JP2002100533A - キャパシタ素子の形成方法、複合薄膜素子の形成方法、配線基板及びモジュール基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 形成工程が簡略化され、無駄が少なくてコ
ストが低く抑えられ、かつ絶縁性が高くて歩留りが良
く、さらに形成が容易で、形成の際の制御がしやすいキ
ャパシタ素子の形成方法、複合薄膜素子の形成方法、配
線基板及びモジュール基板を提供すること。 【解決手段】 基板１上に下電極３を形成する工程
と、下電極３上にバルブ金属膜１１を所定パターンに形
成する工程と、バルブ金属膜１１上に、所望の陽極酸化
膜１２を形成するための開口部７１を有する開口マスク
２１を形成する工程と、下電極３を陽極として開口部７
１のバルブ金属膜１１を陽極酸化して陽極酸化膜１２を
形成する工程と、開口マスク２１を除去する工程と、前
記下電極３をパターニングする工程と、陽極酸化膜１２
の上面に上電極６を形成する工程とを有する、キャパシ
タ素子、又はこれを含む複合薄膜素子の形成方法、及び
配線基板、モジュール基板。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、キャパシタ素子の
形成方法、複合薄膜素子の形成方法、配線基板及びモジ
ュール基板に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、実装基板の小型化、高機能化を実
現する為、基板においては、ヴィアホールの微細化や配
線ピッチの狭窄化等が検討され、さらに、ＩＣパッケー
ジの小型化や多ピン化、半導体ベアチップ実装、コンデ
ンサや抵抗等の受動素子の小型化、表面実装化等が検討
され、実用化されてきている。

【０００３】また、その一方で、受動素子の小型化の進
展により、製造および実装時の困難性が増し、従来の手
法では限界が見えつつある。その解決方法として、受動
素子を直接プリント配線基板の表面、又は、内部に形成
することが提案され、すでに、セラミック基板で、厚膜
抵抗体やキャパシタ等の受動素子を表面形成した例や、
内蔵した例が幾つかあり、実用化されているものもあ
る。

【０００４】しかしながら、金属や絶縁体のペーストを
用いた印刷等の厚膜等を利用した抵抗体やキャパシタ等
の受動素子は、パターン精度や厚み精度に難があり、再
現性等のばらつきの問題などがあり、信頼性に乏しいと
いう問題がある。また、そのようなペーストを使用した
場合には、塗布焼結させるために高温処理が必要とさ
れ、特に、有機基板等の耐熱性に劣る基板に形成する場
合には、そのままでの適用は困難である。

【０００５】従来、その解決方法として、抵抗体やキャ
パシタの材料に、スパッタや蒸着による薄膜を使用した
受動素子の例が近年報告されている。これにより、抵抗
体やキャパシタの誘電体の薄膜や薄膜配線を、リソグラ
フィを利用して高精度にパターニングすることにより、
極めて高精度に受動素子を形成することができる。

【０００６】次に、この薄膜を利用した抵抗体の例とし
て、図３７に、その一例の概略図を示すが、基板の基体
６１上の絶縁層６２の上に、接続されていない２つの配
線５３及び５４があり、その配線間に抵抗体６４がスパ
ッタ等の薄膜形成方法で形成され、抵抗体をなしてい
る。なお、この抵抗体６４の材料としては、ニッケル−
クロム（Ｎｉ−Ｃｒ）、窒化タンタル（ＴａＮ）、タン
タル（Ｔａ）等の様々な材料が挙げられる。

【０００７】又、薄膜を利用したキャパシタの例として
は、図３８に、その一例の概略図を示すが、基板の基体
６１上の絶縁層６２の上に、一部が重なった２つの配線
５３及び５４があり、その間に（上下方向に）誘電体５
５がスパッタ等の薄膜形成方法や窒化タンタルの陽極酸
化等で形成され、キャパシタを構成している。なお、こ
の誘電体５５の材料としては、酸化タンタル（Ｔａ
₂Ｏ₅、ＴａＯ）や窒化シリコン（Ｓｉ₃Ｎ₄）、チタン酸
バリウム（ＢａＴｉＯ）等が挙げられる。

【０００８】なお、抵抗体の材料の中では、ＴａＮ膜
は、抵抗の温度係数（ＴＣＲ）が１００ＰＰＭ／℃以下
と小さな値が得られることと、寿命特性などの安定性の
面で優れていることとから、一般的によく使用されてい
る。

【０００９】一方、キャパシタの材料として、酸化タン
タル薄膜は、スパッタリングにより直接成膜できるが、
タンタル膜や窒化タンタル薄膜を陽極酸化することによ
り、その表面に酸化物を成長させて形成することも容易
にできる。

【００１０】下記に、従来のキャパシタ素子の製造工程
を図３９〜図４１につき説明する。基本的にキャパシタ
の誘電体として酸化タンタルを用い、タンタル又は窒化
タンタルの陽極酸化を利用してその表面に陽極酸化膜７
２を成長させて形成する。

【００１１】まず、基板基体６１上の絶縁層６２の上
に、キャパシタの下電極７３を形成する。この下電極７
３の素材としては、例えばＣｕ、Ａｌ、Ｐｔ、Ａｕ等の
金属膜が挙げられ、又、下の絶縁膜６２との密着性の向
上の為にＴｉ、Ｎｉ、Ｃｒ等をその間に設けてもよい。
又、絶縁層６２に関しては、例えば、ポリイミドやベン
ゾシクロブテンやエポキシ系樹脂等の低誘電率樹脂材料
や、ＳｉＯ₂等の誘電体材料等でもよい。

【００１２】そして、下電極７３の上に、キャパシタの
誘電体を形成する為のバルブ金属膜９１を例えば、スパ
ッタや蒸着等により、厚み２０００Å程度の薄膜として
全面に形成する（図３９（ａ））。なお、バルブ金属
は、陽極酸化により、電解液中でその金属を陽極とし
て、陰極及び陽極間に電圧を与えることにより、陽極表
面に酸化被膜が形成される金属であり、例えば、Ｔａ、
Ｎｂ、Ｔｉ、Ａｌ等の金属が挙げられる。又、ＴａＮで
もよい。

【００１３】次に、下電極７３を電極として、即ち、下
電極７３を陽極として電解液中で陽極酸化を行うことに
より、バルブ金属膜９１の上面全体が陽極酸化され、そ
の上面に陽極酸化膜７２（Ｔａ₂Ｏ₅等）が成長する（図
３９（ｂ））。

【００１４】ここで、陽極酸化の電解液としては、例え
ば、ホウ酸アンモニウムや燐酸アンモニウム等が挙げら
れる。この陽極酸化の際の印加電圧により、成長させら
れる酸化膜７２の厚みが決定され、その印加電圧に応じ
た所望の厚みの酸化膜７２が形成できる。又、陽極酸化
の際には、十分な時間で印加電圧を印加し、バルブ金属
９１から電解液中に流れ出る電流を十分に低減する必要
がある。

【００１５】その後、酸化膜７２の上にマスク１０１を
形成し、（図３９（ｃ））、次に、マスク１０１の開口
部８５のバルブ金属膜９１と酸化膜７２をドライエッチ
ング等で除去し（図３９（ｄ））、開口マスク１０１を
除去した後（図３９（ｄ））に、下電極７３を所望のパ
ターニングで加工する（図４０（ｅ））。

【００１６】次に、酸化膜７２の上面にキャパシタの上
電極６６をパターニングにより形成する（図４１
（ｆ））。なお、この上電極６６の材料は、下電極７３
と同等の材料でよく、パターニング方法も同様である。

【００１７】そして、その上部に、さらに、絶縁層８２
を形成し、電極取り出し用のヴィアホール１１１も形成
する（図４１（ｇ））。

【００１８】なお、絶縁層８２の材料は、上述の絶縁層
６２と同様の材料でよく、また、ヴィアホール１１１を
形成するには、絶縁層８２に感光性材料、例えば、感光
性ポリイミドや感光性ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）等
を使用した場合には、絶縁層８２を形成する際に同時に
形成できる。又、絶縁層８２が非感光性材料の場合に
は、例えば、レーザ照射によるレーザヴィア等により形
成可能である。

【００１９】そして、最後に、さらに、上面に電極材６
８をパターニング形成することにより、キャパシタが完
成する（図４１（ｈ））。

【００２０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、抵抗体
及びキャパシタを個別に上記した従来例の形成工程で形
成すると、形成工程の増加や歩留まりの低下等の問題が
あり、抵抗体およびキャパシタを形成する工程において
はできる限り工程数を低減することが望ましい。

【００２１】又、従来の形成工程においては、陽極酸化
の際に陽極の役割をする下電極があらかじめパターニン
グ（カット）され、しかも基板上のバルブ金属膜の全面
を陽極酸化するために、陽極酸化用の給電能力に乏しい
部分が生じ、陽極酸化膜の均一な形成に支障となり易
い。

【００２２】又、陽極酸化膜やバルブ金属膜等はおおむ
ね基板全体に形成されるが、実際にはキャパシタ等の素
子の占める面積は基板の面積の２０〜３０％なので、一
旦形成された各膜の大部分が最終的には除去されてしま
って無駄になりやすく、コストが高くなり易い。

【００２３】又、各膜の形成においては、均一性に欠け
易くて形成むらが生じ易く、膜厚のコントロールも難し
い。このことはキャパシタの性能を左右する。又、陽極
酸化の際は、基板の上面全体に対して行なうので、かな
りの電力を消費する。

【００２４】又、バルブ金属膜や陽極酸化膜のパターニ
ングに、ドライエッチング方法（特にプラズマエッチン
グ方法）を用いると、各膜等にダメージが残り易く、素
子の絶縁性が悪くなったり、歩留りが下がってしまい、
良好な素子の形成が困難になってしまう。

【００２５】又、図３７及び図３８に示すように、抵抗
体６４や誘電体５５を形成する窒化タンタルは、下地の
絶縁層６２上に形成することが多い。そこで、特に、絶
縁層６２の素材として樹脂を用いた場合に、絶縁層６２
と接するように抵抗体６４や誘電体５５を形成する窒化
タンタルを成膜すると、その接触部分においては、樹脂
に対する密着性が良くないことが多い。それにより、絶
縁層６２から抵抗体６４や誘電体５５を形成する窒化タ
ンタル膜が剥離したりすることが多く、又、剥離しなく
とも信頼性や品質等の観点からあまりよくない。

【００２６】本発明は、上記のような実情に鑑みてなさ
れたものであって、その目的は、形成工程が簡略化さ
れ、無駄が少なくてコストが低くおさえられ、絶縁性が
高くて歩留りが良く、形成が容易でかつ膜厚の制御がし
やすいキャパシタ素子の形成方法、複合薄膜素子の形成
方法、さらに、その製造方法を用いて得られる多層配線
基板及びモジュール基板を提供することにある。

【００２７】又、本発明の目的は、層間が容易に剥離し
ない堅牢なキャパシタ素子の形成方法、複合薄膜素子の
形成方法、さらに、その製造方法を用いて得られる多層
配線基板及びモジュール基板を提供することにある。

【００２８】

【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、基板上
に下電極を形成する工程と、前記下電極上に金属膜を所
定パターンに形成する工程と、前記金属膜上に、所望の
陽極酸化膜を形成するための開口部を有するマスクを形
成する工程と、前記下電極を陽極として前記開口部の前
記金属膜を陽極酸化して陽極酸化膜を形成する工程と、
前記マスクを除去する工程と、前記下電極を所定パター
ンに加工する工程と、前記陽極酸化膜の上面に上電極を
形成する工程とを有するキャパシタ素子の形成方法に係
るものである。

【００２９】又、基板上に下電極を形成する工程と、前
記下電極に開口部を設ける工程と、前記下電極上から前
記開口部にかけて金属膜を所定パターンに形成する工程
と、前記金属膜上に、所望の陽極酸化膜を形成するため
の開口部を有するマスクを形成する工程と、前記下電極
を陽極として前記開口部の前記金属膜を陽極酸化して陽
極酸化膜を形成する工程と、前記マスクを除去する工程
と、前記下電極を再度所望のパターンに加工する工程
と、前記陽極酸化膜の上面及びその側方に上電極を形成
する工程とを有するキャパシタ素子の形成方法に係るも
のである。

【００３０】又、基板上に下電極を形成する工程と、前
記下電極上に金属膜を所定パターンに形成する工程と、
前記下電極を陽極として前記金属膜を陽極酸化して陽極
酸化膜を形成する工程と、前記下電極をパターニングす
る工程と、前記陽極酸化膜の上面に上電極を形成する工
程とを有するキャパシタ素子の形成方法に係るものであ
る。

