JP4403799B2

JP4403799B2 - コンデンサ

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Publication number: JP4403799B2
Application number: JP2003433664A
Authority: JP
Inventors: 祐美子吉原; 正明小林
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 2003-12-26
Filing date: 2003-12-26
Publication date: 2010-01-27
Anticipated expiration: 2023-12-26
Also published as: US20050201042A1; US7023690B2; JP2005191438A

Description

本発明は、コンデンサに関するものである。

電解コンデンサ等のコンデンサに用いられるコンデンサ素子は、一般に、絶縁性酸化皮膜形成能力を有するアルミニウム、チタン、タンタルなどの金属（いわゆる弁金属）を陽極に用い、この弁金属の表面を陽極酸化して、絶縁性酸化皮膜を形成した後、実質的に陰極として機能する有機化合物等からなる固体電解質層を形成し、さらに、グラファイトや銀などの導電層を陰極として設けることによって作製される。

このようなコンデンサの低インピーダンス化を図る方法としては、等価直列インダクタンス（ＥＳＬ）の低減や等価直列抵抗（ＥＳＲ）の低減を図る方法がある。そして、ＥＳＲの方を低減するために、リードフレームを省略したコンデンサが、下記特許文献１に開示されている。この公報に開示されたコンデンサは、基板の素子搭載面に一対の電極対を有する２端子型のコンデンサ素子が搭載されたコンデンサであり、基板の素子搭載面の電極とその裏面の電極とはスルーホールを介して接続されている。

ここで、コンデンサが実装される実装基板には、陽極電極端子と陰極電極端子の２種類の端子が設けられており、コンデンサが多端子型の場合には、一般にこれらの陽極電極端子と陰極電極端子とが交互に並ぶ。そのため、基板の素子搭載面の反対面には、陽極電極端子と陰極電極端子にそれぞれ対応する陽極外部接続端子と陰極外部接続端子とが交互に並ぶ。そして、上述したスルーホールをこの基板に単純に適用した場合には、スルーホールを介して陽極外部接続端子に接続される陽極電極パターンと、スルーホールを介して陰極外部接続端子に接続される陰極電極パターンとが、基板の素子搭載面に交互に並び、その並び方向は反対面の陽極外部接続端子と陰極外部接続端子とが並ぶ方向と同じである。

特開２００１−１０２２５２号公報

基板の素子搭載面に形成された陽極電極パターンは、その面積が大きいほど、コンデンサ素子の陽極部を接続する際の作業性が向上する。また、コンデンサ素子の陽極部との接続に利用可能な面積を拡大できるため、接続強度の向上を図ることが可能である。

しかしながら、前述した従来のコンデンサにおいては、陽極電極パターンが小さいため、コンデンサ素子と基板との接続時における作業性の向上及びコンデンサ素子と基板との間の接続強度の向上が十分に図られていないという問題があった。

本発明は、上述の課題を解決するためになされたもので、基板の陽極電極パターンの拡大化が図られたコンデンサを提供することを目的とする。

発明者は、コンデンサにスルーホールを適用する技術に関する研究を重ね、図６に示すような基板を有する８端子型コンデンサについての検討をおこなった。ここで図６（ａ）は検討段階における基板１１４の素子搭載面１１４ａを示した図であり、図６（ｂ）は検討段階における基板１１４の素子搭載面１１４ａの裏面１１４ｂを示した図である。そして素子搭載面１１４ａには、図示しないコンデンサ素子の陽極部に接続される陽極電極パターン１３８Ａ及び陰極部に接続される陰極電極パターン１３８Ｂが形成されており、その裏面１１４ｂには陽極ランドパターン１４０Ａと陰極ランドパターン１４０Ｂとが形成されている。なお、符号１４４は陽極電極パターン１３８Ａと陽極ランドパターン１４０Ａとを接続する陽極ビアであり、符号１４８は陰極電極パターン１３８Ｂと陰極ランドパターン１４０Ｂとを接続する陰極ビアである。

図６に示すようなコンデンサにおいては、基板１１４の素子搭載面１１４ａの陽極電極パターン１３８Ａは、裏面１１４ｂの陽極ランドパターン１４０Ａに略対応する領域に形成されており、対応する陽極ランドパターン１４０Ａの面積と略同じ面積となっている。そのため、陽極電極パターン１３８Ａの面積は小さく、基板１１４にコンデンサ素子を搭載する際に、コンデンサ素子の陽極部を基板１４の陽極電極パターン１３８Ａに接続する作業が困難であったり、十分な接続強度を得られなかったりする場合があった。

