JP2007512712A5

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Info

Publication number: JP2007512712A5
Application number: JP2006541343A
Authority: JP
Filing date: 2004-11-17
Publication date: 2007-12-13
Anticipated expiration: 2024-11-17

Claims

ショットキ障壁、すなわち、光学導波管でシリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）プラットフォームと一体化したシリコンベースの赤外線光検出器を具えるモノリシック構成において、前記モノリシック構成が、
平面ＳＯＩ表面層を有するＳＯＩ構造であって、前記平面ＳＯＩ表面層が、１ミクロン未満の厚さであり、光学信号の送信をサポートするために前記光学導波管の少なくとも一部を形成するＳＯＩ構造と；
前記光学導波管内部の伝播の方向に沿って、前記平面ＳＯＩ表面層の一部の上に配置された金属ストリップであって、前記金属ストリップが、前記光学導波管でショットキ障壁を形成する金属ストリップと；
第１のコンタクト領域において前記平面ＳＯＩ表面層に構成した第１の抵抗オーム接点と；
第２のコンタクト領域において前記金属ストリップに構成した第２の抵抗オーム接点と；を具え、前記第１及び第２抵抗オーム接点の間のバイアス電圧の印加が、前記光学信号が前記光学導波管に沿って伝播するときに、前記金属ストリップにあたる前記光学信号の一部の機能として前記金属ストリップから光電流出力を発生し、前記第１及び第２の抵抗オーム接点が、前記第１及び第２のコンタクト領域内で前記光学信号の吸収が最小になるように配置されていることを特徴とするモノリシック構成。
請求項１に記載のモノリシック構成において、前記平面ＳＯＩ層がドープされていることを特徴とするモノリシック構成。
請求項２に記載のモノリシック構成において、前記平面ＳＯＩ層内のドーピングが段階的であり、結果として得られた電場が前記平面ＳＯＩ層内に前記ショットキ障壁を越えて注入されたキャリアの集束及び伝送を改善することを特徴とするモノリシック構成。
請求項１に記載のモノリシック構成において、前記金属ストリップがシリサイドストリップを具えることを特徴とするモノリシック構成。
請求項４に記載のモノリシック構成において、前記シリサイドが単結晶シリサイドを具えることを特徴とするモノリシック構成。
請求項４に記載のモノリシック構成において、前記シリサイドが多結晶シリサイドを具えることを特徴とするモノリシック構成。
請求項１に記載のモノシリック構成において、前記金属ストリップがテーパ付き入力領域を具え、伝達光信号が前記金属ストリップの下にある前記光導波管の一部に入射するときに前記伝達信号によって経験する実行屈折率を段階的に修正し、前記テーパ付き入力領域がそれに沿った光の反射を低減することを特徴とするモノシリック構成。
請求項１に記載のモノリシック構成において、前記金属ストリップが前記ＳＯＩ層のいずれのコーナ又はエッジとも重複せず、前記非重複構成が、関連する暗電流を減少し、室温での動作を提供することを特徴とするモノリシック構成。
請求項１に記載のモノリシック構成において、前記金属ストリップは、丸くなったコーナ及びエッジを示すように形成され、関連する暗電流を減少し、室温での動作を提供することを特徴とするモノリシック構成。
請求項１に記載のモノリシック構成において、前記ＳＯＩ層内の光導波管が、光タップ構造を具え、当該光タップオフ構造のタップのない導波管部分の上に前記金属ストリップを配置した光タップ構造を具えることを特徴とするモノリシック構成。
請求項１に記載のモノリシック構成において、第１及び第２抵抗オーム接点が、前記伝播光信号の一部が前記光検出器によって未吸収のままであるように前記光導波管に対して配置されて、進行波光検出器を形成することを特徴とするモノリシック構成。
請求項１１に記載のモノシリック構成において、前記ＳＯＩ層が、前記光導波管の対向する側に第１及び第２のエクステンション領域を具え、前記第１のエクステンション領域の上に第１の抵抗オーム接点を配置し、前記第２のエクステンション領域の上に第２の抵抗オーム接点を配置したことを特徴とするモノシリック構成。
請求項１に記載のモノリシック構成において、前記構成が更に、前記ＳＯＩ層内に形成したガードリング構造を具え、当該ガードリング構造が前記重複金属ストリップのエッジ部の下に直接配置され、前記ＳＯＩ層が第１導電型を示し、前記ガードリング構造が第１の導電型と反対の第２導電型を示すことを特徴とするモノリシック構成。
請求項１に記載のモノリシック構成において、前記構成が、
前記上に横たわる金属ストリップから離れた領域で、前記ＳＯＩ層内に形成した第１の接触領域であって、前記ＳＯＩ層と同じ導電型を示す前記第１の接触領域と；
前記第１接触領域に物理的に接触するように配置された第１の金属導電体と；
前記上に横たわるシリサイド層の下部で前記ＳＯＩ層内に形成された第２の接触領域であって、前記ＳＯＩ層と逆の導電型を示す前記第２の接触領域と；
前記第２の接触領域の上の前記金属ストリップのエッジに物理的に接触するように配置された第２金属導電体と；
を更に具えることを特徴とするモノリシック構成。
請求項１に記載のモノリシック構成において、前記光導波管が、伝播光信号が、前記金属ストリップの下部を一度以上通過するように形成され、マルチパス光検出器を形成することを特徴とするモノリシック構成。
請求項１に記載のモノリシック構成において、前記第１及び第２抵抗オーム接点がそれぞれ、シリサイド材料を具えることを特徴とするモノリシック構成。
請求項１６に記載のモノリシック構成において、第１及び第２シリサイド抵抗オーム接点が、前記金属ストリップと同じシリサイド材料を具えることを特徴とするモノリシック構成。
請求項１６に記載のモノリシック構成において、前記第１及び第２シリサイド抵抗オーム接点が、前記金属ストリップを形成するように使用されている材料と異なるシリサイド材料を具えることを特徴とするモノリシック構成。