RU2477903C1 - Чувствительный элемент с симметричной вольтамперной характеристикой для регистрации сигналов свч-тгц диапазонов - Google Patents

Чувствительный элемент с симметричной вольтамперной характеристикой для регистрации сигналов свч-тгц диапазонов Download PDF

Info

Publication number
RU2477903C1
RU2477903C1 RU2011143916/28A RU2011143916A RU2477903C1 RU 2477903 C1 RU2477903 C1 RU 2477903C1 RU 2011143916/28 A RU2011143916/28 A RU 2011143916/28A RU 2011143916 A RU2011143916 A RU 2011143916A RU 2477903 C1 RU2477903 C1 RU 2477903C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
metal
pair
specified
semiconductor
sensitive element
Prior art date
Application number
RU2011143916/28A
Other languages
English (en)
Inventor
Владимир Иванович Шашкин
Николай Владимирович Востоков
Original Assignee
Учреждение Российской академии наук ИНСТИТУТ ФИЗИКИ МИКРОСТРУКТУР РАН (ИФМ РАН)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Учреждение Российской академии наук ИНСТИТУТ ФИЗИКИ МИКРОСТРУКТУР РАН (ИФМ РАН) filed Critical Учреждение Российской академии наук ИНСТИТУТ ФИЗИКИ МИКРОСТРУКТУР РАН (ИФМ РАН)
Priority to RU2011143916/28A priority Critical patent/RU2477903C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2477903C1 publication Critical patent/RU2477903C1/ru

Links

Images

Landscapes

  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

Изобретение относится к регистрации электромагнитного излучения с использованием многослойных структур металл-полупроводник. Сущность изобретения: чувствительный элемент для регистрации сигналов СВЧ диапазона представляет собой четырехполюсник, содержащий две пары последовательно включенных переходов металл - полупроводник и полупроводник - металл с полупроводником, являющимся общим для обеих указанных пар проводящим каналом. Первая пара переходов, являющихся переходами Шоттки, имеет два металлических вывода, выполненных в виде металлических слоев, которые подключены к СВЧ цепи, а два металлических вывода второй пары, выполненных в виде металлических слоев, подключены к НЧ цепи для измерения импеданса проводящего канала, в части которого присутствуют токи, вызванные регистрируемым СВЧ сигналом. Техническим результатом изобретения является создание устройства, позволяющего увеличить чувствительность приема на высоких частотах измеряемого сигнала и упростить технологию изготовления чувствительного элемента. 6 з.п. ф-лы, 5 ил.

