JP4677775B2 - 固体電解コンデンサ - Google Patents

Description

本発明は、陽極部と陰極部とを有する固体電解コンデンサに関するものである。

従来の固体電解コンデンサとしては、例えば特許文献１に記載されているものが知られている。この文献に記載の固体電解コンデンサは、陽極引出し部と素子箔部とを区画するレジスト層を、親水性樹脂層と撥水性樹脂層とから形成することにより、例えば化学重合時に陽極引出し部へのポリマー（重合液）の這い上がりを阻止すると共に、レジスト層の近傍にポリマーの未形成部が残ることを防止できる様にしたものである。
特開平６−４５２０６号公報

しかしながら、上記従来技術においては、レジスト層の形成状態によっては、陽極引出し部への重合液の這い上がりを十分に阻止しきれない場合がある。この場合には、陰極部の形成状態が悪くなり、結果的にコンデンサ容量等の特性に悪影響を及ぼす虞がある。

本発明の目的は、陰極部の形成状態が良好な固体電解コンデンサを提供することである。

本発明の固体電解コンデンサは、極端子領域及び陰極形成領域を有する陽極部を構成する弁金属基体と、弁金属基体の陰極形成領域の表面に設けられた酸化皮膜上に固体電解質層及び導電体層を積層して形成された陰極部と、陽極端子領域と陰極形成領域とを区画するように弁金属基体の表面に形成され、親水性を有する樹脂からなる第１レジスト部と、第１レジスト部よりも陽極端子領域側にずらした形で、第１レジスト部における陽極端子領域側の表面と弁金属基体の表面とに跨って連続的に形成され、疎水性を有する樹脂からなる第２レジスト部とを備え、弁金属基体の表面は、拡面化されており、第１レジスト部及び第２レジスト部は、弁金属基体において拡面化によって作られた微細穴に入り込むように印刷によって形成されていることを特徴とするものである。

このような固体電解コンデンサを製造する場合には、まず陽極部を構成する弁金属基体における陽極端子領域と陰極形成領域との間の表面に、上記の第１レジスト部及び第２レジスト部を形成する。そして、例えば弁金属基体の陰極形成領域を重合液に浸漬して、陰極形成領域の表面に固体電解質層を形成し、更に固体電解質層上に導電体層を積層することにより、陰極形成領域に陰極部を形成する。このとき、親水性を有する第１レジスト部は、疎水性を有する第２レジスト部よりも陰極形成領域側に形成されている。このため、固体電解質層の形成時には、重合液が十分に第１レジスト部になじむので、弁金属基体の陰極形成領域の表面全体に確実に固体電解質層が形成されるようになる。また、第２レジスト部は、第１レジスト部における陽極端子領域側の表面と弁金属基体の表面とに跨って形成されているので、親水性を有する第１レジスト部の陽極端子領域側の面は、疎水性を有する第２レジスト部によって覆われた状態となる。このため、固体電解質層の形成時に、例えば第１レジスト部上に形成された第２レジスト部に多少の欠け等がある場合でも、重合液が第２レジスト部を回り込んで弁金属基体の陽極端子領域に達することは殆ど無い。また、第１レジスト部と第２レジスト部との間に隙間ができにくいので、第１レジスト部と第２レジスト部との間を重合液がしみ込んで弁金属基体の陽極端子領域に達することも殆ど無い。以上により、弁金属基体の陰極形成領域のみに固体電解質層が適切に形成されるため、陰極部の形成状態が良好な固体電界コンデンサを得ることができる。

また、本発明の固体電解コンデンサは、陽極端子領域及び陰極形成領域を有する陽極部を構成する弁金属基体と、弁金属基体の陰極形成領域の表面に設けられた酸化皮膜上に固体電解質層及び導電体層を積層して形成された陰極部と、陽極端子領域と陰極形成領域とを区画するように弁金属基体の表面に形成され、疎水性を有する樹脂からなる第１レジスト部と、第１レジスト部よりも陰極端子領域側にずらした形で、第１レジスト部における陰極形成領域側の表面と弁金属基体の表面とに跨って連続的に形成され、親水性を有する樹脂からなる第２レジスト部とを備え、弁金属基体の表面は、拡面化されており、第１レジスト部及び第２レジスト部は、弁金属基体において拡面化によって作られた微細穴に入り込むように印刷によって形成されていることを特徴とするものである。

