CN1327245A - 铝电解电容器及其制法 - Google Patents
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- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 158
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 158
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 104
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 title claims description 15
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims abstract description 80
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 69
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 61
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 31
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 37
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 30
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 22
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 18
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 14
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 13
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 claims description 13
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 13
- DEXZEPDUSNRVTN-UHFFFAOYSA-K yttrium(3+);trihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Y+3] DEXZEPDUSNRVTN-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 13
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052773 Promethium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N holmium atom Chemical compound [Ho] KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 7
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N lutetium atom Chemical compound [Lu] OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- VQMWBBYLQSCNPO-UHFFFAOYSA-N promethium atom Chemical compound [Pm] VQMWBBYLQSCNPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- VQCBHWLJZDBHOS-UHFFFAOYSA-N erbium(iii) oxide Chemical compound O=[Er]O[Er]=O VQCBHWLJZDBHOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910001960 metal nitrate Inorganic materials 0.000 claims description 6
- PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N neodymium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Nd+3].[Nd+3] PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ZIKATJAYWZUJPY-UHFFFAOYSA-N thulium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Tm+3].[Tm+3] ZIKATJAYWZUJPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 5
- FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 2-iodoquinoline Chemical compound C1=CC=CC2=NC(I)=CC=C21 FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RCYIWFITYHZCIW-UHFFFAOYSA-N 4-methoxybut-1-yne Chemical compound COCCC#C RCYIWFITYHZCIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- UPEMFLOMQVFMCZ-UHFFFAOYSA-N [O--].[O--].[O--].[Pm+3].[Pm+3] Chemical compound [O--].[O--].[O--].[Pm+3].[Pm+3] UPEMFLOMQVFMCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HXMRPTXJQXYIQY-UHFFFAOYSA-K [OH-].[Pm+3].[OH-].[OH-] Chemical compound [OH-].[Pm+3].[OH-].[OH-] HXMRPTXJQXYIQY-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 3
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 3
