JP2007536105A - マイクロエレクトロメカニカルシステム（ｍｅｍｓ）と受動素子が集積化されたモジュール - Google Patents

Abstract

【課題】 ＭＥＭＳと受動素子が集積化されたモジュールを提供する。
【解決手段】 第１基板、第１基板に接合された１以上のＭＥＭＳ、第１基板に接合された第２基板、第２基板に接合された１以上の受動素子を備える装置を提供するとしてもよい。１以上のＭＥＭＳが接合された第１基板と、１以上の受動素子が接合された第２基板を位置合わせすることと、位置合わせされた第１基板と第２基板を接合することとを含む方法を提供するとしてもよい。
【選択図】図１

Description

本発明の実施形態は、１以上のマイクロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）および１以上の受動素子を備える装置に関する。

マイクロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）は機械構造が概して壊れやすいので、破損を避け外部環境から保護するべく、通常はパッケージングが施されている。ＭＥＭＳのパッケージングには、セラミックやガラスなどを初めとした専用パッケージを用いるとしてもよい。しかし、このようなパッケージングを行うことにより、コストが高くなるとともにサイズが大型化する傾向がある。

パッケージングされたＭＥＭＳとともに、コンデンサやインダクタなどの受動素子を利用することもある。このような受動素子は、例えば個別のコンデンサやインダクタなど、集積化されていない素子として利用されることが多い。このように独立した素子を、パッケージングされたＭＥＭＳとともに、ボード上にアセンブルしてもよい。しかし、個別の素子とパッケージングされたＭＥＭＳのボードへのアセンブリを別々に行うと、時間がかかる上にコストが上がり、アセンブリ後の完成品が大型化してしまう。

本発明の実施形態を、本明細書の以下の部分および該実施形態を図示した添付の図面により説明する。図面の説明は以下の通りである。

本発明の一実施形態に係るパッケージまたはモジュールを示す拡大断面図である。

図１のモジュールを示す上面平面図である。

本発明の別の実施形態に係るモジュールを示す拡大断面図である。

図３のモジュールを示す上面平面図である。

本発明の一実施形態に係る、モジュールまたは接合ウェハアセンブリの製造方法を示す。

本発明の一実施形態に係る、第１ダイと第２ダイを接合することによって行うモジュール形成を示す。

本発明の一実施形態に係る、第１ウェハと第２ウェハを接合することによって行う接合ウェハアセンブリ形成を示す。

本発明の一実施形態に係る、受動素子ウェハの上方にＭＥＭＳウェハを位置合わせすることを示す。

本発明の一実施形態に係る、図８に示した位置合わせ済みウェハを接合することを示す。

本発明の一実施形態に係る、図９に示したＭＥＭＳウェハの一部分を除去してインターコネクト構造を露出させることを示す。

本発明の一実施形態に係る、図１０に示した接合ウェハアセンブリにシンギュレーションを行ってモジュールを形成することを示す。

本発明の一実施形態に係る、一部分が除去されたＭＥＭＳウェハを受動素子ウェハの上方に位置合わせすることを示す。

本発明の一実施形態に係る、図１２に示した位置合わせ済みウェハを接合することを示す。

本発明の一実施形態に係る、インターコネクト構造へのアクセスを可能とするべく図１３に示したウェハ接合の後に、ＭＥＭＳウェハの別の部分を除去することを示す。

本発明の一実施形態に係る、図１４に示した接合ウェハアセンブリにシンギュレーションを行ってモジュールを形成することを示す。

本発明の一実施形態に係る、インターコネクト構造へのアクセスを可能とするべく除去されるＭＥＭＳウェハ上の領域を示す断面図および上面平面図である。

本発明の一実施形態に係る、本明細書で開示するモジュール、ＧＳＭトランシーバおよびアンテナを備えるワイヤレスデバイスを示す。

以下において、本発明の実施形態を具体的且つ詳細に説明する。しかし、本発明の実施形態は開示した具体的且つ詳細な記載内容を用いなくても実施できると解釈されたい。また、公知の回路、構造および技術については、本発明に関する説明があいまいにならないよう、詳細な説明は省略している。

図１は、本発明の一実施形態に係る、パッケージまたはモジュール１００を示す拡大断面図である。前記モジュールは、第１基板１０２、第２基板１０４、第１基板と第２基板の間に設けられたチェンバ１０６、第１基板と第２基板の間およびチェンバの外周に沿って設けられた封止部１０８、チェンバ内に設けられ第１基板に接合された１以上のマイクロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）１１０、チェンバ内に設けられ第２基板に接合された１以上の受動素子１１２、チェンバ内に設けられ且つ第１基板と第２基板を接合するインターコネクト１１４、前記モジュールを外部の信号伝達媒体と接合するべく、インターコネクトに接合されたビア１１６を備える。

モジュール１００は、第１基板１０２および第２基板１０４を備える。両基板は一般的に、一連の処理によって微小電子回路、微小電子構造などに変換された部分を有する被加工品を指す。一実施形態において、第１基板および第２基板はそれぞれ、ダイを有するとしてもよい。このダイは、例えば、ウェハをシンギュレーションしたものまたはほかの方法で分割したものであってよい。ダイは、チップ、モノリシックデバイス、半導体デバイス、集積回路、微小電子デバイスなどの名称で呼ぶ事もある。ダイまたはウェハは、半導体材料（例えばシリコン）、非半導体材料、もしくは半導体材料および非半導体材料の合成物のうちいずれかを含むとしてもよい。一実施形態において、シリコンダイまたはシリコンウェハを用いて両基板を形成するとしてもよい。こうすると、セラミックまたはガラス製の「ふたウェハ」よりも大幅に高い熱整合性を実現できる。

図示した実施形態によれば、第１基板の下面１０３が第２基板の上面１０５に面しており、且つ下面１０３が上面１０５の上方で位置合わせされていることが多い。ここで、例えば「上方の」「下方の」「上」「下」「右」「左」「垂直」といった用語は、図示したモジュールの構造を簡潔に説明するべく本明細書で用いるとする。このような装置の構造はさまざまに変更することができるのは明らかである。変形例を挙げると、これに限定されるものではないが、受動素子が上側にありＭＥＭＳが下側にある逆転させた構造がある。

第１基板および第２基板の間にはチェンバ１０６が設けられている。第１基板および第２基板の間およびチェンバの外周に沿って、封止部１０８が設けられている。図示した構造によると、封止部はチェンバの壁面を形成し、第１基板および第２基板がそれぞれチェンバの天井と床を形成するとしてもよいが、本発明の実施形態はこのような構造に限定されるものではない。