このような固体電解コンデンサを製造する場合には、まず陽極部を構成する弁金属基体における陽極端子領域と陰極形成領域との間の表面に、上記の第１レジスト部及び第２レジスト部を形成する。そして、例えば弁金属基体の陰極形成領域を重合液に浸漬して、陰極形成領域の表面に固体電解質層を形成し、更に固体電解質層上に導電体層を積層することにより、陰極形成領域に陰極部を形成する。このとき、親水性を有する第２レジスト部は、疎水性を有する第１レジスト部よりも陰極形成領域側に形成されている。このため、固体電解質層の形成時には、重合液が十分に第２レジスト部になじむので、弁金属基体の陰極形成領域の表面全体に確実に固体電解質層が形成されるようになる。また、第２レジスト部は、第１レジスト部における陰極形成領域側の表面と弁金属基体の表面とに跨って形成されている。このため、固体電解質層の形成時に、第１レジスト部と第２レジスト部との間に隙間ができにくいので、第１レジスト部と第２レジスト部との間を重合液がしみ込んで弁金属基体の陽極端子領域に達することは殆ど無い。また、万が一重合液が親水性を有する第２レジスト部を越えたとしても、その重合液は疎水性を有する第１レジスト部にはじかれるため、重合液が第１レジスト部を回り込んで弁金属基体の陽極端子領域に達することも殆ど無い。以上により、弁金属基体の陰極形成領域のみに固体電解質層が適切に形成されるため、陰極部の形成状態が良好な固体電界コンデンサを得ることができる。

好ましくは、第２レジスト部は、第１レジスト部に対して第１レジスト部の延在方向に全体的に形成されている。例えば弁金属基体の陰極形成領域を重合液に浸漬して、陰極形成領域の表面に陰極部を形成する際、重合液の這い上がりの発生具合は、重合液の種類等によって異なり、弁金属基体のエッジ部（外側部分）から這い上がりが生じることもあるし、弁金属基体の内側部分から這い上がりが生じることもある。そこで、第２レジスト部を第１レジスト部に対して第１レジスト部の延在方向に全体的に形成することにより、重合液が弁金属基体の外側部分から這い上がる場合でも、重合液が弁金属基体の内側部分から這い上がる場合でも、第１レジスト部及び第２レジスト部を設けることの上記作用効果を同等に発揮させることができる。

本発明によれば、固体電解コンデンサにおける陰極部の形成状態が良好になる。その結果、固体電解コンデンサのコンデンサ容量等の特性が向上する。

以下、本発明に係わる固体電解コンデンサの好適な実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。

図１は、本発明に係わる固体電解コンデンサの第１の実施形態を示す断面図であり、図２は、その固体電解コンデンサの要部の平面図である。各図において、本実施形態の固体電解コンデンサ１は、コンデンサ素子２と、このコンデンサ素子２が載置・固定される基板３と、コンデンサ素子２をモールドする樹脂モールド部４とを備えている。

コンデンサ素子２は、陽極部５と、陰極部６と、陽極部５と陰極部６とを電気的に絶縁する段状の絶縁部７とを有している。陽極部５は、箔状のアルミニウム基体８で形成されている。アルミニウム基体８の表面は、図３に示すように、表面積を増やすべく粗面化（拡面化）されている。また、アルミニウム基体８の表面には、化成処理（陽極酸化）によって絶縁性の酸化アルミニウム皮膜９が形成されている。このように化成処理されたアルミニウム基体８は、陽極端子領域８ａと陰極形成領域８ｂとを有している。陽極端子領域８ａは、基板３と接続される領域であり、陰極形成領域８ｂは、陰極部６が形成される領域である。

絶縁部７は、化成処理されたアルミニウム基体８における陽極端子領域８ａと陰極形成領域８ｂとの境界部分の表面（上面、下面及び側面）上に形成されている。絶縁部７は、陽極部５と陰極部６とを電気的に絶縁する機能（前述）の他に、導電性高分子重合工程やペースト塗布工程等の浸漬工程（後述）において溶液の這い上がりを防止する機能も有している。