- 229910001865 beryllium hydroxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N beryllium oxide Inorganic materials O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- UNJPQTDTZAKTFK-UHFFFAOYSA-K cerium(iii) hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Ce+3] UNJPQTDTZAKTFK-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 3
- 229910003440 dysprosium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- ABEVUBXCYLEFPJ-UHFFFAOYSA-K dysprosium(3+);trihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Dy+3] ABEVUBXCYLEFPJ-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 3
- NLQFUUYNQFMIJW-UHFFFAOYSA-N dysprosium(iii) oxide Chemical compound O=[Dy]O[Dy]=O NLQFUUYNQFMIJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RCWAXFGXJSYOSZ-UHFFFAOYSA-N erbium;trihydrate Chemical compound O.O.O.[Er] RCWAXFGXJSYOSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001938 gadolinium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229940075613 gadolinium oxide Drugs 0.000 claims description 3
- ILCLBMDYDXDUJO-UHFFFAOYSA-K gadolinium(3+);trihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Gd+3] ILCLBMDYDXDUJO-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 3
- CMIHHWBVHJVIGI-UHFFFAOYSA-N gadolinium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Gd+3].[Gd+3] CMIHHWBVHJVIGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- JYTUFVYWTIKZGR-UHFFFAOYSA-N holmium oxide Inorganic materials [O][Ho]O[Ho][O] JYTUFVYWTIKZGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OWCYYNSBGXMRQN-UHFFFAOYSA-N holmium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ho+3].[Ho+3] OWCYYNSBGXMRQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- LCTWRNOEZKTLGG-UHFFFAOYSA-K holmium(3+);trihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Ho+3] LCTWRNOEZKTLGG-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 3
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims description 3
- YXEUGTSPQFTXTR-UHFFFAOYSA-K lanthanum(3+);trihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[La+3] YXEUGTSPQFTXTR-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 3
- 229910003443 lutetium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- QVVDHJQBGNVGEB-UHFFFAOYSA-K lutetium(3+);trihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Lu+3] QVVDHJQBGNVGEB-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- MPARYNQUYZOBJM-UHFFFAOYSA-N oxo(oxolutetiooxy)lutetium Chemical compound O=[Lu]O[Lu]=O MPARYNQUYZOBJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- MMKQUGHLEMYQSG-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);praseodymium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Pr+3].[Pr+3] MMKQUGHLEMYQSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910003447 praseodymium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- ZLGIGTLMMBTXIY-UHFFFAOYSA-K praseodymium(3+);trihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Pr+3] ZLGIGTLMMBTXIY-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 3