封止部１０８は、チェンバ１０６を密閉／格納する材料またはデバイスを含むとしてもよい。封止部は、チェンバとその周辺環境の間を物質が移動しないように、もしくは少なくともそのような物質の移動を低減するとしてもよい。封止部の機能の例を挙げると、周囲空気や水（例えば水蒸気）といった物質がチェンバに入ってくる量を低減すること、チェンバが空の場合の加圧を低減すること、加圧されたチェンバの圧力の損失を抑制すること、および／または、希ガスなどの不活性物質やチェンバ内にある物質が出て行く量を抑制することなどがある。

本発明の一実施形態によると、必要ではないが、チェンバ１０６は気密封止されたチェンバであってもよく、封止部は気密封止部であってもよい。気密封止されたチェンバは通常、気密性または水（例えば水蒸気）や空気などのチェンバやモジュールの周辺に存在する物質を通さない性質を有するとしてもよい。このような構成とすることによって、静止摩擦力や侵食（例えば酸化）などの空気や水蒸気によって生じる可能性がある問題から、チェンバ内に設けられた構造を保護するとしてもよい。

封止部１０８を形成するのに適した材料やデバイスには、さまざまなものがある。本発明の一実施形態によれば、チェンバの外周に沿って延伸する形状を持つ、封止材料からなる専用リングを含むとしてもよい。この封止材料には、金属（例えば、金、ハンダ、共晶金属または熱圧着金属）、フリットガラスまたは接着剤（例えば、エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテンやそのほかの有機ポリマー物質）を用いるとしてもよい。特に明記していない限り、本明細書では「金属」という単語が、純金属（例えば、金、アルミニウム、銅など）または合金、混合材料や積層構造など複数の金属の組み合わせのいずれかを指すとする。金属およびフリットガラスを用いた場合、気密封止が実現される。金属は伝導性を有し、フリットガラスや接着剤は絶縁性を持つことが多い。

本明細書において、「リング」という単語は必ずしも円形状のものを指すわけではない。リングは、円、矩形、正方形、多角形などの閉じた平面形状を持つとしてもよい。一実施形態によれば、封止材料からなるリングは、基板上に、堆積、電気メッキ又は印刷などの方法を用いて形成されるとしてもよい。別の実施形態によれば、例えば、ハンダリングやプラスチックリングなどの封止材料から成るリング（例えば、エポキシ樹脂製リング、ベンゾシクロブテン製リング）が予め形成され、接合に先立って基板間に設けられ、第１基板の下面と第２基板の上面に接合されるとしてもよい。

上述した例以外に、第１基板と第２基板の間に面接合部を設けて封止部として用いるとしてもよい。このような封止部は例えば、陽極接合、溶融接合、または面活性化接合を含むとしてもよい。このような接合部を用いた場合も気密封止が実現する。このような接合方法を用いる一実施形態の場合、ＭＥＭＳおよび受動素子は任意で、第１基板の下面および第２基板の上面において、例えばくぼみ部や凹部内を設けて、基板中に収納されるとしてもよい。

１以上のＭＥＭＳ１１０は、第１基板に接合され、チェンバ内に設けられている。本明細書において「ＭＥＭＳ」という用語は、１つのマイクロエレクトロメカニカルシステムまたは複数のマイクロエレクトロメカニカルシステムのどちらを指すとしてもよい。図示するように、ＭＥＭＳは物理的に第１基板の下面に取り付けられ、微小電子回路などの第１基板の構成要素に電気的に接続されている。そのような微小電子構成要素または微小電子回路には、ＭＥＭＳと第２基板の電気接続／接合を実現する、信号伝達媒体もしくは信号伝達経路（例えば伝導性を有する微小電子経路）を含むとしてもよい。このような微小電子構成要素または微小電子回路は、金属や伝導性半導体材料などの導体材料から構成されるとしてもよい。

ＭＥＭＳは一般的に、３次元構造を持ち、例えば電気駆動される可動部などの電気素子および機械素子を備える微細デバイスを意味する。ＭＥＭＳはリリースされるとしてもよい。本発明の一実施形態によれば、各ＭＥＭＳのサイズはミリメートル（ｍｍ、１メートルの１０００分の１）未満であってもよい。（必ずしもそうとは限らないが）多くの場合は、約マイクロメートル（μｍ、１メートルの１００万分の１）よりも大きい。

本発明の実施形態に係るＭＥＭＳデバイスは、スイッチ、調整可能スイッチ、カンチレバービームアレイ、共振器、圧電薄膜共振器（ＦＢＡＲ）、ＦＢＡＲフィルタ、バラクタ、ＲＦ ＭＥＭＳ、ヒンジ付ミラー、圧力センサ、調整可能コンデンサまたはこれらの組み合わせを含むとしてもよい。本明細書において「マイクロエレクトロメカニカルシステム」と「ＭＥＭＳ」という用語は、光学素子を備えるマイクロオプトエレクトロメカニカルシステム（ＭＯＥＭＳ）をも含むとしてもよい。

ＭＥＭＳは、マイクロマシン（例えば日本でこの名称が使用されている）やマイクロシステム技術デバイス（例えば欧州でこの名称が使用されている）としても知られている。本明細書において「マイクロエレクトロメカニカルシステム」と「ＭＥＭＳ」という用語は、マイクロマシンおよび／またはマイクロシステム技術デバイスといった用語が指し示すデバイスをも含むものとする。

１以上の受動素子１１２は、第２基板に接合され、チェンバ内に設けられている。図示するように、受動素子は物理的に第２基板の上面に取り付けられ、第２基板の微小電子回路または微小電子構成要素に電気的に接続されている。受動素子として適切なものの例を挙げると、これらに限定されないが、レジスタ、コンデンサ、インダクタおよびこれらの組み合わせがある。

ＭＥＭＳ１１０は、受動素子１１２とともに、単一のモジュール１００に集積化されている。セラミック製の「ふたウェハ」は、使用されるとモジュールが大型化し高価になる傾向があるが、本発明の実施形態においてはＭＥＭＳのパッケージングには必要とされない。代わりに、受動素子を備える第２基板を用いてＭＥＭＳをパッケージングするとしてもよい。さらに、本発明の実施形態によると、別にパッケージングしたＭＥＭＳと独立した集積化されていない受動素子をボードにアセンブルする手順も必要ではない。このため、アセンブルに費やする時間とコストを削減することができると同時に、モジュールのサイズを小さくできるとしてもよい。このようにモジュールを小型化することは、例えば携帯電話、ＰＤＡ（携帯情報端末）、ＰＣＭＣＩＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｃｏｍｐｕｔｅｒ Ｍｅｍｏｒｙ Ｃａｒｄ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ）カードなどの小型電子デバイスに該モジュールを配設する上で望ましいとしてもよい。

