JP2008004706A - 発光ダイオード駆動回路 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、発光ダイオードの発光輝度を高精度に調整することができ、かつ、回路規模の増大を抑えることができる発光ダイオード駆動回路を提供することを目的とする。
【解決手段】基準電流を生成する基準電流部３３と、カレントミラー回路を用いて基準電流に基づく駆動電流を生成して発光ダイオードに供給する電流出力部４４からなる発光ダイオード駆動回路であって、基準電流部は、基準電流が抵抗回路を流れることで発生する電圧が一定の基準電圧と同一となるよう基準電流を制御する演算増幅器３０と、抵抗とトランジスタの直列接続回路を基準抵抗と並列に複数接続した抵抗回路であり、直列接続回路のトランジスタを制御信号に応じてオンまたはオフさせて基準電流が流れることで発生する電圧を切り替え、基準電流を切り替える基準電流切り替え回路Ｒ１３〜Ｒ１６，Ｍ３１〜Ｍ３３を有する。
【選択図】図２

Description

本発明は発光ダイオード駆動回路に関し、配列された複数の発光ダイオードそれぞれを駆動する発光ダイオード駆動回路に関する。

プリンタ等において感光体を感光させる手段として、発光ダイオード（以下、「ＬＥＤ」という）をリニアに配列したＬＥＤアレイを用いたものがある。このようなＬＥＤアレイの各ＬＥＤを駆動する駆動回路としては、例えば特許文献１，２等に記載されているものがある。

図３は、従来の発光ダイオード駆動回路の一例の回路構成図を示す。この駆動回路は半導体集積回路化されている。

同図中、演算増幅器１０の反転入力端子には基準電圧源１１より基準電圧Ｖｒｅｆが印加されている。演算増幅器１０の出力端子はｐチャネルＭＯＳ電界効果トランジスタ（以下、単に「ＭＯＳトランジスタ」という）Ｍ０のゲートに接続されると共に、ｐチャネルＭＯＳトランジスタＭ１のゲートに接続され、また、アナログスイッチ等のスイッチ１２，１３を介してｐチャネルＭＯＳトランジスタＭ２，Ｍ３のゲートに接続されている。ＭＯＳトランジスタＭ０，Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３のソースは電源Ｖｄｄ１に接続されている。ＭＯＳトランジスタＭ０，Ｍ１はカレントミラー回路を構成し、スイッチ１２，１３のオン時にＭＯＳトランジスタＭ０はＭＯＳトランジスタＭ１〜Ｍ３と共にカレントミラー回路を構成する。

ＭＯＳトランジスタＭ０のドレインは演算増幅器１０の非反転入力端子に接続されると共に、抵抗Ｒ１を介して接地されている。ＭＯＳトランジスタＭ１，Ｍ２，Ｍ３のドレインはｎチャネルＭＯＳトランジスタＭ４のドレインに共通接続されている。スイッチ１２，１３は端子１４ａ，１４ｂそれぞれから供給される輝度制御用のスイッチ制御信号に応じてオン／オフを切り換える。

ＭＯＳトランジスタＭ４のドレインはｎチャネルＭＯＳトランジスタＭ４，Ｍ５のゲートに共通接続され、ＭＯＳトランジスタＭ４，Ｍ５のソースは接地されており、ＭＯＳトランジスタＭ４，Ｍ５はカレントミラー回路を構成している。

ＭＯＳトランジスタＭ５のドレインはｐチャネルＭＯＳトランジスタＭ６のゲートとドレインに接続されている。ＭＯＳトランジスタＭ６のゲートはアナログスイッチ等のスイッチ１５，１６それぞれを介してｐチャネルＭＯＳトランジスタＭ７，Ｍ８のゲートに接続されている。ＭＯＳトランジスタＭ６，Ｍ７，Ｍ８のソースは電源Ｖｄｄ２に接続され、ＭＯＳトランジスタＭ７，Ｍ８のドレインはＬＥＤ（発光ダイオード）１８のアノードに接続され、ＬＥＤ１８のカソードは接地されている。

スイッチ１５，１６は、端子１７ａ，１７ｂそれぞれから供給される階調制御用のスイッチ制御信号に応じてオン／オフを切り換える。ＭＯＳトランジスタＭ７，Ｍ８はスイッチ１５，１６がオンのときにＭＯＳトランジスタＭ６とカレントミラー回路を構成する。スイッチ１５はＬＥＤ１８を発光させるタイミングでオンとなり、スイッチ１６はＬＥＤ１８の発光輝度を増大させて階調表現を行う場合にオンとなる。