- HYXGAEYDKFCVMU-UHFFFAOYSA-N scandium oxide Chemical compound O=[Sc]O[Sc]=O HYXGAEYDKFCVMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- LQPWUWOODZHKKW-UHFFFAOYSA-K scandium(3+);trihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Sc+3] LQPWUWOODZHKKW-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 3
- 229910003451 terbium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- SCRZPWWVSXWCMC-UHFFFAOYSA-N terbium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Tb+3].[Tb+3] SCRZPWWVSXWCMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- DIRSQPIRPNAECV-UHFFFAOYSA-N terbium;trihydrate Chemical compound O.O.O.[Tb] DIRSQPIRPNAECV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- VZLHRXBDVXNVPC-UHFFFAOYSA-K thulium(3+);trihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Tm+3] VZLHRXBDVXNVPC-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims 3
- WPJWIROQQFWMMK-UHFFFAOYSA-L beryllium dihydroxide Chemical compound [Be+2].[OH-].[OH-] WPJWIROQQFWMMK-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 abstract 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 27
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 27
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 15
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 12
- NGDQQLAVJWUYSF-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-2-phenyl-1,3-thiazole-5-sulfonyl chloride Chemical compound S1C(S(Cl)(=O)=O)=C(C)N=C1C1=CC=CC=C1 NGDQQLAVJWUYSF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 10
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 10
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 7
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229940126062 Compound A Drugs 0.000 description 6
- NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N Heterophylliin A Natural products O1C2COC(=O)C3=CC(O)=C(O)C(O)=C3C3=C(O)C(O)=C(O)C=C3C(=O)OC2C(OC(=O)C=2C=C(O)C(O)=C(O)C=2)C(O)C1OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- MYRTYDVEIRVNKP-UHFFFAOYSA-N 1,2-Divinylbenzene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1C=C MYRTYDVEIRVNKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N Isobutene Chemical group CC(C)=C VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N Isoprene Chemical compound CC(=C)C=C RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 2
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 2
- ILRRQNADMUWWFW-UHFFFAOYSA-K aluminium phosphate Chemical compound O1[Al]2OP1(=O)O2 ILRRQNADMUWWFW-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- IZJSTXINDUKPRP-UHFFFAOYSA-N aluminum lead Chemical compound [Al].[Pb] IZJSTXINDUKPRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XTIMETPJOMYPHC-UHFFFAOYSA-M beryllium monohydroxide Chemical compound O[Be] XTIMETPJOMYPHC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- -1 yttrium ions Chemical class 0.000 description 2