そこで、本発明に係るコンデンサは、陽極部と陰極部とを有するコンデンサ素子と、一方面に、陽極部に接続される陽極電極パターンと陰極部に接続される陰極電極パターンとが形成され、且つ他方面に、厚さ方向に沿って延びる導通路を介して対応する陽極電極パターン及び陰極電極パターンに接続された陽極ランドパターン及び陰極ランドパターンが形成された基板とを備え、陽極電極パターンが、基板の一方面の領域において、陽極ランドパターンに対応する領域の少なくとも一部と陰極ランドパターンに対応する領域の少なくとも一部とを含む領域に一体的に形成されている。

このコンデンサにおいては、コンデンサ素子の陽極部に接続される基板の陽極電極パターンが形成される領域が、陽極ランドパターンに対応する領域の少なくとも一部を含むだけでなく、陰極ランドパターンに対応する領域の少なくとも一部をも含む。そのため、このコンデンサにおいては、陽極ランドパターンに対応する領域に形成され、陽極ランドパターンと略同じ面積である陽極電極パターンが形成された基板（図６参照）を有するコンデンサに比べて、陽極電極パターンの面積を拡大することができる。

また、実装基板の接続端子に接続される、陽極ランドパターンの外部接続端子部と陰極ランドパターンの外部接続端子部とが交互に並んでいることが好ましい。この場合、汎用基板に容易に適用することができる。

本発明に係るコンデンサは、複数の陽極部と、陰極部とを有するコンデンサ素子と、一方面に、各陽極部に接続される複数の陽極電極パターン及び陰極部に接続される陰極電極パターンとが形成され、且つ、一方面に形成された各陽極電極パターン及び陰極電極パターンのそれぞれから、厚さ方向に沿って他方面まで延びる複数の導通路が形成された基板とを備え、陰極電極パターンの少なくとも一側には、陽極電極パターンが複数並列しており、これらの並列する陽極電極パターンに挟まれる領域には陰極電極パターンが形成されていない。

このコンデンサにおいては、基板の一方面に、並列する複数の陽極電極パターンが形成されている。そして、複数の陽極電極パターンは陰極電極パターンを挟まないように並列されている。そのため、このコンデンサにおいては、陽極電極パターンと陰極電極パターンとが交互に並ぶ基板（図６参照）を有するコンデンサに比べて、陽極電極パターンの面積をその並列方向に有意に拡大することができる。

また、基板の他方面には、導通路を介して陽極電極パターンに接続される陽極ランドパターンと、導通路を介して陰極電極パターンに接続される陰極ランドパターンとが形成されており、実装基板の接続端子に接続される、陽極ランドパターンの外部接続端子部と陰極ランドパターンの外部接続端子部とが交互に並んでいることが好ましい。この場合、汎用基板に容易に適用することができる。

また、陽極電極パターンの形成領域には、陽極ランドパターンと陰極ランドパターンとの並設方向に並ぶ複数の導通路が形成されており、且つ、陰極電極パターンの形成領域には、陽極電極パターンに形成された導通路と隣り合うように複数の導通路が形成されていることが好ましい。この場合、コンデンサのＥＳＬを有意に低減することができる。

本発明によれば、コンデンサの基板の陽極電極パターンの拡大化が図られる。

以下、添付図面を参照して本発明に係るコンデンサを実施するにあたり最良と思われる形態について詳細に説明する。なお、同一又は同等の要素については同一の符号を付し、説明が重複する場合にはその説明を省略する。

図１は、本発明の実施形態に係る電解コンデンサを示す斜視図である。図１に示すように、電解コンデンサ１０は、コンデンサ素子１２と、コンデンサ素子１２が載置される方形薄片状の基板１４と、コンデンサ素子１２及び基板１４をモールドする樹脂モールド１６とを備えている。

コンデンサ素子１２は、表面が粗面化（拡面化）されると共に化成処理が施された箔状のアルミニウム基体（弁金属基体）上の一部の領域（後述）に、固体高分子電解質層及び導電体層が順次積層されたものである。

