RU2485624C1 - Чувствительный элемент с симметричной вольтамперной характеристикой для регистрации сигналов свч-тгц диапазонов - Google Patents

Чувствительный элемент с симметричной вольтамперной характеристикой для регистрации сигналов свч-тгц диапазонов Download PDF

Info

Publication number
RU2485624C1
RU2485624C1 RU2011143914/28A RU2011143914A RU2485624C1 RU 2485624 C1 RU2485624 C1 RU 2485624C1 RU 2011143914/28 A RU2011143914/28 A RU 2011143914/28A RU 2011143914 A RU2011143914 A RU 2011143914A RU 2485624 C1 RU2485624 C1 RU 2485624C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
metal
sensitive element
uhf
circuit
registration
Prior art date
Application number
RU2011143914/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2011143914A (ru
Inventor
Владимир Иванович Шашкин
Николай Владимирович Востоков
Original Assignee
Учреждение Российской академии наук ИНСТИТУТ ФИЗИКИ МИКРОСТРУКТУР РАН (ИФМ РАН)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Учреждение Российской академии наук ИНСТИТУТ ФИЗИКИ МИКРОСТРУКТУР РАН (ИФМ РАН) filed Critical Учреждение Российской академии наук ИНСТИТУТ ФИЗИКИ МИКРОСТРУКТУР РАН (ИФМ РАН)
Priority to RU2011143914/28A priority Critical patent/RU2485624C1/ru
Publication of RU2011143914A publication Critical patent/RU2011143914A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2485624C1 publication Critical patent/RU2485624C1/ru

Links

Images

Landscapes

  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

Изобретение относится к чувствительным элементам для создания приемных устройств миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов длин волн. Чувствительный элемент с симметричной вольтамперной характеристикой для регистрации сигналов СВЧ диапазона представляет собой двухполюсник, состоящий из последовательно включенных переходов металл-полупроводник и полупроводник-металл с барьерами Шоттки, при этом оба металлических вывода двухполюсника подключены к СВЧ цепи, а также к НЧ цепи для измерения импеданса двухполюсника. Изобретение обеспечивает создание устройства, позволяющего увеличить чувствительность приема на высоких частотах измеряемого сигнала и упростить технологию изготовления чувствительного элемента. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.