Description

Изобретение относится к регистрации электромагнитного излучения с использованием многослойных наноструктур металл - полупроводник. Изобретение может быть использовано для создания приемных устройств миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов длин волн, пригодных для решения многих задач (противодействие терроризму, навигация в сложных погодных условиях, контроль потоков транспорта, телекоммуникация, контроль состояния атмосферы и др.).
В основе предлагаемого технического решения лежит использование в качестве чувствительного элемента приемника электромагнитного излучения структуры, состоящей из последовательно включенных переходов металл - полупроводник и полупроводник - металл с барьерами Шоттки (Мотта). Такая структура обладает симметричной вольтамперной характеристикой (ВАХ) и при подаче на нее сверхвысокочастотного сигнала постоянная составляющая напряжения на выводах структуры не появляется. Однако на каждом из переходов металл-полупроводник постоянное обратное напряжение возникает. Принцип действия предлагаемого чувствительного элемента состоит в регистрации этого напряжения. В качестве чувствительного элемента используется структура, содержащая под переходами металл - полупроводник проводящий канал, к которому сформированы два дополнительных контакта для подключения низкочастотной цепи. Обратные напряжения, возникающие на переходах, изменяют концентрацию носителей в канале за счет эффекта поля. В результате изменяется импеданс канала. Это изменение можно зарегистрировать с помощью измерительной низкочастотной цепи или на постоянном токе.
Наиболее близким аналогом заявленного устройства является приемник электромагнитного излучения на переходах Шоттки, описанный в RU 2304826. К недостаткам известного устройства можно отнести недостаточную чувствительность приема измеряемого сигнала и жесткие требования к быстродействию проводящего канала.
Задачей изобретения является создание устройства, позволяющего увеличить чувствительность приема на высоких частотах измеряемого сигнала и упростить технологию изготовления чувствительного элемента.
Поставленная задача решается тем, что чувствительный элемент для регистрации сигналов СВЧ диапазона представляет собой четырехполюсник, содержащий две пары последовательно включенных переходов металл - полупроводник и полупроводник - металл с полупроводником, являющимся общим для обеих указанных пар проводящим каналом, причем первая пара переходов, являющихся переходами Шоттки, имеет два металлических вывода, выполненных в виде металлических слоев, которые подключены к СВЧ цепи, а два металлических вывода второй пары, выполненных в виде металлических слоев, подключены к НЧ цепи для измерения импеданса проводящего канала, в части которого присутствуют токи, вызванные регистрируемым СВЧ сигналом.
В одном из вариантов исполнения четырехполюсник конструктивно выполнен в виде структуры, содержащей проводящий канал в виде легированного полупроводникового слоя или слоя квазидвумерного электронного газа, на одну сторону которого нанесены первый металлический вывод указанной первой пары в центре указанной стороны и два металлических вывода указанной второй пары на двух противоположных краях указанной стороны, при этом второй металлический вывод первой пары нанесен на противоположную сторону указанного слоя напротив указанного первого вывода.
В другом варианте исполнения четырехполюсник конструктивно выполнен в виде структуры, содержащей проводящий канал в виде легированного полупроводникового слоя или слоя квазидвумерного электронного газа, при этом все четыре металлических вывода нанесены на одну сторону указанного слоя, причем металлические выводы указанной первой пары размещены в центре указанной стороны рядом друг с другом, а два металлических вывода указанной второй пары - на двух противоположных краях указанной стороны. При этом каждый из двух металлических выводов указанной первой пары может обхватывать проводящий канал с трех или четырех сторон.
Проводящий канал может являться квазидвумерным электронным газом, переходы указанной второй пары могут быть омическими или переходами Шоттки.
Изобретение иллюстрируется чертежом, где на фиг.1-5 показаны варианты исполнения четырехполюсника.
Как показано на чертеже, первый и второй выводы четырехполюсника (СВЧ выводы) являются металлическими слоями последовательно включенных переходов металл - полупроводник и полупроводник - металл с барьерами Шоттки (СВЧ переходы). Полупроводник представляет собой легированный полупроводниковый слой, являющийся проводящим каналом. По разные стороны от СВЧ выводов к полупроводниковому каналу сформированы два дополнительных перехода металл - полупроводник (НЧ переходы). Металлические слои этих НЧ переходов являются третьим и четвертым выводами четырехполюсника (НЧ выводы).
СВЧ выводы подключаются к линии передачи СВЧ или непосредственно к антенне, принимающей СВЧ излучение (СВЧ цепь). Частота регистрируемого сигнала может достигать терагерцового (ТГц) диапазона (0.1-10 ТГц). При подаче на СВЧ выводы высокочастотного сигнала на СВЧ переходах металл - полупроводник (МП) возникают обратные напряжения. За счет эффекта поля происходит изменение концентрации носителей в полупроводниковом канале под металлическими слоями СВЧ переходов. За счет этого изменяется импеданс канала. Изменение импеданса канала регистрируется с помощью НЧ цепи, которая подключается к НЧ выводам. Измерение импеданса может происходить как на постоянном, так и на переменном токе. В первом случае НЧ переходы должны быть омическими. Во втором случае ввод переменного тока в канал может осуществляться через барьерные НЧ переходы МП большой площади. Один из вариантов прибора схематично показан на фиг.1. В этом варианте слои металла СВЧ переходов нанесены на разные стороны полупроводникового слоя (канала) напротив друг друга. Каналом может служить полупроводниковый слой с квазидвумерным электронным газом - фиг.2. Конфигурация может быть планарной - фиг.3 и фиг.4. Или еще более сложной - с трехсторонним (или четырехсторонним) обхватом канала металлическими слоями - фиг.5. Для повышения чувствительности приема в устройстве могут использоваться СВЧ переходы с пониженной эффективной высотой барьеров Шоттки. Напротив, для регистрации мощных сигналов эффективная высота барьеров Шоттки СВЧ переходов может быть повышена.
В отличие от известных аналогичных устройств цепь, регистрирующая изменение импеданса канала (НЧ цепь), является низкочастотной, в ней не течет СВЧ ток, поэтому нет жестких требований к быстродействию канала. Кроме того, СВЧ поле сосредоточено в области под металлическими слоями СВЧ переходов, удалено от металлических элементов НЧ цепи и не взаимодействует с ними. В случае использования барьерных НЧ переходов МП предлагаемый прибор может быть вовсе избавлен от омических переходов МП, что упрощает технологию изготовления устройства.

