RU2485624C1 - Чувствительный элемент с симметричной вольтамперной характеристикой для регистрации сигналов свч-тгц диапазонов - Google Patents
Чувствительный элемент с симметричной вольтамперной характеристикой для регистрации сигналов свч-тгц диапазонов Download PDFInfo
- Publication number
- RU2485624C1 RU2485624C1 RU2011143914/28A RU2011143914A RU2485624C1 RU 2485624 C1 RU2485624 C1 RU 2485624C1 RU 2011143914/28 A RU2011143914/28 A RU 2011143914/28A RU 2011143914 A RU2011143914 A RU 2011143914A RU 2485624 C1 RU2485624 C1 RU 2485624C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- metal
- sensitive element
- uhf
- circuit
- registration
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Изобретение относится к чувствительным элементам для создания приемных устройств миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов длин волн. Чувствительный элемент с симметричной вольтамперной характеристикой для регистрации сигналов СВЧ диапазона представляет собой двухполюсник, состоящий из последовательно включенных переходов металл-полупроводник и полупроводник-металл с барьерами Шоттки, при этом оба металлических вывода двухполюсника подключены к СВЧ цепи, а также к НЧ цепи для измерения импеданса двухполюсника. Изобретение обеспечивает создание устройства, позволяющего увеличить чувствительность приема на высоких частотах измеряемого сигнала и упростить технологию изготовления чувствительного элемента. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.
Description
Изобретение относится к регистрации электромагнитного излучения с использованием многослойных наноструктур металл-полупроводник. Изобретение может быть использовано для создания приемных устройств миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов длин волн, пригодных для решения многих задач (противодействие терроризму, навигация в сложных погодных условиях, контроль потоков транспорта, телекоммуникация, контроль состояния атмосферы и др.).
В основе предлагаемого технического решения лежит использование в качестве чувствительного элемента приемника электромагнитного излучения структуры, состоящей из последовательно включенных переходов металл-полупроводник и полупроводник-металл с барьерами Шоттки (Мотта). Такая структура обладает симметричной вольтамперной характеристикой (ВАХ), и при подаче на нее сверхвысокочастотного сигнала, постоянная составляющая напряжения на выводах структуры не появляется. Однако на каждом из переходов металл-полупроводник постоянное обратное напряжение возникает. Принцип действия предлагаемого чувствительного элемента состоит в регистрации этого напряжения. Обратные напряжения, возникающие на переходах, изменяют дифференциальное сопротивление и дифференциальную емкость каждого из них. В результате меняется суммарный импеданс чувствительного элемента. Это изменение можно зарегистрировать с помощью измерительной низкочастотной цепи или на постоянном токе.
Наиболее близким аналогом заявленного устройства является приемник электромагнитного излучения на переходах Шоттки, описанный в RU 2304826. К недостаткам известного устройства можно отнести недостаточную чувствительность приема измеряемого сигнала и жесткие требования к быстродействию проводящего канала.
Задачей изобретения является создание устройства, позволяющего увеличить чувствительность приема на высоких частотах измеряемого сигнала и упростить технологию изготовления чувствительного элемента.
Поставленная задача решается тем, что чувствительный элемент для регистрации сигналов СВЧ диапазона представляет собой двухполюсник, состоящий из последовательно включенных переходов металл-полупроводник и полупроводник-металл с барьерами Шоттки, при этом оба металлических вывода двухполюсника подключены к СВЧ цепи, а также к НЧ цепи для измерения импеданса двухполюсника.
В одном из вариантов исполнения указанный двухполюсник конструктивно выполнен в виде структуры, содержащей указанные металлические выводы в виде двух слоев металла, нанесенных рядом друг с другом на одну сторону легированного полупроводникового слоя, сформированного на сильно легированной полупроводниковой подложке.
В другом варианте исполнения указанный двухполюсник конструктивно выполнен в виде структуры, содержащей указанные металлические выводы в виде двух слоев металла, нанесенных на противоположные стороны легированного полупроводникового слоя.