以下、図２を参照しつつ、その積層構造についてより具体的に説明する。図２は、図１に示した電解コンデンサ１０の要部を示す模式断面図である。図２に示すように、エッチングによって粗面化されたアルミニウム基体１８は、化成処理、すなわち陽極酸化によって、その表面１８ａに誘電体として機能する絶縁性の酸化アルミニウム皮膜２０が成膜されている。そして、導電性高分子化合物を含む固体高分子電解質層２１が、拡面化されたアルミニウム基体１８の凹部に含浸している。この固体高分子電解質層２１は、モノマーの状態でアルミニウム基体１８の凹部に含浸させ、その後、化学酸化重合又は電解酸化重合して形成される。

固体高分子電解質層２１上には、グラファイトペースト層２２及び銀ペースト層２３（導電体層）がスクリーン印刷法、浸漬法（ディップ法）及びスプレー塗布法のいずれかによって順次形成されている。そして、これらの固体高分子電解質層２１、グラファイトペースト層２２及び銀ペースト層２３によってコンデンサ素子１２の陰極部２８が構成されている。

図１に示すように、コンデンサ素子１２は、長方形薄片状の蓄電部２６と、蓄電部２６の長辺の側面から外方に突出する薄片状の陽極部２４とで構成されている。以下、説明の便宜上、蓄電部２６の長辺方向をＸ方向、蓄電部２６の短辺方向をＹ方向、Ｘ方向及びＹ方向に直交する方向をＺ方向として説明する。

各陽極部２４は、図２で示したように、酸化アルミニウム皮膜２０が形成されたアルミニウム基体１８で構成されている。一方、蓄電部２６は、酸化アルミニウム皮膜２０が形成されたアルミニウム基体１８の外周面、すなわち両面及びＸ方向の端面の略全域（図１のドットハッチ部分）を、固体高分子電解質層２１、グラファイトペースト層２２及び銀ペースト層２３からなる陰極部２８が覆う構造を有している。

陽極部２４は、蓄電部２６の各長辺の側面に１対ずつ形成されており、いずれの陽極部２４もＹ方向に延在している。また陽極部２４は、対向する長辺に形成された陽極部２４と互いに対応する位置から突出している。また、いずれの陽極部２４も、蓄電部２６の延在方向（Ｘ方向）と同方向に延びる長方形状を有している。なお、蓄電部２６の表面領域のうち、陽極部２４が設けられた側の縁領域には、エポキシ樹脂又はシリコーン樹脂からなる絶縁樹脂層２７が設けられており、この絶縁樹脂層２７により蓄電部２６に設けられている陰極部２８と陽極部２４との絶縁と分離が確実に図られている。

なお、上述した形状のコンデンサ素子１２は、表面が粗面化され、且つ化成処理が施されたアルミニウム箔を打抜き加工することにより成形される。そのため、成形後のアルミニウム箔を化成液に浸漬することにより、アルミニウムが露出した箔の端面に酸化アルミニウム皮膜を形成している。化成液は、例えば、濃度３％のアジピン酸アンモニウム水溶液等が好ましい。

ここで、コンデンサ素子１２となるアルミニウム箔に施す処理について、図３を参照しつつ説明する。図３は、コンデンサ素子１２となるアルミニウム箔３０に陽極酸化処理を施している状態を示す図である。まず始めに、コンデンサ素子１２の蓄電部２６となるべき部分２６Ａの表面領域のうち、陽極部２４となるべき部分２４Ａが設けられた側の縁領域に絶縁樹脂層２７を形成する。このように所定領域に絶縁樹脂層２７を形成することで、後段において形成される陽極部２４と陰極部２８との絶縁と分離が確実に図られる。

そして、アルミニウム箔３０の一側の部分２４Ａを、熱硬化型レジスト２９によってマスクすると共に、他側の部分２４Ａを支持して、アルミニウム箔３０を、ステンレスビーカ３４中に収容された化成溶液３６中に浸漬する。次いで、支持されたアルミニウム箔部分２４Ａをプラス、ステンレスビーカ３４をマイナスにして電圧を印加する。印加電圧の値は、形成する酸化アルミニウム皮膜２０の膜厚に応じて適宜決定することができ、１０ｎｍ〜１μｍの膜厚を有する酸化アルミニウム皮膜２０を形成する場合には、通常、数ボルト〜２０ボルト程度である。