絶縁部７は、アルミニウム基体８の陽極端子領域８ａと陰極形成領域８ｂとを区画するようにアルミニウム基体８の表面に形成されたレジスト部１０と、このレジスト部１０における陽極端子領域８ａ側の表面とアルミニウム基体８の表面とに跨って連続的に形成されたレジスト部１１とを有している。レジスト部１０，１１は、コンデンサ素子２の一側面から他側面に向けてアルミニウム基体８の幅方向に延びるように形成されている。つまり、レジスト部１１は、レジスト部１０に対してレジスト部１０の延在方向に全体的に形成されている。レジスト部１０は、親水性を有する樹脂、例えばエポキシ樹脂等から形成されている。レジスト部１１は、疎水性（撥水性）を有する樹脂、例えばシリコン樹脂やフッ素樹脂等から形成されている。

なお、レジスト部１０，１１の幅は、例えば０．１〜１．０ｍｍである。レジスト部１０，１１の厚さは、例えば１〜５０μｍであり、好ましくは１０〜４０μｍである。

化成処理されたアルミニウム基体８における陰極形成領域８ｂの表面（上面、下面及び側面）上には、導電性高分子を含む固体電解質層１２が設けられている。この固体電解質層１２は、図３に示すように、アルミニウム基体８の粗面化によって作られた微細穴８ｃに入り込むように形成されている。固体電解質層１２上には、カーボンペースト層１３及び銀ペースト層１４からなる導電体層１５が形成されている。これらの固体電解質層１２及び導電体層１５によって陰極部６が形成されている。

このようなコンデンサ素子２は、基板３の上面に載置・固定されている。基板３は、例えばエポキシ樹脂製のプリント基板である。基板３の上面には、コンデンサ素子２の陽極部５と電気的に接続されるランド部１６と、コンデンサ素子２の陰極部６と電気的に接続されるランド部１７とが設けられている。これらのランド部１６，１７は、例えば銅箔で形成されている。ランド部１６には、陽極部５を形成するアルミニウム基体８の陽極端子領域８ａがＹＡＧレーザ溶接等により接合されている。ランド部１７には、陰極部６を形成する導電体層１２が導電性接着剤１８で接合されている。

基板３の下面には、引き出し電極１９，２０が設けられている。これらの引き出し電極１９，２０は、電子回路基板等（図示せず）に実装される部分であり、例えば銅箔で形成されている。また、基板３には、ランド部１６と引き出し電極１９とを電気的に接続するスルーホール２１と、ランド部１７と引き出し電極２０とを電気的に接続するスルーホール２２とが設けられている。

次に、上述した固体電解コンデンサ１を製造する方法について説明する。まず表面が粗面化され且つ化成処理されたアルミニウム基体８を用意し、そのアルミニウム基体８を金型により所定の形状に打ち抜く。

続いて、印刷法、ディスペンサ、インクジェット、転写法等を用いて、化成処理されたアルミニウム基体８における陽極端子領域８ａと陰極形成領域８ｂとの境界部分の表面上に絶縁部７を形成する。具体的には、まずアルミニウム基体８の当該境界部分の表面上に、親水性を有する樹脂からなるレジスト部１０を形成する。続いて、このレジスト部１０に対して所定長だけアルミニウム基体８の陽極端子領域８ａ側にずれた位置に、疎水性を有する樹脂からなるレジスト部１１をレジスト部１０と同じ幅になるように形成する。これにより、レジスト部１０における陰極形成領域８ｂ側の部分は露出し、レジスト部１０における陽極端子領域８ａ側の部分は、レジスト部１１に覆われた状態となる。