Изобретение иллюстрируется чертежом, где на фиг.1 показаны две возможные конфигурации двухполюсника: а - слои металла 1 нанесены рядом друг с другом на одну сторону легированного полупроводникового слоя 2, сформированного на сильно легированной полупроводниковой подложке 3; обедненные области полупроводника 4; низкочастотная цепь (НЧ цепь) 5; СВЧ цепь 6; б - слои металла 1 нанесены на разные стороны легированного полупроводникового слоя 2 напротив друг друга. На фиг.2 показана эквивалентная схема чувствительного элемента, представляющая собой последовательное встречное включение двух диодов Шоттки.
Металлические выводы двухполюсника подключаются к линии передачи СВЧ или непосредственно к антенне, принимающей СВЧ излучение (СВЧ цепь) 6. Частота регистрируемого сигнала может достигать терагерцового (ТГц) диапазона (0.1-10 ТГц). Как было указано выше, двухполюсник имеет симметричную относительно нуля ВАХ, поэтому при подаче на него СВЧ сигнала постоянная составляющая напряжения на выводах двухполюсника не появляется. Однако на каждом из переходов металл-полупроводник (МП) постоянное обратное напряжение возникает. Принцип действия предлагаемого чувствительного элемента состоит в регистрации этого напряжения. Обратные напряжения, возникающие на переходах МП, изменяют дифференциальное сопротивление и дифференциальную емкость каждого из них. В результате меняется импеданс двухполюсника. Это изменение можно зарегистрировать с помощью измерительной низкочастотной цепи или на постоянном токе (НЧ цепь). Для повышения чувствительности приема, в устройстве могут использоваться переходы Шоттки с пониженной эффективной высотой барьеров. Напротив, для регистрации мощных сигналов эффективная высота барьеров Шоттки может быть повышена.
Предлагаемый чувствительный элемент не содержит омических переходов МП. Это упрощает технологию его изготовления и позволяет сделать последовательное сопротивление СВЧ цепи очень малым, что увеличивает чувствительность приема на высоких частотах измеряемого сигнала.
Claims (3)
1. Чувствительный элемент для регистрации сигналов СВЧ диапазона, содержащий переходы Шоттки, отличающийся тем, что указанный чувствительный элемент представляет собой двухполюсник, состоящий из последовательно включенных переходов металл-полупроводник и полупроводник-металл с барьерами Шоттки, при этом оба металлических вывода двухполюсника подключены к СВЧ цепи, а также к НЧ цепи для измерения импеданса двухполюсника.
2. Чувствительный элемент по п.1, отличающийся тем, что указанный двухполюсник конструктивно выполнен в виде структуры, содержащей указанные металлические выводы в виде двух слоев металла, нанесенных рядом друг с другом на одну сторону легированного полупроводникового слоя, сформированного на сильно легированной полупроводниковой подложке.
3. Чувствительный элемент по п.1, отличающийся тем, что указанный двухполюсник конструктивно выполнен в виде структуры, содержащей указанные металлические выводы в виде двух слоев металла, нанесенных на противоположные стороны легированного полупроводникового слоя.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2011143914/28A RU2485624C1 (ru) | 2011-10-31 | 2011-10-31 | Чувствительный элемент с симметричной вольтамперной характеристикой для регистрации сигналов свч-тгц диапазонов |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2011143914/28A RU2485624C1 (ru) | 2011-10-31 | 2011-10-31 | Чувствительный элемент с симметричной вольтамперной характеристикой для регистрации сигналов свч-тгц диапазонов |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2011143914A RU2011143914A (ru) | 2013-05-10 |
RU2485624C1 true RU2485624C1 (ru) | 2013-06-20 |
Family
ID=48786517
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2011143914/28A RU2485624C1 (ru) | 2011-10-31 | 2011-10-31 | Чувствительный элемент с симметричной вольтамперной характеристикой для регистрации сигналов свч-тгц диапазонов |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2485624C1 (ru) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2010662C1 (ru) * | 1992-02-12 | 1994-04-15 | Московский авиационный технологический институт им.К.Э.Циолковского | Способ изготовления заклепок из армированного полимерного материала |
