JPH08264821A - 光電変換方法および光電変換素子 - Google Patents
光電変換方法および光電変換素子Info
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光が入射する側の金属電極上にも表面プラズ
モンを励起させて変換効率を高める。 【構成】 入射したＨｅ−Ｎｅレーザー光Ｌは、半円柱
レンズ５で屈折させられて所要の角度で弗化マグネシウ
ム層４に入射する。これによって弗化マグネシウム層４
とＡｌ電極２との界面に表面プラズモンを励起し、この
表面プラズモンが銅フタロシアニン層１で吸収され、光
電流がＡｌ電極２とＡｇ電極３の間に得られる構成を特
徴としている。
モンを励起させて変換効率を高める。 【構成】 入射したＨｅ−Ｎｅレーザー光Ｌは、半円柱
レンズ５で屈折させられて所要の角度で弗化マグネシウ
ム層４に入射する。これによって弗化マグネシウム層４
とＡｌ電極２との界面に表面プラズモンを励起し、この
表面プラズモンが銅フタロシアニン層１で吸収され、光
電流がＡｌ電極２とＡｇ電極３の間に得られる構成を特
徴としている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光を電気に変換する方法
および素子に関し、特に表面プラズモンを用いることに
より変換効率を向上させる機能を有する光電変換方法と
光電変換素子に関するものである。
および素子に関し、特に表面プラズモンを用いることに
より変換効率を向上させる機能を有する光電変換方法と
光電変換素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光電変換素子では、素子に用いる材料や
構成によって素子自身の変換効率が決まってしまうため
に、少しでも光の利用効率を向上させる目的で、周知の
とおり、素子に光導波路や光散乱構造を形成したり、素
子を複数層積層することによって実質的な変換効率の向
上がはかられてきた。
構成によって素子自身の変換効率が決まってしまうため
に、少しでも光の利用効率を向上させる目的で、周知の
とおり、素子に光導波路や光散乱構造を形成したり、素
子を複数層積層することによって実質的な変換効率の向
上がはかられてきた。
【０００３】ところが、薄い光吸収層を二つの薄い金属
電極ではさんだ構造の光電変換素子で、プリズムが光を
入射する側の電極（第１電極）に密着させた配置をとる
ことにより、プリズムを通った入射光が電極に対して適
当な入射角度をとるときに、光入射と反対側の電極（第
２電極）上に表面プラズモンが励起されて、通常の光入
射の場合よりも大きな光電流が発生するという現象が認
められた。すなわち、金属表面に局在して、通常の光と
は異なった性質を有する表面プラズモンを利用すること
で光電変換素子の変換効率を向上できる可能性がある。
電極ではさんだ構造の光電変換素子で、プリズムが光を
入射する側の電極（第１電極）に密着させた配置をとる
ことにより、プリズムを通った入射光が電極に対して適
当な入射角度をとるときに、光入射と反対側の電極（第
２電極）上に表面プラズモンが励起されて、通常の光入
射の場合よりも大きな光電流が発生するという現象が認
められた。すなわち、金属表面に局在して、通常の光と
は異なった性質を有する表面プラズモンを利用すること
で光電変換素子の変換効率を向上できる可能性がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、こうし
た構成の光電変換素子では、表面プラズモンを励起する
ためには、光は第１電極、光吸収層、第２電極と各部を
すべて通過しなければならないために、途中で大きく減
衰してしまい効率的ではない。また、光吸収層が厚く第
２電極を兼ねている構造の光電変換素子においては、表
面プラズモンを励起することが不可能となる。
た構成の光電変換素子では、表面プラズモンを励起する
ためには、光は第１電極、光吸収層、第２電極と各部を
すべて通過しなければならないために、途中で大きく減
衰してしまい効率的ではない。また、光吸収層が厚く第
２電極を兼ねている構造の光電変換素子においては、表
面プラズモンを励起することが不可能となる。
【０００５】本発明は、このような事情に鑑み、光が入
射する側の金属電極上に表面プラズモンを励起すること
を図って、変換効率の高い光電変換方法および光電変換
素子を提供することを目的とする。
射する側の金属電極上に表面プラズモンを励起すること
を図って、変換効率の高い光電変換方法および光電変換
素子を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者はまず、プリズ
ムと金属薄膜の間にプリズムよりも屈折率が小さくかつ
厚さが用いる光の波長の半分同程度の光透過層を導入す
ることにより、光透過層と光が入射する側の金属電極
（薄膜）の界面に表面プラズモンを励起可能であるとの