続いて、上記の金型打ち抜き加工により露出したアルミニウム基体８のエッジ部分の表面（切断面）に酸化アルミニウム皮膜を形成する。

続いて、例えば化学酸化重合法によって、アルミニウム基体８の陰極形成領域８ｂの表面上に、導電性高分子を含む固体電解質層１２を形成する。具体的には、図４に示すように、アルミニウム基体８の陰極形成領域８ｂを重合槽２３内の重合液Ｐに浸漬させて化学酸化重合を行うことにより、固体電解質層１２を形成する。このとき、重合液Ｐがなじみやすい親水性のレジスト部１０は、疎水性のレジスト部１１よりもアルミニウム基体８の陰極形成領域８ｂ側に形成されているため、重合液Ｐがレジスト部１０にはじかれることは殆ど無い。このため、固体電解質層１２はアルミニウム基体８の陰極形成領域８ｂの全体に形成され、レジスト部１０の近傍に固体電解質層１２の未形成部分が生じることは無い。

続いて、スクリーン印刷法、浸漬法及びスプレー塗布法等を用いて、固体電解質層１２上にグラファイトペースト層１３及び銀ペースト層１４を順に積層して、陰極部６を形成する。これにより、上記のようなコンデンサ素子２が得られる。このとき、上述したようにアルミニウム基体８の陰極形成領域８ｂにおけるレジスト部１０の近傍には固体電解質層１２の未形成部分が存在しないため、陰極部６の形成領域が十分に確保されることになる。これにより、コンデンサ素子２のコンデンサ容量の低下が防止される。

その後、コンデンサ素子２を基板３上に載せ、コンデンサ素子２の陰極部６を導電性接着剤１８で基板３のランド部１７に固定し、コンデンサ素子２の陽極部５をレーザー溶接等で基板３のランド部１６に固定する。そして、キャスティングモールド、インジェクション、トランスファーモールド等によってコンデンサ素子２をモールドし、図１に示すような固体電解コンデンサ１を完成させる。

ここで、比較例として、上記の絶縁部７とは形状の異なる絶縁部を図５に示す。同図に示す絶縁部５０は、アルミニウム基体８における陽極端子領域８ａと陰極形成領域８ｂとの境界部分の表面上に形成され、親水性を有する樹脂からなるレジスト部５１と、このレジスト部５１におけるアルミニウム基体８の陽極端子領域８ａ側の表面上のみに形成され、疎水性を有する樹脂からなるレジスト部５２とを有している。

このような絶縁部５０では、以下のような不具合が存在する。即ち、印刷法を用いて絶縁部５０を形成する場合、印刷条件等によっては上段側のレジスト部５２を全体的に一定幅になるように形成するのは困難であり、最悪の場合には印刷不良によりレジスト部５２に欠け等が生じることがある。この欠け等があると、その後の工程において、化学酸化重合法によりアルミニウム基体８の陰極形成領域８ｂに固体電解質層１２を形成する際に、重合液Ｐがレジスト部５２をアルミニウム基体８の陽極端子領域８ａ側に乗り越えやすくなる。このとき、親水性を有するレジスト部５１の陽極端子領域８ａ側の側面５１ａは露出しているので、レジスト部５１の側面５１ａまで達した重合液Ｐがアルミニウム基体８の陽極端子領域８ａに回り込むことがある。この場合には、当該陽極端子領域８ａの一部に固体電解質層１２が形成されることになるので、結果的に陰極部６の形成状態が悪くなる。その結果、コンデンサ素子２のコンデンサ容量の周波数特性がばらつく等、コンデンサ素子２の特性劣化につながってしまう。

もう一つの比較例として、上記の絶縁部７とは形状の異なる他の絶縁部を図６に示す。同図に示す絶縁部６０は、アルミニウム基体８における陽極端子領域８ａと陰極形成領域８ｂとの境界部分の表面上に形成され、親水性を有する樹脂からなるレジスト部６１と、アルミニウム基体８におけるレジスト部６１よりも陽極端子領域８ａ側の表面上に形成され、疎水性を有する樹脂からなるレジスト部６２とを有している。