電圧印加により陽極酸化が開始されると、毛細管現象により、化成溶液３６は、表面が粗面化されたアルミニウム箔３０の表面を通って液面から上昇する。従って、端面を含む表面が粗面化されているアルミニウム箔３０の全表面に酸化アルミニウム皮膜２０が成膜される。こうして作製されたアルミニウム箔３０に、公知の方法で陰極部２８を形成すると共に、レジスト２９を除去して、上述したコンデンサ素子１２の作製が完了する。

次に、コンデンサ素子１２が搭載される基板１４について、図４を参照しつつ説明する。ここで図４（ａ）は基板１４の素子搭載面１４ａを示した図であり、図４（ｂ）は基板１４の素子搭載面１４ａの裏面１４ｂを示した図である。

基板１４は、両面１４ａ，１４ｂに所定形状の銅箔パターンがエッチング成形されたＦＲ４材（エポキシ樹脂材）製のプリント基板である。基板１４のコンデンサ素子１２が搭載される素子搭載面１４ａは、コンデンサ素子１２の陽極部２４と接続される陽極電極パターン３８Ａと、コンデンサ素子１２の陰極部２８と導電性接着剤３９を介して接続される陰極電極パターン３８Ｂとが形成されている。そして図４（ａ）に示すように、陰極電極パターン３８Ｂは、長方形の基板１４の中央部において基板１４の延在方向（Ｘ方向）に延びた長方形状を有しており、同じく長方形状を有する４つの陽極電極パターン３８Ａは、陰極電極パターン３８Ｂの長辺側の縁に沿って延在している。

陽極電極パターン３８Ａは、陰極電極パターン３８Ｂを介して対峙する２対の同形状パターンであり、いずれも陰極電極パターン３８Ｂに近接している。また、陽極電極パターン３８Ａの長さＬ１は、陰極電極パターン３８Ｂの長さＬ２の略半分であり、陰極電極パターン３８Ｂの同じ側に位置する陽極電極パターン３８Ａ同士は近接している。なお、これらの陽極電極パターン３８Ａとコンデンサ素子１２の陽極部２４とは、抵抗溶接又はＹＡＧレーザスポット等の金属溶接によって接続される。

４つの陽極電極パターン３８Ａの形成領域には、陰極電極パターン３８Ｂ側の縁に沿って５個の陽極ビア（導通路）４４が並設されている。また、陰極電極パターン３８Ｂの形成領域にも、各陽極ビア４４と対応するように２０個の陰極ビア（導通路）４８が形成されており、各陽極電極パターン３８Ａが位置する縁部に５個ずつ並んでいる。陽極ビア４４及び陰極ビア４８は、陽極電極パターン３８Ａ及び陰極電極パターン３８Ｂの延在方向（Ｘ方向）に並んでおり、対応する陽極ビア４４と陰極ビア４８とは陽極電極パターン３８Ａと陰極電極パターン３８Ｂとの並列方向（Ｙ方向）に近接して並んでいる。また、陽極ビア４４及び陰極ビア４８はともに基板１４の厚さ方向（Ｚ方向）に沿って裏面１４ｂまで延びている。なお、陽極ビア４４及び陰極ビア４８はいずれも、円形断面を有しており、基板１４にドリル加工で形成した円形貫通孔に無電解銅メッキがメッキ処理により埋められたものである。

なお、陽極電極パターン３８Ａの陽極ビア４４が形成された縁領域（図４（ａ）の一点鎖線で囲まれた領域）５０には、絶縁性樹脂層が形成されているが、図４（ａ）においては図示を省略している。この絶縁性樹脂層は、陽極電極パターン３８Ａと陰極電極パターン３８Ｂとを分離及び絶縁するものであり、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂等の材料を適用でき、数十ミクロンの厚さで塗布形成される。

基板１４の素子搭載面１４ａの裏面１４ｂは、図４（ｂ）に示すように、陽極ランドパターン４０Ａと陰極ランドパターン４０Ｂとの対が４対形成されている。各陽極ランドパターン４０Ａは、上述した陽極ビア４４の端部領域を含む帯状パターン４２ａから基板１４の縁領域に向かって外部接続端子として機能する矩形状パターン（外部接続端子部）４２ｂが突出するＬ字形状となっている。また、各陰極ランドパターン４０Ｂは、上述した陰極ビア４８の端部領域を含む帯状パターン４６ａから、陽極ランドパターン４０Ａと接触しないように陽極ランドパターン４０Ａを迂回して、基板１４の縁領域に形成された外部接続端子として機能する矩形状パターン（外部接続端子部）４６ｂまで這いまわされたＪ字形状となっている。