知見を得た。こうした知見に基づき、本発明はなされた
ものである。
ムと金属薄膜の間にプリズムよりも屈折率が小さくかつ
厚さが用いる光の波長の半分同程度の光透過層を導入す
ることにより、光透過層と光が入射する側の金属電極
（薄膜）の界面に表面プラズモンを励起可能であるとの
知見を得た。こうした知見に基づき、本発明はなされた
ものである。
【０００７】すなわち、請求項１に記載の発明は、入射
光を光行路変更層を通して所要の角度で前記入射光の波
長の半分程度の厚みで前記光行路変更層より低い屈折率
の光透過層に入射してこの光透過層と密着する金属電極
との界面に表面プラズモンを励起させ、この表面プラズ
モンを光吸収層に入射して光電流を得るようにしたもの
である。
光を光行路変更層を通して所要の角度で前記入射光の波
長の半分程度の厚みで前記光行路変更層より低い屈折率
の光透過層に入射してこの光透過層と密着する金属電極
との界面に表面プラズモンを励起させ、この表面プラズ
モンを光吸収層に入射して光電流を得るようにしたもの
である。
【０００８】また、請求項２に記載の発明は、光吸収層
を二つの薄い金属電極で挟み、光が入射する側の金属電
極上に光透過層と光行路変更層が順次密着して形成され
た光電変換素子であって、前記光行路変更層が入射光を
屈折させて所要の角度で前記光透過層に入射させる機能
を有し、前記光透過層の屈折率が前記光行路変更層の屈
折率よりも小さく、かつその厚みを前記入射光の波長の
半分程度としたものである。
を二つの薄い金属電極で挟み、光が入射する側の金属電
極上に光透過層と光行路変更層が順次密着して形成され
た光電変換素子であって、前記光行路変更層が入射光を
屈折させて所要の角度で前記光透過層に入射させる機能
を有し、前記光透過層の屈折率が前記光行路変更層の屈
折率よりも小さく、かつその厚みを前記入射光の波長の
半分程度としたものである。
【０００９】さらに、請求項３に記載の発明は、光行路
変更層はＢＫ７ガラス製の半円柱レンズであり、光透過
層は弗化マグネシウム層であり、光が入射する側の金属
電極はＡｌ層であり、光吸収層は銅フタロシアニン層で
あり、光の入射と反対側の金属電極はＡｇ層としたもの
である。
変更層はＢＫ７ガラス製の半円柱レンズであり、光透過
層は弗化マグネシウム層であり、光が入射する側の金属
電極はＡｌ層であり、光吸収層は銅フタロシアニン層で
あり、光の入射と反対側の金属電極はＡｇ層としたもの
である。
【００１０】
【作用】請求項１に記載の発明においては、入射光を高
い屈折率の光行路変更層を通し所要の角度で低い屈折率
の光透過層に入射すると、光透過層と光の入射する側の
金属電極との界面に表面プラズモンが励起され、これが
光吸収層に入射して光電流が得られる。
い屈折率の光行路変更層を通し所要の角度で低い屈折率
の光透過層に入射すると、光透過層と光の入射する側の
金属電極との界面に表面プラズモンが励起され、これが
光吸収層に入射して光電流が得られる。
【００１１】請求項２，３に記載の発明においては、入
射光は高い屈折率の光行路変更層で屈折して所要の角度
で低い屈折率の光透過層に入射する。これにより、光透
過層とこれに密着した金属電極との界面に表面プラズモ
ンが励起され、これが光吸収層に入射して光電流を発生
する。
射光は高い屈折率の光行路変更層で屈折して所要の角度
で低い屈折率の光透過層に入射する。これにより、光透
過層とこれに密着した金属電極との界面に表面プラズモ
ンが励起され、これが光吸収層に入射して光電流を発生
する。
【００１２】
【実施例】図１は、本発明の光電変換素子の一実施例に
おける断面図が示されている。１は光吸収層である例え
ば厚さ約３０ｎｍの銅フタロシアニン層、２は第１電極
（入射側）である例えば厚さ約２０ｎｍのＡｌ層、３は
第２電極である例えば厚さ約５０ｎｍのＡｇ層、４は光
透過層である例えば厚さ約３００ｎｍの弗化マグネシウ
ム層、５は光行路変更層である例えば半径１５ｍｍのＢ
Ｋ７ガラス製の半円柱レンズである。なお、Ａは電流計
を示す。
おける断面図が示されている。１は光吸収層である例え
ば厚さ約３０ｎｍの銅フタロシアニン層、２は第１電極
（入射側）である例えば厚さ約２０ｎｍのＡｌ層、３は
第２電極である例えば厚さ約５０ｎｍのＡｇ層、４は光
透過層である例えば厚さ約３００ｎｍの弗化マグネシウ
ム層、５は光行路変更層である例えば半径１５ｍｍのＢ
Ｋ７ガラス製の半円柱レンズである。なお、Ａは電流計
を示す。
【００１３】半円柱レンズ５は、入射光を屈折させるこ
とによって光行路変更層として機能し、第１電極である
Ａｌ層２に対して光が入射する角度θを変更する役割を
はたす。
とによって光行路変更層として機能し、第１電極である
Ａｌ層２に対して光が入射する角度θを変更する役割を
はたす。
【００１４】ＢＫ７ガラスは屈折率約１．５２であり、
弗化マグネシウムは屈折率約１．３８であるので、弗化
マグネシウム層４は光行路変更層である半円柱レンズ５