Description

Изобретение относится к регистрации электромагнитного излучения с использованием многослойных наноструктур металл-полупроводник. Изобретение может быть использовано для создания приемных устройств миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов длин волн, пригодных для решения многих задач (противодействие терроризму, навигация в сложных погодных условиях, контроль потоков транспорта, телекоммуникация, контроль состояния атмосферы и др.).
В основе предлагаемого технического решения лежит использование в качестве чувствительного элемента приемника электромагнитного излучения структуры, состоящей из последовательно включенных переходов металл-полупроводник и полупроводник-металл с барьерами Шоттки (Мотта). Такая структура обладает симметричной вольтамперной характеристикой (ВАХ), и при подаче на нее сверхвысокочастотного сигнала, постоянная составляющая напряжения на выводах структуры не появляется. Однако на каждом из переходов металл-полупроводник постоянное обратное напряжение возникает. Принцип действия предлагаемого чувствительного элемента состоит в регистрации этого напряжения. Обратные напряжения, возникающие на переходах, изменяют дифференциальное сопротивление и дифференциальную емкость каждого из них. В результате меняется суммарный импеданс чувствительного элемента. Это изменение можно зарегистрировать с помощью измерительной низкочастотной цепи или на постоянном токе.
Наиболее близким аналогом заявленного устройства является приемник электромагнитного излучения на переходах Шоттки, описанный в RU 2304826. К недостаткам известного устройства можно отнести недостаточную чувствительность приема измеряемого сигнала и жесткие требования к быстродействию проводящего канала.
Задачей изобретения является создание устройства, позволяющего увеличить чувствительность приема на высоких частотах измеряемого сигнала и упростить технологию изготовления чувствительного элемента.
Поставленная задача решается тем, что чувствительный элемент для регистрации сигналов СВЧ диапазона представляет собой двухполюсник, состоящий из последовательно включенных переходов металл-полупроводник и полупроводник-металл с барьерами Шоттки, при этом оба металлических вывода двухполюсника подключены к СВЧ цепи, а также к НЧ цепи для измерения импеданса двухполюсника.
В одном из вариантов исполнения указанный двухполюсник конструктивно выполнен в виде структуры, содержащей указанные металлические выводы в виде двух слоев металла, нанесенных рядом друг с другом на одну сторону легированного полупроводникового слоя, сформированного на сильно легированной полупроводниковой подложке.
В другом варианте исполнения указанный двухполюсник конструктивно выполнен в виде структуры, содержащей указанные металлические выводы в виде двух слоев металла, нанесенных на противоположные стороны легированного полупроводникового слоя.
Изобретение иллюстрируется чертежом, где на фиг.1 показаны две возможные конфигурации двухполюсника: а - слои металла 1 нанесены рядом друг с другом на одну сторону легированного полупроводникового слоя 2, сформированного на сильно легированной полупроводниковой подложке 3; обедненные области полупроводника 4; низкочастотная цепь (НЧ цепь) 5; СВЧ цепь 6; б - слои металла 1 нанесены на разные стороны легированного полупроводникового слоя 2 напротив друг друга. На фиг.2 показана эквивалентная схема чувствительного элемента, представляющая собой последовательное встречное включение двух диодов Шоттки.
Металлические выводы двухполюсника подключаются к линии передачи СВЧ или непосредственно к антенне, принимающей СВЧ излучение (СВЧ цепь) 6. Частота регистрируемого сигнала может достигать терагерцового (ТГц) диапазона (0.1-10 ТГц). Как было указано выше, двухполюсник имеет симметричную относительно нуля ВАХ, поэтому при подаче на него СВЧ сигнала постоянная составляющая напряжения на выводах двухполюсника не появляется. Однако на каждом из переходов металл-полупроводник (МП) постоянное обратное напряжение возникает. Принцип действия предлагаемого чувствительного элемента состоит в регистрации этого напряжения. Обратные напряжения, возникающие на переходах МП, изменяют дифференциальное сопротивление и дифференциальную емкость каждого из них. В результате меняется импеданс двухполюсника. Это изменение можно зарегистрировать с помощью измерительной низкочастотной цепи или на постоянном токе (НЧ цепь). Для повышения чувствительности приема, в устройстве могут использоваться переходы Шоттки с пониженной эффективной высотой барьеров. Напротив, для регистрации мощных сигналов эффективная высота барьеров Шоттки может быть повышена.
Предлагаемый чувствительный элемент не содержит омических переходов МП. Это упрощает технологию его изготовления и позволяет сделать последовательное сопротивление СВЧ цепи очень малым, что увеличивает чувствительность приема на высоких частотах измеряемого сигнала.

Claims (3)

1. Чувствительный элемент для регистрации сигналов СВЧ диапазона, содержащий переходы Шоттки, отличающийся тем, что указанный чувствительный элемент представляет собой двухполюсник, состоящий из последовательно включенных переходов металл-полупроводник и полупроводник-металл с барьерами Шоттки, при этом оба металлических вывода двухполюсника подключены к СВЧ цепи, а также к НЧ цепи для измерения импеданса двухполюсника.
2. Чувствительный элемент по п.1, отличающийся тем, что указанный двухполюсник конструктивно выполнен в виде структуры, содержащей указанные металлические выводы в виде двух слоев металла, нанесенных рядом друг с другом на одну сторону легированного полупроводникового слоя, сформированного на сильно легированной полупроводниковой подложке.
3. Чувствительный элемент по п.1, отличающийся тем, что указанный двухполюсник конструктивно выполнен в виде структуры, содержащей указанные металлические выводы в виде двух слоев металла, нанесенных на противоположные стороны легированного полупроводникового слоя.
RU2011143914/28A 2011-10-31 2011-10-31 Чувствительный элемент с симметричной вольтамперной характеристикой для регистрации сигналов свч-тгц диапазонов RU2485624C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2011143914/28A RU2485624C1 (ru) 2011-10-31 2011-10-31 Чувствительный элемент с симметричной вольтамперной характеристикой для регистрации сигналов свч-тгц диапазонов

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2011143914/28A RU2485624C1 (ru) 2011-10-31 2011-10-31 Чувствительный элемент с симметричной вольтамперной характеристикой для регистрации сигналов свч-тгц диапазонов