このような絶縁部６０では、以下のような不具合が存在する。即ち、印刷法を用いてレジスト部６１，６２をアルミニウム基体８の表面上に隣接して形成すると、レジスト部６１，６２間に隙間ができやすい。この隙間があると、その後の工程において、化学酸化重合法によりアルミニウム基体８の陰極形成領域８ｂに固体電解質層１２を形成する際に、重合液Ｐがレジスト部６１，６１間をしみ込んで、アルミニウム基体８の陽極端子領域８ａに達することがある。この場合にも、当該陽極端子領域８ａの一部に固体電解質層１２が形成されることになるので、陰極部６の形成状態が悪くなり、最終的に得られるコンデンサ素子２の特性が劣化してしまう。

これに対し本実施形態では、疎水性を有するレジスト部１１を、親水性を有するレジスト部１０におけるアルミニウム基体８の陽極端子領域８ａ側の表面とアルミニウム基体８の表面とに跨がるように形成したので、図４に示すような化学酸化重合法による固体電解質層１２の形成時における上記不具合を解決することができる。

即ち、親水性を有するレジスト部１０の陽極端子領域８ａ側の側面１０ａは、疎水性を有するレジスト部１１によって覆われることになる。このため、印刷条件等によってレジスト部１１におけるレジスト部１０上に形成された部分に欠け等が生じても、重合液Ｐがレジスト部１１を乗り越えてアルミニウム基体８の陽極端子領域８ａまで回り込むことは殆ど無い。また、レジスト部１１の一部をレジスト部１０に対して重ねた構造としているので、レジスト部１０，１１間には殆ど隙間が生じない。このため、重合液Ｐがレジスト部１０，１１間をしみ込んでアルミニウム基体８の陽極端子領域８ａまで達することも殆ど無い。従って、アルミニウム基体８の陰極形成領域８ａのみに固体電解質層１２が適切に形成されるため、その後の工程において、固体電解質層１２上に導電体層１５を形成してコンデンサ素子２を作り上げたときに、陰極部６の形成状態が良好になる。その結果、コンデンサ素子２におけるコンデンサ容量の周波数特性のばらつき等が抑制されるため、品質や性能の良い固体電解コンデンサ１を得ることができる。

また、レジスト部１１を、レジスト部１０に対してレジスト部１０の延在方向に全体的に形成したので、重合液Ｐの種類等に起因した重合液Ｐの這い上がり具合の違いによらず、同等に対処可能となる。即ち、図７（ａ）に示すようにアルミニウム基体８のエッジ部（外側部分）から這い上がりし易い重合液Ｐを使用した場合でも、図７（ｂ）に示すようにアルミニウム基体８の内側部分から這い上がりし易い重合液Ｐを使用した場合でも、絶縁部７における重合液Ｐの回り込みやしみ込みを同じように抑えることができる。

図８は、本発明に係わる固体電解コンデンサの第２の実施形態を示す断面図であり、図９は、その固体電解コンデンサの要部の平面図である。図中、第１の実施形態と同一または同等の部材には同じ符号を付し、その説明を省略する。

各図において、本実施形態の固体電解コンデンサ３０は、コンデンサ素子３１と、基板３と、樹脂モールド部４とを備えている。コンデンサ素子３１は、第１の実施形態における絶縁部７に代えて、絶縁部３２を有している。コンデンサ素子３１の他の構成は、第１の実施形態におけるコンデンサ素子２と同様である。

絶縁部３２は、アルミニウム基体８の陽極端子領域８ａと陰極形成領域８ｂとを区画するようにアルミニウム基体８の表面に形成されたレジスト部３３と、このレジスト部３３における陰極形成領域８ｂ側の表面とアルミニウム基体８の表面とに跨って連続的に形成されたレジスト部３４とを有している。レジスト部３３，３４は、コンデンサ素子３１の一側面から他側面に向けてアルミニウム基体８の幅方向に延びるように形成されている。つまり、レジスト部３４は、レジスト部３３に対してレジスト部３３の延在方向に全体的に形成されている。レジスト部３３は、疎水性を有する樹脂から形成され、レジスト部３４は、親水性を有する樹脂から形成されている。