よりも小さな屈折率を有しかつ厚みが半波長程度の光透
過層としての役割をはたす。
弗化マグネシウムは屈折率約１．３８であるので、弗化
マグネシウム層４は光行路変更層である半円柱レンズ５
よりも小さな屈折率を有しかつ厚みが半波長程度の光透
過層としての役割をはたす。
【００１５】銅フタロシアニン層１は光吸収層として機
能し、Ａｌ層２とショットキー障壁を形成する一方、Ａ
ｇ層３とはオーム接触を形成するので、Ａｌ、銅フタロ
シアニン、Ａｇの３層部分がショットキー接合型の光電
変換素子を構成する。光電変換機能は主にＡｌ層２と銅
フタロシアニン層１との界面において発現する。
能し、Ａｌ層２とショットキー障壁を形成する一方、Ａ
ｇ層３とはオーム接触を形成するので、Ａｌ、銅フタロ
シアニン、Ａｇの３層部分がショットキー接合型の光電
変換素子を構成する。光電変換機能は主にＡｌ層２と銅
フタロシアニン層１との界面において発現する。
【００１６】例えば波長６３２．８ｎｍでビーム径１ｍ
ｍのＨｅ−Ｎｅレーザー光Ｌを、入射角度θを変えて光
電変換素子に入射したときに発生する光電流の相対的な
大きさの変化を電流計Ａで測定したものを図２に示す。
θが４０°付近のときの値が表面プラズモンの寄与がな
いときの、通常の光電変換素子としての光電流値に対応
する。θが４３°付近にあらわれるシャープな光電流の
極大は、すでに知られているようにＡｇ層３（第２電
極）上に表面プラズモンが励起されたことによる効果で
ある。一方、θが６３°付近にあらわれる大きな光電流
の極大が、本発明による、Ａｌ層２（第１電極）上に表
面プラズモンが励起されたことに起因する光電流の増大
である。
ｍのＨｅ−Ｎｅレーザー光Ｌを、入射角度θを変えて光
電変換素子に入射したときに発生する光電流の相対的な
大きさの変化を電流計Ａで測定したものを図２に示す。
θが４０°付近のときの値が表面プラズモンの寄与がな
いときの、通常の光電変換素子としての光電流値に対応
する。θが４３°付近にあらわれるシャープな光電流の
極大は、すでに知られているようにＡｇ層３（第２電
極）上に表面プラズモンが励起されたことによる効果で
ある。一方、θが６３°付近にあらわれる大きな光電流
の極大が、本発明による、Ａｌ層２（第１電極）上に表
面プラズモンが励起されたことに起因する光電流の増大
である。
【００１７】この光電変換素子が実際に使用されるとき
には、細く絞られたレーザービームとは異なり、広く幅
を持った光束が照射されて半円柱レンズ５により収束さ
れるので、様々な入射角度θを持った光が同時に入射す
ることになる。しがたって、図２の特性曲線と数値軸で
囲まれた部分の面積が光電変換に効いてくることにな
る。図２において、従来例のＡｇ層３（第２電極）上で
の表面プラズモンの励起特性が非常にシャープであるの
に対し、Ａｌ層２（第１電極）上での励起特性はかなり
ゆるやかであるが、これは本発明による表面プラズモン
の励起条件が従来例のものよりもゆるいために、より多
くの光で表面プラズモンを励起できることを意味してい
る。
には、細く絞られたレーザービームとは異なり、広く幅
を持った光束が照射されて半円柱レンズ５により収束さ
れるので、様々な入射角度θを持った光が同時に入射す
ることになる。しがたって、図２の特性曲線と数値軸で
囲まれた部分の面積が光電変換に効いてくることにな
る。図２において、従来例のＡｇ層３（第２電極）上で
の表面プラズモンの励起特性が非常にシャープであるの
に対し、Ａｌ層２（第１電極）上での励起特性はかなり
ゆるやかであるが、これは本発明による表面プラズモン
の励起条件が従来例のものよりもゆるいために、より多
くの光で表面プラズモンを励起できることを意味してい
る。
【００１８】また、表面プラズモンが励起されない条件
の入射角度θで光が照射された場合でも、半円柱レンズ
５（光行路変更層）や弗化マグネシウム層４（光透過
層）が通常の光電変換素子としての機能を損なうことは
ないので、本発明により変換効率が向上することはあっ
ても、減少することはない。
の入射角度θで光が照射された場合でも、半円柱レンズ
５（光行路変更層）や弗化マグネシウム層４（光透過
層）が通常の光電変換素子としての機能を損なうことは
ないので、本発明により変換効率が向上することはあっ
ても、減少することはない。
【００１９】このように、本発明は、光電変換素子にお
いて、光電変換効率の向上に非常に有効である。
いて、光電変換効率の向上に非常に有効である。
【００２０】なお、上記実施例においては、光行路変更
層としてＢＫ７ガラス製の半円柱レンズ５を示したが、
ガラスのほかにはサファイヤ、プラスチック等の屈折率
の高い透明な材料であれば何でもよい。形状は円柱レン
ズの他に、空気と光行路変更層との界面で屈折により光
行路を変更できればどんなものでもよい。
層としてＢＫ７ガラス製の半円柱レンズ５を示したが、
ガラスのほかにはサファイヤ、プラスチック等の屈折率
の高い透明な材料であれば何でもよい。形状は円柱レン