- FLDCSPABIQBYKP-UHFFFAOYSA-N 5-chloro-1,2-dimethylbenzimidazole Chemical compound ClC1=CC=C2N(C)C(C)=NC2=C1 FLDCSPABIQBYKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001741 Ammonium adipate Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019293 ammonium adipate Nutrition 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000000866 electrolytic etching Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 239000003755 preservative agent Substances 0.000 description 1
- 230000002335 preservative effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/008—Terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/02—Diaphragms; Separators
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
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Abstract
铝电解电容器包含外壳12,用于对外壳12封口的封口体11,封入外壳12内的隔片,阴极、阳极及电解液,与阳极连接的阳极引线17,阴极包含铝箔,在外壳12内还包含固体化合物,它对保持电解液的pH一定起作用。
Description
本发明涉及铝电解电容器及其制法。
铝电解电容器在高温环境气氛中无负荷下放置时,则电容量降低,同时产生气体,内压上升成为液漏的原因。这是由于由铝构成的阴极箔的腐蚀引起的,在电解液内添加水的系统,更加显著。此外在加负荷的高温下放置时,由铝构成的阳极引线受到电解腐蚀,最后达到断线。
作为防止这样铝的腐蚀的方法,众知的传统的方法是用磷酸对铝表面进行处理,形成磷酸铝的覆盖膜的方法(参照特开照62-17185号公报)。在该方法中,通过预先形成磷酸铝的覆盖膜,以防止引起腐蚀反应( )。
然而,有时即使进行了这样的处理也不能充分防止腐蚀。尤其是在增加电解液的水份量时容易引起腐蚀。
为了解决上述课题,本发明的目的是提供可靠度高的铝电解电容器及其制法。
为了达到上述目的,本发明的铝电解电容器是包含外壳、和用于对前述外壳封口的封口体和封入前述外壳内的隔片、阴极、阳极及电解液和分别与前述阴极及前述阳极连接的2根引线的铝电解电容器,其特征为;前述阴极及前述阳极包含铝箔,前述引线由铝构成,在前述外壳内还包含固体化合物,它对保持前述电解液的pH一定起作用。根据这种结构,由于可以防止电解液的pH不过小,所以可以获得可靠度高的铝电解电容器。
在上述铝电解电容器中,从前述阴极及前述阳极中选择的至少1种电极的表面上形成小凹坑,前述固体化合物也可以配置在前述小凹坑内。根据这种结构,尤其可以防止电极的腐蚀。
在上述铝电解电容器中,前述固体化合物也可以附着在前述隔片上。根据这种结构,尤其可以防止电极的腐蚀。
在上述铝电解电容器中,前述固体化合物也可以附着在前述引线的表面上。根据这种结构,尤其可以防止引线的腐蚀。
在上述铝电解电容器中,前述固体化合物是含金属的化合物,前述金属变化为阳离子期间的氧化电位EM和铝变化为铝离子期间的氧化电位EA也可以满足EM≤EA的关系。
在上述铝电解电容器中,前述固体化合物也可以含有从由钇的氧化物、钇的氢氧化物、铝的氧化物、铝的氢氧化物、钪的氧化物、钪的氢氧化物、镧的氧化物、镧的氢氧化物、镨的氧化物、镨的氢氧化物、钕的氧化物、钕的氢氧化物、钷的氧化物、钷的氢氧化物、铈的氧化物、铈的氢氧化物、钆的氧化物、钆的氢氧化物、铽的氧化物、铽的氢氧化物、镝的氧化物、镝的氢氧化物、钬的氧化物、钬的氢氧化物、铒的氧化物、铒的氢氧化物、铥的氧化物、铥的氢氧化物、镥的氧化物、镥的氢氧化物、铍的氧化物、铍的氢氧化物构成的群中选择的至少一种化合物,根据这种构成,可得到可靠度特高的铝电解电容器。
此外,本发明的第1制法是包含阴极及阳极的铝电解电容器的制法。它包含以下工序,即:
(i).把表面形成小凹坑的铝箔浸渍在金属硝酸盐的水溶液内的浸渍工序,
(ii).在前述(i)的工序之后,通过把前述铝箔浸渍到碱性水溶液内,在前述小凹坑内形成前述金属的氢氧化物,由此形成从前述阴极及前述阳极中选择的至少一种电极的工序,
其特征为,在前述金属变化为阳离子期间的氧化电位EM和铝变化为铝离子期间的氧化电位EA满足EM≤EA的关系。根据该制法,可以制造电极难以腐蚀、可靠度高的电解电容器。
在上述第1制法中,前述金属包含从由钇、铝、钪、镧、镨、钕、钷、铈、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镥及铍构成的群中选择的至少一种金属。
在上述第1制法中,前述碱性水溶液的pH也可以在8~12的范围内。
此外,本发明的第2制法是包含阴极及阳极的铝电解电容器的制法。
它包含以下工序,即:
(I).把表面上形成小凹坑的铝箔浸渍到金属硝酸盐的水溶液内的工序,
(II).在前述(I).的工序之后,通过对前述铝箔进行热处理,在前述小凹坑内形成金属氧化物,由此形成从前述阴极及前述阳极中选择至少一种电极的工序,
其特征为,在前述金属变化为阳离子期间的氧化电位EM和铝变化为铝离子期间的氧化电位EA满足EM≤EA的关系。根据该制法,可以制造电极难以腐蚀、可靠度高的电解电容器。
在上述第2制法中,前述金属包含从由钇、铝、钪、镧、镨、钕、钷、铈、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镥及铍构成的群中选择的至少一种金属。
以下就本发明的实施例参照附图予以说明。以下的实施形态只是一个例子,本发明不限于以下的实施形态。
(实施形态1)
在实施形态1中,对本发明的铝电解电容器予以说明。
首先,在铝电解电容器中,说明进行电极的腐蚀及引线腐蚀的机理。
在不加电压下,放置铝电解电容器时,主要腐蚀阴极。该阴极的腐蚀,如以下说明那样,是由于基于电解液中氧浓度的偏移的电池效应而发生的。铝电解电容器的电容器元件通过由铝箔构成的阳极、铝箔构成的阴极及隔片构成。而且阳极及阴极夹持隔片牢固地卷成线卷状。在线卷的外周部分和中心部分之间由于电解液中溶入的氧浓度不同产生电位差。其结果因电池效应腐蚀线卷的中心部分的电极(尤其是阴极)。由于这种腐蚀在电容器元件的中心部分产生( )的反应,电解液偏移向酸性一方,因此更加速腐蚀。为了防止这样的电极腐蚀,中和将要增加的H+是最有效果的。
此外,在铝电解电容器上加电压时,主要容易腐蚀阳极的引线。该阳极引线的腐蚀如以下说明那样,通过电解腐蚀发生。在铝电解电容器上随着时间的过去,内部的电解液蒸发而逐渐减少。这时,由于附着在该外壳内部的阳极引线表面上的电解液伴随蒸发逐渐丧失缓冲性,所以阳极引线变得容易腐蚀。而且一旦产生腐蚀,在由腐蚀形成的小凹坑(Pit)内部,H+浓缩,更加速腐蚀。即使对该阳极引线的腐蚀,也和阴极箔腐蚀的情况相同,中和将要增加的H+是有效果的。
对可以抑止上述腐蚀的实施形态1的铝电解电容器10在图1中概略地示出剖面图。
