JP2012514322A - 非常に薄い半導体領域を有する光検出器 - Google Patents
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Abstract
Description
− 公知のプラズモン共鳴光検出器より周波数が選択的ではなく、すなわち、吸収スペクトルの中間の高さでの幅が、検出されるべき波長の3分の1程度である。
− 入射光ビームの入射角にほとんど反応しない。
− 入射光ビームの偏光にほとんど反応しない。
− 2つの基本的な偏光の内の1つを選択することができる。
− 検出されるべき光ビームの波長より小さい大きさを有する。
L ≒ (λ/2.neff)−△(λ) (式1)
neffは、半導体層33の光学指数より大きいプラズモンモードの有効光学指数であり、△(λ)は、位相シフト又は光検出器での吸収能に関連付けられたスペクトルシフトを反映する正項である。より簡単には、金属パッド37の幅L は以下の式を満たす必要がある。
L < λ/2.neff (式2)
D < (3/4)(λ/n) (式3)
Claims (11)
- 反射層(31,47) の少なくとも一部に直接形成され、光ビーム(35,41) によって照射されるべき半導体層(33,39) の少なくとも一部を備えた光検出器であって、
少なくとも1つのパッド(37,43,45)が、前記反射層の前記一部の反対側の前記半導体層(33,39) の前記一部に形成されており、
前記パッド及び前記反射層の前記一部は、金属か、又は負の誘電率を有する材料から形成されており、
前記反射層の前記少なくとも一部と前記少なくとも1つのパッドとの間に形成された光共振器の厚さが、前記半導体層の光学指数に対する光ビームの波長の比率の4分の1より完全に小さく、一般的には前記比率の約10分の1であり、
前記半導体層(33)は、厚さが一定の層であることを特徴とする光検出器。 - 前記半導体層と平行な面での前記パッドの少なくとも1つの寸法が、前記半導体層の光学指数の2倍に対する光ビームの波長の比率より小さいことを特徴とする請求項1に記載の光検出器。
- 前記半導体層(33,39) の前記一部は水平又は垂直のPN接合又はPIN 接合を有することを特徴とする請求項1又は2に記載の光検出器。
- 正方形又は矩形状の複数の前記パッドは、前記半導体層(33,39) の前記一部の表面に形成されており、前記パッドは、0.75λ/n未満の周期に従って周期的に配置されており、λは前記光ビームの波長であり、n は前記半導体層の光学指数であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の光検出器。
- 前記光検出器を覆う透明な材料から形成された層(79)を更に備えていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の光検出器。
- 前記反射層(31,47) と前記半導体層(33,39) との間の界面に接着層、及び/又は屈折率勾配を有する層(38)を更に備えていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の光検出器。
- 前記パッド(37,43,45)及び前記反射層(31,47) は、前記半導体層(33,39) が照射されるときに前記半導体層(33,39) にキャビティプラズモンモードを生成することが可能な金属から形成されていることを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の光検出器。
- 前記反射層(31,47) は金属から形成されており、該金属の厚さは、前記光ビームの波長に関する該金属の表皮深さより大きいことを特徴とする請求項7に記載の光検出器。
- 前記金属から形成されたパッド(37,43,45)の厚さは、前記光ビームの波長に関して、前記パッドを形成する金属の表皮深さの1倍乃至3倍であることを特徴とする請求項8に記載の光検出器。
- 前記パッド(37,43,45)及び前記反射層(31,47) は、負の誘電率を有する材料、例えばイオン結晶から形成されており、それにより、前記半導体層(33,39) が照射されるときに前記材料から形成された前記パッド(37,43,45)及び前記反射層(31,47) と前記半導体層(33,39) との間の界面にフォノンが形成されることを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の光検出器。
- 請求項1乃至10のいずれかの複数の基本的な光検出器を備えており、各基本的な光検出器のパッド(37,43,45)の大きさが、検出されるべきスペクトルに適合されていることを特徴とするマルチスペクトルイメージセンサ。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014007334A (ja) * | 2012-06-26 | 2014-01-16 | Hamamatsu Photonics Kk | 光検出器 |
JP2014013333A (ja) * | 2012-07-05 | 2014-01-23 | National Institute For Materials Science | 電磁波共振器、電磁波発生素子及びそれらの製造方法 |
JP2014170925A (ja) * | 2013-02-05 | 2014-09-18 | Hamamatsu Photonics Kk | 光検出器 |
WO2019168175A1 (ja) * | 2018-03-01 | 2019-09-06 | 国立大学法人東京工業大学 | 光電変換素子 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5268316B2 (ja) * | 2007-09-26 | 2013-08-21 | 株式会社東芝 | 光共振器 |