ズの他に、空気と光行路変更層との界面で屈折により光
行路を変更できればどんなものでもよい。
【００２１】また光透過層として弗化マグネシウム層４
を示したが、これは基本的に光行路変更層よりも屈折率
の低い透明な材料でなければならない。固体薄膜となる
とそれば限定されて、弗化マグネシウムの他には弗化カ
ルシウムが使用できる。
を示したが、これは基本的に光行路変更層よりも屈折率
の低い透明な材料でなければならない。固体薄膜となる
とそれば限定されて、弗化マグネシウムの他には弗化カ
ルシウムが使用できる。
【００２２】さらに光吸収層として銅フタロシアニン層
１を示したが、これは光吸収のある半導体であればよ
く、有機材料・無機材料を問わない。例えば有機材料で
はメロシアニン、スクアリリウム、ポルフィリンなどが
あり、無機材料ではシリコン、ゲルマニウムなど。
１を示したが、これは光吸収のある半導体であればよ
く、有機材料・無機材料を問わない。例えば有機材料で
はメロシアニン、スクアリリウム、ポルフィリンなどが
あり、無機材料ではシリコン、ゲルマニウムなど。
【００２３】また、金属電極として、Ａｌ電極２とＡｇ
電極３を示したが、この他にはＡｕとＣｕの組み合わせ
を用いることができる。
電極３を示したが、この他にはＡｕとＣｕの組み合わせ
を用いることができる。
【００２４】
【発明の効果】本発明にかかる請求項１に記載の発明
は、入射光を光行路変更層を通して所要の角度で前記入
射光の波長の半分程度の厚みで前記光行路変更層より低
い屈折率の光透過層に入射してこの光透過層と密着する
金属電極との界面に表面プラズモンを励起させ、この表
面プラズモンを光吸収層に入射して光電流を得るように
したので、光入射側でも表面プラズモンを励起させるこ
とができるため、光電変換効率を大きく向上させること
ができる。
は、入射光を光行路変更層を通して所要の角度で前記入
射光の波長の半分程度の厚みで前記光行路変更層より低
い屈折率の光透過層に入射してこの光透過層と密着する
金属電極との界面に表面プラズモンを励起させ、この表
面プラズモンを光吸収層に入射して光電流を得るように
したので、光入射側でも表面プラズモンを励起させるこ
とができるため、光電変換効率を大きく向上させること
ができる。
【００２５】また、請求項２に記載の発明は、光吸収層
を二つの薄い金属電極で挟み、光が入射する側の金属電
極上に光透過層と光行路変更層が順次密着して形成され
た光電変換素子であって、前記光行路変更層が入射光を
屈折させて所要の角度で前記光透過層に入射させる機能
を有し、前記光透過層の屈折率が前記光行路変更層の屈
折率よりも小さく、かつその厚みを前記入射光の波長の
半分程度としたので、光行路変更層で入射光が屈折して
光透過層に入射して光入射側でも表面プラズモンが励起
されるので、光電変換効率を大きく向上させることがで
きる。
を二つの薄い金属電極で挟み、光が入射する側の金属電
極上に光透過層と光行路変更層が順次密着して形成され
た光電変換素子であって、前記光行路変更層が入射光を
屈折させて所要の角度で前記光透過層に入射させる機能
を有し、前記光透過層の屈折率が前記光行路変更層の屈
折率よりも小さく、かつその厚みを前記入射光の波長の
半分程度としたので、光行路変更層で入射光が屈折して
光透過層に入射して光入射側でも表面プラズモンが励起
されるので、光電変換効率を大きく向上させることがで
きる。
【００２６】また、請求項３に記載の発明は、光行路変
更層はＢＫ７ガラス製の半円柱レンズであり、光透過層
は弗化マグネシウム層であり、光が入射する側の金属電
極はＡｌ層であり、光吸収層は銅フタロシアニン層であ
り、光の入射と反対側の金属電極はＡｇ層としたので、
光電変換効率の大きい光電変換素子が得られる。
更層はＢＫ７ガラス製の半円柱レンズであり、光透過層
は弗化マグネシウム層であり、光が入射する側の金属電
極はＡｌ層であり、光吸収層は銅フタロシアニン層であ
り、光の入射と反対側の金属電極はＡｇ層としたので、
光電変換効率の大きい光電変換素子が得られる。
【図１】本発明の光電変換素子の一実施例の構成を示す
断面略図である。
断面略図である。
【図２】図１に示す実施例における光電流の光入射角度
依存特性図である。
依存特性図である。
１ 銅フタロシアニン層 ２ Ａｌ層 ３ Ａｇ層 ４ 弗化マグネシウム層 ５ 半円柱レンズ
Claims (3)
- 【請求項１】 入射光を光行路変更層を通して所要の角
度で前記入射光の波長の半分程度の厚みで前記光行路変
更層より低い屈折率の光透過層に入射してこの光透過層
と密着する金属電極との界面に表面プラズモンを励起さ
せ、この表面プラズモンを光吸収層に入射して光電流を
得ることを特徴とする光電変換方法。 - 【請求項２】 光吸収層を二つの薄い金属電極で挟み、
光が入射する側の金属電極上に光透過層と光行路変更層
が順次密着して形成された光電変換素子であって、前記
光行路変更層が入射光を屈折させて所要の角度で前記光