このような絶縁部３２を形成する場合は、まずアルミニウム基体８における陽極端子領域８ａと陰極形成領域８ｂとの境界部分の表面上にレジスト部３３を形成する。続いて、このレジスト部３３に対して所定長だけアルミニウム基体８の陰極形成領域８ｂ側にずれた位置に、レジスト部３４をレジスト部３３と同じ幅となるように形成する。これにより、レジスト部３３における陽極端子領域８ａ側の部分は露出し、レジスト部３３における陰極形成領域８ｂ側の部分は、レジスト部３４に覆われた状態となる。

このような絶縁部３２をアルミニウム基体８の表面上に形成することにより、その後の工程において、図１０に示すように化学酸化重合法によりアルミニウム基体８の陰極形成領域８ｂに固体電解質層１２を形成する際、重合液Ｐが親水性のレジスト部３４になじむようになる。このため、第１の実施形態と同様に、固体電解質層１２はアルミニウム基体８の陰極形成領域８ｂの全体に形成されるため、結果的に陰極部６の形成領域が十分に確保されるようになる。

また、レジスト部３４は、レジスト部３３の表面とアルミニウム基体８の表面とに跨って段状に形成されているので、レジスト部３３，３４間には殆ど隙間が生じない。このため、固体電解質層１２の形成時に、重合液Ｐがレジスト部３３，３４間にしみ込んでアルミニウム基体８の陽極端子領域８ａまで達することが防止される。また、重合液Ｐが親水性のレジスト部３４を乗り越えたとしても、その重合液Ｐは疎水性のレジスト部３３にはじかれるため、重合液Ｐがレジスト部３３を回り込んでアルミニウム基体８の陽極端子領域８ａに達することも防止される。従って、アルミニウム基体８の陰極形成領域８ａのみに固体電解質層１２が適切に形成されるため、最終的に得られるコンデンサ素子３１の陰極部６の形成状態が良好になる。これにより、第１の実施形態と同様に、品質や性能の良い固体電解コンデンサ３０を得ることができる。

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば、第１の実施形態では、レジスト部１１がレジスト部１０に対してレジスト部１０の延在方向に全体的に形成されるような絶縁部７としたが、絶縁部の構造としては、特にこれには限られない。例えば、固体電解質層１２の形成工程や、浸漬法による導電体層１２の形成工程において、アルミニウム基体８のエッジ部から這い上がりしやすい溶液が使用される場合には、レジスト部１０の両端部に対応する位置のみにレジスト部１１を形成し、アルミニウム基体８の内側部分から這い上がりしやすい溶液が使用される場合には、レジスト部１０の中央部に対応する位置のみにレジスト部１１を形成しても良い。第２の実施形態についても同様である。

また、上記実施形態では、化成処理されたアルミニウム基体８の表面つまり酸化アルミニウム皮膜９上に絶縁部を形成したが、化成処理されていない状態のアルミニウム基体８の表面に絶縁部を直接形成しても良い。

さらに、上記実施形態では、コンデンサ素子の陽極部５を形成する弁金属基体としてアルミニウム基体８を用いたが、弁金属基体の材料としては、アルミニウム以外に、アルミニウム合金、チタン、タンタル、ニオブ及びジルコニウムまたはこれらの合金等を使用してもよい。

また、本発明の固体電解コンデンサは、複数の陽極部を有する多端子型構造のものや、コンデンサ素子をリードフレームに固定する構造のものや、コンデンサ容量を稼ぐために複数枚のコンデンサ素子を積層してなる構造のもの等にも適用可能である。

[実施例１]
金型により所定の形状に打ち抜かれたアルミニウム化成箔（化成処理されたアルミニウム基体）の表面上に、図４に示すような絶縁部を形成した。具体的には、まずスクリーン印刷を用いて、親水性のエポキシ樹脂からなる第１レジスト部を形成し、印刷後に加熱硬化を行った。第１レジスト部の幅は０．６ｍｍとし、第１レジスト部の膜厚は１０μｍとした。また、エポキシ樹脂としては、レジナス化成のC-471Gを用いた。