参照图1,铝电解电容器10包含用封口体11封口的外壳12和在外壳12内封入的电容器元件13和电解液(未图示)。在图2中概略地表示电容器元件13的分解斜视图。电容器元件13包含隔片14和夹持隔片14配置的阳极(阳极箔)15及阴极(阴极箔)16,和连接阳极15的阳极引线17和连接阴极16的阴极引线18。下面,有时对阳极15及阴极16统称为电极箔,对阳极引线17及阴极引线18统称为引线。卷绕隔片14、阳极15及阴极16封入外壳12内。电解液主要保持在隔片上。
封口体11例如由橡胶或树脂构成。
关于电解液,例如可以用在铝电解电容器内一般使用的电解液,例如可以用乙二醇系电解液。具体地说,可以用包含水、乙二醇和己二酸铵等的溶剂的电解液。电解液根据需要包含防腐剂。电解液的初始pH,例如,为5~7左右。尤其是,电解液最好包含30~60质量%的水。根据这种构成,可以得到等效串联电阻(Equivalent SeriesResistance以下称为ESR)特别低的铝电解电容器。
对隔片14,可以用铝电解电容器内一般正在使用的电解纸。例如可以用马尼拉纸(Manila Paper)。
对阳极15及阴极16,可以用电解电容器内一般正在使用的铝箔。对阳极引线17及阴极引线18,可以用电解电容器内一般正在使用的铝引线。
铝电解电容器10在外壳12内还包含用于维持电解液的pH在一定值的固体化合物(以下有时称为固体化合物A)。即:在铝电解电容器10中,从由作为其结构构件的电极箔、隔片、引线及封口体构成的群中选择的至少一种表面或内部,配置固体化合物A。也可以在电解液中分散固体化合物A。
当固体化合物A在水溶液中(电解液中)以固体状态分散时,它具有保持水溶液的pH值一定的功能。即;固体化合物A起着缓冲剂(buffer)的功能。
在固体化合物A内包含金属,可以用满足以下3个条件的化合物。作为第1条件,必须是在电解液中适度稳定地存在的化合物。作为第2条件必须是包含这样一种金属的化合物(以下有时称为金属M),从金属状体变化为阳离子期间的氧化电位EM与铝变化为铝离子期间的氧化电位EA相等或更小。即:金属M变化为阳离子期间的氧化电位EM和EA满足EM≤EA(较好满足EM<EA)的关系。作为第3条件,在电解液中必须是中和H+的化合物。
作为满足这样一些条件的固体化合物A的具体例,可以列举例如氧化钇或氢氧化钇。如果电解液想要偏移向酸性侧,则氧化钇,其本身形成钇离子溶解在水溶液中,对保持pH一定起作用( )。即使对氢氧化钇也同样起作用( )。在铝电解电容器10中通过利用固体化合物A的这样一种性质,可以维持电解液的pH一定,抑制腐蚀。
对固体化合物(A)而言,只要是能满足以上条件,则氧化钇或的氢氧化钇以外的化合物也都可以使用。具体地说,固体化合物A最好包含从由钇的氧化物、钇的氢氧化物、铝的氧化物、铝的氢氧化物、钪的氧化物、钪的氢氧化物、镧的氧化物、镧的氢氧化物、镨的氧化物、镨的氢氧化物、钕的氧化物、钕的氢氧化物、钷的氧化物、钷的氢氧化物、铈的氧化物、铈的氢氧化物、钆的氧化物、钆的氢氧化物、铽的氧化物、铽的氢氧化物、镝的氧化物、镝的氢氧化物、钬的氧化物、钬的氢氧化物、铒的氧化物、铒的氢氧化物、铥的氧化物、铥的氢氧化物、镥的氧化物、镥的氢氧化物、铍的氧化物及铍的氢氧化物构成的群中选择的至少一种化合物。即:作为金属M,可以用从由钇、铝、钪、镧、镨、钕、钷、铈、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镥及铍构成的群中选择的至少一种金属。如果是具有与上述的化合物同样性质的化合物,则即使是其它化合物也可以作为固体化合物A使用。即使在上述的固体化合物中,由于从氧化物或氢氧化物形成离子而溶解时的溶解速度比较大,所以尤其是氧化钇或氢氧化钇较好。
以下对在阴极、隔片、引线或封口体内添加固体化合物A的情况顺次说明。铝电解电容器10包含从由以下说明的电极、隔片、引线及封口体构成的群中选择的至少一种构件。
(阴极)
作为阴极16,最好使用在表面形成小凹坑(Pit)、固体化合物A配置在小凹坑内的铝箔。对这样的铝箔31在图3中概略地示出剖面图。铝箔31在其表面31s上形成小凹坑31a。小凹坑31a内配置固体化合物A。在阳极15上也可以用与阴极16同样的铝箔。即:在从阳极15及阴极16选择的至少一种电极的表面上形成小凹坑,固体化合物A也可以配置在小凹坑内。
以下就固体化合物A为氢氧化钇的情况说明阴极箔制法的一例。首先,准备好通过腐蚀在表面上形成小凹坑的铝箔。铝箔的表面上的小凹坑,例如,可以通过电解腐蚀或化学腐蚀形成的。
其次通过把铝箔浸渍在硝酸钇的水溶液内,在铝箔的小凹坑内包含硝酸钇水溶液。其后,把铝箔浸渍在氢氧化钠水溶液内进行处理,在小凹坑内附着氢氧化钇。这时,如果氢氧化钠水溶液的pH值在8以上是合适的,然而因为铝具有在碱水溶液内溶解的性质,所以最好用尽可能接近中性的碱水溶液处理。具体地说,碱水溶液的pH最好在8~12的范围内。此外,因为高温·长时间处理在铝箔上受损伤,所以最好进行低温·短时间处理。
其次,对固体化合物A为氧化钇的情况予以说明。这种情况下,首先把铝箔浸渍在硝酸钇水溶液内,在铝箔的小凹坑内包含硝酸钇水溶液。其后通过对铝箔进行热处理使硝酸钇热分解,在小凹坑内附着氧化钇。热处理,例如可以在大气中500℃、10分钟的条件下进行。
即使固体化合物A是钇以外的金属氢氧化物或氧化物的情况下,也可以用同样的方法形成固体化合物A。
(隔片)
作为隔片14,最好用在表面上附着固体化合物A的隔片。对这样的隔片41,在图4中概略地示出剖面图。在隔片41的表面41s上附着固体化合物A。
以下,在表面附着固体化合物A的隔片可以把固体化合物A(例如氧化钇)的粉末直接研磨到隔片中。对隔片而言,可以用在铝电解电容器内一般用的电解纸,例如可以用马尼拉纸。
固体化合物A(例如氧化钇)的粉末,即使对市售的粉末原封不动地使用也可,最好对市售的粉末用研钵粉碎,使粒径变得更小使用。通过使粒径变小,可以提高对隔片的附着性,而且作为固体化合物起作用期间也容易离子化。具体地讲,粉末的平均粒径最好在1μm~100μm的范围内。
(引线)
作为引线(尤其是阳极引线17),最好用在表面上附着固化合物A的引线。对这样的引线51,在图5上示出剖面图。引线51由棒状铝构成,并包含卷缠电极箔的部分51a和配置在封口体的贯通孔内的部分51b。而且,在部分51b的表面上附着固体化合物A。
在作为固体化合物A用氢氧化钇或氧化钇时,可以用与上述阴极箔同样的方法制作附着固体化合物A的引线。
对附着固体化合物A的引线,可以用在铝电解电容器内一般使用的铝引线。
(封口体)
作为封口体11最好用包含固体化合物A的封口体。具体地说,封口体11最好由添加固体化合物A的橡胶或树脂构成。对这样的封口体61,在图6中概略地示出剖面图。封口体61有圆盘状形状,形成插入引线的2个贯通孔61h。在封口体61的内部添加固体化合物A。
对橡胶材料,例如可以用作为异丁烯和异戊二烯和二乙烯基苯的共聚物的异丁橡胶聚合物。固体化合物A的粉末在制造构成封口体材料的橡胶阶段,可以与其它材料一起添加。最好添加的固体化合物A的粉末的平均粒径在1μm~100μm的范围内。