図示したモジュールはさらにインターコネクト１１４を備える。インターコネクトは、封止部の外周または周縁の内側に、第１基板と第２基板の間で、チェンバ内に位置するように配設される。

インターコネクトは、伝導路、リンクまたは信号伝達媒体を介して、第１基板と第２基板を電気的に接合すべく、導電性材料を含む構造を有するとしてもよい。公知のインターコネクト構造にはさまざまなものがある。適切なインターコネクトの例を挙げると、これらに限定されないが、バンプ、ハンダバンプ、ボンドパッド、回路、ワイヤおよびこれらの組み合わせがある。

インターコネクトの材料には、一般的に金属が用いられている。理由の一つとして上げられるのが、高い伝導性である。しかし、金属以外の導電性材料または導体も形成材料として適切である。例を挙げると、インターコネクトはドーピングポリシリコン、ドーピング単結晶シリコン、高融点金属シリサイドまたはこれらの組み合わせを含むとしてもよい。

図示するように、インターコネクトの上端または上側端部は、第１基板の微小電子構成要素または微小電子回路に物理的に取り付けられ電気的に接続されている。また、インターコネクトの下端または下側端部は、第２基板の微小電子構成要素または微小電子回路に、物理的に取り付けられ電気的に接続されている。図示した実施形態によると、インターコネクトはＭＥＭＳおよび受動素子の左右両側に設けられているが、これは必要な構成ではない。

図１に示したモジュールはさらにビア１１６を備える。このようなビアは、外部の信号伝達媒体に該モジュールを接続するために使用される伝導路の一例である。ここで、外部の信号伝達媒体は例えば、回路やプリント配線基板など電子デバイスの一部である。このようなビアは、金属などの導体材料で満たされた、または金属などの導体材料を含む、基板の厚みを完全に貫通するように設けられた垂直方向に延伸する穴もしくは開口部を含むとしてもよい。ビアを形成するのに適した金属の例を挙げると、これらに限定されないが、アルミニウム、銅、金およびハンダがある。このような金属で開口部を満たすには、電気メッキ、無電解メッキもしくは物理気相成長法（ＰＶＤ）などの方法を用いるとしてもよい。

図示した実施形態に係るビアは第１基板の厚みを完全に貫通した開口部を含んでいるが、これは必要な構成ではない。本発明の別の実施形態によると、ビアは第２基板を貫通する構成としてもよいし、また第１基板を貫通するビアと第２基板を貫通するビアを両方を設けるとしてもよい。

ビアは通常インターコネクトの上方または下方に配設される。図示した実施形態においては、インターコネクトの上方にビアが設けられている。具体的に説明すると、各ビアは第１端または第１端部および第２端または第２端部を有する。図示した実施形態によると、各ビアの第１端または第１端部（例えば下端または下側端部）が、インターコネクトのうちの１つに物理的に取り付けられ電気的に接続されている。各ビアの第２端または第２端部（例えば上端または上側端部）は、チェンバの外部に設けられ、モジュールの外面を形成している。

図２は、図１のモジュール１００を示した上面平面図である。図１に示した断面図は、図２中のライン１−１に沿って切断したものである。説明の便宜上、図２の上面図は図１の断面図よりもやや小さくしてある。また、上面図を見やすくするため網掛けを幾つか省略している。

上面図において、斜線部分は封止部１０８の位置を示す。実際には、第１基板１０２の下に設けられているので隠れている。封止部の外周の内側にビア１１６の上端が位置している。図示した実施形態によると、４本のビアの上端が示されており、片側に２本ずつ並べられ、網目状またはグリッド状に配列されている。しかしながら、ビアの数および配列はこの実施形態に限定されるものではない。

ビアの上端は露出しており、モジュールの外部からアクセスが可能である。ビアの上端を介して、例えばＭＥＭＳや受動素子といったモジュール内部の回路と、外部の信号伝達媒体を電気的に接続するとしてもよい。例えばハンダバンプや金属ワイヤなどの導体が、ビア上端と外部の信号伝達媒体の間に接続されるとしてもよい。一実施形態によれば、ビア上端と外部の信号伝達媒体を、表面実装技術（ＳＭＴ）を用いて接続するとしてもよい。

本発明の別の実施形態によれば、モジュール内の回路と外部の信号伝達媒体を接続するために、ビア以外の伝導路を用いるとしてもよい。図３はモジュール３００を示す拡大断面図である。本発明の一実施形態に係るモジュール３００は、絶縁層３３０、モジュールの外部の絶縁層上に設けられた伝導パッド３３２、少なくとも部分的に絶縁層に埋め込まれ、モジュール内の導体（例えばインターコネクト）から伝導パッドまで延伸している伝導路３３４を備える。

絶縁層、伝導パッドおよび伝導路以外に該モジュールが備える構成要素を挙げると、第１基板３０２、第２基板３０４、チェンバ３０６、封止部３０８、ＭＥＭＳ３１０、受動素子３１２およびインターコネクト３１４がある。本実施形態については、ＭＥＭＳおよび受動素子が２個以上図示されているが、本発明はこのような構成に限定されない。これらの構成要素は、図１および図２に示したモジュール１００の対応する構成要素の特徴を、一部またはすべて有するとしてもよい。以下の部分では、記載を簡潔にすべく、モジュール３００の構成要素および特徴のうちモジュール１００とは異なるものおよび／または追加されたものに重点を置いて本実施形態を説明する。

図示した実施形態によると、絶縁層３３０は第２基板と受動素子の間に配設されているが、このような構成に限定されるものではない。本発明のほかの実施形態によれば、絶縁層は、第１基板とＭＥＭＳの間に配設するとしてもよいし、第２基板と受動素子の間ならびに第１基板とＭＥＭＳの間のどちらにも配設されるとしてもよい。

一実施形態によると、絶縁層は酸化シリコン（例えば二酸化シリコン：ＳｉＯ_２）を含むとしてもよいが、この構成に限定されるわけではない。これ以外の絶縁材料または誘電体（例えばポリマーフォーム）や有機絶縁材料を使用するとしてもよい。短絡が生じないように十分基板が絶縁されていれば、このように別に専用の絶縁層を設ける必要はない。

