3은 어느 항목에 있어서도 우수한 결과를 나타내고 있고, 인산수소알루미늄 수용액으로 처리하기 전에, 알칼리성 수용액으로 소자를 처리함으로써 더욱 신뢰성 (IR)을 향상시킬 수 있다는 것을 알 수 있다.
인산수소알루미늄 수용액으로 처리하는 겨우에는 특히 내습 수명 특성의 향상에 큰 효과가 있는 것을 특징으로서 들 수 있다. 이 실시예 1 내지 3의 내습 수명 특성의 향상은 인산수소나트륨 용액에 의한 처리 및 그 후의 열처리에 의하여 콘덴서 표면에 내습성에 효과가 있는 인산을 포함한 알루미늄 피막이 형성되고, 특히 도 3과 같이 절단면의 내부 전극인 알루미늄 노출면에 이와 같은 피막이 형성되었기 때문에, 전극인 알루미늄의 수화가 지연되고, 내습 수명 특성을 향상시킨 것이라고 생각된다. 도 3은 수산화나트륨 수용액 처리도 실시한 실시예 3의 경우의 절단면도를 나타낸 것이다.
이것에 대하여 비교예 1과 2와 같이 인산수소알루미늄 수용액에 의한 처리를 하지 않은 경우에는 절단면에 노출된 내부 전극 알루미늄 표면에 가열 처리 등으로 약간의 열산화 피막이 형성되었지만, 이 피막이 상당히 얇기 때문에 수화의 지연 효과가 충분하지 않고, 서서히 알루미늄 금속층이 수화되어 수명 저하에 이르렀다고 생각된다. 용액에 의하여 산화 피막을 형성한 비교예 3도 내습 수명 특성의 향상 효과는 보였지만, 인산을 포함하는 알루미늄의 피막을 형성한 실시예 1 및 2가 그 효과가 컸다.
실시예 1 내지 3의 내습 수명 특성의 향상 효과는 종래의 절단면을 수지막으로 덮는 비교예 4와 동일한 정도로 우수하였지만, 비교예 4의 경우에는 수지막이 콘덴서 표면에 0.1 ㎜의 두께로 형성되기 때문에, 칩상의 적층형 필름 콘덴서의 이점인 소형화에 대하여 소자가 작으면 작을수록 그 이점을 저해하게 된다. 또한, 수지막과 소자의 밀착성이 나쁜 것에 의한 박리의 문제나 실장 불량의 문제가 발생하는 경우가 있어서, 신뢰성이 문제가 되는 것도 들 수 있다.
또한, 실시예 1 내지 3은 외부로부터의 충격에 의한 IR 저하에 대하여도 양호한 결과를 나타내고 있기 때문에, 이것도 소자 표면에 인산을 포함하는 알루미늄의 피막이 형성되었기 때문이라고 생각된다.
실제로 실시예 1과 비교예 1의 적층형 필름 콘덴서 소자 절단면을 FT-IR로 분석한 결과를 그래프 3에 나타낸다 (도 7 참조). 그래프 3에는 (1): 실시예 1의 소자 절단면, (2): 비교예 1의 소자 절단면, (3): (1) 내지 (2)의 FT-IR 차트의 차 (差) 스펙트럼, (4): 알루미늄 위에 인산수소알루미늄 수용액을 도포하여 200℃로 가열시킨 것, 이상 4 종류의 차트를 나타내고 있다.
(4)의 차트의 1094 cm-1과 1224 cm-1가 알루미늄 위에 형성된 인산피막 (AlPO4)의 특징적인 피크를 나타낸다고 생각된다.
실시예 1로부터 비교예 1의 차트를 뺀 차(差) 스펙트럼 (3)으로부터는 (4)에서 보인 1094 cm-1과 1224 cm-1에 AlPO4의 특징적인 피크가 보인다. 이것은 실시예 1에서는 알루미늄상의 인산 피막의 특징적인 피크가 검출되고, 비교예 1에서는 그 피크가 검출되지 않은 것을 나타내고 있다. 즉, 인산이수소알루미늄 수용액의 처리에 의하여 AlPO4 피막이 형성된 것을 시사하는 것이고, 이 피막이 실시예 1 내지 3의 내습, IR, 내충격성에 있어서 콘덴서 특성 향상에 기여하고 있는 것을 뒷받침할 수 있다.