Claims (7)

1. Чувствительный элемент для регистрации сигналов СВЧ диапазона, содержащий переходы Шоттки, отличающийся тем, что указанный чувствительный элемент представляет собой четырехполюсник, содержащий две пары последовательно включенных переходов металл-полупроводник и полупроводник-металл с полупроводником, являющимся общим для обеих указанных пар проводящим каналом, причем первая пара переходов, являющихся переходами Шоттки, имеет два металлических вывода, выполненных в виде металлических слоев, которые подключены к СВЧ цепи, а два металлических вывода второй пары, выполненных в виде металлических слоев, подключены к НЧ цепи для измерения импеданса проводящего канала, в части которого присутствуют токи, вызванные регистрируемым СВЧ сигналом.
2. Чувствительный элемент по п.1, отличающийся тем, что указанный четырехполюсник конструктивно выполнен в виде структуры, содержащей проводящий канал в виде легированного полупроводникового слоя или слоя квазидвумерного электронного газа, на одну сторону которого нанесены первый металлический вывод указанной первой пары в центре указанной стороны и два металлических вывода указанной второй пары на двух противоположных краях указанной стороны, при этом второй металлический вывод первой пары нанесен на противоположную сторону указанного слоя напротив указанного первого вывода.
3. Чувствительный элемент по п.1, отличающийся тем, что указанный четырехполюсник конструктивно выполнен в виде структуры, содержащей проводящий канал в виде легированного полупроводникового слоя или слоя квазидвумерного электронного газа, при этом все четыре металлических вывода нанесены на одну сторону указанного слоя, причем металлические выводы указанной первой пары размещены в центре указанной стороны рядом друг с другом, а два металлических вывода указанной второй пары - на двух противоположных краях указанной стороны.
4. Чувствительный элемент по п.1, отличающийся тем, что проводящим каналом является квазидвумерный электронный газ.
5. Чувствительный элемент по п.3, отличающийся тем, что каждый из двух металлических выводов указанной первой пары обхватывает проводящий канал с трех или четырех сторон.
6. Чувствительный элемент по любому из пп.1-5, отличающийся тем, что переходы указанной второй пары являются омическими.
7. Чувствительный элемент по любому из пп.1-5, отличающийся тем, что переходы указанной второй пары являются переходами Шоттки.
RU2011143916/28A 2011-10-31 2011-10-31 Чувствительный элемент с симметричной вольтамперной характеристикой для регистрации сигналов свч-тгц диапазонов RU2477903C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2011143916/28A RU2477903C1 (ru) 2011-10-31 2011-10-31 Чувствительный элемент с симметричной вольтамперной характеристикой для регистрации сигналов свч-тгц диапазонов