铝电解电容器10包含对保持电解液的pH一定起作用的固体化合物A。因此可以防止由电极(尤其是阴极)的腐蚀产生的电容量降低,此外,可以防止无负荷放置时发生气体。从而如果用铝电解电容器10,可获得可靠度高的电容器。在寿命相同的条件下与传统的铝电解电容器进行比较时,因为在铝电解电容器10中可以用水份量多的电导率高的电解液,所以可以进一步降低ESR。此外,通过用添加固体化合物A的引线或封口体,可获得难以产生引线断线的电容器。
(实施形态2)
在实施形态2中,对用于制造铝电解电容器的本发明的第1制法予以说明。
对实施形态2的制法在图7中示出工序剖面图。在该制法中,首先如图7(a)所示,把在表面形成小凹坑(参照图3)的铝箔71在金属的硝酸盐的水溶液72内浸渍(工序i)。通过该工序,在铝箔71的小凹坑内填充水溶液72。在水溶液72内,可以用实施形态1中说明的金属M的硝酸盐水溶液。具体地说,可以用包含从钇、铝、钪、镧、镨、钕、钷、铈、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镥及铍构成的群中选择至少一种金属的硝酸盐水溶液。在水溶液72中的硝酸盐的浓度例如在0.05mol/L~0.5mol/L的范围内。
其后,如图7(b)所示,通过把铝箔71浸渍在碱性水溶液73内,在小凹坑内形成金属M的氢氧化物(工序(ii))。这样一来,得到在小凹坑内形成金属M的氢氧化物(化合物A)的铝箔71,以此作为从阴极及阳极中选择的至少一种电极使用。铝箔71作为阴极使用效果特好。
上述电极形成方法以外,用与通常制法同样的工序制造铝电解电容器。具体地讲,分别把阳极箔及阴极箔连接到阳极引线及阴极引线上。而且在夹持隔片下、把阳极箔和阴极箔卷成线卷状,形成电容器元件,在隔片上含浸电解液。其后,把电容器元件插入外壳内,用封口体对外壳封口。这样一来,可以制造铝电解电容器。根据实施形态2的制法,可以制造在电极上附着固体化合物A的本发明的铝电解电容器。
(实施形态3)
在实施形态3中,对于制造铝电解电容器的本发明的第2制法予以说明。对与实施形态2同样的部分附同一符号,省略重复说明。
在实施形态3的制法中,首先,如图7(a)所示,把在表面上形成小凹坑(参照图3)的铝箔71浸渍在金属的硝酸盐的水溶液72内(工序I)。工序(I)与在实施形态2说明的工序(i)是同样的。通过该工序,在铝箔71的小凹坑内充填水溶液72。对水溶液72内可以用实施形态1说明的金属M的硝酸盐水溶液。具体地说,可以用包含从钇、铝、钪、镧、镨、钕、钷、铈、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镥及铍构成的群中选择至少一种金属的硝酸盐水溶液。水溶液72中的硝酸盐的浓度,例如在0.05mol/L~0.5mol/L的范围内。
其后,把铝箔71从水溶液72中取出进行干燥。而且通过对铝箔71进行热处理,在小凹坑内形成金属M的氧化物(工序II),通过该热处理,金属M的硝酸盐热分解,形成金属M的氧化物。热处理可以在例如500℃、10分钟的条件下进行。这样一来,得到在小凹坑内形成金属M的氢氧化物(化合物A)的铝箔71,将其作为从阴极及阳极中选择的至少一种电极使用。铝箔71用作阴极效果特好。
上述电极的形成方法以外,正如实施形态2说明的那样,制造铝电解电容器。根据实施形态3的制法,可以制造在电极上附着固体化合物A的本发明的铝电解电容器。
[实施例]
以下用实施例对本发明更加详细地说明。
[实施例1]
在实施例1中,对在阴极箔的表面及腐蚀小凹坑的空洞部附着固体化合物A的一例予以说明。
首先,准备浓度为10质量%的硝酸钇水溶液。作为阴极箔准备低压电解电容器用的铝箔。其次,铝箔在硝酸钇水溶液内浸渍数秒钟,使硝酸钇充分渗透铝箔上。接着,从硝酸钇水溶液中提升铝箔,除去多余的溶液。接着用碱性水溶液处理铝箔。具体地说,把铝箔在氢氧化钠水溶液(pH8)中浸渍10秒钟。而且,浸渍后提升铝箔,除去多余的溶液。最后在析出的氢氧化钇在不从铝箔流落的那种程度下用纯水轻轻水洗铝箔,进行干燥。按照以上所示顺序使氢氧化钇附着在铝箔表面及内部的腐蚀小凹坑壁面上形成阴极箔。
使用这样形成的阴极箔制作铝电解电容器。对阴极箔以外部分用通常的构件。
[实施例2]
在实施例2中,对隔片上附着固体化合物A的一例予以说明。
首先,对氧化钇的试药(和光纯药工业株式会社制,纯度:99.99%以上)用研钵粉碎作成微粒状。作为隔片准备低压电解电容器用的电解纸的马尼拉纸。而且把微粒状的氧化钇粉末使用网眼细的筛子均匀分散在隔片上,用手指研磨,使氧化钇粉末附着在隔片上。其后,拂落残余的粉末。这样制作附着氧化钇粉末的隔片。在本实施例中,大约每1cm2隔片上附着0.1mg的氧化钇。使用这样制作的隔片,制作铝电解电容器,隔片以外的部分用通常的构件。
[比较例1]
在比较例1中,使用未进行固体化合物A附着处理的阴极箔及隔片,制作铝电解电容器。对阴极箔及隔片以外部分作成与实施例1及2的铝电解电容器同样的结构。
对上述实施例1及2以及比较例1的电容器在不加电压的状态下进行高温下放置试验,试验通过在85℃下放置5000小时进行。
其后分解各自的电容器,调研阴极箔腐蚀的情况及阴极箔的电容量变化。通过在放置试验前后目视观察阴极箔的腐蚀情况并进行评价。此外,阴极箔电容量变化用电容量维持率(%)={(高温放置试验后的电容量)/(高温放置试验前的电容量)}×100的公式评价。
其结果,在实施例1及2的电容器中,阴极箔的外观没有变化,电容量维持率为95%。另一方面,在比较例的电容器中,阴极箔的外观变化为黑色,电容量维持率为60%。这样,在比较例1的电容器中通过高温放置试验,阴极箔的电容量大大降低,与此相反,在实施例1及2的铝电解电容器中,阴极箔的电容量几乎不变。
(实施例3)
在实施例3中,对阳极引线的表面附着固体化合物A的一例予以说明。首先,作为阳极引线准备低压电解电容器用的铝引线。把该阳极引线浸渍在硝酸钇水溶液内,在阳极引线的表面上附着钇离子。接着通过用碱水溶液处理该阳极引线,在阳极引线表面上附着氢氧化钇,附着氢氧化钇的顺序或条件与实施例1说明的一样。用这样制作的阳极引线制作铝电解电容器。对阳极引线以外的部分,用通常的构件。
(实施例4)
在实施例4中,对在封口体上添加固体化合物A的一例予以说明。在实施例4中,在制造封口体中使用的橡胶阶段,作为添加剂添加氧化钇,制作封口体。对构成材料的橡胶,使用异丁烯、异戊二烯及二乙烯基苯的共聚物构成的异丁橡胶聚合物。另外,每19橡胶添加10mg氧化钇。用该橡胶构成的封口体制作铝电解电容器。对封口体以外的部分,用通常的构件。
(比较例2)
在比较例2中,使用未进行附着固体化合物A的处理的阳极引线及封口体制作铝电解电容器。对阳极引线及封口体以外的部分,采取与实施例3及4的铝电解电容器同样的结构。
对上述实施例3及4、以及比较例的铝电解电容器,边加电压边在高温下放置进行试验。通过加6.3V电压、在85℃下放置5000小时进行试验。
在放置试验后,分别分解各电容器,调研阳极引线腐蚀的情况。通过目视观察放置试验前后的阳极引线,进行评价。