또한, 인산수소알루미늄 수용액 처리 전에 알칼리 수용액 처리를 하면, 절단시에 발생한 내부 전극 알루미늄의 버르 (burr)나 절단면에 노출된 내부 전극이 에칭되고, 알루미늄이 절단면으로부터 후퇴하기 때문에, 실시예 3과 같이 콘덴서의 신뢰성 (내습 수명)을 더 향상시키는 것이 가능하게 된다.
다만, 이 경우, 알칼리 수용액 처리 후의 세정이 불충분하면, 알칼리 수용액의 잔사가 내부 전극의 알루미늄을 부식시키고, 반대로 수명에 악영향을 미칠 가능성이 있다고 생각된다. 그러나, 알칼리 수용액 처리 후에 산성의 인산이수소알루미늄 수용액으로 처리를 하는 경우에는 내부에 잔류한 알칼리 수용액의 잔사가 중화되는 효과도 들 수 있다.
또한, 인산수소알루미늄 수용액은 알루미늄을 포함하기 때문에, 필름 콘덴서에서 내부 전극으로서 사용되는 알루미늄의 처리시의 용해에 대하여 완충 작용이 있고, 과도한 용해를 일으키지 않고 처리할 수 있다는 이점도 얻을 수 있다. 다만, 인산수소알루미늄 수용액의 농도는 3 wt% 내지 50 wt%, 좋기로는 5 wt% 내지 30 wt%, 더 좋기로는 5 wt% 내지 20 wt% 사이가 좋다. 50 wt%보다 농도가 진하면 소자의 내부 전극 알루미늄을 과도하게 용해하게 된다. 또한, 처리 후 세정을 하더라도 잔사 농도가 높기 때문에, 알루미늄 전극을 부식시켜 버리거나, 세정 시간이 길어지는 등의 문제도 있다. 또한, 3 wt%보다 농도가 옅을 경우에는 노출된 내부 전극 알루미늄층에 대한 인산알루미늄의 부착이 불충분하게 되어, 내습성을 향상시키는데 충분한 피막을 얻을 수 없다.
본 실시예에서는 진공 중에서 수지 유전체층과 알루미늄 금속층을 연속하여 형성하는 PML 콘덴서 타입의 소자에 대하여 처리를 한 경우에 대하여 설명하였지만, 이미 만들어진 수지 필름 (PET, PP, PPS, PEN 등)과 금속박, 또는 금속이 증착된 이미 만들어진 수지 필름을 적층하여 적층체를 형성하고, 그 적층체의 한쌍의 대향면에 있어서 적층된 금속층을 번갈아가며 다른 단자 전극에 전기적으로 결합시키고, 그 후 적층체를 절단하여 칩 콘덴서 소자를 얻는 타입의 적층형 필름 콘덴서 소자에 대하여 처리를 하더라도 동일한 효과를 얻을 수 있다.
또한, 본 실시예에서는 처리에 사용하는 용액으로서 인산일수소알루미늄 및 인산이수소알루미늄 수용액의 경우에 대하여 설명하였지만, 인산 화합물을 함유하는 용액, 특히 인산 또는 인산염 또는 인산에스테르 화합물 중 어느 하나를 함유하는 용액을 사용한 경우에도 동일한 효과를 얻을 수 있다.