【００３１】又、基板上に下電極を形成する工程と、前
記下電極に開口部を設ける工程と、前記下電極上から前
記開口部内にかけて金属膜を所定パターンに形成する工
程と、前記下電極を陽極として前記金属膜を陽極酸化し
て陽極酸化膜を形成する工程と、前記陽極酸化膜の上面
から側方に上電極を形成する工程とを有するキャパシタ
素子の形成方法に係るものである。

【００３２】又、キャパシタ素子の下電極及びその他の
素子の電極用の導電膜を形成する工程と、前記導電膜に
開口部を設ける工程と、前記導電膜上及び前記開口部内
にそれぞれ、所望の金属膜を所定パターンに形成する工
程と、前記金属膜上に、所望の陽極酸化膜を形成するた
めの開口を有するマスクを必要あれば形成する工程と、
前記導電膜を陽極として前記金属膜を陽極酸化して陽極
酸化膜を形成する工程と、前記マスクを除去する工程
と、前記導電膜を再度パターニングする工程と、前記陽
極酸化膜の上面に前記キャパシタ素子の上電極を形成す
る工程とを有する複合薄膜素子の形成方法に係るもので
ある。

【００３３】又、キャパシタ素子の下電極及びその他の
素子の電極用の導電膜を形成する工程と、前記導電膜に
開口部を設ける工程と、前記導電膜から前記開口部内に
かけて、所望の金属膜を所定パターンに形成する工程
と、前記金属膜上に、所望の陽極酸化膜を形成するため
の開口を有するマスクを必要あれば形成する工程と、前
記導電膜を陽極として前記金属膜を陽極酸化して陽極酸
化膜を形成する工程と、前記導電膜を再度パターニング
する工程と、前記キャパシタ素子の前記陽極酸化膜の上
面から前記開口部内にかけて、前記キャパシタ素子の上
電極を形成する工程とを有する複合薄膜素子の形成方法
に係るものである。

【００３４】又、キャパシタ素子の下電極及びその他の
素子の内、少なくとも前記キャパシタ素子の下電極用の
導電膜が基板上に形成され、少なくとも前記キャパシタ
素子の前記導電膜上に所望の金属膜が所定パターンに形
成され、前記金属膜上に、この金属膜とは異なる面積サ
イズで所望の陽極酸化膜が形成され、前記キャパシタ素
子の前記陽極酸化膜の上面に上電極が形成されている、
配線基板に係るものである。

【００３５】又、キャパシタ素子の下電極及びその他の
素子の電極のうち少なくとも前記キャパシタ素子の下電
極用の導電膜が基板上に形成され、少なくとも前記キャ
パシタ素子の前記導電膜上に所望の金属膜が所定パター
ンに形成され、少なくとも前記キャパシタ素子の前記金
属膜上に、この金属膜とは異なる面積サイズで所望の陽
極酸化膜が形成され、前記キャパシタ素子の前記陽極酸
化膜の上面に上電極が形成されている配線基板を有し、
この配線基板上に電子部品がマウントされている、モジ
ュール基板に係るものである。

【００３６】又、基板上に下電極を形成する工程と、前
記下電極上に金属膜を形成する工程と、前記金属膜の下
面に絶縁層が存在する場合には、この絶縁層と前記金属
膜との間に接着膜を形成する工程と、前記金属膜を請求
項１〜１６に記載の何れかの状態で陽極酸化して陽極酸
化膜を形成する工程と、前記陽極酸化膜の上面に上電極
を形成する工程とを有するキャパシタ素子の形成方法に
係るものである。

【００３７】又、キャパシタ素子の下電極及びその他の
素子の電極用の導電膜を形成する工程と、前記下電極上
に金属膜を形成する工程と、前記金属膜の下面に絶縁層
が存在する場合には、この絶縁層と前記金属膜との間に
接着膜を形成する工程と、前記金属膜を請求項１７〜２
６に記載の何れかの状態で陽極酸化して陽極酸化膜を形
成する工程と、前記導電膜をパターニングする工程と、
前記キャパシタ素子の前記陽極酸化膜の上面に前記キャ
パシタ素子の上電極を形成する工程とを有する複合薄膜
素子の形成方法に係るものである。

【００３８】又、キャパシタ素子の下電極及びその他の
素子の内、少なくとも前記キャパシタ素子の下電極用の
導電膜が基板上に形成され、少なくとも前記キャパシタ
素子の前記導電膜上に所望の金属膜が所定パターンに形
成され、前記金属膜上に、この金属膜とは異なる面積サ
イズで所望の陽極酸化膜が形成され、前記キャパシタ素
子の前記陽極酸化膜の上面に上電極が形成されていると
共に、前記金属膜とこの下側の絶縁層との間に接着膜が
形成されている、配線基板に係るものである。

【００３９】又、キャパシタ素子の下電極及びその他の
素子の電極のうち少なくとも前記キャパシタ素子の下電
極用の導電膜が基板上に形成され、少なくとも前記キャ
パシタ素子の前記導電膜上に所望の金属膜が所定パター
ンに形成され、少なくとも前記キャパシタ素子の前記金
属膜上に、この金属膜とは異なる面積サイズで所望の陽
極酸化膜が形成され、前記キャパシタ素子の前記陽極酸
化膜の上面に上電極が形成されていると共に、前記金属
膜とこの下側の絶縁層との間に接着膜が形成されている
配線基板を有し、この配線基板上に電子部品がマウント
されている、モジュール基板に係るものである。

【００４０】本発明によれば、基板上の下電極上に金属
膜を所定パターンに形成し、この金属膜を陽極酸化して
いるので、少ない面積を陽極酸化すればよいことにな
り、従来のように基板全面を陽極酸化するよりも給電が
容易かつ低パワーですみ、また、陽極酸化後に酸化膜と
共に下地の金属膜をエッチングでパターニングする必要
がない。従って、工程を簡略化でき、無駄が少なくてコ
ストが低く抑えられ、特にキャパシタ誘電体においては
室温での形成が可能であり、その膜厚の制御がしやす
く、更にプラズマエッチング等が不要となって素子への
ダメージが少なくなり、絶縁性が良好となり、歩留りも
上がり易い。

【００４１】又、金属膜と絶縁層との間にタンタル膜等
の接着膜が成膜されることによって、金属膜の特性をほ
とんど変化させずに金属膜と絶縁層との密着性を向上で
きる。なおこの際に、後述の第１〜第９の実施の形態を
適用してもよい。

【００４２】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態においては、
上電極の上面に絶縁層を設け、前記絶縁層の所定の個所
に穴を形成する工程と、前記絶縁層の上面及びその側方
等に電極材を形成し、キャパシタ素子の上電極及び下電
極のうち少なくとも前記上電極、更には他の素子の電極
を前記電極材により電気的に取り出す工程とを有するの
が望ましい。

【００４３】又、金属膜が、タンタル、窒化タンタル及
びアルミニウムのいずれかからなり、前記下電極が少な
くとも非バルブ金属膜（陽極酸化されない金属膜）であ
り、前記他の素子が抵抗素子であるのが望ましい。

【００４４】又、キャパシタ素子及び／または抵抗素子
が絶縁層を介して多層化されて配置されていて、前記基
板が、アルミナ、ガラスセラミックス、アルミニウムナ
イトライド、ムライトなどのセラミック多層基板である
のが望ましい。

【００４５】又、前記基板が、ガラスエポキシ、ポリイ
ミド、ビスマレイミド／トレアジン樹脂、ポリフェニレ
ンエーテル樹脂、フェノール樹脂、ポリオレフィン樹
脂、テフロン、液晶ポリマー等の有機多層基板であるの
が望ましい。

【００４６】又、前記基板が、アルミナ、ガラスセラミ
ックス、アルミニウムナイトライド、ムライトなどから
なるセラミック多層基板、もしくは、ガラスエポキシ、
ポリイミド、ビスマレイミド／トレアジン樹脂、ポリフ
ェニレンエーテル樹脂、フェノール樹脂、ポリオレフィ
ン樹脂、液晶ポリマーなどからなる有機多層基板であ
り、その少なくとも一方の面には、感光性もしくは非感
光性エポキシ、或いは、感光性もしくは非感光性ポリイ
ミド、或いは、感光性もしくは非感光性ベンゾシクロブ
テン（ＢＣＢ）、液晶ポリマーなどの樹脂素材に銅メッ
キなどによる高密度配線が形成されているビルドアップ
基板であるのが望ましい。

【００４７】又、電子部品が半導体チップ等のチップ部
品であるのが望ましい。

【００４８】次に、本発明の他の実施の形態において
は、接着膜としてのタンタル膜の厚さが、前記金属膜と
しての窒化タンタル膜の厚さよりも薄く、この下面の前
記絶縁層が、ポリイミド、ベンゾシクロブテン、エポキ
シ系又はアクリル系樹脂等の樹脂であるのが望ましい。

【００４９】又、金属膜が窒化タンタルからなり、かつ
接着膜がタンタルからなっていて、下電極が少なくとも
陽極酸化されない金属膜であるのが望ましい。

【００５０】又、他の素子が抵抗素子であり、キャパシ
タ素子および／または抵抗素子が絶縁層を介して多層化
されて配置されているのが望ましい。

【００５１】又、基板が、アルミナ、ガラスセラミック
ス、アルミニウムナイトライド、ムライトなどのセラミ
ック多層基板であり、又、ガラスエポキシ、ポリイミ
ド、ビスマレイミド／トレアジン樹脂、ポリフェニレン
エーテル樹脂、フェノール樹脂、ポリオレフィン樹脂、
テフロン、液晶ポリマーなどの有機多層基板であるのが
望ましい。

【００５２】又、基板が、アルミナ、ガラスセラミック
ス、アルミニウムナイトライド、ムライトなどからなる
セラミック多層基板、もしくは、ガラスエポキシ、ポリ
イミド、ビスマレイミド／トレアジン樹脂、ポリフェニ
レンエーテル樹脂、フェノール樹脂、ポリオレフィン樹
脂、液晶ポリマーなどからなる有機多層基板であり、そ
の少なくとも一方の面には、感光性もしくは非感光性エ
ポキシ、或いは、感光性もしくは非感光性ポリイミド、
或いは、感光性もしくは非感光性ベンゾシクロブテン、
液晶ポリマーなどの樹脂素材に銅メッキ等による高密度
配線が形成されているビルドアップ基板であり、電子部
品が半導体チップなどのチップ部品であるのが望まし
い。

【００５３】次に、本発明の好ましい実施の形態を図面
の参照下に具体的に説明する。

【００５４】第１の実施の形態 まず、本発明の第１の実施の形態によるキャパシタの製
造工程について説明する。基本的には、本実施の形態で
はキャパシタの誘電体としては酸化タンタルを用い、タ
ンタルもしくは窒化タンタルの陽極酸化を利用して、そ
の表面に酸化タンタル膜を成長させて形成する。

【００５５】図１〜３に、本発明の第１の実施の形態に
ついての概略図を示す。

【００５６】まず、基体となる例えばコア基板１（以
下、同様）上の絶縁層２の上に、キャパシタの下電極３
を形成する（図１（ａ））。この下電極３の素材として
は、例えば、Ｃｕ（銅）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｐｔ
（プラチナ）、Ａｕ（金）などの金属膜が挙げられ、
又、下地の絶縁層２との密着性の向上の為に、Ｔｉ（チ
タン）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｒ（クロム）等をその間
に設けてもよい。

【００５７】絶縁層２は、例えば、ポリイミドやベンゾ
シクロブテンやエポキシ系樹脂などの低誘電率樹脂材料
や、ＳｉＯ₂等の誘電体材料からなっていてよい。

【００５８】そして、下電極３の上に、キャパシタの誘
電体を形成する為のバルブ金属膜１１をバルブ金属材料
のスパッタリング又は蒸着後のパターニングにより形成
する（図１（ｂ））。

【００５９】なお、バルブ金属は、電解液中で陽極とし
て、陰極−陽極間に電圧を与えて陽極酸化することによ
り、表面に酸化被膜が形成される金属からなり（即ち、
陽極酸化可能であり）、例えば、Ｔａ（タンタル）、Ｔ
ａＮ（窒化タンタル）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｔｉ（チタ
ン）、Ａｌ（アルミニウム）等の金属が挙げられる。こ
のバルブ金属膜１１は、例えば、スパッタや蒸着などに
より、例えば２０００Å程度の厚みの薄膜に形成した
後、例えば、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）等のドラ
イエッチングやウエットエッチング又はリフトオフ法に
よりパターニング可能である。