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2011143914A RU2011143914A (ru) 2013-05-10
RU2485624C1 true RU2485624C1 (ru) 2013-06-20

Family

ID=48786517

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2011143914/28A RU2485624C1 (ru) 2011-10-31 2011-10-31 Чувствительный элемент с симметричной вольтамперной характеристикой для регистрации сигналов свч-тгц диапазонов

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2485624C1 (ru)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2010662C1 (ru) * 1992-02-12 1994-04-15 Московский авиационный технологический институт им.К.Э.Циолковского Способ изготовления заклепок из армированного полимерного материала
WO2005051068A2 (en) * 2003-11-20 2005-06-09 Sioptical, Inc. Silicon-based schottky barrier infrared optical detector
RU52257U1 (ru) * 2005-11-22 2006-03-10 Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" (ОАО "НИИПП") Свч-диод шоттки с балочными выходами
RU2304826C1 (ru) * 2006-03-20 2007-08-20 Владислав Георгиевич Иванов Фотоприемная матрица детекторов на основе барьеров шоттки с чувствительностью в субмиллиметровом диапазоне длин волн
US20110037453A1 (en) * 2008-03-20 2011-02-17 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. Detector device

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2010662C1 (ru) * 1992-02-12 1994-04-15 Московский авиационный технологический институт им.К.Э.Циолковского Способ изготовления заклепок из армированного полимерного материала
WO2005051068A2 (en) * 2003-11-20 2005-06-09 Sioptical, Inc. Silicon-based schottky barrier infrared optical detector
RU52257U1 (ru) * 2005-11-22 2006-03-10 Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" (ОАО "НИИПП") Свч-диод шоттки с балочными выходами
RU2304826C1 (ru) * 2006-03-20 2007-08-20 Владислав Георгиевич Иванов Фотоприемная матрица детекторов на основе барьеров шоттки с чувствительностью в субмиллиметровом диапазоне длин волн
US20110037453A1 (en) * 2008-03-20 2011-02-17 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. Detector device

Also Published As

Publication number Publication date
RU2011143914A (ru) 2013-05-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Schall et al. 50 GBit/s photodetectors based on wafer-scale graphene for integrated silicon photonic communication systems
US9508764B2 (en) Monolithically integrated antenna and receiver circuit
US20160187494A1 (en) Low-noise surface level mos capacitor for improved sensor quality factor
US9702766B2 (en) Capacitive temperature sensor comprising two capacitors as a voltage divider bridge
KR20130014249A (ko) 광검출기
Schulman et al. W-band direct detection circuit performance with Sb-heterostructure diodes
EP3025132B1 (en) An apparatus for sensing
KR20190105566A (ko) 감지 전계 효과 소자 및 그 제조 방법
Saxena et al. CdS based novel photo-impedance light sensor
Benlamri et al. Planar microwave resonator with electrodeposited ZnO thin film for ultraviolet detection
JP6141027B2 (ja) 検出素子、検出器及びこれを用いた撮像装置
CN101826570B (zh) 一种p-n异质结光探测器
RU2485624C1 (ru) Чувствительный элемент с симметричной вольтамперной характеристикой для регистрации сигналов свч-тгц диапазонов
Qasrawi et al. Design and characterization of MoO3/In2Se3 heterojunctions as terahertz/gigahertz band filters suitable for visible light communications and 3G/4G technologies
US9590284B1 (en) Self-limiting filters for band-selective interferer rejection or cognitive receiver protection
Krishnan et al. Thin film metal-insulator-metal junction for millimeter wave detection
Shin et al. Highly reliable THz hermetic detector based on InGaAs/InP Schottky barrier diode
RU2477903C1 (ru) Чувствительный элемент с симметричной вольтамперной характеристикой для регистрации сигналов свч-тгц диапазонов
US4140909A (en) Radiation detector
Pursula et al. Transponders for millimeter wave identification
JP6878528B2 (ja) 光子検出デバイス、システムおよび製造方法
KR102014313B1 (ko) 양방향성 트랜지스터와 이를 이용한 고감도 전자센서
Saha et al. Flexible capacitive UV sensor for future wearables
Saeed et al. Zero-bias, 50 dB dynamic range, V-band power detector based on CVD graphene-on-glass
Qaderi et al. Subthreshold VO₂ vertical switches for large-bandwidth millimeter-wave and sub-terahertz detection

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20181101