WO2005051068A2 (en) * | 2003-11-20 | 2005-06-09 | Sioptical, Inc. | Silicon-based schottky barrier infrared optical detector |
RU52257U1 (ru) * | 2005-11-22 | 2006-03-10 | Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" (ОАО "НИИПП") | Свч-диод шоттки с балочными выходами |
RU2304826C1 (ru) * | 2006-03-20 | 2007-08-20 | Владислав Георгиевич Иванов | Фотоприемная матрица детекторов на основе барьеров шоттки с чувствительностью в субмиллиметровом диапазоне длин волн |
US20110037453A1 (en) * | 2008-03-20 | 2011-02-17 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. | Detector device |
-
2011
- 2011-10-31 RU RU2011143914/28A patent/RU2485624C1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2010662C1 (ru) * | 1992-02-12 | 1994-04-15 | Московский авиационный технологический институт им.К.Э.Циолковского | Способ изготовления заклепок из армированного полимерного материала |
WO2005051068A2 (en) * | 2003-11-20 | 2005-06-09 | Sioptical, Inc. | Silicon-based schottky barrier infrared optical detector |
RU52257U1 (ru) * | 2005-11-22 | 2006-03-10 | Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" (ОАО "НИИПП") | Свч-диод шоттки с балочными выходами |
RU2304826C1 (ru) * | 2006-03-20 | 2007-08-20 | Владислав Георгиевич Иванов | Фотоприемная матрица детекторов на основе барьеров шоттки с чувствительностью в субмиллиметровом диапазоне длин волн |
US20110037453A1 (en) * | 2008-03-20 | 2011-02-17 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. | Detector device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU2011143914A (ru) | 2013-05-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Schall et al. | 50 GBit/s photodetectors based on wafer-scale graphene for integrated silicon photonic communication systems | |
US9508764B2 (en) | Monolithically integrated antenna and receiver circuit | |
US20160187494A1 (en) | Low-noise surface level mos capacitor for improved sensor quality factor | |
US9702766B2 (en) | Capacitive temperature sensor comprising two capacitors as a voltage divider bridge | |
KR20130014249A (ko) | 광검출기 | |
Schulman et al. | W-band direct detection circuit performance with Sb-heterostructure diodes | |
EP3025132B1 (en) | An apparatus for sensing | |
KR20190105566A (ko) | 감지 전계 효과 소자 및 그 제조 방법 | |
Saxena et al. | CdS based novel photo-impedance light sensor | |
Benlamri et al. | Planar microwave resonator with electrodeposited ZnO thin film for ultraviolet detection | |
JP6141027B2 (ja) | 検出素子、検出器及びこれを用いた撮像装置 | |
CN101826570B (zh) | 一种p-n异质结光探测器 | |
RU2485624C1 (ru) | Чувствительный элемент с симметричной вольтамперной характеристикой для регистрации сигналов свч-тгц диапазонов | |
Qasrawi et al. | Design and characterization of MoO3/In2Se3 heterojunctions as terahertz/gigahertz band filters suitable for visible light communications and 3G/4G technologies | |
US9590284B1 (en) | Self-limiting filters for band-selective interferer rejection or cognitive receiver protection | |
Krishnan et al. | Thin film metal-insulator-metal junction for millimeter wave detection | |
Shin et al. | Highly reliable THz hermetic detector based on InGaAs/InP Schottky barrier diode | |
RU2477903C1 (ru) | Чувствительный элемент с симметричной вольтамперной характеристикой для регистрации сигналов свч-тгц диапазонов | |
US4140909A (en) | Radiation detector | |
Pursula et al. | Transponders for millimeter wave identification | |
JP6878528B2 (ja) | 光子検出デバイス、システムおよび製造方法 | |
KR102014313B1 (ko) | 양방향성 트랜지스터와 이를 이용한 고감도 전자센서 | |
Saha et al. | Flexible capacitive UV sensor for future wearables | |
Saeed et al. | Zero-bias, 50 dB dynamic range, V-band power detector based on CVD graphene-on-glass | |
Qaderi et al. | Subthreshold VO₂ vertical switches for large-bandwidth millimeter-wave and sub-terahertz detection |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20181101 |