透過層に入射させる機能を有し、前記光透過層の屈折率
が前記光行路変更層の屈折率よりも小さく、かつその厚
みを前記入射光の波長の半分程度としたことを特徴とす
る光電変換素子。 - 【請求項３】 光行路変更層はＢＫ７ガラス製の半円柱
レンズであり、光透過層は弗化マグネシウム層であり、
光が入射する側の金属電極はＡｌ層であり、光吸収層は
銅フタロシアニン層であり、光の入射と反対側側の金属
電極はＡｇ層であることを特徴とする請求項２に記載の
光電変換素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7067454A JP2666889B2 (ja) | 1995-03-27 | 1995-03-27 | 光電変換方法および光電変換素子 |
| US08/614,701 US5685919A (en) | 1995-03-27 | 1996-03-13 | Method and device for improved photoelectric conversion |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7067454A JP2666889B2 (ja) | 1995-03-27 | 1995-03-27 | 光電変換方法および光電変換素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08264821A true JPH08264821A (ja) | 1996-10-11 |
| JP2666889B2 JP2666889B2 (ja) | 1997-10-22 |
Family
ID=13345407
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7067454A Expired - Lifetime JP2666889B2 (ja) | 1995-03-27 | 1995-03-27 | 光電変換方法および光電変換素子 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5685919A (ja) |
| JP (1) | JP2666889B2 (ja) |
Cited By (8)
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| WO2011027830A1 (ja) * | 2009-09-07 | 2011-03-10 | 国立大学法人北海道大学 | 光電変換装置、光検出装置、及び光検出方法 |
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| JP2012514322A (ja) * | 2008-12-24 | 2012-06-21 | コミサリア ア エナジー アトミック エ オックス エナジーズ オルタネティヴ | 非常に薄い半導体領域を有する光検出器 |
| JP2013098518A (ja) * | 2011-11-07 | 2013-05-20 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機薄膜太陽電池 |
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| US9263606B2 (en) | 2012-03-06 | 2016-02-16 | Mitsubishi Electric Corporation | Photoelectric conversion element and photoelectric conversion element array |
| US9397249B2 (en) | 2009-07-06 | 2016-07-19 | University Of Seoul Industry Cooperation Foundation | Photodetector capable of detecting long wavelength radiation |
| JPWO2021075529A1 (ja) * | 2019-10-18 | 2021-04-22 |
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| US20050033194A1 (en) * | 2003-08-09 | 2005-02-10 | Fischer Nathan R. | Method and apparatus for sampling and collection of cervical cells |
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| US7358585B2 (en) | 2003-11-20 | 2008-04-15 | Sioptical, Inc. | Silicon-based Schottky barrier infrared optical detector |