演算増幅器１０は基準電圧Ｖｒｅｆと抵抗Ｒ１により、（１）式で表わされる第１基準電流Ｉｒｅｆ１をＭＯＳトランジスタＭ０のドレインに流し、ＭＯＳトランジスタＭ０，Ｍ１のゲート面積比が１：Ａであれば、ＭＯＳトランジスタＭ４のドレインに電流Ａ×Ｉｒｅｆ１が流れる（スイッチ１３がオフの状態）。

Ｉｒｅｆ１＝Ｖｒｅｆ／Ｒ１ …（１）
ＭＯＳトランジスタＭ１とＭＯＳトランジスタＭ２，Ｍ３のゲート面積比が１０：１である場合、スイッチ１２をオンとしてＭＯＳトランジスタＭ２をオンすると、ＭＯＳトランジスタＭ１のドレイン電流にＭＯＳトランジスタＭ２のドレイン電流が加算されてＭＯＳトランジスタＭ４のドレイン電流（１．１×Ａ×Ｉｒｅｆ１）となる。また、スイッチ１２，１３をオンとしてＭＯＳトランジスタＭ２，Ｍ３をオンすると、ＭＯＳトランジスタＭ１のドレイン電流にＭＯＳトランジスタＭ２，Ｍ３のドレイン電流が加算されてＭＯＳトランジスタＭ４のドレイン電流（１．２×Ａ×Ｉｒｅｆ１）となる。このＭＯＳトランジスタＭ４のドレイン電流が第２基準電流となってＭＯＳトランジスタＭ５，Ｍ６のドレイン電流を決定するため、階調表現にかかわらず、ＬＥＤ１８に流れる電流はスイッチ１２のオンにより１．１倍となってＬＥＤ１８の発光輝度を約１．１倍とし、スイッチ１２，１３のオンにより１．２倍となってＬＥＤ１８の発光輝度を約１．２倍とする。
特許第３２９６８８２号公報 特許第２５１６２３６号公報

従来の発光ダイオード駆動回路では、ＭＯＳトランジスタＭ１と並列に、スイッチ１２，１３及びＭＯＳトランジスタＭ２，Ｍ３を設け、スイッチ１２，１３のオン／オフ制御を行うことで、ＬＥＤ１８の発光輝度を調整していた。

この場合、ＬＥＤ１８の発光輝度をより細かに調整しようとすると、ＭＯＳトランジスタＭ１と並列に設けるスイッチ及びＭＯＳトランジスタの段数を１０数段から数１０段と増加させなければならず、回路規模が大きくなるという問題があった。

本発明は、上記の点に鑑みなされたものであり、発光ダイオードの発光輝度を高精度に調整することができ、かつ、回路規模の増大を抑えることができる発光ダイオード駆動回路を提供することを目的とする。

本発明の発光ダイオード駆動回路は、基準電流を生成する基準電流部と、カレントミラー回路を用いて前記基準電流に基づく駆動電流を生成して発光ダイオードに供給する電流出力部からなる発光ダイオード駆動回路であって、
前記基準電流部は、前記基準電流が抵抗回路を流れることで発生する電圧が一定の基準電圧と同一となるよう前記基準電流を制御する演算増幅器と、
抵抗とトランジスタの直列接続回路を基準抵抗と並列に複数接続した抵抗回路であり、前記直列接続回路のトランジスタを制御信号に応じてオンまたはオフさせて前記基準電流が流れることで発生する電圧を切り替え、前記基準電流を切り替える基準電流切り替え回路を有することにより、発光ダイオードの発光輝度を高精度に調整することができ、かつ、回路規模の増大を抑えることができる。

前記発光ダイオード駆動回路において、
前記複数の直列接続回路の抵抗は、前記基準抵抗と抵抗値が異なることができる。

本発明によれば、発光ダイオードの発光輝度を高精度に調整することができ、かつ、回路規模の増大を抑えることができる。

以下、図面に基づいて本発明の実施形態について説明する。

＜ＬＥＤアレイ駆動回路の構成＞
図１は、本発明の発光ダイオード駆動回路を用いたＬＥＤアレイ装置の一実施形態のブロック構成図を示す。このＬＥＤアレイ装置は例えば４８チャネル構成である。

