JP2008010827A - エピタキシャルシリコンウェーハ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決方法】本発明のエピタキシャルシリコンウェーハは、第1ドーピング濃度を有するバルクウェーハと、該バルクウェーハ上に前記第1ドーピング濃度より高い第2ドーピング濃度を有する第1エピタキシャル層と、該第1エピタキシャル層上に前記第2ドーピング濃度より低い第3ドーピング濃度を有する第2エピタキシャル層とを備える。
【選択図】図1
Description
12,24 高濃度エピタキシャル層
14,28 低濃度エピタキシャル層
22,26 中間層
Claims (38)
- 第1ドーピング濃度を有するバルクウェーハと、
該バルクウェーハ上に前記第1ドーピング濃度より高い第2ドーピング濃度を有する第1エピタキシャル層と、
該第1エピタキシャル層上に前記第2ドーピング濃度より低い第3ドーピング濃度を有する第2エピタキシャル層と
を備えることを特徴とするエピタキシャルシリコンウェーハ。 - 前記バルクウェーハが、比抵抗が1Ω・cm〜50Ω・cmの範囲であることを特徴とする請求項1に記載のエピタキシャルシリコンウェーハ。
- 前記バルクウェーハが、再生ウェーハ、テストウェーハ又はプライムウェーハのうち、選択されたいずれか1つのウェーハで形成されることを特徴とする請求項1に記載のエピタキシャルシリコンウェーハ。
- 前記バルクウェーハが、n型、p型又は真性で形成されることを特徴とする請求項1に記載のエピタキシャルシリコンウェーハ。
- 前記第1エピタキシャル層が、比抵抗が10−5Ω・cm〜10−1Ω・cmの範囲であることを特徴とする請求項1に記載のエピタキシャルシリコンウェーハ。
- 前記第1エピタキシャル層が、n型又はp型で形成されることを特徴とする請求項1に記載のエピタキシャルシリコンウェーハ。
- 前記第2エピタキシャル層が、比抵抗が1Ω・cm〜50Ω・cmの範囲であることを特徴とする請求項1に記載のエピタキシャルシリコンウェーハ。
- 前記第2エピタキシャル層が、n型、p型又は真性であることを特徴とする請求項1に記載のエピタキシャルシリコンウェーハ。
- 前記バルクウェハーと前記第1エピタキシャル層との間に、前記第1エピタキシャル層及び前記第2エピタキシャル層と異なる濃度を有するように形成された第1中間層をさらに備えたことを特徴とする請求項1に記載のエピタキシャルシリコンウェーハ。
- 前記第1エピタキシャル層と前記第2エピタキシャル層との間に、前記第1エピタキシャル層及び前記第2エピタキシャル層と異なる濃度を有するように形成された第2中間層をさらに備えたことを特徴とする請求項9に記載のエピタキシャルシリコンウェーハ。
- 前記第2中間層が、前記第1エピタキシャル層と同一又は互いに異なる導電型で形成されることを特徴とする請求項10に記載のエピタキシャルシリコンウェーハ。
- 前記第2中間層が、前記第1エピタキシャル層を成長させて形成されることを特徴とする請求項11に記載のエピタキシャルシリコンウェーハ。
- 前記第1中間層及び第2中間層が、n型、p型又は真性であることを特徴とする請求項11に記載のエピタキシャルシリコンウェーハ。
- 前記第1中間層及び第2中間層が、互いに同一又は互いに異なるドーピング濃度で形成されることを特徴とする請求項11に記載のエピタキシャルシリコンウェーハ。
- 前記第1中間層及び第2中間層が、前記バルクウェーハより高い濃度で形成されることを特徴とする請求項11に記載のエピタキシャルシリコンウェーハ。
- 前記第1中間層及び第2中間層が、複数の層で形成されることを特徴とする請求項11に記載のエピタキシャルシリコンウェーハ。
- 第1ドーピング濃度を有するバルクウェーハを形成するステップと、
該バルクウェーハ上に前記第1ドーピング濃度より高い第2ドーピング濃度を有する第1エピタキシャル層を形成するステップと、
該第1エピタキシャル層上に前記第2ドーピング濃度より低い第3ドーピング濃度を有する第2エピタキシャル層を形成するステップと
を含むことを特徴とするエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。 - 前記バルクウェーハが、比抵抗が1Ω・cm〜50Ω・cmの範囲を有するように形成されることを特徴とする請求項17に記載のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
- 前記バルクウェーハが、再生ウェーハ、テストウェーハ又はプライムウェーハのうち、選択されたいずれか1つのウェーハを利用して形成されることを特徴とする請求項17に記載のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
- 前記バルクウェーハが、n型、p型又は真性で形成されることを特徴とする請求項17に記載のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
- 前記第1エピタキシャル層が、比抵抗が10−5Ω・cm〜10−1Ω・cmの範囲を有するように形成されることを特徴とする請求項17に記載のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