伝導路３３４は絶縁層３３０内に設けられ、モジュール内部に設けられた導体（例えばインターコネクト３１４）から伝導パッド３３２まで延伸するとしてもよい。伝導路は、金属またはそれ以外の導体材料で満たされた、もしくはこのような導体材料を含む、絶縁層内に設けられた溝などの開口部を含むとしてもよい。絶縁層および伝導路は基板上に形成されるが、その形成は、例えば化学気相成長（ＣＶＤ）法または物理気相成長（ＰＶＤ）法（例えばスパッタリング）などの方法によって堆積を行い、例えばウェット化学エッチングまたはウェットプラズマエッチングなどのエッチングを用いてリソグラフィー技術によりパターニングを行うことによって実現するとしてもよい。導体材料として適切なものの例を挙げると、これらに限定されないが、アルミニウム、銅、金、ハンダ、その他の金属、または適切にドーピングされた半導体のような導体材料などがある。溝は例えばソーイングまたはエッチングによって形成され、その後で金属を堆積するとしてもよい。

本発明の一実施形態によると、伝導路の少なくとも一部分が絶縁層に埋め込まれている。図示した実施形態によると、封止部の下方または近傍に位置する、伝導路の中央部分が絶縁層に埋め込まれている。このような構成とすることによって、封止部が伝導性を有する場合、電気接続が生じないようにすることができるとしてもよい。封止部が例えばフリットガラスまたは絶縁有機材料などの絶縁材料を含むとしてもよい。この場合は、伝導路を埋め込まないとしてもよい。

各伝導路は第１端または第１端部および第２端または第２端部を有する。各第１端は絶縁層から露出した状態で、インターコネクト３１４のうちの１本に接合されるとしてもよい。各第２端は絶縁層から露出した状態で、モジュールの外側に位置する伝導パッド３３２のうちの１つに接合されるとしてもよい。

伝導パッド３３２は、絶縁層および伝導路の第２端の上に設けられている。伝導パッドは、例えばアルミニウム、銅、金、ハンダまたはこれ以外の金属である導体材料または金属シリサイドなどの金属以外の導体材料を含むとしてもよい。伝導パッドによって、例えばワイヤボンディングを介して、該モジュールと外部の信号伝達媒体を電気的に接続または接合するとしてもよい。伝導パッドに接続されるパッケージ用リード線として、例えば約３０マイクロメートルの直径を持つ細い金ワイヤを使用するとしてもよい。図から分かるように、伝導パッドへのアクセスをより容易に行えるよう、第１基板の長さや幅などの寸法は第２基板の寸法より小さくしてもよい。

図４は、図３のモジュール３００を示した上面平面図である。図３に示した断面図は、図４中のライン３−３に沿って切断した面である。説明の便宜上、図４の上面図は図３の断面図よりもやや小さくしている。また、上面図を見やすくするため網掛けを幾つか省略している。

上から見た場合、第１基板３０２の上面、絶縁層３３０の上面および伝導パッド３３２の上面が見える。上面図中の斜線部は、第１基板の下方に位置し隠れている、封止部３０８および伝導路３３４の位置を示す。封止部の外周または周縁より内側に各伝導路の第１端が位置している。各伝導路の第１端はインターコネクトと接合または接続されるとしてもよい。

本発明の一実施形態によると、図１および図２、ならびに図３および図４に示したモジュール１００および３００は、ビア１１６または伝導パッド３３２が外部の信号伝達媒体に接続されていない非接続状態で、提供されるとしてもよい。もしくは、本発明の別の実施形態によれば、モジュール１００および３００は、ビア１１６または伝導パッド３３２が外部の信号伝達媒体に接続された接続状態で、提供されるとしてもよい。

図５は、本発明の一実施形態に係る、例えば接合ウェハアセンブリなどの、モジュールまたは装置の製造方法５００を示す。この方法は、ブロック５１０において、１以上のＭＥＭＳが接合された第１基板（例えばウェハまたはダイ）を準備することと、ブロック５２０において、１以上の受動素子が接合された第２基板（例えばウェハまたはダイ）を準備することとを含む。

両基板の準備は、両基板を製造すること、購入すること、またはその他の方法で準備することを含むとしてもよい。本発明の一実施形態によると、一連の処理によって第１ウェハとＭＥＭＳを製造し、別の異なる一連の処理によって第２ウェハと受動素子を製造するとしてもよい。一般的に、ＭＥＭＳ製造処理と受動素子製造処理は大きく異なるので、これら２つの製造処理をまとめると複雑で多くの場合高コストにもなるので、このような処理を避けるべく、ＭＥＭＳと受動素子は別々に製造された異なるウェハ上に設けるのがよい。

続いて、ブロック５３０において、１以上のＭＥＭＳが接合された第１基板と１以上の受動素子が接合された第２基板を位置合わせするとしてもよい。一実施形態において、ＭＥＭＳを備える第１基板の活性面と、受動素子を備える第２基板の活性面が向かい合うように位置合わせするとしてもよい。一実施形態によると、両基板は、例えばボンドアライナなどの位置合わせツールに挿入されるとしてもよい。ボンドアライナを初めとするツールは、第１基板と第２基板を精度よく位置合わせすることができる。一実施形態によると、ボンドアライナは、ＭＥＭＳおよび受動素子を含めた両基板の活性面の写真を撮影し、この写真を用いて両基板の位置合わせを行うとしてもよい。

続いて、位置合わせされた両基板を接合するとしてもよい。ブロック５４０において、ＭＥＭＳと受動素子を電気接続するとしてもよい。この接続は、第１基板の微小電子構造または微小電子回路から第２基板の微小電子構造または微小電子回路に至るインターコネクトまたはその他の伝導路を形成することを含むとしてもよい。インターコネクトなどの伝導路によって、ＭＥＭＳと受動素子を有する回路が完成するとしてもよい。

ブロック５５０において、１以上のＭＥＭＳおよび１以上の受動素子を備えるまたは含むチェンバを封止するとしてもよい。封止部の形成は、例えば基板間を封止材料で接合することによって行ってもよいし、または基板間を面接合することによって行うとしてもよい。このような封止部を設けることによって、ＭＥＭＳを保護するとともに、モジュールを物理的に一体化することができる。

図６は、本発明の一実施形態に係る、第１ダイ６０２と第２ダイ６０４を接合することによって行うモジュール形成を示す。第１ダイ６０２には、１以上のＭＥＭＳ（Ｍ）６１０、封止材料から成るリング６０８Ａ、およびインターコネクト部（例えば金属ボンドパッド）６１４Ａが接続されている。第２ダイ６０４には、１以上の受動素子（Ｐ）６１２、封止材料から構成された一致または対応するリング６０８Ｂ、および一致または対応するインターコネクト部（例えば、一致する金属ボンドパッド）６１４Ｂが接続されている。