【００６０】そして、次に、バルブ金属膜１１を陽極酸
化する前に、所望の箇所を陽極酸化する為の開口マスク
２１で被覆する（図１（ｃ））。

【００６１】この開口マスク２１は、例えば、フォトレ
ジストやレジストフィルムをパターニングして形成して
もよいし、又は、電気的絶縁材料、例えば、ＳｉＯ₂膜
等により形成してもよい。但し、特に後で剥離する必要
があるので、基板１から容易に剥離可能であるものが望
ましい。

【００６２】そして、この後、下電極３を給電用、即ち
陽極として電解液中で陽極酸化を行うことにより、バル
ブ金属膜１１上の開口マスク２１の開口部７１が選択的
に陽極酸化され、その上面に陽極酸化膜１２が成長する
（図１（ｄ））。

【００６３】ここで、陽極酸化の電解液としては、例え
ばホウ酸アンモニウムや燐酸アンモニウム等が挙げら
れ、またこの陽極酸化の際の印加電圧により、成長させ
られる酸化膜１２の厚みが決定され、その印加電圧に応
じた所望の厚みの酸化膜を形成できる（以下、同様）。
又、陽極酸化の際には、十分な時間で印加電圧を印加
し、バルブ金属１１から電解液中に流れ出る電流を十分
に低減する必要がある。

【００６４】その後、開口マスク２１を除去し（図２
（ｅ））、下電極３を所望によりパターニングし（図２
（ｆ））、またキャパシタの上電極６をパターニングに
より形成する（図２（ｇ））。

【００６５】この上電極６の材料は、下電極３と同等の
材料でよく、パターニング方法も同様である。そして、
その上部に、さらに絶縁層７を形成し、電極取り出し用
のヴィアホール３１を形成する（図２（ｈ））。

【００６６】絶縁層７の材料は、上述の絶縁層２と同様
の材料でよく、又、ヴィアホール３１を形成するには、
絶縁層７に感光性材料、例えば感光性ポリイミドや感光
性ＢＣＢ等を使用した場合には、絶縁層７を形成する際
にパターン露光及び現像により同時に形成できる。又、
絶縁層７が非感光性材料の場合には、例えばレーザ照射
によるレーザヴィア等により形成可能である。

【００６７】そして、最後に、さらに上面に、電極材８
をパターニングによりヴィアホール３１から絶縁層７上
に形成することにより、下電極３‐誘電体膜（陽極酸化
膜）１２−上電極６及び電極８からなる薄膜キャパシタ
が完成する（図３（ｉ））。

【００６８】即ち、本発明の第１の実施の形態は、図１
から図３にその一例を示すように、バルブ金属膜１１を
陽極酸化することにより該バルブ金属膜１１上に酸化膜
１２を形成し、該酸化膜１２を誘電体膜として利用する
キャパシタ素子の形成方法であって、該方法が、キャパ
シタの下電極３を形成する工程と、下電極３上にバルブ
金属膜１１をパターニング形成する工程と、バルブ金属
膜１１上に、所望の酸化膜１２を形成する為の開口部７
１を有する開口マスク２１をパターニング形成する工程
と、下電極３を陽極として電解液中で前記開口部７１の
バルブ金属膜１１を選択的に陽極酸化して陽極酸化膜１
２を形成する工程と、開口マスク２１を除去する工程
と、下電極３をパターニングする工程と、酸化膜１２の
上面にキャパシタの上電極６を形成する工程とを有す
る。

【００６９】そして、これらの工程により、マスク２１
を用いて、既にパターン化されたバルブ金属膜１１の所
望の箇所にキャパシタ誘電体としての陽極酸化膜１２を
低電力で容易に形成でき、また、陽極酸化により酸化膜
１２を室温で容易に形成することができ、形成された酸
化膜１２は、スパッタにより直接形成された膜と比較し
て絶縁性が極めてよく、更に従来のようにドライエッチ
ングによらないでバルブ金属膜の陽極酸化で形成できる
ために素子へのダメージも少ないというメリットがある
（以下、同様）。

【００７０】第２の実施の形態 次に、図４〜図５に、本発明の第２の実施の形態を示
す。

【００７１】この例では、図１〜図３の工程と比較し
て、図４（ｂ）に示すように、バルブ金属膜１１をパタ
ーニング形成した後に、開口マスク２１は設けずに、陽
極酸化する際には、全面を電解液に浸して、下電極３を
陽極として陽極酸化する（図４（ｃ））。

【００７２】この場合には、下電極３の材料としては、
下電極３の少なくとも表面は、少なくともバルブ金属で
はない、例えばニッケル等の材料を用いる。これによ
り、陽極酸化において、バルブ金属１１は選択的に陽極
酸化されるが、同時に、電解液中にさらされる下電極３
は非バルブ金属である為、陽極酸化されず、配線の損傷
は起こりにくい。したがって、図４（ｃ）に示すよう
に、バルブ金属膜１１上及び側方のみに酸化膜１２が成
長するので、下電極３には影響を及ぼさず、電極の剥離
等は生じにくい（ただし、図１〜図３の場合と異なり、
陽極酸化中には、下電極３の膜から電流が常時流れる。

【００７３】その後の工程は、図２〜図３と同様に行う
ことにより、同様の薄膜キャパシタを形成できる。

【００７４】即ち、下電極３を所望によりパターニング
し（図４（ｄ））、キャパシタの上電極６をパターニン
グにより形成する（図４（ｅ））。

【００７５】この上電極６の材料は、下電極３と同等の
材料でよく、パターニング方法も同様である。そして、
その上部に、さらに絶縁層７を形成し、電極取り出し用
のヴィアホール３１を形成する（図５（ｆ））。

【００７６】上述した第１の実施の形態と同様に、絶縁
層７の材料は、絶縁層２と同様の材料でよく、また、ヴ
ィアホール３１を形成するには、絶縁層７に感光性材
料、例えば感光性ポリイミドや感光性ＢＣＢ等を使用し
た場合には、絶縁層７を形成する際に同時に形成でき
る。又、絶縁層７が非感光性材料の場合には、例えばレ
ーザ照射によるレーザヴィア等により形成可能である。

【００７７】そして、最後に、さらに上面に電極材８を
パターニング形成することにより、薄膜キャパシタが完
成する（図５（ｇ））。

【００７８】即ち、本発明の第２の実施の形態は、図４
〜図５にその一例を示すように、バルブ金属膜１１を陽
極酸化することにより該バルブ金属膜１１上に陽極酸化
膜１２を形成し、該酸化膜１２を誘電体膜として利用す
るキャパシタ素子の形成方法であって、該方法が、キャ
パシタの下電極３を形成する工程と、下電極３上にバル
ブ金属膜１１をパターニング形成する工程と、下電極３
を陽極として電解液中でバルブ金属膜１１を陽極酸化し
て陽極酸化膜１２を形成する工程と、酸化膜１２の上面
にキャパシタの上電極６を形成する工程とを有する。

【００７９】そして、これらの工程により、第１の実施
の形態で用いたマスク２１を用いないでも、パターン化
されたバルブ金属膜１１の表面に陽極酸化により酸化膜
１２を室温で容易に形成することができ、さらに、形成
された酸化膜１２は、スパッタにより直接形成された膜
と比較して絶縁性が極めてよい等のメリットがある。

【００８０】第３の実施の形態 次に、図６〜図８に、本発明の第３の実施の形態を示
す。

【００８１】なお、図１〜図３および図４〜図５の例で
は、キャパシタの構造が、バルブ金属膜１１及び陽極酸
化膜１２から成る誘電体を挟む下電極３及び上電極６に
より、上下方向に電極の取り出しがなされるように形成
されているが、図６〜図８の例では、下電極３及び上電
極６により、図面左右方向に電極の取り出しが可能な構
造を有する（図３４に示したような）キャパシタ形成工
程について示している。

【００８２】基本的な工程については、図１〜図３およ
び図４〜図５と同様であるが、図６〜図８の工程につい
ては、図６（ｂ）に示すように、バルブ金属膜１１のパ
ターニング形成工程の前に、下電極３のパターニングを
行って、キャパシタ上電極６による横方向への取り出し
の為の開口部４１を設ける。

【００８３】そして、図６（ｃ）に示すように、下電極
３の上面及び開口部４１側の側面に接するようにバルブ
金属膜１１をパターニング形成する。さらに、開口マス
ク２１により、図１（ｃ）と同様に所望の箇所のバルブ
金属膜１１を露出させて（図６（ｄ））、陽極酸化を行
い、陽極酸化膜１２を成長させる（図７（ｅ））。

【００８４】ここで、図７（ｅ）においては、下電極３
は既にパターニングされているが、陽極酸化において
は、下電極３が基板１の端部からの電極の取り出しがな
されており、下電極３により陽極酸化電圧が印加される
ようなパターン化されている。

【００８５】そして、陽極酸化を終えた後に、開口マス
ク２１を除去し（図７（ｆ））、そして、下電極３を再
度パターニングして所望の配線パターンを形成する（図
７（ｇ））。

【００８６】さらに、キャパシタの上電極６をパターニ
ング形成する（図７（ｈ））。このとき、図７（ｈ）に
示すように、上電極６のパターンは、下電極３と電気的
に導通せず、キャパシタの横方向に電極を取り出すこと
が可能となる（なお、図１〜図３の構造では、上電極６
を横方向に取り出すと、下電極３が電気的にバルブ金属
膜１１と通じて導通してしまう）。

【００８７】この後の工程は、図２〜図３と同様である
が、上記の上電極６の材料は、下電極３と同等の材料で
よく、パターニング方法も同様である。

【００８８】そして、第１の実施の形態と同様に、その
上部に、絶縁層７を形成し、電極取り出し用のヴィアホ
ール３１を形成する（図８（ｉ））。絶縁層７の材料
は、上述の絶縁層２と同様の材料でよく、又、ヴィアホ
ール３１を形成するには、絶縁層７に感光性材料、例え
ば感光性ポリイミドや感光性ＢＣＢ等を使用した場合に
は、絶縁層７を形成する際に同時に形成できる。また、
絶縁層７が非感光性材料の場合には、例えばレーザ照射
によるレーザヴィア等により形成可能である。

【００８９】そして、最後に、さらに、上面に電極材８
をパターニング形成することにより、薄膜キャパシタが
完成する（図８（ｊ））。

【００９０】即ち、本発明の第３の実施の形態は、図６
〜図８にその一例を示すように、バルブ金属膜１１を陽
極酸化することにより該バルブ金属膜１１上に陽極酸化
膜１２を形成し、該酸化膜１２を誘電体膜として利用す
るキャパシタ素子の形成方法であって、該方法が、キャ
パシタの下電極３を形成する工程と、下電極３に開口部
４１を設けるようパターニングする工程と、主に下電極
３の上に設けられたバルブ金属膜１１上に、所望の陽極
酸化膜１２を形成するための開口部を有する開口マスク
２１をパターニング形成する工程と、下電極３を陽極と
して電解液中で開口部７１のバルブ金属膜１１を陽極酸
化して陽極酸化膜１２を形成する工程と、開口マスク２
１を除去する工程と、下電極３を再度所望のパターンに
パターニングする工程と、酸化膜１１の上面及び側面に
キャパシタの上電極６を形成する工程とを有する。

【００９１】そして、これらの工程により、マスクを用
いてバルブ金属膜１１の所望の箇所にキャパシタ誘電体
の陽極酸化膜１２を容易に形成でき、又、陽極酸化によ
り酸化膜１２を室温で容易に形成することができ、さら
に、形成された酸化膜１２は、スパッタにより直接形成
された膜と比較して絶縁性が極めてよい等というメリッ
トがある。

【００９２】又、上下方向のみならず、横方向への電極
の取り出しの可能な薄膜キャパシタ素子を形成すること
ができる。これによって電極の取り出し位置に自由度を
もたせることができる。

【００９３】第４の実施の形態 次に、図９〜図１０に、本発明の第４の実施の形態を示
す。

【００９４】図１〜図３および図４〜図５の例では、キ
ャパシタの構造が、バルブ金属膜１１及び酸化膜１２か
らなる誘電体をはさむ下電極３及び上電極６により、上
下方向に電極の取り出しがなされるように形成されてい
るが、図９〜図１０では、下電極３及び上電極６によ
り、左右方向に電極の取り出しが可能な構造を有する
（図３４に示したような）キャパシタ形成工程について
示している。

【００９５】基本的な工程については、図１〜図３およ
び図４〜図５と同様であるが、図９〜図１０は、図６〜
図８の工程において、開口マスク２１を使用せずに、バ
ルブ金属膜１１を陽極酸化させる工程の一例である。基
本的には、図４〜図５と同様の工程をとり、図６〜図８
と同様に、上電極６を横方向に取出し可能にするための
開口部４１を設けるものである。