次いで、第１レジスト部よりもアルミニウム基体の陽極端子領域側に０．３ｍｍずらした形で、同様にスクリーン印刷を用いて、撥水性のシリコン樹脂からなる第２レジスト部を形成し、印刷後に加熱硬化を行った。第２レジスト部の幅は０．６ｍｍとし、第２レジスト部の膜厚は１０μｍとした。これにより、第１レジスト部は、アルミニウム基体の陰極形成領域側に０．３ｍｍ幅の領域を残して、第２レジスト部で覆われた状態となる。なお、シリコン樹脂としては、東芝シリコーンのTSE326を用いた。

次いで、７wt％アジピン酸アンモニウム溶液を用いて再化成処理を行い、上記の金型打ち抜き加工により露出した化成アルミニウム基体のエッジ部分の表面に酸化アルミニウム皮膜を形成した。

次いで、エチレンジオキシチオフェン（ＥＤＯＴ）とパラトルエンスルホン酸鉄との混合溶液（ブタノール溶液）にアルミニウム基体の陰極形成領域を浸漬し、導電性高分子であるポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）を当該陰極形成領域の表面上に形成した。

次いで、固体電解質層上にグラファイトペースト及び銀ペーストを塗布して、陰極部を形成した。そして、アルミニウム基体の陽極端子領域及び陰極部をそれぞれ基板のランド部に接合した後、コンデンサ素子を樹脂モールドすることにより、チップ状の固体電界コンデンサを得た。

このようにして得られた固体電界コンデンサにおいて、１２０Ｈｚでコンデンサ容量を測定した時のバラツキは、±１．５％以内であった。この事から、ＰＥＤＯＴがアルミニウム基体の陰極形成領域のみに精度良く形成（重合）されていることが分かった。

[実施例２]
実施例１と同様の形状に打ち抜かれたアルミニウム基体の表面上に、図１０に示すような絶縁部を形成した。具体的には、まずスクリーン印刷を用いて、撥水性のシリコン樹脂（TSE326）からなる第１レジスト部を形成し、印刷後に加熱硬化を行った。第１レジスト部の幅は０．６ｍｍとし、第１レジスト部の膜厚は１０μｍとした。

次いで、第１レジスト部よりもアルミニウム基体の陰極形成領域側に０．３ｍｍずらした形で、同様にスクリーン印刷を用いて、親水性のエポキシ樹脂（C-471G）からなる第２レジスト部を形成し、印刷後に加熱硬化を行った。第２レジスト部の幅は０．６ｍｍとし、第２レジスト部の膜厚は１０μｍとした。これにより、第１レジスト部は、アルミニウム基体の陽極端子領域側に０．３ｍｍ幅の領域を残して、第２レジスト部で覆われた状態となる。

この絶縁部の形成工程以外は上記の実施例１と同様にして、固体電界コンデンサを作成した。

このようにして得られた固体電界コンデンサにおいて、１２０Ｈｚでコンデンサ容量を測定した時のバラツキは、±１．５％以内であり、実施例１と同様に、ＰＥＤＯＴがアルミニウム基体の陰極形成領域のみに精度良く形成されていることが分かった。

[比較例１]
実施例１と同様の形状に打ち抜かれたアルミニウム基体の表面上に、図５に示すような絶縁部を形成した。具体的には、まずスクリーン印刷を用いて、親水性のエポキシ樹脂（C-471G）からなる０．９ｍｍ幅の第１レジスト部を形成した。次いで、同様にスクリーン印刷を用いて、第１レジスト部におけるアルミニウム基体の陽極端子領域側の部分に重なるように、撥水性のシリコン樹脂（TSE326）からなる０．３ｍｍ幅の第２レジスト部を形成した。この絶縁部の形成工程以外は上記の実施例１と同様にして、固体電界コンデンサを作成した。

このようにして得られた固体電界コンデンサにおいて、１２０Ｈｚでコンデンサ容量を測定した時のバラツキは、±５．０％と非常に大きなものであった。

[比較例２]
実施例１と同様の形状に打ち抜かれたアルミニウム基体の表面上に、図６に示すような絶縁部を形成した。具体的には、まずスクリーン印刷を用いて、親水性のエポキシ樹脂（C-471G）からなる０．６ｍｍ幅の第１レジスト部を形成した。次いで、同様にスクリーン印刷を用いて、第１レジスト部よりもアルミニウム基体の陽極端子領域側に、撥水性のシリコン樹脂（TSE326）からなる０．３ｍｍ幅の第２レジスト部を第１レジスト部に隣接して形成した。この絶縁部の形成工程以外は上記の実施例１と同様にして、固体電界コンデンサを作成した。