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2011143916/28A RU2477903C1 (ru) 2011-10-31 2011-10-31 Чувствительный элемент с симметричной вольтамперной характеристикой для регистрации сигналов свч-тгц диапазонов

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2477903C1 true RU2477903C1 (ru) 2013-03-20

Family

ID=49124459

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2011143916/28A RU2477903C1 (ru) 2011-10-31 2011-10-31 Чувствительный элемент с симметричной вольтамперной характеристикой для регистрации сигналов свч-тгц диапазонов

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2477903C1 (ru)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2010662C1 (ru) * 1992-02-12 1994-04-15 Московский авиационный технологический институт им.К.Э.Циолковского Способ изготовления заклепок из армированного полимерного материала
WO2005051068A2 (en) * 2003-11-20 2005-06-09 Sioptical, Inc. Silicon-based schottky barrier infrared optical detector
RU52257U1 (ru) * 2005-11-22 2006-03-10 Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" (ОАО "НИИПП") Свч-диод шоттки с балочными выходами
RU2304826C1 (ru) * 2006-03-20 2007-08-20 Владислав Георгиевич Иванов Фотоприемная матрица детекторов на основе барьеров шоттки с чувствительностью в субмиллиметровом диапазоне длин волн

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2010662C1 (ru) * 1992-02-12 1994-04-15 Московский авиационный технологический институт им.К.Э.Циолковского Способ изготовления заклепок из армированного полимерного материала
WO2005051068A2 (en) * 2003-11-20 2005-06-09 Sioptical, Inc. Silicon-based schottky barrier infrared optical detector
RU52257U1 (ru) * 2005-11-22 2006-03-10 Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" (ОАО "НИИПП") Свч-диод шоттки с балочными выходами
RU2304826C1 (ru) * 2006-03-20 2007-08-20 Владислав Георгиевич Иванов Фотоприемная матрица детекторов на основе барьеров шоттки с чувствительностью в субмиллиметровом диапазоне длин волн

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8560029B2 (en) Isolation enhancement between planar antenna elements
US7417516B2 (en) Monolithic microwave integrated circuit providing power dividing and power monitoring functionality
US20140091376A1 (en) Monolithically Integrated Antenna and Receiver Circuit
US10825947B2 (en) Radiation detector and method for producing same
CN102891081B (zh) 太赫兹肖特基二极管的制造方法
JP2011222833A (ja) 電磁波検出素子
US9851384B2 (en) Multi-band impedance detector
US9953938B2 (en) Tunable active silicon for coupler linearity improvement and reconfiguration
CN102946256B (zh) 太赫兹准光混频器
Schulman et al. W-band direct detection circuit performance with Sb-heterostructure diodes
JP6141027B2 (ja) 検出素子、検出器及びこれを用いた撮像装置
Prokopenko et al. SQIF antenna measurement in near field
RU2477903C1 (ru) Чувствительный элемент с симметричной вольтамперной характеристикой для регистрации сигналов свч-тгц диапазонов
US9590284B1 (en) Self-limiting filters for band-selective interferer rejection or cognitive receiver protection
CN102810814A (zh) 一种多路太赫兹脉冲波导工艺方法
FR3071969B1 (fr) Antenne radioelectrique robuste en impedance et a bas profil
US9645171B1 (en) Traveling wave detector
CN102903761B (zh) 太赫兹肖特基二极管
RU2485624C1 (ru) Чувствительный элемент с симметричной вольтамперной характеристикой для регистрации сигналов свч-тгц диапазонов
Pursula et al. Transponders for millimeter wave identification
US9966668B1 (en) Semiconductor antenna
US10680130B2 (en) On-chip integration of MMIC and single photon detectors
Montero-de-Paz et al. Compact Schottky barrier diode receiver for E-Band (60–90 GHz) wireless communications
RU2693868C1 (ru) Диодный детектор мощности сигналов сверхвысоких частот
US20150280036A1 (en) THz DISTRIBUTED DETECTORS AND ARRAYS

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20181101