본 발명은 적어도 인산화합물을 함유하는 용액, 특히 인산 또는 인산염 또는 인산에스테르 화합물 중 어느 하나를 함유하는 용액, 특히 인산수소알루미늄을 함 유하는 용액으로 콘덴서 소자를 처리하는 공정과, 그 후 콘덴서 소자를 가열하는 공정을 가짐으로써, 콘덴서 소자 표면, 특히 절단면의 알루미늄 표면에 인산을 포함하는 알루미늄의 피막을 형성할 수 있다. 이 피막은 대기 중에서의 높은 안정성과 함께 내수화성도 우수한 피막이다. 따라서, 이 피막에 의하여 콘덴서 소자에 대한 수분 침입에 의한 내부 전극 금속 (알루미늄)의 수화를 억제하는 효과를 발현시킴으로써 콘덴서의 내습 성능을 향상시킬 수 있다.
이 때, 본 발명의 방법에 의하여 상기 절단면의 알루미늄 표면에 형성된 인산을 포함하는 피막을 만들 수 있는 반응식을 나타낸다.
aAl3 ++b[H3 - nPO4]n- → [Ala[H3 - mPO4]b]3a-bm+b(m-n)H+
aAl3 ++ (b+c)H2O+d[H3 - nPO4]n- → [AlaOb (OH)c(H3 - mPO4]d]0+[2b+(m-n)H+
상기 반응식에 의하여 절단면의 알루미늄 표면에 형성된 인산을 포함하는 알루미늄의 피막을 더 가열 처리함으로써, 안정성과 내수화성이 더 우수한 것으로 할 수 있다.
이와 같은 피막이 형성됨으로써, 상기와 같은 내습성, 내충격성, 외부로부터의 오염에도 우수한 신뢰성을 나타내는 콘덴서를 제공할 수 있다.
또한, 본 발명은 전술한 바와 같은 작용에 기초하여, 전술한 바와 같이 각 선행 기술이 갖는 문제점을 해결하고, 콘덴서의 소형화를 저해하지 않으면서, 초기 전기 특성, 초기 절연 저항 값 (초기 IR 값), 내습 수명 특성 및 내충격성의 모든 특성이 우수하고, 신뢰성이 높은 소형 적층형 필름 콘덴서를 제공할 수 있다.
Claims (9)
- 유전체층과 알루미늄을 포함하는 금속층을 적층하여 제조되는 적층형 필름 콘덴서의 제조 방법에 있어서, 적어도 인산 화합물을 함유하는 용액으로 콘덴서 소자를 처리하는 공정을 갖는 적층형 필름 콘덴서의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 인산 화합물은 인산 또는 인산염, 또는 인산에스테르화합물 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 적층형 필름 컨덴서의 제조 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 인산 화합물은 인산수소알루미늄인 것을 특징으로 하는 적층형 필름 콘덴서의 제조 방법.
- 제3항에 있어서, 상기 인산수소알루미늄은 인산일수소알루미늄 (Al (H2PO4)3) 또는 인산이수소알루미늄 (Al2 (HPO4)3)인 것을 특징으로 하는 적층형 필름 콘덴서의 제조 방법.
- 제1항 내지 제4항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 인산화합물을 함유하는 용액으로 콘덴서 소자를 처리하는 공정 후에 콘덴서 소자를 가열하는 것을 특징으로 하는 적층형 필름 콘덴서의 제조 방법.
- 제5항에 있어서, 상기 가열시의 콘덴서 소자 표면의 최고 온도는 200 내지 280℃인 것을 특징으로 하는 적층형 필름 콘덴서의 제조 방법.
- 제1항 내지 제6항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 인산화합물을 함유하는 용액으로 콘덴서 소자를 처리하는 공정 전에, 알칼리성 수용액에 의한 처리를 실시하는 것을 특징으로 하는 적층형 필름 콘덴서의 제조 방법.
- 제7항에 있어서, 상기 알칼리성 수용액은 수산화나트륨, 수산화칼륨, 또는 수산화리튬 중 적어도 하나를 함유하는 것을 특징으로 하는 적층형 필름 콘덴서의 제조 방법.
- 제1항 내지 제8항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 유전체층은 모노머 또는 올리고머를 진공 중에서 증착시킴으로써 지지체 위에 부착시키고, 그 후 경화시킴으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 적층형 필름 콘덴서의 제조 방법.
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