| US20050218308A1 (en) * | 2004-03-30 | 2005-10-06 | Eastman Kodak Company | Electronic imagers using an absorbing filter for flare reduction |
| US8618625B2 (en) | 2010-03-10 | 2013-12-31 | Cisco Technology, Inc. | Silicon-based schottky barrier detector with improved responsivity |
| US9660117B1 (en) | 2016-09-19 | 2017-05-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Energy selective photodetector |
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| US4482779A (en) * | 1983-04-19 | 1984-11-13 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of National Aeronautics And Space Administration | Inelastic tunnel diodes |
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| US4565422A (en) * | 1983-11-30 | 1986-01-21 | Gte Laboratories Incorporated | Surface plasmon coupler |
| US5240510A (en) * | 1991-09-23 | 1993-08-31 | Development Products Inc. | Photovoltaic cell |
-
1995
- 1995-03-27 JP JP7067454A patent/JP2666889B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-03-13 US US08/614,701 patent/US5685919A/en not_active Expired - Lifetime
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| US9240286B2 (en) | 2009-09-07 | 2016-01-19 | National University Corporation Hokkaido University | Photoelectric conversion device, light detecting device, and light detecting method |
| US8653431B2 (en) | 2010-09-16 | 2014-02-18 | Mitsubishi Electric Corporation | Photoelectric conversion device and image sensor |
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| JPWO2021075529A1 (ja) * | 2019-10-18 | 2021-04-22 | ||
| WO2021075529A1 (ja) * | 2019-10-18 | 2021-04-22 | イムラ・ジャパン株式会社 | 電気測定型表面プラズモン共鳴センサ、電気測定型表面プラズモン共鳴センサチップ、及び表面プラズモン共鳴変化の検出方法 |
| US12061146B2 (en) | 2019-10-18 | 2024-08-13 | Aisin Corporation | Electricity measuring type surface plasmon resonance sensor, electricity measuring type surface plasmon resonance sensor chip, method for detecting surface plasmon resonance changes |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2666889B2 (ja) | 1997-10-22 |
| US5685919A (en) | 1997-11-11 |
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