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FR2977937B1 (fr) * | 2011-07-15 | 2013-08-16 | Centre Nat Rech Scient | Detecteur bolometrique a performances ameliorees |
WO2013183178A1 (ja) * | 2012-06-05 | 2013-12-12 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光検出器 |
FR2992470B1 (fr) * | 2012-06-26 | 2014-08-08 | Commissariat Energie Atomique | Element photodetecteur pour une radiation lumineuse infrarouge et photodetecteur comprenant un tel element photodetecteur |
DE202014010751U1 (de) | 2013-09-24 | 2016-07-18 | Gentex Corporation | Anzeigespiegelbaugruppe |
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FR3036851B1 (fr) * | 2015-05-29 | 2017-06-23 | Commissariat Energie Atomique | Photodetecteur a haut rendement quantique |
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08264821A (ja) * | 1995-03-27 | 1996-10-11 | Agency Of Ind Science & Technol | 光電変換方法および光電変換素子 |
JP2003520438A (ja) * | 2000-01-14 | 2003-07-02 | セントレ・ナショナル・デ・ラ・レシェルシェ・サイエンティフィーク | 垂直型金属半導体マイクロ共振器による光検出装置およびその製造方法 |
JP2006501638A (ja) * | 2002-07-25 | 2006-01-12 | セントレ・ナショナル・デ・ラ・レシェルシェ・サイエンティフィーク | 金属電極格子からなるミラーを備えた共鳴キャビティが設けられているmsmタイプの光検出器 |
JP2007273832A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Nec Corp | フォトダイオードとその製造方法 |
US20080090318A1 (en) * | 2006-10-13 | 2008-04-17 | David Fattal | Method and apparatus for forming a photodiode |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3910817B2 (ja) * | 2000-12-19 | 2007-04-25 | ユーディナデバイス株式会社 | 半導体受光装置 |
US7965901B2 (en) * | 2003-10-31 | 2011-06-21 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Hard imaging methods and devices and optical scanning systems |
US7964925B2 (en) * | 2006-10-13 | 2011-06-21 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Photodiode module and apparatus including multiple photodiode modules |
DE602005026507D1 (de) * | 2004-04-05 | 2011-04-07 | Nec Corp | Fotodiode und herstellungsverfahren dafür |
US20060072114A1 (en) * | 2004-10-06 | 2006-04-06 | Sigalas Mihail M | Apparatus and mehod for sensing with metal optical filters |
US7329871B2 (en) * | 2005-02-04 | 2008-02-12 | Stc.Unm | Plasmonic enhanced infrared detector element |
US7873090B2 (en) * | 2005-09-13 | 2011-01-18 | Panasonic Corporation | Surface emitting laser, photodetector and optical communication system using the same |
JPWO2007105593A1 (ja) * | 2006-03-13 | 2009-07-30 | 日本電気株式会社 | フォトダイオード、およびその製造方法、ならびに光通信デバイスおよび光インタコネクションモジュール |
US8183656B2 (en) * | 2006-12-14 | 2012-05-22 | Nec Corporation | Photodiode |
US8637951B2 (en) * | 2008-01-10 | 2014-01-28 | Nec Corporation | Semiconductor light receiving element and optical communication device |
WO2010021073A1 (ja) * | 2008-08-18 | 2010-02-25 | 日本電気株式会社 | 半導体受光素子、光通信デバイス、光インターコネクトモジュール、光電変換方法 |
FR2940522B1 (fr) * | 2008-12-24 | 2011-03-18 | Commissariat Energie Atomique | Photodetecteur comprenant une region semiconductrice tres mince |
WO2010100824A1 (ja) * | 2009-03-03 | 2010-09-10 | シャープ株式会社 | フォトダイオード、フォトダイオードを備えた表示装置及びその製造方法 |
US20120006981A1 (en) * | 2009-03-31 | 2012-01-12 | Imec | Waveguide integrated photodetector |
US8373153B2 (en) * | 2009-05-26 | 2013-02-12 | University Of Seoul Industry Cooperation Foundation | Photodetectors |
US8227793B2 (en) * | 2009-07-06 | 2012-07-24 | University Of Seoul Industry Cooperation Foundation | Photodetector capable of detecting the visible light spectrum |
FR2947956A1 (fr) * | 2009-07-13 | 2011-01-14 | Commissariat Energie Atomique | Element photodetecteur |
FR2954853B1 (fr) * | 2009-12-24 | 2011-12-09 | Commissariat Energie Atomique | Photodetecteur a structure plasmon |
FR2954854B1 (fr) * | 2009-12-24 | 2012-05-18 | Commissariat Energie Atomique | Photodetecteur a structure plasmon |
US8154063B2 (en) * | 2010-03-02 | 2012-04-10 | Massachusetts Institute Of Technology | Ultrafast and ultrasensitive novel photodetectors |
-
2008
- 2008-12-24 FR FR0859077A patent/FR2940522B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2009
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08264821A (ja) * | 1995-03-27 | 1996-10-11 | Agency Of Ind Science & Technol | 光電変換方法および光電変換素子 |
JP2003520438A (ja) * | 2000-01-14 | 2003-07-02 | セントレ・ナショナル・デ・ラ・レシェルシェ・サイエンティフィーク | 垂直型金属半導体マイクロ共振器による光検出装置およびその製造方法 |
JP2006501638A (ja) * | 2002-07-25 | 2006-01-12 | セントレ・ナショナル・デ・ラ・レシェルシェ・サイエンティフィーク | 金属電極格子からなるミラーを備えた共鳴キャビティが設けられているmsmタイプの光検出器 |
JP2007273832A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Nec Corp | フォトダイオードとその製造方法 |
US20080090318A1 (en) * | 2006-10-13 | 2008-04-17 | David Fattal | Method and apparatus for forming a photodiode |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
ERLI CHEN: "HIGH-EFFICIENCY AND HIGH-SPEED SILICON METAL-SEMICONDUCTOR-METAL PHOTODETECTORS 以下備考", APPLIED PHYSICS LETTERS, vol. V70 N6, JPN5012006045, 10 February 1997 (1997-02-10), US, pages 753 - 755, ISSN: 0002910297 * |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014007334A (ja) * | 2012-06-26 | 2014-01-16 | Hamamatsu Photonics Kk | 光検出器 |
JP2014013333A (ja) * | 2012-07-05 | 2014-01-23 | National Institute For Materials Science | 電磁波共振器、電磁波発生素子及びそれらの製造方法 |
JP2014170925A (ja) * | 2013-02-05 | 2014-09-18 | Hamamatsu Photonics Kk | 光検出器 |
WO2019168175A1 (ja) * | 2018-03-01 | 2019-09-06 | 国立大学法人東京工業大学 | 光電変換素子 |
JPWO2019168175A1 (ja) * | 2018-03-01 | 2020-12-17 | 国立大学法人東京工業大学 | 光電変換素子 |
JP7075605B2 (ja) | 2018-03-01 | 2022-05-26 | 国立大学法人東京工業大学 | 光電変換素子 |
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