【００９６】次に、上記の工程を詳述すると、図９
（ｂ）に示すように、バルブ金属膜１１のパターニング
形成工程の前に、下電極３の加工を行って、キャパシタ
上電極６による横方向への取り出しの為の開口部４１を
設ける。

【００９７】そして、図９（ｃ）に示すように、下電極
３の上面及び開口部４１側の側面に接するようにバルブ
金属膜１１をパターニング形成する。次に、陽極酸化を
行って、陽極酸化膜１２を成長させる（図９（ｄ））。

【００９８】ここで、図９（ｄ）においては、下電極３
は既に加工されているが、陽極酸化においては、下電極
３が基板１の端部から取り出され、下電極３により陽極
酸化電圧が印加されるようなパターンとなっている。

【００９９】陽極酸化を終えた後に、下電極３をパター
ニングして所望の配線パターンを形成する（図１０
（ｅ））。

【０１００】さらに、キャパシタの上電極６をパターニ
ング形成する（図１０（ｆ））。このとき、図１０
（ｆ）に示すように、上電極６のパターンは、下電極３
と電気的に導通せず、キャパシタの横方向に電極を取り
出すことが可能となる（なお、図１〜図３の構造では、
上電極６を横方向に取り出すと、下電極３が電気的にバ
ルブ金属膜１１を通じて導通してしまう）。

【０１０１】この後の工程は図１〜図３と同様である
が、上記の上電極６の材料は、下電極３と同等の材料で
よく、パターニング方法も同様である。

【０１０２】そして、第１の実施の形態と同様に、その
上部に、絶縁層７を形成し、電極取り出し用のヴィアホ
ール３１を形成する（図１０（ｇ））。絶縁層７の材料
は、上述の絶縁層２と同様の材料でよく、またヴィアホ
ール３１を形成するには、絶縁層７に感光性材料、例え
ば感光性ポリイミドや感光性ＢＣＢ等を使用した場合に
は、絶縁層７を形成する際に同時に形成できる。又、絶
縁層７が非感光性材料の場合には、例えばレーザ照射に
よるレーザヴィア等により形成可能である。

【０１０３】そして、最後に、さらに、上面に電極材８
をパターニング形成することにより、薄膜キャパシタが
完成する（図１０（ｈ））。

【０１０４】即ち、本発明の第４の実施の形態は、図９
〜図１０にその一例を示すように、バルブ金属膜１１を
陽極酸化することにより該バルブ金属膜１１上に陽極酸
化膜１２を形成し、該酸化膜１２を誘電体膜として利用
するキャパシタ素子の形成方法であって、該方法が、キ
ャパシタの下電極３を形成する工程と、下電極３に開口
部４１を設ける工程と、下電極３上から前記開口部にか
けてバルブ金属膜１１をパターニング形成する工程と、
下電極３を陽極として電解液中でバルブ金属膜１１を陽
極酸化して酸化膜を形成する工程と、陽極酸化膜１２の
上面から側方にキャパシタの上電極６を形成する工程と
からなり、さらに、この上電極の上面に絶縁層７を設
け、この絶縁層７の所定の箇所にヴィアホール３１を形
成する工程と、絶縁層７の上面に電極材８をパターニン
グ形成し、キャパシタの上電極６および下電極３を電極
材８により電気的に取り出す工程とからなることを特徴
とする。バルブ金属膜１１が、タンタルまたは窒化タン
タル、アルミニウムのいずれかからなっており、酸化タ
ンタル又は酸化アルミニウムの誘電体膜を陽極酸化膜１
２として形成でき（これは、他の実施の形態も同様）、
又、下電極３は少なくとも非バルブ金属膜であることが
よい。

【０１０５】そして、これらの工程により、マスクなし
でも陽極酸化により酸化膜１２を室温で容易に形成する
ことができ、さらに、形成された酸化膜１２は、スパッ
タにより直接形成された膜と比較して絶縁性が極めてよ
い等というメリットがある。

【０１０６】又、上下方向のみならず、横方向の電極の
取り出しの可能な薄膜キャパシタを形成することができ
る。

【０１０７】第５の実施の形態 以上、本発明をキャパシタ形成工程の具体的な実施の形
態の数例を示したが、次に、上述のキャパシタ形成工程
を使用し、この形成工程と同時に、薄膜抵抗も形成する
工程について説明する。

【０１０８】この薄膜キャパシタおよび薄膜抵抗体の同
時形成工程においては、キャパシタ誘電体膜の形成は陽
極酸化で行い、キャパシタ誘電体形成のためのバルブ金
属膜および抵抗体の材料は、バルブ金属であるＴａもし
くはＴａＮとする。

【０１０９】図１１〜図１８に、本発明の第５の実施の
形態を示す。なお、図１１〜図１４はそれぞれの工程の
断面図、図１５〜図１８は各断面図に対応するそれぞれ
の工程の上面図である。

【０１１０】まず、コア基板１上の絶縁層２の上に、キ
ャパシタの下電極３を形成する（図１１（ａ））、（図
１５（ａ））。そして、抵抗体を形成する為の開口部４
１を設けるよう、下電極３の加工を行う（図１１
（ｂ））、（図１５（ｂ））。その後、開口部４１内及
び下電極３の上に、抵抗体、およびキャパシタの誘電体
を形成する為のバルブ金属膜１１を、同時にパターニン
グにより形成する（図１１（ｃ））、(図１５（ｃ）)。
バルブ金属膜１１は、抵抗体領域では開口部４１に被着
され、キャパシタ領域では下電極３上に被着される。

【０１１１】次に、バルブ金属膜１１の所望の箇所を陽
極酸化する為の開口部８１を有する開口マスク２１を形
成する（図１２（ｄ））、（図１６（ｄ））。このと
き、図１１〜図１４では、抵抗体のバルブ金属膜１１の
上面は陽極酸化しない為に開口部８１は設けない工程と
なっている。但し、例えば、抵抗体の表面保護のために
表面を酸化させる為に、抵抗体領域のバルブ金属膜１１
も同時に陽極酸化させてもよい（なお、後述の第６の実
施の形態において図１９〜図２２にその工程を示す）。

【０１１２】そして、この後、下電極３を電気的な取り
出し電極として、又陽極として電解液中で陽極酸化を行
うことにより、バルブ金属膜１１上の開口マスク２１の
開口部８１が陽極酸化され、その上面に陽極酸化膜１２
が成長する（図１２（ｅ））、（図１６（ｅ））。

【０１１３】その後、開口マスク２１を除去し（図１２
（ｆ））、（図１６（ｆ））、下電極３を所望のパター
ンにパターニングし（図１３（ｇ））、（図１７
（ｇ））、キャパシタの上電極６を陽極酸化膜１２の上
にパターニングにより形成する（図１３（ｈ））、（図
１７（ｈ））。

【０１１４】そして、その上部に、絶縁層７を形成し、
加えて、電極取り出し用のヴィアホール３１を形成する
（図１３（ｉ））、（図１７（ｉ））。そして、最後
に、上面に電極材８をパターニング形成することによ
り、薄膜キャパシタおよび薄膜抵抗が完成する（図１４
（ｊ））、（図１８（ｊ））。

【０１１５】即ち、本発明の第５の実施の形態は、図１
１〜図１４及び図１５〜図１８にその一例を示すよう
に、バルブ金属膜１１を陽極酸化することにより該バル
ブ金属膜１１上に陽極酸化膜１２を形成し、該酸化膜１
２を誘電体膜として利用するキャパシタ素子、およびバ
ルブ金属膜１１を抵抗体とする抵抗素子を形成する、キ
ャパシタおよび抵抗素子の同時形成方法であって、該方
法が、キャパシタの下電極３及び抵抗素子の電極用の導
電膜（下電極３）を形成する工程と、導電膜（下電極
３）に開口部４１を設ける工程と、導電膜（下電極３）
上及び開口部４１内に所望のバルブ金属膜１１をパター
ニング形成する工程と、バルブ金属膜１１上に、所望の
陽極酸化膜１２を形成する為の開口部８１を有する開口
マスク２１をパターニング形成する工程と、導電膜（下
電極３）を陽極として電解液中で開口部８１のバルブ金
属膜１１を陽極酸化して陽極酸化膜１２を形成する工程
と、開口マスク２１を除去する工程と、導電膜（下電極
３）を再度パターニングする工程と、キャパシタ素子の
陽極酸化膜１２の上面にキャパシタの上電極６を形成す
る工程とを有することを特徴とする。

【０１１６】これらの工程により、マスクを用いてバル
ブ金属膜１１の所望の箇所にキャパシタ誘電体の陽極酸
化膜１２を容易に形成でき、又、陽極酸化により、酸化
膜１２を室温で容易に形成することができ、さらに、形
成された酸化膜１２は、スパッタにより直接形成された
膜と比較して絶縁性が極めてよい等というメリットがあ
る。

【０１１７】又、これらの工程により、抵抗体及びキャ
パシタ誘電体形成用のバルブ金属膜に同通の材料である
ＴａやＴａＮ等の金属を使用することにより、抵抗体お
よびキャパシタを同時にかつ容易に形成することができ
る。

【０１１８】なお、以上の効果は、マスク２１を用いな
い場合でも同様であることは上述した実施の形態からみ
て容易に理解されよう。

【０１１９】第６の実施の形態 次に、図１９〜図２２に、本発明の第６の実施の形態を
示す。なお、図１９〜図２２はそれぞれの工程の断面図
である。

【０１２０】まず、コア基板１上の絶縁層２の上に、キ
ャパシタの下電極３を形成する（図１９（ａ））。そし
て、抵抗体を形成する為の開口部４１を設けるよう、下
電極３の加工を行う（図１９（ｂ））。その後、開口部
４１内及び下電極３の上に、抵抗体、及びキャパシタの
誘電体を形成する為のバルブ金属膜１１を同時にパター
ニングにより形成する（図１９（ｃ））。

【０１２１】次に、バルブ金属膜１１の所望の箇所を陽
極酸化する為の開口部８１を有する開口マスク２１を形
成する（図２０（ｄ））。このとき、図１１〜図１４の
工程では、抵抗体のバルブ金属膜１１は陽極酸化しない
為に開口部８１は設けない工程となっているが、本工程
では、抵抗体の表面保護の為に表面を酸化させるべく、
抵抗体領域のバルブ金属膜１１も同時に陽極酸化させる
ように抵抗体上にも開口部８１を設ける。

【０１２２】そして、この後、下電極３を電気的な取り
出し電極として、又陽極として電解液中で陽極酸化を行
うことにより、双方のバルブ金属膜１１が開口マスク２
１の開口部８１において陽極酸化され、各上面に陽極酸
化膜１２が成長する（図２０（ｅ））。この陽極酸化膜
は抵抗体の絶縁保護膜になる。

【０１２３】その後、開口マスク２１を除去し（図２０
（ｆ））、下電極３を所望の配線パターンにパターニン
グし（図２１（ｇ））、キャパシタの上電極６をパター
ニング形成する（図２１（ｈ））。

【０１２４】そして、その上部に、絶縁層７を形成し、
加えて、電極取り出し用のヴィアホール３１を形成する
（図２１（ｉ））。そして、最後に、上面に電極材８を
パターニング形成することにより、薄膜キャパシタおよ
び薄膜抵抗が完成する（図２２（ｊ））。

【０１２５】即ち、本発明の第６の実施の形態は、図１
９〜図２２にその一例を示すように、バルブ金属膜１１
を陽極酸化することにより該バルブ金属膜１１上に陽極
酸化膜１２を形成し、該酸化膜１２を誘電体膜として利
用するキャパシタ素子、及びバルブ金属膜１１を抵抗体
とする抵抗素子を同時に形成する素子形成方法であっ
て、該方法が、キャパシタの下電極３及び抵抗素子の電
極用の導電膜（下電極３）を形成する工程と、導電膜
（下電極３）に開口部４１を設ける工程と、開口部４１
及び導電膜（下電極３）上に所望のバルブ金属膜１１を
パターニング形成する工程と、バルブ金属膜１１上に所
望の陽極酸化膜１２を形成する為の開口部８１を有する
開口マスク２１をパターニング形成する工程と、導電膜
（下電極３）を陽極として電解液中で開口部８１の抵抗
体及びキャパシタの双方のバルブ金属膜１１を陽極酸化
して陽極酸化膜１２を形成する工程と、開口マスク２１
を除去する工程と、導電膜（下電極３）を再度パターニ
ングする工程と、キャパシタ素子の酸化膜１２の上面に
キャパシタの上電極６を形成する工程とを有することを
特徴とする。