ここで、「一致する」または「対応する」という表現は一般的に、両基板の位置合わせを行うと、リング同士またはインターコネクト部同士の位置が概して一致または対応することを意味する。さらに、任意であるが、リング同士またはインターコネクト部同士がサイズや形状などほかの特徴に関しても一致または対応するとしてもよい。封止部およびインターコネクト部は、一致または対応しなければならないわけではない。本発明の別の実施形態によると、ダイ同士またはウェハ同士を接合するのに使用する封止リング、封止部および／またはインターコネクト部は１つだけであるとしてもよい。例えば、予め形成された、基板間の間隔に等しい長さを有するハンダリングやハンダバンプを１つ用いるとしてもよい。

本発明の一実施形態によると、対応する組み合わせであるリング６０８Ａおよび６０８Ｂ、インターコネクト部６１４Ａおよび６１４Ｂはそれぞれ、例えば基板に元々形成されていた金属層をパターニングすることによって形成された、パターニング金属層を含むとしてもよい。受動素子を製造するための厚みのある金属層を用いて、封止部および／またはインターコネクト部を形成するとしてもよい。絶縁層に埋め込まれた伝導路は、たいてい受動素子ウェハ製造プロセスで形成されるが、上述したように、モジュールを外部の信号伝達媒体に接続するために用いられるとしてもよい。一実施形態によると、パターニング金属層はそれぞれ、例えばリソグラフィーやマイクロマシニングによってパターニングされた、２層以上の隣接する金属層から成る積層構造を含むとしてもよい。具体例を１つ挙げると、このような積層構造には、基板側から順に外側に向けて、約５ミクロンのニッケル、約５ミクロンの金−スズ共晶ハンダ（例えば金８０％、スズハンダ２０％）などが含まれるとしてもよい。ニッケルは、基板間をさらにはっきり分離させる分離層として機能すると同時に、金−スズハンダ用の水和接着層として機能するとしてもよい。金−スズハンダは、他方の基板上に設けられた対応する構成要素に対する機械的および電気的な接続を強力なものとするべく用いられるとしてもよい。このような実施形態によると、同一もしくは類似の積層構造を用いて、封止材料から成るリングおよびインターコネクト部を構成するとしてもよい。本発明は、パターニング金属層および積層構造を用いた構造に限定されない。

図６に示すように、ダイ６０２と６０４を接合する場合は、まず両ダイを位置合わせして、互いに近接させるとしてもよい。２つのダイのうち一方のみを移動させるとしてもよいし、両ダイを移動させるとしてもよい。両ダイを互いに近接させていくと、ある時点において、封止材料から成るリング６０８Ａと対応する封止材料から成るリング６０８Ｂが互いに接するとしてもよい。これとほぼ同時に、インターコネクト部６１４Ａと対応するインターコネクト部６１４Ｂも互いに接するとしてもよい。

互いに接している封止部同士およびインターコネクト部同士を接合するとしてもよい。使用されている材料によって異なるが、さまざまな接合方法を用いることができる。インターコネクト部同士の接合に用いる方法の例を挙げると、これらに限定されないが、ハンダリフローや熱圧着接合などの金属接合方法がある。使用している材料によっては、これらの方法を封止部同士の接合にも用いてよいが、ほかに利用可能な方法の例を挙げると、フリットガラス接合、接着、陽極接合、融着および面活性化接合などがある。一実施形態によると、接合はフリップチップ型のツールを用いて行うとしてもよい。このような構成要素の接合によって、内部チェンバおよびチェンバ内のインターコネクトに沿って封止部が形成されるとしてもよい。

図７は、本発明の一実施形態に係る、シンギュレーションされていないモジュールを含む接合ウェハアセンブリの形成を示す。接合ウェハアセンブリの形成は、第１ウェハ７０２と第２ウェハ７０４を接合することを含む。第１ウェハ７０２は１２個の未シンギュレーションダイを含むアレイ７７０を有し、第２ウェハ７０４は対応する１２個の未シンギュレーションダイを含むアレイ７７２を有する。一般的には、各ウェハは２以上の未シンギュレーションダイを有するとしてもよい。このような複数のダイは、電気的に独立しているが分離されていない微小電子デバイスを複数含むとしてもよい。

第１ウェハと第２ウェハの位置合わせは、第１ウェハのダイと第２ウェハの対応するダイが位置合わせされ、且つリング同士およびインターコネクト部同士の位置が対応するように行うとしてもよい。位置合わせに続いて、上述したように、ウェハ同士が接するように移動させ接合するとしてもよい。一実施形態によると、ウェハボンダを用いて両ウェハを接合するとしてもよい。

両ウェハを接合すると、第１ウェハと第２ウェハの間に封止チェンバのアレイができるとしてもよい。各チェンバ内には、第１ウェハと接合された１以上のＭＥＭＳが存在するとしてもよい。各チェンバ内には、第２ウェハと接合された１以上の受動素子が存在するとしてもよい。さらに、各チェンバ内には、第１ウェハおよび第２ウェハに接合された、ＭＥＭＳと受動素子を接合するためのインターコネクトが存在するとしてもよい。この後、接合された両ウェハは、シンギュレーションもしくはダイシングなどの方法によって個別のモジュールに分離されるとしてもよい。

ウェハ同士を接合することによって、複数のモジュールの製造を並行して行うことが可能となり、製造コストを下げることができるとしてもよい。また、シンギュレーションおよび洗浄に先立って各モジュールのチェンバ内にＭＥＭＳを封止することによって、壊れやすい構造であるＭＥＭＳが破損しないよう保護することができる。粒子汚染や静止摩擦を生じにくくするべく、ＭＥＭＳのリリース後すぐに、両ウェハを接合するのが適切であるとしてもよい。

図３および図４に戻って、モジュール３００は外部インターコネクト構造を備える。両図に示した実施例では、伝導パッド３３２がこれに当たる。外部インターコネクト構造は、モジュールと外部信号伝達媒体（例えばプリント配線基板）とを電気接続するために用いられるとしてもよい。図示しているように、伝導パッドへのアクセスを容易にするべく、断面図での寸法または幅は、第１基板３０２の方が第２基板３０４よりも小さいとしてもよい。伝導パッドなどの外部インターコネクト構造へのアクセスを実現するための方法は、さまざまなものが検討されている。

図８から図１１はウェハおよびアセンブリの断面図である。具体的には、本発明の一実施形態に係る、シンギュレーションに先立つウェハ接合ステップにおいて外部インターコネクト構造を露出させる工程を含む、モジュール製造方法のさまざまな工程を示す。