同図中、シフトレジスタ２０には１チャネルについて例えば６ビットの発光時間データが４８チャネル分時系列で供給され、シフトレジスタ２０で順次シフトされてラッチされたのち、パルス幅変調回路２２に供給される。パルス幅変調回路２２は、チャネル毎に発光時間データで指示されるパルス幅の発光パルスを生成し、４８チャネル分の発光パルスをＬＥＤアレイ駆動回路２６に供給する。

シフトレジスタ２４には１チャネルについて例えば６ビットの発光輝度データが４８チャネル分時系列で供給され、シフトレジスタ２４で順次シフトされてラッチされたのち、ＬＥＤアレイ駆動回路２６に供給される。ＬＥＤアレイ駆動回路２６は、チャネル毎に発光輝度データをデコードしてｎ系統のスイッチ制御信号を生成し、チャネル毎に発光パルスでオンさせるＭＯＳトランジスタを上記ｎ系統のスイッチ制御信号によって決定する。ＬＥＤアレイ駆動回路２６はＬＥＤアレイ２８を構成する４８チャネルのＬＥＤをチャネル単位に駆動する。

＜発光ダイオード駆動回路の構成＞
図２は、本発明の発光ダイオード駆動回路の一実施形態の回路構成図を示す。この駆動回路は半導体集積回路化されている。

同図中、演算増幅器３０の反転入力端子には基準電圧源回路３１より基準電圧Ｖｒｅｆが印加されている。演算増幅器３０の出力端子はｐチャネルＭＯＳトランジスタＭ１１，Ｍ１２それぞれのゲートに接続されている。ＭＯＳトランジスタＭ１１，Ｍ１２それぞれのソースは抵抗Ｒ１１，Ｒ１２それぞれを介して電源Ｖｄｄ１に接続されてカレントミラー回路を構成している。ＭＯＳトランジスタＭ１１，Ｍ１２それぞれのドレインはｐチャネルＭＯＳトランジスタＭ１３，Ｍ１４それぞれのソースに接続されている。

ＭＯＳトランジスタＭ１３，Ｍ１４のゲートはＭＯＳトランジスタＭ１３のドレインに共通接続されてカレントミラー回路を構成しており、ＭＯＳトランジスタＭ１３のドレインは演算増幅器３０の非反転入力端子に接続されると共に、抵抗Ｒ１３，Ｒ１４，Ｒ１５，Ｒ１６それぞれの一端に接続されている。抵抗Ｒ１３の他端は接地されている。

ＭＯＳトランジスタＭ１１〜Ｍ１４はカレントミラー回路がカスケード接続された構成とすることにより、ＭＯＳトランジスタＭ１１，Ｍ１２のドレイン電位が略同一となり、ゲート面積が同一の場合ＭＯＳトランジスタＭ１３，Ｍ１４のドレイン電流は略同一となる。

抵抗Ｒ１４，Ｒ１５，Ｒ１６それぞれの他端にはｎチャネルＭＯＳトランジスタＭ３１，Ｍ３２，Ｍ３３のドレインが接続され、ＭＯＳトランジスタＭ３１，Ｍ３２，Ｍ３３のソースは接地されている。ＭＯＳトランジスタＭ３１，Ｍ３２，Ｍ３３のゲートには端子３２ａ，３２ｂ，３２ｃから輝度制御用のスイッチ制御信号が供給される。

ＭＯＳトランジスタＭ１４のドレインはｎチャネルＭＯＳトランジスタＭ１５のドレインに接続されている。ＭＯＳトランジスタＭ１５のゲートはｎチャネルＭＯＳトランジスタＭ１６のゲートと接続されてカレントミラー回路を構成している。

ＭＯＳトランジスタＭ１５，Ｍ１６それぞれのソースはｎチャネルＭＯＳトランジスタＭ１７，Ｍ１８それぞれのドレインに接続されている。ＭＯＳトランジスタＭ１７，Ｍ１８のゲートはＭＯＳトランジスタＭ１５のドレインに共通接続されてカレントミラー回路を構成し、ＭＯＳトランジスタＭ１７，Ｍ１８のソースは接地されている。