【０１２６】これらの工程により、抵抗体およびキャパ
シタ誘電体形成用のバルブ金属膜１１に同通の材料であ
るＴａやＴａＮ等の金属を使用することにより、抵抗体
およびキャパシタを同時にかつ容易に形成することがで
き、また抵抗体の表面保護も陽極酸化で図ることができ
る。

【０１２７】また、これらの工程によって、バルブ金属
膜１１の所望の箇所にキャパシタ誘電体の酸化膜１２を
容易に形成でき、しかも、陽極酸化による酸化膜１２の
形成は室温で容易に行うことができ、さらに、形成され
た酸化膜１２は、スパッタにより直接形成された膜と比
較して絶縁性が極めて良好である等というメリットがあ
る。

【０１２８】第７の実施の形態 次に、図２３〜図２６、図２７〜図３０に、本発明の第
７の実施の形態を示す。なお、図２３〜図２６はそれぞ
れの工程の断面図、図２７〜図３０は各断面図に対応し
たそれぞれの工程の上面図である。

【０１２９】まず、コア基板１上の絶縁層２の上に、キ
ャパシタの下電極３を形成する（図２３（ａ））、（図
２７（ａ））。そして、抵抗体の形成及びキャパシタ電
極の横方向取出しの為の開口部４１を設けるよう、下電
極３の加工を行う（図２３（ｂ））、（図２７
（ｂ））。その後、開口部４１内及び下電極３の上に、
抵抗体及びキャパシタの誘電体を形成する為のバルブ金
属膜１１を同時にパターニングにより形成する（図２３
（ｃ））、（図２７（ｃ））。

【０１３０】次に、バルブ金属膜１１の所望の箇所を陽
極酸化する為の開口部８１を有する開口マスク２１を形
成する（図２４（ｄ））、（図２８（ｄ））。このと
き、図２３〜図２６の工程では、抵抗体のバルブ金属膜
１１は陽極酸化しない為に開口部８１は設けない。

【０１３１】そしてこの後、下電極３を電気的な取り出
し用として、又陽極として電解液中で陽極酸化を行うこ
とによりバルブ金属膜１１上の開口マスク２１の開口部
８１が陽極酸化され、その上面に陽極酸化膜１２が成長
する（図２４（ｅ））、（図２８（ｅ））。

【０１３２】その後、開口マスク２１を除去し（図２４
（ｆ））、（図２８（ｆ））、下電極３を所望のパター
ンにパターニングし（図２５（ｇ））、（図２９
（ｇ））、キャパシタの上電極６をパターニングにより
形成する（図２５（ｈ））、（図２９（ｈ））。

【０１３３】そして、その上部に、さらに、絶縁層７を
形成し、加えて、電極取り出し用のヴィアホール３１を
形成する（図２５（ｉ））、（図２９（ｉ））。そし
て、最後に、上面に電極材８をパターニング形成するこ
とにより、薄膜キャパシタおよび薄膜抵抗が完成する
（図２６（ｊ））、（図３０（ｊ））。

【０１３４】これらの工程により、抵抗体及びキャパシ
タ誘電体形成用のバルブ金属膜に共通の材料であるＴａ
やＴａＮ等の金属を使用することにより、抵抗体および
キャパシタを同時にかつ容易に形成することができる。

【０１３５】また、図２３〜図２６は、キャパシタの構
造として、図９〜図１０に示したような、横方向への電
極の取り出しを行うキャパシタを形成する工程を表した
ものである。基本的な形成工程は図１１〜図１４と同じ
であるが、図２３（ｂ）における下電極３の開口部４１
を設ける為のパターニングにおいて、キャパシタ部にお
いても開口部４１を設けている点が異なる。

【０１３６】なお、この図２３〜図２６の工程において
も同様に、キャパシタおよび抵抗体が同時に形成可能と
なる。

【０１３７】又、図２３〜図２６の工程においても、陽
極酸化のための開口マスク２１を設ける工程をとってい
るが、上述の図４〜図５及び図９〜図１０の工程で示し
たように、開口マスク２１を設けずに陽極酸化してもよ
い。

【０１３８】なお、本発明の第７の実施の形態は、図２
３〜図２６に示すように、バルブ金属膜１１を陽極酸化
することにより該バルブ金属膜１１上に陽極酸化膜１２
を形成し、該酸化膜１２を誘電体膜として利用するキャ
パシタ素子、及びバルブ金属膜１１を抵抗体とする抵抗
素子を同時に形成する素子形成方法であって、該方法
が、前記キャパシタの下電極３及び抵抗素子の電極用の
導電膜（下電極３）を形成する工程と、導電膜（下電極
３）に開口部４１を設ける工程と、導電膜（下電極３）
上及び開口部４１内に所望のバルブ金属膜１１をパター
ニング形成する工程と、バルブ金属膜１１上に所望の酸
化膜１２を形成する為の開口部８１を有する開口マスク
２１をパターニング形成する工程と、導電膜（下電極
３）を陽極として電解液中で開口部４１のバルブ金属膜
１１を陽極酸化して陽極酸化膜１２を形成する工程と、
開口マスク２１を除去する工程と、導電膜（下電極３）
を再度パターニングする工程と、キャパシタ素子の陽極
酸化膜１２の上面にキャパシタの上電極６を形成する工
程とを有し、さらに、この上電極６の上面に絶縁層７を
設け、この絶縁層７の所定の箇所にヴィアホール３１を
形成する工程と、絶縁層７上面に電極材８をパターニン
グ形成し、キャパシタの上電極６および下電極３を電極
材によって電気的に取り出す工程とからなることを特徴
とするものである。

【０１３９】なお、上記のバルブ金属膜は、タンタル、
窒化タンタル及びアルミニウムのいずれかであってよ
く、又、下電極は少なくとも非バルブ金属膜であること
がよい。

【０１４０】そして、これらの工程により、マスクを用
いてバルブ金属膜１１の所望の箇所にキャパシタ誘電体
の酸化膜１２を容易に形成でき、又、陽極酸化により酸
化膜１２を室温で容易に形成することができ、さらに、
形成された酸化膜１２は、スパッタにより直接形成され
た膜と比較して絶縁性が極めてよいというメリットがあ
る。

【０１４１】第８の実施の形態 次に、上記した第７の実施の形態、第５の実施の形態に
よりそれぞれ１層目、２層目の複合薄膜素子（キャパシ
タ及び抵抗体）を形成し、これらを使用して形成された
キャパシタ及び抵抗体を用いて、図３１のような、多層
配線基板を形成できる。なお、基板１として、例えば、
ＦＲ−４（耐久性のランクを表わす）相当の有機多層基
板やセラミック等の多層配線基板を使用し、その基板上
に、上述のキャパシタ及び抵抗体を用いて形成し、さら
に、それを多層化した多層配線基板を形成可能である。

【０１４２】即ち、この多層配線基板においては、図３
１にその一例を示すように、上記したキャパシタ及び抵
抗素子同時形成方法を用い、基板１上に薄膜キャパシタ
及び薄膜抵抗素子が形成される（図中の１３は絶縁層、
１０は導体層）。又、この配線基板において、キャパシ
タ素子及び／又は抵抗素子が絶縁層を介して多層化され
て配置されている。

【０１４３】又、基板１が、アルミナ、ガラスセラミッ
クス、アルミニウムナイトライド、ムライトなどのセラ
ミック多層基板であってよい。又、基板が、ガラスエポ
キシ、ポリイミド、ビスマレイミド／トレアジン樹脂、
ポリフェニレンエーテル樹脂、フェノール樹脂、ポリオ
レフィン樹脂、テフロン、液晶ポリマー等の有機多層基
板であってよい。

【０１４４】又、基板１がアルミナ、ガラスセラミック
ス、アルミニウムナイトライド、ムライトなどからなる
セラミック多層基板、もしくは、ガラスエポキシ、ポリ
イミド、ビスマレイミド／トレアジン樹脂、ポリフェニ
レンエーテル樹脂、フェノール樹脂、ポリオレフィン樹
脂、液晶ポリマー等からなる有機多層基板であり、その
少なくとも一方の面には、感光性もしくは非感光性エポ
キシ、或いは、感光性もしくは非感光性ポリイミド、或
いは、感光性もしくは非感光性ベンゾシクロブテン、液
晶ポリマーなどの樹脂素材に銅メッキ等による高密度配
線が形成されているビルドアップ基板であってよい。

【０１４５】なお、多層配線基板の層間絶縁膜として使
用する液晶ポリマー、例えば芳香族系液晶ポリエステル
は、高周波ノイズに強く、また大きな強さと弾性率、高
い荷重たわみ温度、連続使用温度、耐熱性や、低い吸水
率も示し、この為に、層間絶縁膜に好適といえる。この
液晶ポリマーは上述の絶縁層１３、２、７、９のいずれ
かに用いてよい。

【０１４６】第９の実施の形態 次に、図３２に示すように、図３１に示した多層配線基
板上に、ＩＣ（半導体素子５１）やチップ部品５２を搭
載し、モジュール基板として使用することもできる。即
ち、このモジュール基板においては、図３２にその一例
を示すように、上記の配線基板上に、ＩＣ（半導体素
子）チップ５１や他のチップ部品５２などを搭載したこ
とを特徴とする。

【０１４７】第１０の実施の形態 次に、抵抗体の材料に、スパッタや蒸着による薄膜を使
用した受動素子により抵抗体や薄膜配線を、リソグラフ
ィを利用して高精度にパターニングすることにより、極
めて高精度に受動素子を形成することができる。

【０１４８】さて、この薄膜を利用した抵抗体の例とし
て、図３５に、その一例の概略図を示すが、基板の基体
１上のベンゾシクロブテン等の絶縁層２の上に、接続さ
れていない２つの配線２３及び２４があり、その配線間
に抵抗体３４がスパッタ等の薄膜形成方法で形成され、
抵抗体をなしている。さらに、絶縁層２及び配線２３、
２４と接触する抵抗体３４の下面にはタンタル膜１５が
形成されている。

【０１４９】なお、この抵抗体６４の材料としては、ニ
ッケル−クロム（Ｎｉ−Ｃｒ）、窒化タンタル（Ｔａ
Ｎ）、タンタル（Ｔａ）等の様々な材料が挙げられる。

【０１５０】なお、抵抗体の材料の中では、窒化タンタ
ル（ＴａＮ）膜は、抵抗の温度係数（ＴＣＲ）が１００
ＰＰＭ／℃以下と小さな値が得られることと、寿命特性
などの安定性の面で優れていることとから、一般的によ
く使用されている。

【０１５１】なお、所定の効果があるならば、タンタル
膜の厚さは自由に変えてよい。

【０１５２】そして、絶縁層２と抵抗体３４（バルブ金
属膜）との間にタンタル膜１５が設けられることによっ
て、抵抗体３４（バルブ金属膜）の特性を変えずに、抵
抗体３４（バルブ金属膜）と絶縁層２との密着性を向上
させる。

【０１５３】第１１の実施の形態 次に、キャパシタの材料に、スパッタや蒸着による薄膜
を使用した受動素子により、キャパシタの誘電体の薄膜
や薄膜配線を、リソグラフィを利用して高精度にパター
ニングすることにより、極めて高精度に受動素子を形成
することができる。

【０１５４】さて、この薄膜を利用したキャパシタの例
としては、図３６に、その一例の概略図を示すが、基板
の基体１上のベンゾシクロブテン等の絶縁層２の上に、
一部が重なった２つの配線２３及び２４があり、その間
に（上下方向に）誘電体２５がスパッタ等の薄膜形成方
法や窒化タンタルの陽極酸化等で形成され、キャパシタ
を構成している。なお、絶縁層２及び配線２３と接触す
る誘電体２５の下面にはタンタル膜１５が形成されてい
る。

【０１５５】そして、この誘電体２５の材料としては、
酸化タンタル（Ｔａ₂Ｏ₅、ＴａＯ）や窒化シリコン（Ｓ
ｉ₃Ｎ₄）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ）等が挙げら
れる。

【０１５６】さらに、キャパシタの材料として、酸化タ
ンタル薄膜は、タンタル膜や窒化タンタル薄膜を陽極酸
化することにより、その表面に酸化物を成長させて形成
することも容易にできる。