図８は、受動素子ウェハ８０４の上方にＭＥＭＳウェハ８０２を位置合わせすることを示す。ＭＥＭＳウェハは、第１未シンギュレーションダイ８８０（左側）および第２未シンギュレーションダイ８８２（右側）を備える。受動素子ウェハは、一致または対応する第１未シンギュレーションダイ８８４（左側）および一致または対応する第２未シンギュレーションダイ８８６（右側）を備える。外部伝導パッド８３２は、受動素子ウェハの表面上に設けられている。

図９は、図８に示す位置合わせを行った両ウェハを接合することを示す。この接合によって形成されたアセンブリでは、ＭＥＭＳウェハ８０２が伝導パッド８３２を隠してしまうケースが多い。このため、外部信号伝達媒体との接続が複雑になったり不可能になったりすることがある。

図１０は、伝導パッドへのアクセスを容易にするべく、シンギュレーションまたはダイシングに先立ち、図９に示したＭＥＭＳウェハ８０２のうち、伝導パッド８３２の上方に位置する部分を除去することを示す。本発明の一実施形態によると、ＭＥＭＳウェハの厚みを完全に貫通するように、ダイ８８０および８８２の外周に沿って、除去されるとしてもよい。説明の便宜上図示しているダイは２つであるが、このような除去工程がダイアレイ全体について行われることは明らかである。

一実施形態によると、このような除去工程は、幅広のソーブレードを用いたソーイングによって行うとしてもよい。この幅広ブレードは、後に接合ウェハのシンギュレーションに用いられるソーブレードより大きい幅のものであるとしてもよい。またこの除去工程において、封止部を切断したり破損したりしてはいけない。このソーブレードの動作は、受動素子ウェハを切断する前に止められるとしてもよい。これ以外に基板の一部を除去する工程で使用される方法として、例えばエッチングやレーザアブレーションなどが挙げられる。

図１１は、第１モジュール１１００Ａおよび第２モジュール１１００Ｂを形成するために行われる、図１０に示したアセンブリのシンギュレーションを示す。第１モジュール１１００Ａは互いに接合されたダイ８８０および８８４を含み、第２モジュール１１００Ｂは互いに接合されたダイ８８２および８８６を含む。シンギュレーションにおいては、外部伝導パッドなどのインターコネクト構造の外周に沿って切断するとしてもよい。一実施形態によると、このようなシンギュレーションは従来と同じシンギュレーションソーを用いて行うとしてもよい。

本発明の別の実施形態によると、ウェハの切断プロセスまたは除去プロセスは少なくとも一部が、位置合わせおよび接合の前に行われるとしてもよい。図１２から図１５はウェハおよびアセンブリを示す断面図である。具体的には、シンギュレーションの前に行われるウェハ接合工程において外部インターコネクト構造を露出させることを含む、モジュール製造方法のさまざまな工程を示す。なお本発明のこの実施形態では、ウェハの少なくとも一部が、位置合わせ工程および接合工程に先立って除去される。

図１２は、すでにその一部が除去されたＭＥＭＳウェハ１２０２を、受動素子ウェハ１２０４の上方に位置合わせすることを示す。この両ウェハの位置合わせを行う前に、ＭＥＭＳウェハの一部が既に除去されている。除去された部分には、ＭＥＭＳが取り付けられているＭＥＭＳウェハの活性面上にダイの外周に沿って設けられた、ＭＥＭＳウェハの厚み方向には貫通していない溝が含まれる。本発明の一実施形態によると、この溝の深さは例えばＭＥＭＳウェハの厚みの約１／４から約３／４であってもよい。この除去工程は、後にダイのシンギュレーションに用いるソーブレードよりも大きい幅を持つソーブレードを用いたソーイングによって行われるとしてもよい。または、エッチングやレーザーアブレーションなどのマイクロマシニン技術を用いて行うとしてもよい。

図１３は、図１２に示す位置合わせされたウェハを接合することを示す。図に示すように、ＭＥＭＳウェハ１２０２はまだ伝導パッド１２３２を少なくとも部分的に隠していることがあり、外部信号伝達媒体に対する接続が複雑になってしまうことがある。本発明の一実施形態によれば、伝導パッドへのアクセスをさらに容易なものとできるようにシンギュレーションに先立って除去工程を再度実施するとしてもよい。

図１４は、伝導パッドへのアクセスを容易にするべく、図１３に示したようにウェハを接合した後で、ＭＥＭＳウェハの一部分を除去することを示す。この除去工程はシンギュレーションに先立って行われる。本発明の一実施形態によると、図１４に示す除去工程より前にＭＥＭＳウェハの一部が厚み方向に貫通しないように除去されているが、この除去工程において少なくとも残りの厚みを除去するとしてもよい。該除去工程は、裏面研削（図示）によって行うとしてもよいし、例えば幅広のソーブレードを用いて逆方向からソーイングを行うことによって実施するとしてもよい。この除去工程にソーを用いる場合、事前に一部分を除去しておくことによって、垂直方向に沿って行われるソー制御の影響が少なくなると同時に、ソーイングによって受動素子基板が磨耗または損耗（例えば、粒子磨耗）する可能性が低くなることがある。ほかに利用可能な基板除去方法としては、例えばエッチングやレーザアブレーションなどがある。

図１５は、第１モジュール１５００Ａと第２モジュール１５００Ｂを形成するために行われる、図１４に示したアセンブリのシンギュレーションを示す。このシンギュレーションは、従来のシンギュレーションソーを用いて行うとしてもよい。

図１６は、本発明の一実施形態に係る、図８に示したＭＥＭＳウェハ８０２に含まれる除去領域を示す、対応する断面図（上）と上部平面図（下）である。上部平面図では、ＭＥＭＳウェハを上から見下ろした様子を示し、伝導パッド８３２のようにＭＥＭＳウェハの下に設けられた構成要素を図示している。伝導パッド８３２は本当は見えないが、除去領域が分かりやすいように図示している。裏面研削を用いて除去を行う場合も、ウェハは厚み方向に除去されるとしてもよい。

本明細書で開示しているモジュールは、さまざまな種類の電子デバイスに備えられ利用されるとしてもよい。図１７は、本発明の一実施形態に係るワイヤレスデバイス１７７０を示す。このワイヤレスデバイスには、例えば携帯電話、ＰＤＡ（携帯情報端末）、コンピュータカード（例えばローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）カード）またはノートブックパソコンなどが含まれるとしてもよい。