ＭＯＳトランジスタＭ１５〜Ｍ１８はカレントミラー回路がカスケード接続された構成となることにより、ＭＯＳトランジスタＭ１５，Ｍ１６のソース電位が略同一となり、ゲート面積が同一の場合ＭＯＳトランジスタＭ１５，Ｍ１６のドレイン電流は略同一となる。なお、ＭＯＳトランジスタＭ１５，Ｍ１６のゲートには電圧源３４より定電圧Ｖａが印加されることでＭＯＳトランジスタＭ１７，Ｍ１８のドレイン電位はＶａ−Ｖｇｓ１（Ｖｇｓ１はｎチャネルＭＯＳトランジスタのゲート・ドレイン間電圧）となる。

上記の演算増幅器３０，基準電圧源回路３１，ＭＯＳトランジスタＭ１１〜Ｍ１５及びＭ１７は基準電流部３３を構成している。演算増幅器３０は、ＭＯＳトランジスタＭ１３のドレイン電流が抵抗Ｒ１３，Ｒ１４，Ｒ１５，Ｒ１６を流れることにより生じるＭＯＳトランジスタＭ１３のドレイン電圧と基準電圧源回路３１からの基準電圧Ｖｒｅｆと差動増幅して、両者が同一となるようにＭＯＳトランジスタＭ１１のドレイン電流を制御してＭＯＳトランジスタＭ１３のドレインに一定の基準電流Ｉｒｅｆを流す。また、カレントミラー回路によってＭＯＳトランジスタＭ１６のドレインに基準電流Ｉｒｅｆに比例した電流が流れる。

ＭＯＳトランジスタＭ１６のドレインはｐチャネルＭＯＳトランジスタＭ２２のドレインに接続されている。ＭＯＳトランジスタＭ２２のソースはｐチャネルＭＯＳトランジスタＭ２１のドレインに接続されている。ＭＯＳトランジスタＭ２１のソースは抵抗Ｒ１５を介して電源Ｖｄｄ２に接続されている。

ＭＯＳトランジスタＭ２１のゲートはＭＯＳトランジスタＭ２２のドレインに接続されると共に、アナログスイッチ等のスイッチ３６，３８，４０それぞれを介してｐチャネルＭＯＳトランジスタＭ２３，Ｍ２５，Ｍ２７のゲートに接続されている。スイッチ３６，３８，４０がオンするとＭＯＳトランジスタＭ２３，Ｍ２５，Ｍ２７のゲート電位をＭＯＳトランジスタＭ２１のゲート電圧と同一にしてＭＯＳトランジスタＭ２３，Ｍ２５，Ｍ２７をオンし、スイッチ３６，３８，４０がオフするとＭＯＳトランジスタＭ２３，Ｍ２５，Ｍ２７のゲート電位を電源電圧Ｖｄｄ２としてＭＯＳトランジスタＭ２３，Ｍ２５，Ｍ２７をオフする。

ＭＯＳトランジスタＭ２３，Ｍ２５，Ｍ２７それぞれのソースは抵抗Ｒ２１，Ｒ２２，Ｒ２３それぞれを介して電源Ｖｄｄ２に接続されており、ＭＯＳトランジスタＭ２３，Ｍ２５，Ｍ２７はスイッチ３６，３８，４０がオンのときにＭＯＳトランジスタＭ２１とカレントミラー回路を構成する。

ＭＯＳトランジスタＭ２２のゲートはｐチャネルＭＯＳトランジスタＭ２４，Ｍ２６，Ｍ２８のゲートに接続されている。ＭＯＳトランジスタＭ２３，Ｍ２５，Ｍ２７それぞれのドレインはＭＯＳトランジスタＭ２４，Ｍ２６，Ｍ２８のソースに接続されており、ＭＯＳトランジスタＭ２２，Ｍ２４，Ｍ２６，Ｍ２８はカレントミラー回路を構成している。

ＭＯＳトランジスタＭ２１〜Ｍ２８はカレントミラー回路がカスケード接続された構成となることにより、ＭＯＳトランジスタＭ２１，Ｍ２３，Ｍ２５，Ｍ２７のドレイン電位が略同一となり、ゲート面積が同一の場合ＭＯＳトランジスタＭ２２，Ｍ２４，Ｍ２６，Ｍ２８のドレイン電流は略同一となる。ここでは、階調表現を行うために、例えばＭＯＳトランジスタＭ２１，Ｍ２２のゲート面積に対して、ＭＯＳトランジスタＭ２３，Ｍ２４のゲート面積は６倍、ＭＯＳトランジスタＭ２５，Ｍ２６のゲート面積は３倍、ＭＯＳトランジスタＭ２７，Ｍ２８のゲート面積は２倍というように、ゲート面積をそれぞれ異ならせている。