【０１５７】その他、本実施の形態は、上述の第１０の
実施の形態の優れた作用効果を得ることができる。

【０１５８】さらに、本実施の形態においては、上述の
第１〜第９の実施の形態における誘電体膜の形成方法を
それぞれ適用してもよい。

【０１５９】次に、第１０及び第１１の実施の形態によ
る、抵抗素子及びキャパシタ（誘導体）素子の製造工程
について詳しく説明する。

【０１６０】図３５や図３６の、抵抗体３４及び陽極酸
化によるキャパシタ（誘導体）の下地となる窒化タンタ
ル（ＴａＮ）（バルブ金属膜）を成膜する際に、先にタ
ンタル１５を配線の上面及び絶縁層上面に薄く成膜す
る。例えば、通常窒化タンタル（ＴａＮ）を２０００Å
の厚みで成膜するところを、絶縁層２との密着性を高め
るために先に下地として予め、タンタルを例えば１００
Å程度の厚みに成膜した後に、バルブ金属膜となる窒化
タンタル（ＴａＮ）を残りの１９００Å成膜する。この
とき、タンタルは下地である絶縁層２とバルブ金属膜
（窒化タンタルＴａＮ）との密着性が改善される条件で
薄く成膜することが望ましい。

【０１６１】なお、タンタルと窒化タンタル（ＴａＮ）
とは、抵抗体においては、抵抗率としてはあまり大きく
変わらず、又、キャパシタの陽極酸化においても根本的
にはあまり変化はない。従って、窒化タンタル（Ｔａ
Ｎ）（バルブ金属膜）の絶縁層２との密着性を改善する
ために、例えばＣｒやＴｉやＮｉといった、通常使用さ
れるような他の金属のバリア層を使用する場合と比較
し、抵抗素子やキャパシタ素子を形成するときには、タ
ンタルを使用した方が特性的に変化をもたらすことが極
めて少ない。

【０１６２】又、例えば、窒化タンタル（ＴａＮ）をス
パッタにて成膜する場合には、窒化タンタル（ＴａＮ）
とタンタルとを成膜するときには、同じタンタルのター
ゲットが使用でき、タンタルを成膜する場合には、タン
タルターゲットをＡｒガス雰囲気にてスパッタし、窒化
タンタル（ＴａＮ）を成膜する場合には、Ａｒガスに加
えＮ₂ガスを少量加えることにより、或いはＮ₂ガスのリ
アクティブスパッタをすることにより、窒化タンタル
（ＴａＮ）を成膜することができ、容易に連続成膜する
ことができるという利点がある。

【０１６３】さて、具体的な実施の例として、バルブ金
属膜として窒化タンタル（ＴａＮ）を２０００Å成膜し
た場合と、タンタル２００Å＋窒化タンタル（ＴａＮ）
１８００Åで成膜した場合との特性を比較した。なお、
窒化タンタル（ＴａＮ）のスパッタ条件は、タンタルタ
ーゲットをＤＣパワーによりスパッタし、ガス圧を０．
７Ｐａ、Ａｒガスに対するＮ₂ガスの分圧比は５％とし
た。又、タンタルの成膜条件は、Ｎ₂ガスの導入を除い
た他は同じである。又、下の絶縁層２としては、ＢＣＢ
（ベンゾシクロブテン）を用いた。

【０１６４】結果的に、抵抗体としては、窒化タンタル
（ＴａＮ）を２０００Å成膜した場合には、比抵抗値が
２．４×１０^-6Ωｍであったのに対して、タンタル２０
０Å＋窒化タンタル（ＴａＮ）１８００Åで成膜した場
合には、比抵抗値は２．５×１０^-6Ωｍとなり、ほぼ変
化がなかった。又、抵抗温度変化係数（ＴＣＲ）は、上
記の各場合に対して、−９０ｐｐｍ／℃と−９５ｐｐｍ
／℃となり、ほぼ変化がなかった。

【０１６５】そして、陽極酸化によるキャパシタ形成に
おいては、電解液として、ホウ酸アンモニウムを用いて
１００Ｖの電圧により陽極酸化させた。結果として、窒
化タンタル（ＴａＮ）を２０００Å成膜した場合には、
キャパシタンスとして９２０ｐＦ／ｍｍ²が得られ、キ
ャパシタ温度変化係数（ＴＣＣ）は３８０ｐｐｍ／℃と
なった。それに対して、タンタル２００Å＋窒化タンタ
ル（ＴａＮ）１８００Åで成膜した場合には、キャパシ
タンスとして９４０ｐＦ／ｍｍ²が得られ、キャパシタ
温度変化係数（ＴＣＣ）は３９５ｐｐｍ／℃となり、両
者はほとんど変化がなかった。

【０１６６】又、絶縁層２との密着性に関しては、タン
タルを下地に用いた場合には、密着性が向上したことを
作製プロセスにおいて確認した。即ち、絶縁層２との密
着性を向上させる手段として、窒化タンタル（ＴａＮ）
膜の成膜下に、タンタルを薄く成膜することにより、抵
抗体素子及びキャパシタ素子を形成する際には、特性を
ほとんど変化させずに、密着性を向上させることが可能
となる。

【０１６７】第１２の実施の形態 次に、上記した第１０の実施の形態、第１１の実施の形
態等によりそれぞれ１層目、２層目の複合薄膜素子（キ
ャパシタ及び抵抗体）を形成し、これらを使用して形成
されたキャパシタ及び抵抗体を用いて、図３３のよう
な、多層配線基板を形成できる。なお、基板１として、
例えば、ＦＲ−４（耐久性のランクを表わす）相当の有
機多層基板やセラミック等の多層配線基板を使用し、そ
の基板上に、上述のキャパシタ及び抵抗体を用いて形成
し、さらに、それを多層化した多層配線基板を形成可能
である。

【０１６８】即ち、この多層配線基板においては、図３
３にその一例を示すように、上記したキャパシタ及び抵
抗素子同時形成方法を用い、基板１上に薄膜キャパシタ
及び薄膜抵抗素子が形成される（図中の１３は絶縁層、
１０は導体層）。又、この配線基板において、キャパシ
タ素子及び／又は抵抗素子がベンゾシクロブテン等の絶
縁層２や９を介して多層化されて配置され、例えば窒化
タンタル膜１１の下面にはそれらの絶縁層との間にタン
タル膜１５が接着膜として形成されている（以下、同
様）。

【０１６９】又、基板１が、アルミナ、ガラスセラミッ
クス、アルミニウムナイトライド、ムライトなどのセラ
ミック多層基板であってよい。又、基板が、ガラスエポ
キシ、ポリイミド、ビスマレイミド／トレアジン樹脂、
ポリフェニレンエーテル樹脂、フェノール樹脂、ポリオ
レフィン樹脂、テフロン、液晶ポリマー等の有機多層基
板であってよい。

【０１７０】又、基板１がアルミナ、ガラスセラミック
ス、アルミニウムナイトライド、ムライトなどからなる
セラミック多層基板、もしくは、ガラスエポキシ、ポリ
イミド、ビスマレイミド／トレアジン樹脂、ポリフェニ
レンエーテル樹脂、フェノール樹脂、ポリオレフィン樹
脂、液晶ポリマー等からなる有機多層基板であり、その
少なくとも一方の面には、感光性もしくは非感光性エポ
キシ、或いは、感光性もしくは非感光性ポリイミド、或
いは、感光性もしくは非感光性ベンゾシクロブテン、液
晶ポリマーなどの樹脂素材に銅メッキ等による高密度配
線が形成されているビルドアップ基板であってよい。

【０１７１】なお、多層配線基板の層間絶縁膜として使
用可能な液晶ポリマー、例えば芳香族系液晶ポリエステ
ルは、高周波ノイズに強く、また大きな強さと弾性率、
高い荷重たわみ温度、連続使用温度、耐熱性や、低い吸
水率も示し、この為に、層間絶縁膜に好適といえる。こ
の液晶ポリマーは上述の絶縁層１３、２、７、９のいず
れかに用いてよい。

【０１７２】その他、本実施の形態は、上述の第１０及
び第１１の実施の形態の優れた作用効果を得ることがで
きる。さらに、本実施の形態では、上述の第１〜第９の
実施の形態における誘電体膜や抵抗体の形成方法を適用
しても良い。

【０１７３】第１３の実施の形態 次に、図３４に示すように、図３３に示した多層配線基
板上に、ＩＣ（半導体素子５１）やチップ部品５２を搭
載し、モジュール基板として使用することもできる。即
ち、このモジュール基板においては、図３４にその一例
を示すように、上記の配線基板上に、ＩＣ（半導体素
子）チップ５１や他のチップ部品５２などを搭載したこ
とを特徴とする。

【０１７４】その他、本実施の形態は、上述の第１０及
び第１１の実施の形態の作用効果を得ることができる。

【０１７５】以上、本発明の実施の形態を説明したが、
上述の実施の形態は本発明の技術的思想に基づいて種々
に変形が可能である。

【０１７６】例えば、バルブ金属の素材としてアルミニ
ウムなどを用いてもよい。この場合は、キャパシタと同
時形成する薄膜素子は抵抗体ではなく、パターン化され
た導体膜となる。又、素子形成工程において、下電極や
各絶縁層、バルブ金属膜や酸化膜等のそれぞれの厚さや
面積、パターンは所望の目的を果たすならば自由に決め
てよい。

【０１７７】又、バルブ金属膜の陽極酸化の際に、所望
の目的を果たすならば、印加電圧及び印加時間を自由に
変えることができる。又、開口マスクも陽極酸化に十分
な効果があれば、材質、方式、厚さ、開口面積、開口数
等は自由にできる。

【０１７８】又、ヴィアホールも所望の目的を果たすな
らば、位置や数量や直径等を自由にできる。

【０１７９】又、バルブ金属膜と絶縁層との密着用のタ
ンタル膜の厚さは、所定の効果があるならば自由に変え
て良い。この接着膜はタンタル以外からなっていてよ
い。

【０１８０】

【発明の作用効果】本発明によれば、基板上の下電極上
に金属膜を所定パターンに形成し、この金属膜を陽極酸
化しているので、少ない面積を陽極酸化すればよいこと
になり、従来のように基板全面を陽極酸化するよりも給
電が容易かつ低パワーですみ、また、陽極酸化後に酸化
膜と共に下地の金属膜をエッチングでパターニングする
必要がない。従って、工程を簡略化でき、無駄が少なく
て、コストが低く抑えられ、特にキャパシタ誘電体にお
いては室温での形成が可能であり、その膜厚の制御がし
やすく、更にプラズマエッチング等が不要となって素子
へのダメージが少なくなり、絶縁性が良好となり、歩留
りも上がり易い。又、本発明によれば、金属膜と絶縁層
との間に接着膜が成膜されることによって、金属膜の特
性をほとんど変化させずに金属膜と絶縁層との密着性を
向上できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態におけるキャパシタ
の形成工程を順次示す断面図である。

【図２】同、キャパシタの形成工程を順次示す断面図で
ある。

【図３】同、キャパシタの形成工程を示す断面図であ
る。

【図４】本発明の第２の実施の形態におけるキャパシタ
の形成工程を順次示す断面図である。

【図５】同、キャパシタの形成工程を順次示す断面図で
ある。

【図６】本発明の第３の実施の形態におけるキャパシタ
の形成工程を順次示す断面図である。

【図７】同、キャパシタの形成工程を順次示す断面図で
ある。

【図８】同、キャパシタの形成工程を順次示す断面図で
ある。

【図９】本発明の第４の実施の形態におけるキャパシタ
の形成工程を順次示す断面図である。

【図１０】同、キャパシタの形成工程を順次示す断面図
である。

【図１１】本発明の第５の実施の形態における複合薄膜
素子の形成工程を順次示す断面図である。

【図１２】同、複合薄膜素子の形成工程を順次示す断面
図である。

【図１３】同、複合薄膜素子の形成工程を順次示す断面
図である。

【図１４】同、複合薄膜素子の形成工程を示す断面図で
ある。

【図１５】本発明の第５の実施の形態における複合薄膜
素子の形成工程を順次示す平面図である。

【図１６】同、複合薄膜素子の形成工程を順次示す平面
図である。

【図１７】同、複合薄膜素子の形成工程を順次示す平面
図である。

【図１８】同、複合薄膜素子の形成工程を示す平面図で
ある。

【図１９】本発明の第６の実施の形態における複合薄膜
素子の形成工程を順次示す断面図である。

【図２０】同、複合薄膜素子の形成工程を順次示す断面
図である。

【図２１】同、複合薄膜素子の形成工程を順次示す断面
図である。

【図２２】同、複合薄膜素子の形成工程を示す断面図で
ある。

【図２３】本発明の第７の実施の形態における複合薄膜
素子の形成工程を順次示す断面図である。

【図２４】同、複合薄膜素子の形成工程を順次示す断面
図である。

【図２５】同、複合薄膜素子の形成工程を順次示す断面
図である。

【図２６】同、複合薄膜素子の形成工程を示す断面図で
ある。

【図２７】本発明の第７の実施の形態における複合薄膜
素子の形成工程を順次示す平面図である。

【図２８】同、複合薄膜素子の形成工程を順次示す平面
図である。

【図２９】同、複合薄膜素子の形成工程を順次示す平面
図である。

【図３０】同、複合薄膜素子の形成工程を示す平面図で
ある。

【図３１】本発明の第８の実施の形態における多層配線
基板の断面図である。

【図３２】本発明の第９の実施の形態におけるモジュー
ル基板の断面図である。

【図３３】本発明の第１２の実施の形態における多層配
線基板の断面図である。

【図３４】本発明の第１３の実施の形態におけるモジュ
ール基板の断面図である。

【図３５】本発明の第１０の実施の形態における薄膜抵
抗体の断面図である。

【図３６】本発明の第１１の実施の形態における薄膜キ
ャパシタの断面図である。

【図３７】従来例における薄膜抵抗体の断面図である。

【図３８】同、薄膜キャパシタの断面図である。

【図３９】同、薄膜キャパシタの形成工程を順次示す断
面図である。

【図４０】同、薄膜キャパシタの形成工程を示す断面図
である。

【図４１】同、薄膜キャパシタの形成工程を順次示す断
面図である。

【符号の説明】

１、６１、６３…基板、２、７、９、１３、６２、８２
…絶縁層、３、７３…下電極、６、６６…上電極、７…
絶縁層、８、６８…電極材、９…層間絶縁膜、１０…導
体層、１１、９１…バルブ金属膜、１２、７２…陽極酸
化膜、１４…はんだバンプ、１５…タンタル膜、２１、
１０１…開口マスク、２３、２４、５３、５４…配線、
２５、５５…誘電体、３１…ヴィアホール、３４、６４
…抵抗体、４１、７１、８１、８５…開口部、５１…半
導体素子、５２…チップ部品