ワイヤレスデバイスはモジュール１７００を備える。該モジュールは、本明細書で開示したモジュールと同じ特徴を有するとしてもよい。本発明の一実施形態によると、該モジュールは、例えば、携帯電話、ワイヤレスローカルエリアネットワーク（ＷＬＡＮ）または超広帯域（ＵＷＢ）などの規格に準拠したワイヤレスデバイス用のフロントエンドモジュールまたはスマートアンテナとして利用されるとしてもよい。該モジュールはＭＥＭＳスイッチおよび１以上の受動素子を有するとしてもよい。ＭＥＭＳスイッチは例えば、異なる周波数用のフィルタの選択または電源オン・オフを行うとしてもよい。微小電子スイッチに比べ、このようなＭＥＭＳスイッチは損失が少なくなることが多い（例えば、比較的「オン」および／または「オフ」がはっきりしている）。このような特徴は、例えば、電力損失低減に効果があり、電池の長寿命化につながることもある。別の実施形態に係るモジュールは、ＦＢＡＲフィルタおよび１以上の受動素子を有するとしてもよい。

該ワイヤレスデバイスはさらに、ダイポールアンテナ１７７２およびＧＳＭ（Ｇｌｏｂａｌ Ｓｙｓｔｅｍ ｆｏｒ Ｍｏｂｉｌｅ ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ）トランシーバ１７７４を備える。該ダイポールアンテナを介して、ワイヤレスデバイスはデータの送受信を行うとしてもよい。本発明の別の実施形態に係るワイヤレスデバイスは、オムニ指向性アンテナを備えるとしてもよい。また、該ＧＳＭトランシーバを備えることによって、例えば符号分割多重アクセス（ＣＤＭＡ）方式通信、時分割多重アクセス（ＴＤＭＡ）方式通信および／またはＷ−ＣＤＭＡ（Ｗｉｄｅｂａｎｄ ＣＤＭＡ）通信が可能になるとしてもよい。ダイポールアンテナ、オムニ指向性アンテナおよびＧＳＭトランシーバは、すべてではないが、一部のワイヤレスデバイスに用いられている。該ワイヤレスデバイスは、図示していないこれ以外の構成要素を任意で備えるとしてもよい。例えば、フラッシュメモリなども備えるとしてもよい。ノートブックパソコンを含むワイヤレスデバイスの場合、例えばＤＲＡＭメモリ、ＳＲＡＭメモリ、グラフィクスコントローラまたは音声デバイスなどを任意で備えるとしてもよい。

本明細書の以上の部分においては、本発明の実施形態を十分に分かりやすく説明する目的で、具体的且つ詳細な内容を数多く記載した。しかし、開示した具体的且つ詳細な記載の一部のみを用いて上記以外の実施形態を実施するとしてもよい。また、公知の回路、構造、デバイスおよび技術については、本発明を理解する上でさまたげにならないよう、ブロック図または簡略図で示した。

開示した方法の多くについては、最も基本的な形態で説明しているが、動作を追加または削除するとしてもよい。開示した実施形態について、さらに変形例を実施するとしてもよい。具体的に挙げた実施形態は、本発明を限定するものではなく説明するためのものである。本発明の範囲は上述した具体例によって決まるのではなく、本願の請求項によって決まるものである。

請求項について、特定の機能を果たす「ための手段（ｍｅａｎｓ ｆｏｒ）」または特定の機能を果たす「ための工程（ｓｔｅｐ ｆｏｒ）」という明確な記載がない構成要素は、米国特許法第１１２条第６パラグラフで規定されている「手段（ｍｅａｎｓ）」または「工程（ｓｔｅｐ）」に関する条文に当てはまるものとは解釈されない。特に、本願請求項で「の工程（ｓｔｅｐ ｏｆ）」と記載している場合、米国特許法第１１２条第６パラグラフの規定の適用を受けるものではない。

また、本明細書中で「一実施形態」または「実施形態」と記載している場合、ある特定の特徴が本発明の実施に含まれ得ることを意味している。同様に、上記において本発明の実施形態の例を説明してきたが、開示内容を効率よくまとめ、発明性を理解しやすいように、特徴をグループ分けして１つの実施形態、図、説明にまとめている。しかし、このように本発明を開示したからといって、各請求項で請求している発明の実施に、その請求項で明記されているより多くの特徴が必要なわけではない。逆に、本願の請求項から分かるように、上述した各実施形態が有するすべての特徴に発明性があるわけではない。このためここにおいて、本願請求項はこの「発明を実施するための最良の形態」に組み込まれ、各独立クレームは本発明の一つの実施形態として扱われることを明確にしておきたい。

実施形態に基づき本発明を説明してきたが、本発明は説明した実施形態に限定されるものではなく、本願請求項の目的および範囲内であれば変形して実施してもよい。このため、上記明細書は本発明を限定するものではなく説明するものにすぎないと解釈されるべきである。

Claims (30)