このようにして得られた固体電界コンデンサにおいて、１２０Ｈｚでコンデンサ容量を測定した時のバラツキは、±３．５％と大きなものであった。

本発明に係わる固体電解コンデンサの第１の実施形態を示す側断面図である。 図１に示したコンデンサ素子の平面図である。 図２に示したコンデンサ素子の一部構造を詳細に示す拡大断面図である。 図１に示したアルミニウム基体の陰極形成領域に固体電界質層を形成する様子を示す断面図である。 図１に示した絶縁部とは異なる絶縁部を有するアルミニウム基体の陰極形成領域に固体電界質層を形成する様子を示す断面図である。 図１に示した絶縁部とは異なる他の絶縁部を有するアルミニウム基体の陰極形成領域に固体電界質層を形成する様子を示す断面図である。 図１に示した固体電解質層を形成する時に起こる重合液の這い上がり状態を示す図である。 本発明に係わる固体電解コンデンサの第２の実施形態を示す側断面図である。 図８に示したコンデンサ素子の平面図である。 図８に示したアルミニウム基体の陰極形成領域に固体電界質層を形成する様子を示す断面図である。

符号の説明

１…固体電解コンデンサ、２…コンデンサ素子、５…陽極部、６…陰極部、７…絶縁部、８…アルミニウム基体（弁金属基体）、８ａ…陽極端子領域、８ｂ…陰極形成領域、９…酸化アルミニウム皮膜（酸化皮膜）、１０…レジスト部（第１レジスト部）、１１…レジスト部（第２レジスト部）、１２…固体電解質層、１５…導電体層、３０…固体電解コンデンサ、３１…コンデンサ素子、３２…絶縁部、３３…レジスト部（第１レジスト部）、３４…レジスト部（第２レジスト部）。

Claims (3)

1. 陽極端子領域及び陰極形成領域を有する陽極部を構成する弁金属基体と、
   前記弁金属基体の前記陰極形成領域の表面に設けられた酸化皮膜上に固体電解質層及び導電体層を積層して形成された陰極部と、
   前記陽極端子領域と前記陰極形成領域とを区画するように前記弁金属基体の表面に形成され、親水性を有する樹脂からなる第１レジスト部と、
   前記第１レジスト部よりも前記陽極端子領域側にずらした形で、前記第１レジスト部における前記陽極端子領域側の表面と前記弁金属基体の表面とに跨って連続的に形成され、疎水性を有する樹脂からなる第２レジスト部とを備え、
   前記弁金属基体の表面は、拡面化されており、
   前記第１レジスト部及び前記第２レジスト部は、前記弁金属基体において拡面化によって作られた微細穴に入り込むように印刷によって形成されていることを特徴とする固体電解コンデンサ。
2. 陽極端子領域及び陰極形成領域を有する陽極部を構成する弁金属基体と、
   前記弁金属基体の前記陰極形成領域の表面に設けられた酸化皮膜上に固体電解質層及び導電体層を積層して形成された陰極部と、
   前記陽極端子領域と前記陰極形成領域とを区画するように前記弁金属基体の表面に形成され、疎水性を有する樹脂からなる第１レジスト部と、
   前記第１レジスト部よりも前記陰極端子領域側にずらした形で、前記第１レジスト部における前記陰極形成領域側の表面と前記弁金属基体の表面とに跨って連続的に形成され、親水性を有する樹脂からなる第２レジスト部とを備え、
   前記弁金属基体の表面は、拡面化されており、
   前記第１レジスト部及び前記第２レジスト部は、前記弁金属基体において拡面化によって作られた微細穴に入り込むように印刷によって形成されていることを特徴とする固体電解コンデンサ。
3. 前記第２レジスト部は、前記第１レジスト部に対して前記第１レジスト部の延在方向に全体的に形成されていることを特徴とする請求項１または２記載の固体電解コンデンサ。

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