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｇ 4/40 Ｈ０１Ｇ 4/40 ３０７ Ｈ０１Ｌ 23/12 Ｈ０１Ｌ 23/12 Ｂ Ｆターム(参考） 5E032 AB01 BA11 BA14 BA15 BB01 CC18 5E082 AB03 BC38 BC39 DD02 EE05 EE23 EE24 EE26 EE37 EE47 FG03 FG27 FG42 FG44 JJ15 KK01 LL01 LL35 MM05

Claims (74)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に下電極を形成する工程と、 前記下電極上に金属膜を所定パターンに形成する工程
   と、 前記金属膜上に、所望の陽極酸化膜を形成するための開
   口部を有するマスクを形成する工程と、 前記下電極を陽極として前記開口部の前記金属膜を陽極
   酸化して陽極酸化膜を形成する工程と、 前記マスクを除去する工程と、 前記下電極を所定パターンに加工する工程と、 前記陽極酸化膜の上面に上電極を形成する工程とを有す
   るキャパシタ素子の形成方法。
2. 【請求項２】 前記上電極の上面に絶縁層を設け、前記
   絶縁層の所定の個所に穴を形成する工程と、前記絶縁層
   の上面に電極材を形成し、上電極及び下電極のうち少な
   くとも前記上電極を前記電極材により電気的に取り出す
   工程とを有する、請求項１に記載のキャパシタ素子の形
   成方法。
3. 【請求項３】 前記金属膜が、タンタル、窒化タンタル
   及びアルミニウムのいずれかからなっている、請求項１
   に記載のキャパシタ素子の形成方法。
4. 【請求項４】 前記下電極が少なくとも陽極酸化されな
   い金属膜である、請求項１に記載のキャパシタ素子の形
   成方法。
5. 【請求項５】 基板上に下電極を形成する工程と、 前記下電極に開口部を設ける工程と、 前記下電極上から前記開口部内にかけて金属膜を所定パ
   ターンに形成する工程と、 前記金属膜上に、所望の陽極酸化膜を形成するための開
   口部を有するマスクを形成する工程と、 前記下電極を陽極として前記開口部の前記金属膜を陽極
   酸化して陽極酸化膜を形成する工程と、 前記マスクを除去する工程と、 前記下電極を再度所望のパターンに加工する工程と、 前記陽極酸化膜の上面及びその側方に上電極を形成する
   工程とを有するキャパシタ素子の形成方法。
6. 【請求項６】 前記上電極の上面に絶縁層を設け、前記
   絶縁層の所定の個所に穴を形成する工程と、前記絶縁層
   の上面に電極材を形成し、上電極及び下電極のうち少な
   くとも前記上電極を前記電極材により電気的に取り出す
   工程とを有する、請求項５に記載のキャパシタ素子の形
   成方法。
7. 【請求項７】 前記金属膜が、タンタル、窒化タンタル
   及びアルミニウムのいずれかからなっている、請求項５
   に記載のキャパシタ素子の形成方法。
8. 【請求項８】 前記下電極が少なくとも陽極酸化されな
   い金属膜である、請求項５に記載のキャパシタ素子の形
   成方法。
9. 【請求項９】 基板上に下電極を形成する工程と、 前記下電極上に金属膜を所定パターンに形成する工程
   と、 前記下電極を陽極として前記金属膜を陽極酸化して陽極
   酸化膜を形成する工程と、 前記下電極をパターニングする工程と、 前記陽極酸化膜の上面に上電極を形成する工程とを有す
   るキャパシタ素子の形成方法。
10. 【請求項１０】 前記上電極の上面に絶縁層を設け、前
    記絶縁層の所定の個所に穴を形成する工程と、前記絶縁
    層の上面に電極材を形成し、上電極及び下電極のうち少
    なくとも前記上電極を前記電極材により電気的に取り出
    す工程とを有する、請求項９に記載のキャパシタ素子の
    形成方法。
11. 【請求項１１】 前記金属膜が、タンタル、窒化タンタ
    ル及びアルミニウムのいずれかからなっている、請求項
    ９に記載のキャパシタ素子の形成方法。
12. 【請求項１２】 前記下電極が少なくとも陽極酸化され
    ない金属膜である、請求項９に記載のキャパシタ素子の
    形成方法。
13. 【請求項１３】 基板上に下電極を形成する工程と、 前記下電極に開口部を設ける工程と、 前記下電極上から前記開口部内にかけて金属膜を所定パ
    ターンに形成する工程と、 前記下電極を陽極として前記金属膜を陽極酸化して陽極
    酸化膜を形成する工程と、 前記陽極酸化膜の上面から側方に上電極を形成する工程
    とを有するキャパシタ素子の形成方法。
14. 【請求項１４】 前記上電極の上面に絶縁層を設け、前
    記絶縁層の所定の個所に穴を形成する工程と、前記絶縁
    層の上面に電極材を形成し、上電極及び下電極のうち少
    なくとも前記上電極を前記電極材により電気的に取り出
    す工程とを有する、請求項１３に記載のキャパシタ素子
    の形成方法。
15. 【請求項１５】 前記金属膜が、タンタル、窒化タンタ
    ル及びアルミニウムのいずれかからなっている、請求項
    １３に記載のキャパシタ素子の形成方法。
16. 【請求項１６】 前記下電極が少なくとも陽極酸化され
    ない金属膜である、請求項１３に記載のキャパシタ素子
    の形成方法。
17. 【請求項１７】 キャパシタ素子の下電極及びその他の
    素子の電極用の導電膜を形成する工程と、 前記導電膜に開口部を設ける工程と、 前記導電膜上及び前記開口部内にそれぞれ、所望の金属
    膜を所定パターンに形成する工程と、 前記金属膜上に、所望の陽極酸化膜を形成するための開
    口を有するマスクを必要あれば形成する工程と、 前記導電膜を陽極として前記金属膜を陽極酸化して陽極
    酸化膜を形成する工程と、 前記導電膜を再度パターニングする工程と、 前記キャパシタ素子の前記陽極酸化膜の上面に前記キャ
    パシタ素子の上電極を形成する工程とを有する複合薄膜
    素子の形成方法。
18. 【請求項１８】 上面に絶縁層を設け、前記絶縁層の所
    定の個所に穴を形成する工程と、前記絶縁層の上面に電
    極材を形成し、キャパシタ素子の上電極及び下電極のう
    ち少なくとも上電極、及び前記他の素子の電極を前記電
    極材により電気的に取り出す工程とを有する、請求項１
    ７に記載の複合薄膜素子の形成方法。
19. 【請求項１９】 前記金属膜が、タンタル、窒化タンタ
    ル及びアルミニウムのいずれかからなっている、請求項
    １７に記載の複合薄膜素子の形成方法。
20. 【請求項２０】 前記下電極が少なくとも陽極酸化され
    ない金属膜である、請求項１７に記載の複合薄膜素子の
    形成方法。
21. 【請求項２１】 前記他の素子が抵抗素子である、請求
    項１７に記載の複合薄膜素子の形成方法。
22. 【請求項２２】 キャパシタ素子の下電極及びその他の
    素子の電極用の導電膜を形成する工程と、 前記導電膜に開口部を設ける工程と、 前記導電膜から前記開口部内にかけて、所望の金属膜を
    所定パターンに形成する工程と、 前記金属膜上に、所望の陽極酸化膜を形成するための開
    口を有するマスクを必要あれば形成する工程と、 前記導電膜を陽極として前記金属膜を陽極酸化して陽極
    酸化膜を形成する工程と、 前記導電膜を再度パターニングする工程と、 前記キャパシタ素子の前記陽極酸化膜の上面から前記開
    口部内にかけて、前記キャパシタ素子の上電極を形成す
    る工程とを有する複合薄膜素子の形成方法。
23. 【請求項２３】 上面に絶縁層を設け、前記絶縁層の所
    定の個所に穴を形成する工程と、前記絶縁層の上面及び
    その側方に電極材を形成し、キャパシタ素子の上電極及
    び下電極のうち少なくとも上電極、及び前記他の素子の
    電極を前記電極材により電気的に取り出す工程とを有す
    る、請求項２２に記載の複合薄膜素子の形成方法。
24. 【請求項２４】 前記金属膜が、タンタル、窒化タンタ
    ル及びアルミニウムのいずれかからなっている、請求項
    ２２に記載の複合薄膜素子の形成方法。
25. 【請求項２５】 前記下電極が少なくとも陽極酸化され
    ない金属膜である、請求項２２に記載の複合薄膜素子の
    形成方法。
26. 【請求項２６】 前記他の素子が抵抗素子である、請求
    項２２に記載の複合薄膜素子の形成方法。
27. 【請求項２７】 キャパシタ素子の下電極及びその他の
    素子の内、少なくとも前記キャパシタ素子の下電極用の
    導電膜が基板上に形成され、少なくとも前記キャパシタ
    素子の前記導電膜上に所望の金属膜が所定パターンに形
    成され、前記金属膜上に、この金属膜とは異なる面積サ
    イズで所望の陽極酸化膜が形成され、前記キャパシタ素
    子の前記陽極酸化膜の上面に上電極が形成されている、
    配線基板。
28. 【請求項２８】 前記上電極の上面に絶縁層が設けら
    れ、この絶縁層の所定の個所に穴が形成され、前記絶縁
    層の上面に電極材が、前記キャパシタ素子の上電極及び
    下電極のうち少なくとも上電極、及び前記他の素子の電
    極の電気的取り出し用として設けられている、請求項２
    ７に記載の配線基板。
29. 【請求項２９】 前記金属膜が、タンタル、窒化タンタ
    ル及びアルミニウムのいずれかからなっている、請求項
    ２７に記載の配線基板。
30. 【請求項３０】 前記下電極が少なくとも陽極酸化され
    ない金属膜である、請求項２７に記載の配線基板。
31. 【請求項３１】 前記他の素子が抵抗素子である、請求
    項２７に記載の配線基板。
32. 【請求項３２】 キャパシタ素子および／または抵抗素
    子が絶縁層を介して多層化されて配置されている、請求
    項３１に記載の配線基板。
33. 【請求項３３】 前記基板が、アルミナ、ガラスセラミ
    ックス、アルミニウムナイトライド、ムライトなどのセ
    ラミック多層基板である、請求項２７に記載の配線基
    板。
34. 【請求項３４】 前記基板が、ガラスエポキシ、ポリイ
    ミド、ビスマレイミド／トレアジン樹脂、ポリフェニレ
    ンエーテル樹脂、フェノール樹脂、ポリオレフィン樹
    脂、テフロン（登録商標）、液晶ポリマーなどの有機多
    層基板である、請求項２７に記載の配線基板。
35. 【請求項３５】 前記基板が、アルミナ、ガラスセラミ
    ックス、アルミニウムナイトライド、ムライトなどから
    なるセラミック多層基板、もしくは、ガラスエポキシ、
    ポリイミド、ビスマレイミド／トレアジン樹脂、ポリフ
    ェニレンエーテル樹脂、フェノール樹脂、ポリオレフィ
    ン樹脂、液晶ポリマーなどからなる有機多層基板であ
    り、その少なくとも一方の面には、感光性もしくは非感
    光性エポキシ、或いは、感光性もしくは非感光性ポリイ
    ミド、或いは、感光性もしくは非感光性ベンゾシクロブ
    テン、液晶ポリマーなどの樹脂素材に銅メッキ等による
    高密度配線が形成されているビルドアップ基板である、
    請求項２７に記載の配線基板。
36. 【請求項３６】 キャパシタ素子の下電極及びその他の
    素子の電極のうち少なくとも前記キャパシタ素子の下電
    極用の導電膜が基板上に形成され、少なくとも前記キャ