そして、基板１４の対向する縁領域それぞれには、２対の陽極ランドパターン４０Ａの矩形状パターン４２ｂと陰極ランドパターン４０Ｂの矩形状パターン４６ｂとが、交互になるように一列に並んでいる。そして、これらの矩形状パターン４２ｂ，４６ｂが、電解コンデンサ１０の実装基板（図示せず）の対応する接続端子と接続される。このように、外部接続端子として機能する矩形状パターン４２ｂ，４６ｂが交互に並んでいるため、特殊な端子配置を有する実装基板を別途準備する必要がなく、汎用的な実装基板を利用することができる。なお、矩形状パターン４２ｂ，４６ｂが形成された領域以外の領域（図４（ｂ）の一点鎖線で囲まれた領域）５２には、絶縁性樹脂層が形成されているが、図４（ｂ）においては図示を省略している。この絶縁性樹脂層は、陽極ランドパターン４０Ａと陰極ランドパターン４０Ｂとを分離及び絶縁するものであり、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂等の材料を適用でき、数十ミクロンの厚さで塗布形成されている。

つまり、基板１４においては、コンデンサ素子１２の陰極部２８と実装基板とを接続する導通経路は、裏面１４ｂの配線パターンのみで基板１４の縁領域に導かれている。そのため、基板１４は、素子搭載面とその裏面の両面において当該導通経路を縁領域に導く基板（図６参照）に比べて、素子搭載面１４ａにおいて陽極電極パターン３８Ａがとりうる形状の自由度が飛躍的に向上している。すなわち、基板１４においては、図４（ａ）に示したように、素子搭載面１４ａの縁領域の全域に亘って陽極電極パターン３８Ａを形成することができる。

従って、図５に示すように、素子搭載面１４ａの陰極電極パターン３８Ｂが、隣り合う陽極電極パターン３８Ａ，３８Ａ同士に挟まれる領域５４に形成されないようにすることが可能である。ここで、素子搭載面１４ａの陽極電極パターン３８Ａの形成領域は、裏面１４ｂの陽極ランドパターン４０Ａの形成領域に対応する領域を含んでいると共に、矩形状パターン４６ｂを含む陰極ランドパターン４０Ｂの一部領域を含んでいる。

そして、陽極電極パターン３８Ａは、陰極ランドパターン４０Ｂの形成領域の一部を含むようにして、隣り合う陽極電極パターン３８Ａに近づくように延びている。このように陽極ビア４４の並列方向（Ｘ方向）への陽極電極パターン３８Ａの伸長が図られている場合には、その伸長した分だけより多くの陽極ビア４４を並列させることができる。そのため、基板１４では、陽極電極パターン３８Ａに形成する陽極ビア４４と陰極電極パターン３８Ｂに形成する陰極ビア４８との対を多く形成できる。

以上で詳細に説明したように、電解コンデンサ１０においては、コンデンサ素子１２の陽極部２４に接続される基板１４の陽極電極パターン３８Ａが形成される領域が、陽極ランドパターン４０Ａに対応する領域を含むだけでなく、陰極ランドパターン４０Ｂに対応する領域の一部を含んでいる。また、隣り合う陽極電極パターン３８Ａの間には陰極電極パターン３８Ｂが形成されていない。そのため、図６に示したような基板を有する電解コンデンサに比べて、陽極電極パターン３８Ａが有意に拡大している。従って、コンデンサ素子１２と基板１４との接続作業を容易におこなうことができる。なお、陽極電極パターン３８Ａが形成される領域は、必ずしも陽極ランドパターン４０Ａに対応する全領域を含む必要はなく、陽極ランドパターン４０Ａに対応する領域の少なくとも一部を含んでいればよい。

また、陽極電極パターン３８Ａの拡大にあわせてコンデンサ素子１２の陽極部２４を拡大することで、陽極電極パターン３８Ａと陽極部２４との接触面積が拡大する。そのため、例えば、ＹＡＧレーザのスポット数を増やすこと等が可能となり、陽極電極パターン３８Ａと陽極部２４との間の接続強度を有意に向上させることができる。