なお、ＭＯＳトランジスタＭ２２，Ｍ２４，Ｍ２６，Ｍ２８のゲートには電圧源３５より定電圧Ｖｂが印加されて、ＭＯＳトランジスタＭ２２，Ｍ２４，Ｍ２６，Ｍ２８のソース電位はＶｂ＋Ｖｇｓ２（Ｖｇｓ２はｐチャネルＭＯＳトランジスタのゲート・ドレイン間電圧）とされている。

スイッチ３６，３８，４０それぞれは端子３７，３９，４１それぞれから供給されるｎ（ここではｎ＝３）系統のスイッチ制御信号に応じてオン／オフを切り換える。なお、ｎは３に限らない。ＭＯＳトランジスタＭ２４，Ｍ２６，Ｍ２８のドレインはＬＥＤ４５のアノードに接続され、ＬＥＤ４５のカソードは接地されている。

ここで、スイッチ３６，３８，４０がオフのときＭＯＳトランジスタＭ２３，Ｍ２５，Ｍ２７はオフしＬＥＤ４５に電流は流れない。スイッチ３６がオンするとＭＯＳトランジスタＭ２３のドレイン電流がＬＥＤ４５に流れ、スイッチ３６，３８がオンするとＭＯＳトランジスタＭ２３，Ｍ２５のドレイン電流の和がＬＥＤ４５に流れ、スイッチ３６，３８，４０がオンするとＭＯＳトランジスタＭ２３，Ｍ２５，Ｍ２７のドレイン電流の和がＬＥＤ４５に流れ、ＬＥＤ４５は流れる電流が大きくなるほど発光輝度が大となる。

上記のスイッチ３６，３８，４０，ＭＯＳトランジスタＭ１６，Ｍ１８〜Ｍ２８が１チャネル分の電流出力部４４を構成しており、４８チャネル分の同一構成の電流出力部４４が基準電流部３３に接続されている。各チャネルの電流出力部４４はそれぞれに接続されているＬＥＤ４５（ＬＥＤアレイ２８の一部）を駆動する。

＜発光ダイオードの輝度調整＞
ここで、抵抗Ｒ１３，Ｒ１４，Ｒ１５，Ｒ１６それぞれの抵抗値の比は、例えば１：２：４：８とされている。端子３２ａ〜３２ｃからのスイッチ制御信号が総てローレベルのときＭＯＳトランジスタＭ３１〜Ｍ３３はオフしてＭＯＳトランジスタＭ１３のドレインは抵抗Ｒ１３を介して接地される。

端子３２ａからのスイッチ制御信号がハイレベルのときＭＯＳトランジスタＭ３１がオンしてＭＯＳトランジスタＭ１３のドレインは抵抗Ｒ１３と抵抗Ｒ１４の並列接続を介して接地される。同様に、端子３２ｂからのスイッチ制御信号がハイレベルのときＭＯＳトランジスタＭ３２がオンしてＭＯＳトランジスタＭ１３のドレインは抵抗Ｒ１３と抵抗Ｒ１５の並列接続を介して接地され、端子３２ｃからのスイッチ制御信号がハイレベルのときＭＯＳトランジスタＭ３３がオンしてＭＯＳトランジスタＭ１３のドレインは抵抗Ｒ１３と抵抗Ｒ１５の並列接続を介して接地される。

また、端子３２ａ，３２ｂからのスイッチ制御信号がハイレベルのときＭＯＳトランジスタＭ３１，Ｍ３２がオンしてＭＯＳトランジスタＭ１３のドレインは抵抗Ｒ１３と抵抗Ｒ１４とＲ１５の並列接続を介して接地され、端子３２ｂ，３２ｃからのスイッチ制御信号がハイレベルのときＭＯＳトランジスタＭ３２，Ｍ３３がオンしてＭＯＳトランジスタＭ１３のドレインは抵抗Ｒ１３と抵抗Ｒ１５と抵抗Ｒ１６の並列接続を介して接地され、端子３２ａ，３２ｃからのスイッチ制御信号がハイレベルのときＭＯＳトランジスタＭ３１，Ｍ３３がオンしてＭＯＳトランジスタＭ１３のドレインは抵抗Ｒ１３と抵抗Ｒ１４と抵抗Ｒ１６の並列接続を介して接地され、端子３２ａ，３２ｂ，３２ｃからのスイッチ制御信号がハイレベルのときＭＯＳトランジスタＭ３１，Ｍ３２，Ｍ３３がオンしてＭＯＳトランジスタＭ１３のドレインは抵抗Ｒ１３と抵抗Ｒ１４と抵抗Ｒ１５と抵抗Ｒ１６の並列接続を介して接地される。