    パシタ素子の前記導電膜上に所望の金属膜が所定パター
    ンに形成され、少なくとも前記キャパシタ素子の前記金
    属膜上に、この金属膜とは異なる面積サイズで所望の陽
    極酸化膜が形成され、前記キャパシタ素子の前記陽極酸
    化膜の上面に上電極が形成されている配線基板を有し、
    この配線基板上に電子部品がマウントされている、モジ
    ュール基板。
37. 【請求項３７】 前記上電極の上面に絶縁層が設けら
    れ、この絶縁層の所定の個所に穴が形成され、前記絶縁
    層の上面に電極材が、前記キャパシタ素子の上電極及び
    下電極のうち少なくとも上電極、及び前記他の素子の電
    極の電気的取り出し用として設けられている、請求項３
    ６に記載のモジュール基板。
38. 【請求項３８】 前記金属膜が、タンタル、窒化タンタ
    ル及びアルミニウムのいずれかからなっている、請求項
    ３６に記載のモジュール基板。
39. 【請求項３９】 前記下電極が少なくとも陽極酸化され
    ない金属膜である、請求項３６に記載のモジュール基
    板。
40. 【請求項４０】 前記他の素子が抵抗素子である、請求
    項３６に記載のモジュール基板。
41. 【請求項４１】 キャパシタ素子および／または抵抗素
    子が絶縁層を介して多層化されて配置されている、請求
    項４０に記載のモジュール基板。
42. 【請求項４２】 前記基板が、アルミナ、ガラスセラミ
    ックス、アルミニウムナイトライド、ムライトなどのセ
    ラミック多層基板である、請求項３６に記載のモジュー
    ル基板。
43. 【請求項４３】 前記基板が、ガラスエポキシ、ポリイ
    ミド、ビスマレイミド／トレアジン樹脂、ポリフェニレ
    ンエーテル樹脂、フェノール樹脂、ポリオレフィン樹
    脂、テフロン、液晶ポリマーなどの有機多層基板であ
    る、請求項３６に記載のモジュール基板。
44. 【請求項４４】 前記基板が、アルミナ、ガラスセラミ
    ックス、アルミニウムナイトライド、ムライトなどから
    なるセラミック多層基板もしくは、ガラスエポキシ、ポ
    リイミド、ビスマレイミド／トレアジン樹脂、ポリフェ
    ニレンエーテル樹脂、フェノール樹脂、ポリオレフィン
    樹脂、液晶ポリマーなどからなる有機多層基板であり、
    その少なくとも一方の面には、感光性もしくは非感光性
    エポキシ、或いは、感光性もしくは非感光性ポリイミ
    ド、或いは、感光性もしくは非感光性ベンゾシクロブテ
    ン、液晶ポリマーなどの樹脂素材に銅メッキなどによる
    高密度配線が形成されているビルドアップ基板である、
    請求項３６に記載のモジュール基板。
45. 【請求項４５】 前記電子部品が半導体チップなどのチ
    ップ部品である、請求項３６に記載のモジュール基板。
46. 【請求項４６】 基板上に下電極を形成する工程と、 前記下電極上に金属膜を形成する工程と、 前記金属膜の下面に絶縁層が存在する場合には、この絶
    縁層と前記金属膜との間に接着膜を形成する工程と、 前記金属膜を請求項１〜１６に記載の何れかの状態で陽
    極酸化して陽極酸化膜を形成する工程と、 前記陽極酸化膜の上面に上電極を形成する工程とを有す
    るキャパシタ素子の形成方法。
47. 【請求項４７】 前記接着膜としてのタンタル膜の厚さ
    が、前記金属膜としての窒化タンタル膜の厚さよりも薄
    い、請求項４６に記載のキャパシタ素子の形成方法。
48. 【請求項４８】 前記絶縁層が、ポリイミド、ベンゾシ
    クロブテン、エポキシ系又はアクリル系樹脂等の樹脂で
    ある、請求項４６に記載のキャパシタ素子の形成方法。
49. 【請求項４９】 キャパシタ素子の下電極及びその他の
    素子の電極用の導電膜を形成する工程と、 前記下電極上に金属膜を形成する工程と、 前記金属膜の下面に絶縁層が存在する場合には、この絶
    縁層と前記金属膜との間に接着膜を形成する工程と、 前記金属膜を請求項１７〜２６に記載の何れかの状態で
    陽極酸化して陽極酸化膜を形成する工程と、 前記導電膜をパターニングする工程と、 前記キャパシタ素子の前記陽極酸化膜の上面に前記キャ
    パシタ素子の上電極を形成する工程とを有する複合薄膜
    素子の形成方法。
50. 【請求項５０】 前記接着膜としてのタンタル膜の厚さ
    が、前記金属膜としての窒化タンタル膜の厚さよりも薄
    い、請求項４９に記載の複合薄膜素子形成方法。
51. 【請求項５１】 前記絶縁層が、ポリイミド、ベンゾシ
    クロブテン、エポキシ系又はアクリル系樹脂等の樹脂で
    ある、請求項４９に記載の複合薄膜素子形成方法。
52. 【請求項５２】 前記下電極が少なくとも陽極酸化され
    ない金属膜である、請求項４９に記載の複合薄膜素子の
    形成方法。
53. 【請求項５３】 前記他の素子が抵抗素子である、請求
    項４９に記載の複合薄膜素子の形成方法。
54. 【請求項５４】 キャパシタ素子の下電極及びその他の
    素子の内、少なくとも前記キャパシタ素子の下電極用の
    導電膜が基板上に形成され、少なくとも前記キャパシタ
    素子の前記導電膜上に所望の金属膜が所定パターンに形
    成され、前記金属膜上に、この金属膜とは異なる面積サ
    イズで所望の陽極酸化膜が形成され、前記キャパシタ素
    子の前記陽極酸化膜の上面に上電極が形成されていると
    共に、前記金属膜とこの下側の絶縁層との間に接着膜が
    形成されている配線基板。
55. 【請求項５５】 前記上電極の上面に絶縁層が設けら
    れ、この絶縁層の所定の個所に穴が形成され、前記絶縁
    層の上面に電極材が、前記キャパシタ素子の上電極及び
    下電極のうち少なくとも上電極、及び前記他の素子の電
    極の電気的取り出し用として設けられている、請求項５
    ４に記載の配線基板。
56. 【請求項５６】 前記金属膜が窒化タンタルからなり、
    かつ前記接着膜がタンタルからなっている、請求項５４
    に記載の配線基板。
57. 【請求項５７】 前記絶縁層が、ポリイミド、ベンゾシ
    クロブテン、エポキシ系又はアクリル系等の樹脂であ
    る、請求項５４に記載の配線基板。
58. 【請求項５８】 前記下電極が少なくとも陽極酸化され
    ない金属膜である、請求項５４に記載の配線基板。
59. 【請求項５９】 前記他の素子が抵抗素子である、請求
    項５４に記載の配線基板。
60. 【請求項６０】 キャパシタ素子および／または抵抗素
    子が絶縁層を介して多層化されて配置されている、請求
    項５９に記載の配線基板。
61. 【請求項６１】 前記基板が、アルミナ、ガラスセラミ
    ックス、アルミニウムナイトライド、ムライトなどのセ
    ラミック多層基板である、請求項５４に記載の配線基
    板。
62. 【請求項６２】 前記基板が、ガラスエポキシ、ポリイ
    ミド、ビスマレイミド／トレアジン樹脂、ポリフェニレ
    ンエーテル樹脂、フェノール樹脂、ポリオレフィン樹
    脂、テフロン、液晶ポリマーなどの有機多層基板であ
    る、請求項５４に記載の配線基板。
63. 【請求項６３】 前記基板が、アルミナ、ガラスセラミ
    ックス、アルミニウムナイトライド、ムライトなどから
    なるセラミック多層基板、もしくは、ガラスエポキシ、
    ポリイミド、ビスマレイミド／トレアジン樹脂、ポリフ
    ェニレンエーテル樹脂、フェノール樹脂、ポリオレフィ
    ン樹脂、液晶ポリマーなどからなる有機多層基板であ
    り、その少なくとも一方の面には、感光性もしくは非感
    光性エポキシ、或いは、感光性もしくは非感光性ポリイ
    ミド、或いは、感光性もしくは非感光性ベンゾシクロブ
    テン、液晶ポリマーなどの樹脂素材に銅メッキ等による
    高密度配線が形成されているビルドアップ基板である、
    請求項５４に記載の配線基板。
64. 【請求項６４】 キャパシタ素子の下電極及びその他の
    素子の電極のうち少なくとも前記キャパシタ素子の下電
    極用の導電膜が基板上に形成され、少なくとも前記キャ
    パシタ素子の前記導電膜上に所望の金属膜が所定パター
    ンに形成され、少なくとも前記キャパシタ素子の前記金
    属膜上に、この金属膜とは異なる面積サイズで所望の陽
    極酸化膜が形成され、前記キャパシタ素子の前記陽極酸
    化膜の上面に上電極が形成されていると共に、前記金属
    膜とこの下側の絶縁層との間に接着膜が形成されている
    配線基板を有し、この配線基板上に電子部品がマウント
    されている、モジュール基板。
65. 【請求項６５】 前記上電極の上面に絶縁層が設けら
    れ、この絶縁層の所定の個所に穴が形成され、前記絶縁
    層の上面に電極材が、前記キャパシタ素子の上電極及び
    下電極のうち少なくとも上電極、及び前記他の素子の電
    極の電気的取り出し用として設けられている、請求項６
    ４に記載のモジュール基板。
66. 【請求項６６】 前記金属膜が窒化タンタルからなり、
    かつ前記接着膜がタンタルからなっている、請求項６４
    に記載のモジュール基板。
67. 【請求項６７】 前記絶縁層が、ポリイミド、ベンゾシ
    クロブテン、エポキシ系又はアクリル系等の樹脂であ
    る、請求項６４に記載のモジュール基板。
68. 【請求項６８】 前記下電極が少なくとも陽極酸化され
    ない金属膜である、請求項６４に記載のモジュール基
    板。
69. 【請求項６９】 前記他の素子が抵抗素子である、請求
    項６４に記載のモジュール基板。
70. 【請求項７０】 キャパシタ素子および／または抵抗素
    子が絶縁層を介して多層化されて配置されている、請求
    項６９に記載のモジュール基板。
71. 【請求項７１】 前記基板が、アルミナ、ガラスセラミ
    ックス、アルミニウムナイトライド、ムライトなどのセ
    ラミック多層基板である、請求項６４に記載のモジュー
    ル基板。
72. 【請求項７２】 前記基板が、ガラスエポキシ、ポリイ
    ミド、ビスマレイミド／トレアジン樹脂、ポリフェニレ
    ンエーテル樹脂、フェノール樹脂、ポリオレフィン樹
    脂、テフロン、液晶ポリマーなどの有機多層基板であ
    る、請求項６４に記載のモジュール基板。
73. 【請求項７３】 前記基板が、アルミナ、ガラスセラミ
    ックス、アルミニウムナイトライド、ムライトなどから
    なるセラミック多層基板もしくは、ガラスエポキシ、ポ
    リイミド、ビスマレイミド／トレアジン樹脂、ポリフェ
    ニレンエーテル樹脂、フェノール樹脂、ポリオレフィン
    樹脂、液晶ポリマーなどからなる有機多層基板であり、
    その少なくとも一方の面には、感光性もしくは非感光性
    エポキシ、或いは、感光性もしくは非感光性ポリイミ
    ド、或いは、感光性もしくは非感光性ベンゾシクロブテ
    ン、液晶ポリマーなどの樹脂素材に銅メッキなどによる
    高密度配線が形成されているビルドアップ基板である、
    請求項６４に記載のモジュール基板。
74. 【請求項７４】 前記電子部品が半導体チップなどのチ
    ップ部品である、請求項６４に記載のモジュール基板。