さらに、電解コンデンサ１０に電圧が印加されて誘電体部（酸化アルミニウム皮膜）２０に電荷が蓄えられる際、及び、蓄えられた電荷が放電される際、陽極ビア４４及び陰極ビア４８には電流が流れるが、上述したように陽極ビア４４と陰極ビア４８とが、隣り合う陽極電極パターン３８Ａと陰極電極パターン３８Ｂとの近接する縁領域に形成されているため、陽極ビア４４内を流れる電流に起因して発生する磁界と、陰極ビア４８内を流れる電流に起因して発生する磁界とは互いに強く打ち消しあう。それにより電解コンデンサ１０のＥＳＬが低減し、それに伴ってインピーダンスが低減する。

また、基板１４においては、陽極電極パターン３８Ａが、陽極ランドパターン４０Ａの矩形状パターン４２ｂと陰極ランドパターン４０Ｂの矩形状パターン４６ｂとの並列方向（Ｘ方向）に伸長されたことにより、陽極ビア４４と陰極ビア４８との対が多く形成されており、電解コンデンサ１０の低ＥＳＬ化が促進されている。

なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、様々な変形が可能である。例えば、陽極ビア及び陰極ビアの断面形状は、円形に限らず、楕円形状や四角形状などであってもよい。またビアの数は、適宜増減してもよい。さらに、ビアは、必要に応じて中央部が貫通しているビアホールに変更することが可能である。またコンデンサは、特に電解コンデンサが好ましいが、電解コンデンサに限定されるものではない。

本発明の実施形態に係るコンデンサを示す斜視図である。図１に示したコンデンサの要部を示す模式断面図である。コンデンサ素子となるアルミニウム箔に陽極酸化処理を施している状態を示す図である図４（ａ）は基板の素子搭載面を示した図であり、図４（ｂ）は基板の素子搭載面の裏面を示した図である。図４（ａ）に示した素子搭載面の要部拡大図である。図６（ａ）は検討段階における基板の素子搭載面を示した図であり、図６（ｂ）は検討段階における基板の素子搭載面の裏面を示した図である。

符号の説明

１０…電解コンデンサ、１２…コンデンサ素子、１４，１１４…基板、１４ａ、１１４ａ…素子搭載面、１４ｂ，１１４ｂ…裏面、１８…アルミニウム基体、２４…陽極部、２８…陰極部、３８Ａ，１３８Ａ…陽極電極パターン、３８Ｂ，１３８Ｂ…陰極電極パターン、４０Ａ，１４０Ａ…陽極ランドパターン、４０Ｂ，１４０Ｂ…陰極ランドパターン、４２ｂ…矩形状パターン、４４，１４４…陽極ビア、４６ｂ…矩形状パターン、４８，１４８…陰極ビア。

Claims

複数の陽極部と、陰極部とを有するコンデンサ素子と、
一方面に、前記各陽極部に接続される複数の陽極電極パターン及び前記陰極部に接続される陰極電極パターンとが形成され、且つ、前記一方面に形成された前記各陽極電極パターン及び前記陰極電極パターンのそれぞれから、厚さ方向に沿って他方面まで延びる複数の導通路が形成された基板とを備え、
前記陰極電極パターンの少なくとも一側には、前記陽極電極パターンが複数並列しており、これらの並列する前記陽極電極パターンに挟まれる領域には前記陰極電極パターンが形成されていない、コンデンサ。
前記基板の前記他方面には、前記導通路を介して前記陽極電極パターンに接続される陽極ランドパターンと、前記導通路を介して前記陰極電極パターンに接続される陰極ランドパターンとが形成されており、
実装基板の接続端子に接続される、前記陽極ランドパターンの外部接続端子部と前記陰極ランドパターンの外部接続端子部とが交互に並んでいる、請求項１に記載のコンデンサ。
前記陽極電極パターンの形成領域には、前記陽極ランドパターンの前記外部接続端子部と前記陰極ランドパターンの前記外部接続端子部との並設方向に並ぶ複数の前記導通路が形成されており、且つ、前記陰極電極パターンの形成領域には、前記陽極電極パターンに形成された前記導通路と隣り合うように複数の前記導通路が形成されている、請求項２に記載のコンデンサ。