其结果,在比较例的电容器上,在高温放置试验后,在阳极引线的表面上观察到许多点腐蚀凹坑。与此相反,在实施例3及4的铝电解电容器上几乎未观察到点腐蚀痕迹。
以上就本发明的实施形态举例说明,然而,本发明不限于上述实施形态,根据本发明的技术思想也可以在其它实施形态中使用。
正如以上说明所示,根据本发明的铝电解电容器可获得可靠度高的铝电解电容器。此外,根据本发明的第1及第2制法,可以制造可靠度高的铝电解电容器。
下面对附图作简单的说明。
图1是示出本发明铝电解电容器一例的剖面图。
图2是图1所示铝电解电容器一部分的分解透视图。
图3是示出对本发明的铝电解电容器的阴极箔一例的剖面图。
图4是示出对本发明的铝电解电容器的隔片一例的剖面图。
图5是示出对本发明的铝电解电容器的引线一例的剖面图。
图6是示出对本发明的铝电解电容器的封口体一例的剖面图。
图7是示出对用于制造铝电解电容器的本发明制法一例的工序图。
下面对附图中的符号加以说明。
10铝电解电容器,11,61封口体,12外壳,13电容器元件,14,41隔片,15阳极箔,16,31阴极箔,17,51阳极引线,18阴极引线,31S,41S表面,31a小凹坑,61h贯通孔,71铝箔,72水溶液,73碱性水溶液。
Claims (12)
1.一种铝电解电容器,该铝电解电容器是包含外壳、为对前述外壳封口用的封口体和封入前述外壳内的隔片、阴极、阳极及电解液和分别连接在前述阴极及前述阳极上的2根引线的铝电解电容器,其特征在于,
前述阴极及前述阳极含有铝箔,
上述引线是由铝构成的,
在前述外壳内,还包含对保持前述电解液的pH一定起作用的固体化合物。
2.根据权利要求1所述的铝电解电容器,其特征为,在从前述阴极及阳极中选择的至少一种电极的表面上形成小凹坑,前述固体化合物配置在前述小凹坑内。
3.根据权利要求1所述的铝电解电容器,其特征为,前述固体化合物附着在前述隔片上。
4.根据权利要求1所述的铝电解电容器,其特征为,前述固体化合物附着在前述引线的表面上。
5.根据权利要求1所述的铝电解电容器,其特征为,前述封口体含有前述固体化合物。
6.根据权利要求1所述的铝电解电容器,其特征为,前述固体化合物是含有金属的化合物,
前述金属在变化为阳离子期间的氧化电位EM和铝在变化为铝离子期间的氧化电位EA满足EM≤EA的关系。
7.根据权利要求1所述的铝电解电容器,其特征为,前述固体化合物含有从由钇的氧化物、钇的氢氧化物、铝的氧化物、铝的氢氧化物、钪的氧化物、钪的氢氧化物、镧的氧化物、镧的氢氧化物、镨的氧化物、镨的氢氧化物、钕的氧化物、钕的氢氧化物、钷的氧化物、钷的氢氧化物、铈的氧化物、铈的氢氧化物、钆的氧化物、钆的氢氧化物、铽的氧化物、铽的氢氧化物、镝的氧化物、镝的氢氧化物、钬的氧化物、钬的氢氧化物、铒的氧化物、铒的氢氧化物、铥的氧化物、铥的氢氧化物、镥的氧化物、镥的氢氧化物、铍的氧化物及铍的氢氧化物构成的群中选择的至少1种化合物。
8.一种铝电解电容器的制法,该制法是包含阴极及阳极的铝电解电容器的制法,其特征在于,该制法包含以下工序,
(i).把表面上形成小凹坑的铝箔,浸渍在金属的硝酸盐的水溶液内的浸渍工序,
(ii).在前述(i)的工序之后,通过把前述铝箔浸渍在碱性水溶液内,在前述小凹坑内形成前述金属的氢氧化物,由此形成从前述阴极及前述阳极中选择的至少一种电极的工序,而且
前述金属在变化为阳离子期间的氧化电位EM和铝在变化为铝离子期间的氧化电位EA满足EM≤EA的关系。
9.根据权利要求8所述的铝电解电容器的制法,其特征为,
前述金属包含从由钇、铝、钪、镧、镨、钕、钷、铈、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镥及铍构成的群中选择至少一种金属。
10.根据权利要求8所述的铝电解电容器的制法,其特征为,
前述碱性水溶液的pH是8~12的范围内。
11.一种铝电解电容器的制法,该铝电解电容器的制法是包含阴极及阳极的铝电解电容器的制法,其特征在于,该制法包含以下工序,
(I).把表面上形成小凹坑的铝箔浸渍在金属的硝酸盐水溶液内的浸渍工序,
(II).在前述(I)的工序之后,通过对前述铝箔进行热处理,在前述小凹坑内形成前述金属的氧化物,由此形成从前述阴极及前述阳极中选择的至少一种电极的工序,而且
前述金属在变化为阳离子期间的氧化电位EM和铝在变化为铝离子期间的氧化电位EA满足EM≤EA的关系。
12.根据权利要求11所述的铝电解电容器的制法,其特征为,
前述金属包含从由钇、铝、钪、镧、镨、钕、钷、铈、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镥及铍构成的群中选择至少一种金属。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP163213/2000 | 2000-05-31 | ||
JP2000163213 | 2000-05-31 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1327245A true CN1327245A (zh) | 2001-12-19 |
CN1201351C CN1201351C (zh) | 2005-05-11 |
Family
ID=18667006
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB011194642A Expired - Fee Related CN1201351C (zh) | 2000-05-31 | 2001-05-31 | 铝电解电容器及其制法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6452784B2 (zh) |
EP (1) | EP1160810B1 (zh) |
CN (1) | CN1201351C (zh) |
DE (1) | DE60119220T2 (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN101452767B (zh) * | 2007-12-07 | 2011-07-27 | 松下电器产业株式会社 | 电解电容器用电解液和使用其的电解电容器 |
CN101341559B (zh) * | 2005-11-15 | 2012-03-28 | 日本贵弥功株式会社 | 电解电容器 |
CN104319105A (zh) * | 2014-10-28 | 2015-01-28 | 钰邦电子(无锡)有限公司 | 金属阳极改良之固态电解电容器及其制造方法 |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6548324B2 (en) * | 2001-06-06 | 2003-04-15 | Kemet Electronics Corporation | Edge formation process without anodizing for aluminum solid electrolytic capacitor |