つまり、ＭＯＳトランジスタＭ１３のドレイン抵抗を最大で抵抗Ｒ１３とし、最小で（Ｒ１３／／Ｒ１４／／Ｒ１５／／Ｒ１６）とすることができる。なお、Ｒ１３／／Ｒ１４／／Ｒ１５／／Ｒ１６は抵抗Ｒ１３，Ｒ１４，Ｒ１５，Ｒ１６の並列接続の合成抵抗を表す。

これによって、ＭＯＳトランジスタＭ１３のドレインを流れる第１基準電流Ｉｒｅｆの最小値Ｉｒｅｆ（ｍｉｎ）が（２）式で表わされ、最大値Ｉｒｅｆ（ｍａｘ）が（３）式で表される。

Ｉｒｅｆ（ｍｉｎ）＝Ｖｒｅｆ／Ｒ１３ …（２）
Ｉｒｅｆ（ｍａｘ）＝Ｖｒｅｆ／（Ｒ１３／／Ｒ１４／／Ｒ１５／／Ｒ１６）…（３）
本発明では、ＬＥＤ４５の発光輝度が所望の値となるように、端子３２ａ〜３２ｃからのスイッチ制御信号によりＭＯＳトランジスタＭ１３のドレインに流れる第１基準電流Ｉｒｅｆを調整する。

従来は、ＬＥＤ１８の発光輝度をより細かに調整しようとすると、ＭＯＳトランジスタＭ１と並列に設けるスイッチ及びＭＯＳトランジスタの段数を１０数段から数１０段と増加させなければならなかったが、本発明ではＭＯＳトランジスタＭ３１，Ｍ３２，Ｍ３３と抵抗Ｒ１４，Ｒ１５，Ｒ１６の簡単な構成で、スイッチ制御信号のビット数をＮとすると２^Ｎ通りの輝度調整を行うことができる。

なお、抵抗Ｒ１３が請求項記載の基準抵抗に相当し、抵抗Ｒ１３〜Ｒ１６，ＭＯＳトランジスタＭ３１〜Ｍ３３が抵抗回路と基準電流切り替え回路に相当する。

本発明の発光ダイオード駆動回路を用いたＬＥＤアレイ装置の一実施形態のブロック構成図である。 本発明の発光ダイオード駆動回路の一実施形態の回路構成図である。 従来の発光ダイオード駆動回路の一例の回路構成図である。

符号の説明

３０ 演算増幅器
３１ 基準電圧源回路
３３ 基準電流部
３４，３５ 電圧源
３６，３８，４０ スイッチ
４４ 電流出力部
４５ ＬＥＤ
Ｍ１１〜Ｍ３３ ＭＯＳトランジスタ
Ｒ１１〜Ｒ２３ 抵抗
Ｖｄｄ１，Ｖｄｄ２ 電源

Claims (2)

1. 基準電流を生成する基準電流部と、カレントミラー回路を用いて前記基準電流に基づく駆動電流を生成して発光ダイオードに供給する電流出力部からなる発光ダイオード駆動回路であって、
   前記基準電流部は、前記基準電流が抵抗回路を流れることで発生する電圧が一定の基準電圧と同一となるよう前記基準電流を制御する演算増幅器と、
   抵抗とトランジスタの直列接続回路を基準抵抗と並列に複数接続した抵抗回路であり、前記直列接続回路のトランジスタを制御信号に応じてオンまたはオフさせて前記基準電流が流れることで発生する電圧を切り替え、前記基準電流を切り替える基準電流切り替え回路を
   有することを特徴とする発光ダイオード駆動回路。
2. 請求項１記載の発光ダイオード駆動回路において、
   前記複数の直列接続回路の抵抗は、前記基準抵抗と抵抗値が異なることを特徴とする発光ダイオード駆動回路。

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