- 前記第1エピタキシャル層が、n型又はp型で形成されることを特徴とする請求項17に記載のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
- 前記第1エピタキシャル層を形成するステップが、900℃〜1200℃の範囲の温度と、1333.22Pa〜101324.7Paの範囲の圧力とでSiH4やDCS(Dichloro Silane)又はTCS(Tri Chloro Silane)のシリコンソースガスを利用して形成されることを特徴とする請求項17に記載のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
- 前記第1エピタキシャル層を形成するステップが、前記第1エピタキシャル層の導電型を決定するためにB2H6、AsH3又はPH3ガスのうち、選択されたいずれか1つのガスを利用して形成されることを特徴とする請求項23に記載のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
- 前記第2エピタキシャル層が、比抵抗が1Ω・cm〜50Ω・cmの範囲を有するように形成されることを特徴とする請求項17に記載のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
- 前記第2エピタキシャル層が、n型、p型又は真性で形成されることを特徴とする請求項17に記載のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
- 前記第2エピタキシャル層を形成するステップが、900℃〜1200℃の範囲の温度と、1333.22Pa〜101324.7Paの範囲の圧力とでSiH4やDCS又はTCSのシリコンソースガスを利用して形成されることを特徴とする請求項17に記載のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
- 前記第2エピタキシャル層を形成するステップが、前記第2エピタキシャル層の導電型を決定するためにB2H6、AsH3又はPH3ガスのうち、選択されたいずれか1つのガスを利用して形成されることを特徴とする請求項27に記載のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
- 前記第2エピタキシャル層を形成するステップが、前記第1エピタキシャル層を形成するステップとインサイチュウとで実施されることを特徴とする請求項17に記載のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
- 前記第1エピタキシャル層及び第2エピタキシャル層が、LPCVD、UHVCVD又はRPCVD方式で形成されることを特徴とする請求項17に記載のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
- 前記バルクウェハーと前記第1エピタキシャル層との間に、前記第1エピタキシャル層及び前記第2エピタキシャル層と互いに異なる濃度を有するように第1中間層を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項17に記載のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
- 前記第1エピタキシャル層と前記第2エピタキシャル層との間に、前記第1エピタキシャル層及び前記第2エピタキシャル層と異なる濃度を有するように第2中間層を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項31に記載のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
- 前記第2中間層が、前記第1エピタキシャル層と同一又は互いに別の導電型で形成されることを特徴とする請求項31に記載のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
- 前記第2中間層が、前記第1エピタキシャル層を成長させて形成されることを特徴とする請求項31に記載のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
- 前記第1中間層及び第2中間層が、n型、p型又は真性で形成されることを特徴とする請求項31に記載のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
- 前記第1中間層及び第2中間層が、互いに同一又は互いに異なるドーピング濃度で形成されることを特徴とする請求項31に記載のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
- 前記第1中間層及び第2中間層が、前記バルクウェーハより高い濃度で形成されることを特徴とする請求項31に記載のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
- 前記第1中間層及び第2中間層が、複数の層で形成されることを特徴とする請求項31に記載のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
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