DE10141354C1 (de) * | 2001-08-23 | 2003-04-10 | Epcos Ag | Gehäuse für elektrische Bauelemente, insbesondere Kondensatoren |
JP2004111921A (ja) * | 2002-07-26 | 2004-04-08 | Sanyo Chem Ind Ltd | 電気化学キャパシタ用電解液およびそれを用いた電気化学キャパシタ |
JP2004087892A (ja) * | 2002-08-28 | 2004-03-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | アルミ電解コンデンサ及びその製造方法 |
JP4650833B2 (ja) * | 2006-02-09 | 2011-03-16 | 三洋電機株式会社 | 陽極体とその製造方法、および固体電解コンデンサ |
JP5203356B2 (ja) * | 2006-05-04 | 2013-06-05 | エルジー・ケム・リミテッド | リチウム二次電池及びその製造方法 |
US7649730B2 (en) | 2007-03-20 | 2010-01-19 | Avx Corporation | Wet electrolytic capacitor containing a plurality of thin powder-formed anodes |
US8223473B2 (en) | 2009-03-23 | 2012-07-17 | Avx Corporation | Electrolytic capacitor containing a liquid electrolyte |
CN101847515B (zh) * | 2010-02-26 | 2011-12-21 | 上海奥威科技开发有限公司 | 一种铅基超级电容器 |
CN101887803A (zh) * | 2010-06-23 | 2010-11-17 | 东莞万利信新材料元件有限公司 | 超高压大型铝电解电容器及其驱动用电解液 |
US9105401B2 (en) | 2011-12-02 | 2015-08-11 | Avx Corporation | Wet electrolytic capacitor containing a gelled working electrolyte |
CN103680980B (zh) * | 2013-12-25 | 2016-07-06 | 佛山市高明区利明电子有限公司 | 一种400v电解电容器及其生产工艺 |
WO2021039849A1 (ja) * | 2019-08-30 | 2021-03-04 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 座板付きコンデンサ |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4593343A (en) * | 1984-11-05 | 1986-06-03 | Sprague Electric Company | Electrolytic capacitor and spacer therefor |
JPS6217185A (ja) | 1985-07-15 | 1987-01-26 | Shinei Tsushin Kogyo Kk | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
US5870275A (en) * | 1993-12-03 | 1999-02-09 | Sanyo Chemical Industries, Ltd. | Electrolyte and electronic component using same |
US6166899A (en) * | 1997-12-18 | 2000-12-26 | Nippon Chemi-Con Corporation | Electrolyte for electrolytic capacitor and electrolytic capacitor having the same |
JPH11283874A (ja) * | 1998-01-28 | 1999-10-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電解コンデンサ |
JPH11274011A (ja) * | 1998-03-23 | 1999-10-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | アルミ電解コンデンサ |
JP2000311680A (ja) | 1999-04-26 | 2000-11-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ニッケル水素電池用焼結型正極板とその製造方法およびニッケル水素電池 |
-
2001
- 2001-05-25 US US09/865,867 patent/US6452784B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-05-31 DE DE60119220T patent/DE60119220T2/de not_active Expired - Fee Related
- 2001-05-31 EP EP01113280A patent/EP1160810B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-05-31 CN CNB011194642A patent/CN1201351C/zh not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1160810A3 (en) | 2003-03-05 |
US20010048583A1 (en) | 2001-12-06 |
DE60119220D1 (de) | 2006-06-08 |
EP1160810B1 (en) | 2006-05-03 |
EP1160810A2 (en) | 2001-12-05 |
DE60119220T2 (de) | 2007-02-22 |
CN1201351C (zh) | 2005-05-11 |
US6452784B2 (en) | 2002-09-17 |
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C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
C19 | Lapse of patent right due to non-payment of the annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |