JP2003520438A - 垂直型金属半導体マイクロ共振器による光検出装置およびその製造方法 - Google Patents
垂直型金属半導体マイクロ共振器による光検出装置およびその製造方法Info
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Abstract
Description
長、超高速、かつ高感度に対する幅広い選択範囲が得られる。 本発明は、例えば、分子の分光学的な検出、さらに好適には、毎秒100ギガ
ビットより速いか又は等しい非常に高速の光通信といったものに関わる特性の少
なくとも一つを利用するようなあらゆる分野に用いることができる。
ことができ、電界効果トランジスタ内に容易に取り付けられ、比較的速い速度を
達成することができるが効率は悪くなる。以下の説明においては、周知の幾つか
のMSM光検出器およびその欠点について考察する。
場合には、正孔の走行時間は約10psであり、これが20GHzより低い遮断
周波数に対応している。それ故、正孔の走行時間を短くするには、電極間の距離
を短縮しなければならない。電極間の距離が0.1μm以下になると、移動はも
はや定常的なものとしては捉えることができず、このため、走行時間は、1ps
より遥かに短くなる。
欠点のうちの一つであり、このために、その量子効率が制限されている。さらに
、これらの構造に用いられている材料の吸収には限界があるので(吸収長は1μ
m以上)、電極から離れた場所での電荷キャリヤの形成を防止するために、吸収
領域の厚さは制限されなければならない。周知の光検出器の量子効率は、この光
検出器の電極間の距離が0.1μmより小さいために非常に低い。
00ギガビット/秒およびそれ以上の)非常に高速な光通信にとって極めて重要
な素子である。求められる性能の水準には、1.3μmから1.55μmの間の
波長での高い感度および帯域幅等が含まれる。光検出器の種類(P(I)Nダイ
オード、または金属−半導体−金属の構造)がどうであれ、高速を達成するには
、電極間の距離は短く(100nm以下)ならざるを得ないし、検出されるべき
光は、最小限の体積内で吸収されなければならない。
の固有の吸収長を有する。
時間は、外部量子効率の低下に直接結びついている。
図ることが課題である。
し、超小型垂直共振器を用いて、例えば、低容量構造において70%以上の量子
効率を達成でき、その電極間の距離を50nm以下にすることができ、1THz
を超える帯域幅を達成することができるようにするものである。
波のすみやかな減少を用いて、小体積のMSM型構造の中に、共鳴によって検出
したい光を集約することにある。
対して平行に)広がらず、むしろ、構造内の電極の垂直表面に沿って留められた
ままになる。
入射光を検出するための光検出装置を提供することである。この装置は、前記光
を吸収しない電気的な絶縁層を備え、この層の上に、半導体材料を有する少なく
とも一つの素子と、それぞれ相互に異なる電位にされるように設けられた少なく
とも二つのバイアス電極とを備え、前記電極は、前記素子を囲んでいて、前記素
子および前記電極により形成された組が、前記入射光を吸収するのに適していて
(言い換えれば、素子および/または電極は、この光を吸収するのに適していて
)、前記素子および前記電極が、ほぼ平行六面体とされているとともに、同じ方
向に延在し、この方向と交差する方向に測られた前記電極および前記素子の寸法
は、前記予め定められた波長に基づいて選択され、これにより、二つのモードの
少なくとも一方を共鳴させることによって、前記素子および前記電極によって形
成される組の内部の光の強度が増加するようになっており、すなわち、第1のモ
ードは、前記組が前記絶縁層ならびに前記伝播媒体とともに共有している境界面
の間で共鳴させられる表面プラズモン・モードとされていて、前記第1のモード
の共鳴は、前記電極のうちの少なくとも一つと前記素子との間の境界面のところ
に生成され、前記第1のモードは、前記入射光に伴う磁界成分で、前記電極に平
行な一成分により励起され、第2のモードは、前記二つの電極を備えて前記絶縁
層に垂直な光導波路の横電気的なモードとされ、前記第2のモードは、前記入射
光に伴う電界成分で、前記電極に平行な一成分により励起されるように構成され
ている。
波長とすると、前記電極の方向に直角な方向に測られた各素子の幅は、λより短
く、かつ、0.02×λより長く、nを各素子の平均屈折率とすると、各素子の
厚さは、λ/(2n)より薄くされている。
極は、同一の導電材料から形成され、前記絶縁層から垂直に測られて同じ高さを
有している。
記電極は、次の二つの特質、すなわち、(a)該電極が異なる導電材料から形成
されているという特質、ならびに、(b)該電極が前記絶縁層に垂直に測られて
異なる高さを有し、これにより、該電極へのバイアス印加時に、速度の遅い電荷
キャリヤを収集する電極の略側面上で前記共鳴が起こるようになっているという
特質、のうちの少なくとも一方を有している。
縁体上に交互に配置されている幾つもの素子および電極を有し、各電極は、単一
の金属または二つの異なる金属から形成されている。
、一方の端部の電極から他方の端部の電極へ向かって増大する電位とされるよう
に設けられている。
一組の電極のうちの一方の端部の電極から他方の端部の電極へ延びる、電位を安
定させるための抵抗材料を備えている。後者は、高電圧下で一組の素子を分極さ
せる。
に変化する電位とされるように設けられている。
さらに、前記絶縁層を横切る、吸収されない前記光を反射するように構成された
反射手段を備え、前記絶縁層の厚さは、前記反射手段により反射された光が、各
素子および電極により形成される組の中に存在する光の波と同じ位相になり、共
鳴に寄与するように選択されている。
ある入射光を検出するためのものである。この装置は、GaAsの基層上に形成
され、前記素子(6)はGaAsからなり、前記電極は銀からなり、前記絶縁層
はAlAs、またはAlxGa1-x材料からなり、このxは、この材料が前記入射
光を吸収しないが、GaAsを選択的にエッチングすることができるように選択
され、前記反射手段は、多層のAlAs/AlGaAs反射鏡とされている。
するためのものである。この装置は、 InPからなる基層上に形成され、前記
素子はInGaAsからなり、前記電極は銀からなり、前記絶縁層はAlInA
sからなり、前記反射手段は、GaInGaAsP/InPまたはAlGaIn
As/AlInAsからなる多層膜反射鏡とされている。ある変形例において、
装置は、 GaAsからなる基層上に形成され、前記素子はInGaAsNSb
合金からなり、前記電極は銀からなり、前記絶縁層はAlAsまたはAlxGa1 -x As材料からなり、このxは、この材料が前記入射光を吸収しないが、GaA
sを選択的にエッチングすることができるように選択され、前記反射手段は、多
層のGaAs/AlAs反射鏡とされている。
ように構成され、前記電極は、入射光を吸収するために、銀または金からなり、
前記素子は、前記入射光を吸収しないように設けられている。
極がそれに沿って延びている前記方向に平行な導光板である。
いて、前記素子用の所与の厚さの半導体材料が前記絶縁材料上に形成され、前記
半導体材料が選択的にエッチングされて、前記電極が設けられる位置にある部分
がそれから取り除かれ、この位置に前記電極が形成される。
子が選択的にエッチングされ、次に、電極が形成されるのに同じマスクが使用さ
れる。
子を選択的にエッチングするために、一つのマスクが使用され、このマスクが除
去され、少なくとも一つの金属を使用して電極が形成され、この金属から余った
過剰の材料は、機械的研磨または機械的化学的研磨により除去される。
より硬度が大きい材料から前記素子が形成され、前記過剰な金属が、前記素子に
対する前記金属の選択的な機械的研磨または機械的化学的研磨により除去される
。
れ、前記金属の硬度より硬度が大きい材料から前記素子の前記上部層が形成され
て、前記過剰な金属が、前記素子に対する前記金属の選択的な機械的研磨または
機械的化学的研磨により除去される。
に前記絶縁層に対して斜めに蒸着される。
いくつもの電極が間に配置される多数の素子を使用すると、電磁気的なモデル化
が遥かに簡単である網目状構造を形成することができることに留意されたい。
第1のモードが共鳴させられることを示すことができる。
に対して反射鏡効果を持ち、それにより、ファブリ・ペロー型の共振を確立する
ことができ、そのため、TM(transverse magnetic)に偏った入射波の最も多
くの部分を吸収することができる。
されている平らな導波路のTE(transverse electric)モードに対して、同じ
ファブリ・ペロー型の共振現象を実際に示し、それにより、いくつかの適当に選
択した装置のパラメータに対して、TEに偏った入射光の最も多くの部分を吸収
させることが可能となった。
下にブラッグ反射鏡を使用することにより、全部の光を吸収することができる。
励起とは異なり、共鳴が、検出しようとしている入射光波の傾きによる影響をほ
とんど受けないことを示している。それ故、(多数の素子を使用している場合と
比較して)装置の量子効率をほとんど低下させないようにしながら、装置上に光
波を強く集束させて、少数の素子(例えば、3〜5)だけを作動させることが可
能になる。
ではないものの、各素子の厚さは、正確に実現されることが望ましい。
よりよく理解することができよう。この実施形態は、単に理解を容易にするため
のものであって、本発明を制限するものではない。
縁層2上に配置された略してMSMとも呼ばれる金属−半導体−金属検出器の網
目状構造(ネットワーク)(network)を形成する構造部を有している。
らなる組とされている。
で同じ方向Dに揃っている。
示されないある変形例の場合には、二つの電極4の間に位置する一つの半導体素
子6が用いられる。
は、ブラッグ反射鏡と呼ばれる多層膜反射鏡8を備えている点を除けば、図1の
装置と同じものである。
の複数の層が交互に積層されたものである。これらの層のそれぞれの厚さhAお
よびhBは、反射する波長の範囲に基づいて計算される。
、この基層と層2との間に形成されている。
およびIIIに分割することができる。
なる領域Iを通って領域IIおよびIIIに達するものとする。
っ付けて装置が配置される場合にも、同じように説明することができる。図3は
、こういった場合の概略的な部分図である。ここで、符号12は、上記導光板を
示す。この導光板12は、Dの方向、すなわち、電極4および半導体素子6に平
行に延びている。
目状構造からなる。素子6は、光の波長が既知とされた入射光を吸収する半導体
からできている。
らなる層と、半導体材料を裏打ちする誘電層とからなる。
させて、光を吸収しない半導体から形成されている。この領域IIIは、今まで
説明してきたように、領域IIから領域IIIに透過した光波を反射するブラッ
グ反射鏡を備えている。
できるが、この入射光10は、領域Iを通って構造部に達する。偏ったTM光は
、領域II内の金属と半導体との間の境界面に沿って表面プラズモン・モードを
励起する。次に、これらのモードに対応する光波は、領域II/IIIおよびI
I/Iにおける境界面に向けて反射される。
表面プラズモン14は、象徴的に示されている。
ら領域IIIに伝えられて反射鏡8により反射された波が、媒体II内の波(プ
ラズモン)と同じ位相になり、共鳴に寄与するように計算される。
これらのモードも、領域II/IIIおよび領域II/I境界面の方向に反射さ
れ、領域II内を伝送される波は、ブラッグ反射鏡8により反射される。
れ、これらの電位は、(徐々に累加するようにバイアスが印加されることにより
)ある電極から次の電極に段々高くなるようにすることもできるし、またはこれ
らの電位を、ある電極から他の電極へ変わるとき、絶対値は等しいが、符号が交
互に変わるようにすることもできる。
はギャップより大きい)光が吸収されると、吸収された光子のそれぞれに対して
電子−正孔のペアが形成される。電界の影響の下で、電子は、電子に最も近い二
つの電極のうち最も高い電位を持つ電極に引き付けられ、正孔は、これらの二つ
の電極のうち最も低い電位を持つ電極に引き付けられる。電荷のこの移動により
、電極内に電流が発生する。
異なる。
に留意されたい。この吸収は、半導体素子6内のキャリヤの生成に一役買ってい
る。励起された電子は、ポテンシャルの障壁を越えることも、またはそうでない
場合、トンネル効果により通過することもできる。
)は、吸収される入射波の波長に基づいて選択される。例えば、金属電極は、銀
から作ることができる、つまり反射率(バルク銀に対して)が高く、そのため強
い共鳴が得られる金属から作ることができる。金、プラチナ、アルミニウム、ま
たは任意の他の反射率の高い金属も使用することができる。また、後で説明する
理由から、電極を二つの金属から作ることもできることに留意されたい。
性半導体としてはAlAsが選択され(あるいは、AlAsの代わりに、Alx
Ga1-xAs材料が選択され、このとき、xは、このAlxGa1-xAs材料が、
波長が予め定められている光を吸収しないが、GaAsを選択的にエッチングす
ることができるように選択され)、ブラッグ反射鏡がAlAsおよびAl0,2G
a0,47Asにより形成される。約1.55μmの吸収には、吸収性半導体として
はIn0,53Ga0,47Asが選択され、非吸収性半導体としてはInPが選択され
、ブラッグ反射鏡は、GaInAsP/InPまたはAlGaInAs/AlI
nAsから形成される。
、およびh(網目状構造の高さ、すなわち、電極および半導体素子の厚さ)、そ
して絶縁層2の厚さhm(図2参照)は、TM波に対して表面プラズモンが励起
されるか、あるいは、TEモードが励起されるように調整され、さらに、これら
のモードに対するファブリ・ペロ共振が得られるように調整される。また、これ
らのパラメータは、最適な方法で両方のタイプのモードが同時に励起されるよう
に選択されてもよい。
が、λから0.02×λの間に入るようにする必要がある。ここで、λは検出対
象の光の波長であり、hはλ/(2n)より小さい。また、nは、素子6の平均
屈折率である。こうして、走行時間が短く、容量の小さい装置が得られる。
であり、ピッチdは0.1×λと1×λとの間に含まれる。
してd=150nm、重畳率(r=e/d)としてr=0.5(50%)、網目
状構造の高さとしてh=55nm、さらに20層からなるブラッグ反射鏡を選択
すると、TM波の入射波に対して、完全吸収(99%以上)が得られる。領域I
I内の半導体が吸収するエネルギーは、約74%であり、残り(26%)は金属
により吸収される。
波の入射波も全部吸収される。偏っていない波の場合には、パラメータを、d=
150nm、r=0.5およびh=210nmに選択すると、入射波の16%を
反射し、約72%を半導体内に吸収することができる。
とができる。
)の変動を示す。ここで、反射率は、装置により反射される光の強度の、装置上
へ入射する光の強度に対する比である。なお、このときのパラメータ値は、次の
値、すなわち、曲線Iに対してはd=0.15μm、r=0.5およびh=53
nm、また曲線IIに対してはh=55nmである。
、網目状構造の高さhに対する反射率T(単位:%)の変動を示す。
に概略的に示す5つの段階を通して行われる。
6A)の最上部にあるGaAsからなる層22は、GaAsからなる基層9上に
、エピタキシー(例えば、分子ジェット・エピタキシー)により形成され、次に
、網目状構造のパターン(図6B)の電子マスキングが行われる。こうして、電
極に対応する領域が、マスキングの蒸着24(例えば、PMMAの蒸着)により
形成される。次に、反応性イオンによるGaAsからなる層のエッチングが行わ
れる(図6C)。最後に、電極4を形成するために、真空状態で、銀の層25が
蒸着され(図6D)、次いで剥離が行われて、図6Eに示す構造になる。
が選択的にエッチングされる。つまり、GaAsをエッチングする場合、AlA
s層の表面上に薄い酸化物の層が形成され、この酸化物の層によりエッチング速
度がかなり遅くなり、この層上でエッチングがストップする。このような選択的
なエッチングは、例えばInGaAsの場合には、InAlAsの層を導入する
ことによって一般化させることができる。
タキシーの際に、およそ単原子層(single layer)(0.5nm)以内に制御さ
れる。
、金属蒸着を行い、さらにダマシン、すなわち、素子6をそのままにしながら機
械的研磨または機械的化学的研磨(CMP)を行ってもよい。図6Fの矢印Fは
、この研磨の限界を示す。
体層6aから作られ、この半導体層6aの上に、予め誘電体層6bが蒸着されて
いてもよい。この誘電体層6bは、例えば、窒化シリコンSi3N4から作ること
ができ、その研磨速度は、使用できる銀のような金属の研磨速度と比較した場合
、非常に遅い。層6bの組に隣接する(そして、金属と誘電体との間の硬度の大
きな違いにより、研磨をストップするための層として使用される)誘電体層は、
層6aの組に隣接している光を吸収する半導体層を成長させた後で、スパッタリ
ングにより蒸着することができる。次に、例えばニッケルからなるマスクが蒸着
され、このマスクが、誘電体層における(例えば、フッ素エッチングのような)
反応性イオン・エッチング中に、さらには、光を吸収する半導体層における(例
えば、塩素化エッチングのような)反応性イオン・エッチング中に、素子6に対
応する領域を保護するのに使用される。
しているいくつかのソースを用い、二つの異なる金属を使用して行なう二つの金
属の蒸着25aおよび25b(図6Gおよび図6H参照)により、二つの金属を
含む素子を形成することができる(図7参照)。
範囲内の広い波長範囲に適応することができ、他方では、広い範囲の半導体材料
から作ることができる。
ピタキシャル層)の形で、領域II(図2)内に異なるタイプの半導体を使用す
ることができる。
は基本的に変化しないことが分かっている。一方、素子の高さhは、重要な役割
を果たす。
いくつかの層のそれぞれの高さは再調整する必要があり、この高さは重要な役割
を果たす。
している例の場合は、正孔)の経路を、速い電荷キャリヤ(電子)の経路に対し
て短くするために、いくつかの非対称な電極を使用することもできる。
る金属を使用することができる。一方の金属は、上記の金属に類似の金属で、最
も負の電極上の共鳴を助長するためのものであり、他方の金属は、二つのタイプ
のキャリヤのそれぞれに対する障壁の高さを最適にし、それにより、暗電流を低
減するためのものである。
つかの光子に対して、金属内にキャリヤが生成されることもあるが、これは、本
発明の適用範囲を広げる。
よびブラッグ反射鏡8が示されている。
異なる金属からなる隣り合う二つの部分26および28に分かれた電極によって
、それぞれ分離されている。この図を見れば、素子6は、部分26と部分28と
の間、すなわち、二つの異なる金属の間に収容されていることが分かる。
った不要の部分を示す。
カソード接点32およびアノード接点34は、端部のところで電極に接触してい
る。このアノード接点およびカソード接点は、それぞれの電極に接触してこれら
の電極からの電位を安定させる抵抗素子36により相互に接続されている。
れる。
造の高さの二つの異なる値に対して、検出対象の光の入射角度による屈折率の変
動を示す図である。
。
Claims (22)
- 【請求項1】 伝播媒体(I、12)内を伝播する、予め定められた波長を
有して入射する光(10)を検出するための光検出装置において、 前記光を吸収しない電気的な絶縁層(2)を備え、この層の上に、半導体材料
を有する少なくとも一つの素子(6)と、それぞれ相互に異なる電位にされるよ
うに設けられた少なくとも二つのバイアス電極(4)とを備え、前記電極は、前
記素子を囲んでいて、前記素子および前記電極により形成された組が、前記入射
光を吸収するのに適していて、前記素子および前記電極が、ほぼ平行六面体とさ
れているとともに、同じ方向(D)に延在し、この方向と交差する方向に測られ
た前記電極および前記素子の寸法は、前記入射光に対して二つのモードの少なく
とも一方を共鳴させて前記素子および前記電極によって形成される組の内部の光
の強度が増加するように、前記予め定められた波長の関数として選択されていて
、第1のモードは、前記組が前記絶縁層ならびに前記伝播媒体とともに共有して
いる境界面の間で共鳴させられる表面プラズモン・モードとされていて、前記第
1のモードの共鳴は、前記電極のうちの少なくとも一つと前記素子との間の境界
面のところに生成され、前記第1のモードは、前記入射光に伴う磁界成分で、前
記電極に平行な一成分により励起され、第2のモードは、前記二つの電極を備え
て前記絶縁層に垂直な光導波路の横電気的なモードとされ、前記第2のモードは
、前記入射光に伴う電界成分で、前記電極に平行な一成分により励起されるよう
に構成されていることを特徴とする光検出装置。 - 【請求項2】 請求項1記載の装置において、 前記表面プラズモン・モードが共鳴させられ、λを前記入射光の波長とすると
、前記方向(D)に直角な方向に測られた各素子の幅(d−e)は、λより短く
、かつ、0.02×λより長く、nを各素子の平均屈折率とすると、各素子の厚
さ(h)は、λ/(2n)より薄くされていることを特徴とする装置。 - 【請求項3】 請求項1または請求項2のいずれか1項に記載の装置におい
て、 前記電極は、同一の導電材料から形成され、前記絶縁層から垂直に測られて同
じ高さを有していることを特徴とする装置。 - 【請求項4】 請求項1または請求項2のいずれか1項に記載の装置におい
て、 前記電極(4)は、次の二つの特質、すなわち、 (a)該電極が異なる導電材料から形成されているという特質、ならびに、 (b)該電極が前記絶縁層に垂直に測られて異なる高さを有し、これにより、
該電極へのバイアス印加時に、速度の遅い電荷キャリヤを収集する電極の略側面
上で前記共鳴が起こるようになっているという特質、 のうちの少なくとも一方を有していることを特徴とする装置。 - 【請求項5】 請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の装置において
、 前記素子は、半導体ヘテロ構造を有していることを特徴とする装置。 - 【請求項6】 請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の装置において
、 前記絶縁体上に交互に配置されている幾つもの素子および電極を有し、各電極
は、単一の金属または二つの異なる金属から形成されていることを特徴とする装
置。 - 【請求項7】 請求項6記載の装置において、 前記電極は、前記電極の組の中で、一方の端部の電極から他方の端部の電極へ
向かって増大する電位とされるように設けられていることを特徴とする装置。 - 【請求項8】 請求項7記載の装置において、 さらに、前記電極と接触していて、前記一組の電極のうちの一方の端部の電極
から他方の端部の電極へ延びる、電位を安定させるための抵抗材料(36)を備
えていることを特徴とする装置。 - 【請求項9】 請求項6記載の装置において、 前記電極は、その絶対値が等しく符号が交互に変化する電位とされるように設
けられていることを特徴とする装置。 - 【請求項10】 請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の装置におい
て、 前記絶縁層を横切る、吸収されない前記光を反射するように構成された反射手
段(8)をさらに備え、前記絶縁層の厚さ(hm)は、前記反射手段(8)によ
り反射された光が、各素子および電極により形成される組の中に存在する光の波
と同じ位相になり、共鳴に寄与するように選択されていることを特徴とする装置
。 - 【請求項11】 請求項10記載の装置において、 波長が約0.8μmである入射光を検出するように構成され、該装置がGaA
sの基層上に形成され、前記素子(6)はGaAsからなり、前記電極は銀から
なり、前記絶縁層はAlAs、またはAlxGa1-x材料からなり、このxは、こ
の材料が前記入射光を吸収しないが、GaAsを選択的にエッチングすることが
できるように選択され、前記反射手段は、多層のAlAs/AlGaAs反射鏡
とされていることを特徴とする装置。 - 【請求項12】 請求項10記載の装置において、 波長が約1.55μmである入射光を検出するように構成され、該装置がIn
Pからなる基層上に形成され、前記素子はInGaAsからなり、前記電極は銀
からなり、前記絶縁層はAlInAsからなり、前記反射手段は、GaInGa
AsP/InPまたはAlGaInAs/AlInAsからなる多層膜反射鏡と
されていることを特徴とする装置。 - 【請求項13】 請求項10記載の装置において、 波長が約1.55μmである入射光を検出するように構成され、該装置がGa
Asからなる基層上に形成され、前記素子はInGaAsNSb合金からなり、
前記電極は銀からなり、前記絶縁層はAlAsまたはAlxGa1-xAs材料から
なり、このxは、この材料が前記入射光を吸収しないが、GaAsを選択的にエ
ッチングすることができるように選択され、前記反射手段は、多層のGaAs/
AlAs反射鏡とされていることを特徴とする装置。 - 【請求項14】 請求項1から請求項10のいずれか1項に記載の装置にお
いて、 波長が赤外線領域に含まれる入射光を検出するように構成され、前記電極は、
入射光を吸収するために、銀または金からなり、前記素子は、前記入射光を吸収
しないように設けられていることを特徴とする装置。 - 【請求項15】 請求項1から請求項14のいずれか1項に記載の装置にお
いて、 前記伝播媒体は、空気(I)とされていることを特徴とする装置。 - 【請求項16】 請求項1から請求項14のいずれか1項に記載の装置にお
いて、 前記伝播媒体は、各素子の電極がそれに沿って延びている前記方向(D)に平
行な導光板(12)とされていることを特徴とする装置。 - 【請求項17】 前記素子用の所与の厚さの半導体材料を前記絶縁層(2)
上に成長させ、前記半導体材料を選択的にエッチングして、前記電極(4)を設
けようとしている位置にある部分をそれから取り除くようにし、この位置に前記
電極を形成する、請求項1から請求項16のいずれか1項に記載の光検出装置を
製造するための方法。 - 【請求項18】 請求項17記載の方法において、 前記素子を選択的にエッチングし、次に、前記電極(4)を形成することを同
じマスクを使用して行うことを特徴とする方法。 - 【請求項19】 請求項17記載の方法において、 マスクを使用して前記素子を選択的にエッチングし、前記マスクを除去し、少
なくとも一つの金属を用いて前記電極(4)を形成し、前記金属から余った過剰
な材料を、機械的研磨または機械的化学的研磨によって除去することを特徴とす
る方法。 - 【請求項20】 請求項19記載の方法において、 前記金属の硬度より硬度が大きい材料から前記素子を形成して、前記過剰な金
属を、前記素子に対する前記金属の選択的な機械的研磨または機械的化学的研磨
により除去することを特徴とする方法。 - 【請求項21】 請求項19記載の方法において、 前記素子に上部層(6b)を設け、前記金属の硬度より硬度が大きい材料から
前記素子の前記上部層を形成して、前記過剰な金属を、前記素子に対する前記金
属の選択的な機械的研磨または機械的化学的研磨により除去することを特徴とす
る方法。 - 【請求項22】 請求項19記載の方法において、 前記電極を形成するために二つの金属を用い、これらの金属を次々に前記絶縁
層(2)に対して斜めに蒸着することを特徴とする方法。
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