1. 装置であって、
   第１ダイ、第２ダイ、および該第１ダイと該第２ダイの間に密封されたチェンバと、
   前記第１ダイと前記第２ダイの間、および前記チェンバの外周に沿って設けられた封止部と、
   前記第１ダイに取り付けられ、前記チェンバ内に設けられた１以上のＭＥＭＳであって、前記第１ダイと電気接続されている１以上のＭＥＭＳと、
   前記第２ダイに取り付けられ、前記チェンバ内に設けられた１以上の受動素子であって、前記第２ダイと電気接続されている１以上の受動素子と、
   前記チェンバ内に設けられた、前記第１ダイと前記第２ダイを接続する１以上のインターコネクトと、
   第１端部および第２端部を有する１以上の伝導路であって、該第１端部は前記インターコネクトに接続され、該第２端部は、前記モジュールの外部にある信号伝達媒体と前記モジュールを接続するべく前記モジュールの外部からアクセスが可能である、１以上の伝導路と
   を備える装置。
2. 前記ＭＥＭＳはスイッチおよび／または圧電薄膜共振器（ＦＢＡＲ）を有する
   請求項１に記載の装置。
3. 前記受動素子は、コンデンサおよび／またはインダクタを有する
   請求項２に記載の装置。
4. 装置であって、
   第１基板、第２基板、および該第１基板と該第２基板の間にあるチェンバと、
   前記第１基板と前記第２基板の間、および前記チェンバの外周に沿って設けられた封止部と、
   前記第１基板に接合され、前記チェンバ内に設けられた１以上のＭＥＭＳと、
   前記第２基板に接合され、前記チェンバ内に設けられた１以上の受動素子と、
   前記チェンバ内に設けられた、前記第１基板と前記第２基板を接合する１以上のインターコネクトと、
   １以上の伝導路であって、一端が前記インターコネクトに接合され、他端が前記チェンバの外部に設けられ前記インターコネクトと信号伝達媒体を接合する、１以上の伝導路と
   を備える装置。
5. 前記第１基板および前記第２基板はそれぞれ、シンギュレーションされたダイを有する
   請求項４に記載の装置。
6. 前記ＭＥＭＳはスイッチおよび／または圧電薄膜共振器（ＦＢＡＲ）を有し、前記受動素子はコンデンサおよび／またはインダクタを有する
   請求項４に記載の装置。
7. 前記伝導路は、前記第１基板もしくは前記第２基板を貫通するビアを有する
   請求項４に記載の装置。
8. 前記第１基板と前記ＭＥＭＳの間、もしくは前記第２基板と前記受動素子の間に配設された絶縁層と、
   前記チェンバの外部であって前記絶縁層の上に前記伝導路用に設けられた１以上の伝導パッドと、
   前記伝導路用に設けられた１以上の金属線であって、少なくとも一部分が前記絶縁層に埋め込まれ、それぞれが前記インターコネクトのうちの１つに接続された第１端部および前記伝導パッドのうちの１つに接続された第２端部を有する、１以上の金属線と
   をさらに備える請求項４に記載の装置。
9. 前記封止部は、前記第２基板用の、封止材料から成るリングに接合された、前記第１基板用の、封止材料から成るリングを有し、前記チェンバ内に設けられた前記インターコネクトはそれぞれ、前記第２基板用の導体材料と接合された前記第１基板用の導体材料を有する
   請求項４に記載の装置。
10. 前記封止部は、金属、フリットガラス、接着剤、およびこれらの組み合わせのいずれかを含む
    請求項４に記載の装置。
11. 装置であって、
    １以上のＭＥＭＳが接合された第１基板と、
    前記第１基板に接合された第２基板であって、１以上の受動素子が接合された第２基板と
    を備える装置。
12. 前記第１基板および前記第２基板はそれぞれ、シンギュレーションされたダイを有する
    請求項１１に記載の装置。
13. 前記第１基板と前記第２基板の間に前記ＭＥＭＳおよび前記受動素子に沿って設けられた、封止材料から成るリング
    をさらに備える請求項１２に記載の装置。
14. 前記ＭＥＭＳはスイッチおよび／または圧電薄膜共振器（ＦＢＡＲ）を有し、前記受動素子はコンデンサおよび／またはインダクタを有する
    請求項１３に記載の装置。
15. ワイヤレスデバイスであって、ＧＳＭ（Ｇｌｏｂａｌ Ｓｙｓｔｅｍ ｆｏｒ Ｍｏｂｉｌｅ ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ）トランシーバおよび請求項１１に記載の装置を備えるワイヤレスデバイス。
16. 装置であって、
    内部にチェンバが設けられたパッケージと、
    前記チェンバ内に設けられ、前記パッケージに接合された１以上のＭＥＭＳと、
    前記チェンバ内に設けられ、前記パッケージに接合された１以上の受動素子と
    を備える装置。
17. 前記ＭＥＭＳおよび前記受動素子はそれぞれ、シンギュレーションされた別々のダイに取り付けられている
    請求項１６に記載の装置。
18. 前記シンギュレーションされたダイの間、および前記チェンバの外周に沿って設けられた封止部
    をさらに備える請求項１７に記載の装置。
19. 装置であって、
    オムニ指向性アンテナと、
    第１基板、第２基板、および該第１基板と該第２基板の間に設けられたチェンバと、
    前記第１基板と前記第２基板の間、および前記チェンバの外周に沿って設けられた封止部と、
    前記チェンバ内に設けられ、前記第１基板に接合された１以上のＭＥＭＳと、
    前記チェンバ内に設けられ、前記第２基板に接合された１以上の受動素子と、
    前記チェンバ内に設けられ、前記第１基板と前記第２基板を接合する１以上のインターコネクトと、
    １以上の伝導路であって、一端が前記インターコネクトに接合され、他端が、前記アンテナへの１以上の電気経路に接合された１以上の伝導路と
    を備える装置。
20. 前記第１基板と前記第２基板はそれぞれ、シンギュレーションされたダイを有する
    請求項１９に記載の装置。
21. 前記ＭＥＭＳはスイッチおよび／または圧電薄膜共振器（ＦＢＡＲ）を有し、前記受動素子はコンデンサおよび／またはインダクタを有する
    請求項１９に記載の装置。
22. 方法であって、
    １以上のＭＥＭＳが接合された第１基板と１以上の受動素子が接合された第２基板を位置合わせすることと、
    位置合わせされた前記第１基板と前記第２基板を接合することと
    を含む方法。
23. 位置合わせされた前記第１基板と前記第２基板を接合することは、
    前記第１基板の回路から前記第２基板の回路まで伝導路を形成することによって、前記ＭＥＭＳと前記受動素子を接合することと、
    前記第１基板と前記第２基板の間に封止部を形成することによって、前記ＭＥＭＳ、前記受動素子および前記伝導路を有するチェンバを封止することと
    を含む
    請求項２２に記載の方法。
24. 前記封止部を形成することは、前記第１基板用の、封止材料から成るリングと、前記第２基板用の、封止材料から成るリングを接合することを含む
    請求項２３に記載の方法。
25. 前記伝導路を形成することは、前記第１基板用の導体インターコネクト材料と前記第２基板用の導体インターコネクト材料を接合することを含む
    請求項２４に記載の方法。
26. 前記第１基板と前記第２基板を位置合わせすることは、複数のウェハを位置合わせすることを含み、位置合わせされた前記第１基板および前記第２基板を接合することは、位置合わせされた前記複数のウェハを接合することを含む
    請求項２２に記載の方法。
27. 接合された前記複数のウェハにシンギュレーションを行うこと
    をさらに含む請求項２６に記載の方法。
28. 接合された前記複数のウェハのシンギュレーションに先立って、一方のウェハ上に設けられた外部インターコネクト構造へのアクセスを確保すべく他方のウェハの一部を除去すること
    をさらに含む請求項２７に記載の方法。
29. 前記他方のウェハの一部を除去することは、ダイの周縁に沿って、シンギュレーションに用いられるソーブレードよりも幅が大きいソーブレードを用いてソーイングを行うことによって、前記他方のウェハを厚み方向に貫通するように除去することを含む
    請求項２８に記載の方法。
30. 前記他方のウェハの一部を除去することは、
    前記位置合わせに先立ち、ダイの周縁に沿って、シンギュレーションに用いられるソーブレードよりも幅が大きいソーブレードを用いてソーイングを行うことによって、前記他方のウェハを厚み方向に貫通しないように前記他方のウェハの活性面側から除去することと、
    前記第１基板と前記第２基板を接合した後で、厚み方向に貫通しないように除去された前記他方のウェハの残りの厚みを、ソーイングまたは裏面研削のいずれかによって、除去することと
    を含む
    請求項２８に記載の方法。

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