JP2006501638A - 金属電極格子からなるミラーを備えた共鳴キャビティが設けられているｍｓｍタイプの光検出器 - Google Patents
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 23
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims abstract description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 126
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 9
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 9
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 6
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 17
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 10
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 4
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 3
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 2
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910000927 Ge alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N Trichloroethylene Chemical group ClC=C(Cl)Cl XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005686 electrostatic field Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 231100000989 no adverse effect Toxicity 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/108—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the Schottky type
- H01L31/1085—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the Schottky type the devices being of the Metal-Semiconductor-Metal [MSM] Schottky barrier type
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
本発明は、入射光を検出し得るよう構成されたＭＳＭタイプの光検出器に関するものであって、支持体（１）上に成膜されるとともに、ファブリペロータイプの共振キャビティの第１ミラーを形成するような、反射手段（２）と；入射光を吸収しない材料から形成された材料層（３）と；入射光を吸収する半導体材料から形成された活性層（４）と；検出した信号を収集する複数の分極電極からなるネットワーク（５）と；を具備している。電極ネットワーク（５）は、活性層の上に配置されるとともに、入射光の波長よりも短い一様間隔でもって配置された互いに平行な複数の導電性ストリップを備えて構成され、電極ネットワーク（５）は、共振キャビティのための第２ミラーを形成している。
Description
本発明は、電極ネットワークを有したミラーを備えた共鳴キャビティが設けられているＭＳＭタイプの光検出器に関するものである。
超高速の光検出器（１ｐｓよりも小さな応答時間）は、現在では、非常に高速の光ファイバ遠隔通信（１００Ｇｂｉｔｓ／ｓあるいはこれよりも高速）にとって重要な構成要素である。要求される性能は、高感度であること、および、１．３〜１．５５μｍという波長帯域において通過帯域が広いこと、である。光検出器のタイプ（ＰＮダイオード、ＰＩＮダイオード、金属−半導体−金属（ＭＳＭ）構造）にかかわらず、ターゲット速度は、電極間間隔が短い（１００ｎｍよりも短い）ことを必要とし、光の吸収が最小容積で行われることを必要とする。
したがって、現存の光検出器は、効率と速度との間において妥協を必要としている。よって、１．５５μｍという波長において約３μｍという特徴的吸収長さを有した固体ＩｎＧａＡｓ半導体においては、荷電キャリアの移動時間の低減化が、ＰＩＮダイオードおよびＭＳＭ構造における外部量子効率の低減化に対して直接的に関連している。
したがって、現存の光リピータが使用された場合、光学的遠隔通信の速度における増大化は、伝送ライン上におけるリピータの数のかなりの増大化を必要とし、そのため、伝送ラインの製造コストがかさむこととなる。
超高速のＭＳＭ光検出器（数百ＧＨｚ）は、薄い吸収層と、波長よりも短い電極間間隔と、を有していなければならない。
第１の要求は、感度を深刻に制限する。このことは、“High-Speed InGaAs Metal-
Semiconductor-Metal Photo-detectors with Thin Absorption Layers”by W.A. Wohmuth et al., IEEE Photon. Tech. Lett., Vol. 9, N0. 5, 1997, pages 654 to 656という文献に記載されている。
Semiconductor-Metal Photo-detectors with Thin Absorption Layers”by W.A. Wohmuth et al., IEEE Photon. Tech. Lett., Vol. 9, N0. 5, 1997, pages 654 to 656という文献に記載されている。
第２の要求も、また、感度を深刻に制限する。文献は、この要求に関する２つの観点を記載している。第１は、電極陰影効果であり、第２は、検出器内への光の進入を弱いものとする回折効果である。この主題に関するさらなる情報は、“High-Responsivity InGaAs
MSM Photo-detectors with Semi-Transparent Schottky Contacts”by R.H. Yuang
et al., IEEE Photon. Tech. Lett., Vol. 7, N0. 11, 1995, pages 1333 to 1335という文献に記載されている。
MSM Photo-detectors with Semi-Transparent Schottky Contacts”by R.H. Yuang
et al., IEEE Photon. Tech. Lett., Vol. 7, N0. 11, 1995, pages 1333 to 1335という文献に記載されている。
研究は、この困難性を克服するため、２つの異なる方向性で行われている。共振キャビティと関連したＰＩＮ型のまたはショットキー型のフォトダイオードは、大きな量子効率を維持し得るものの、遮断周波数が、１００μｍ２ という表面積を有したデバイスの場合には、約１００ＧＨｚに制限される。この主題に関するさらなる情報は、“Resonant
Cavity-Enhanced (RCE) Photo-detectors”by K. Kishino et al., IEEE J. Quantum
Electron., Vol. 78, N0. 2, 1995, pages 607 to 639 という文献に記載されている。
Cavity-Enhanced (RCE) Photo-detectors”by K. Kishino et al., IEEE J. Quantum
Electron., Vol. 78, N0. 2, 1995, pages 607 to 639 という文献に記載されている。
より最近では、伝搬波を有した光検出器が、研究されている。先の構造とは異なり、光線導入が、側面的である。すなわち、光線導入が、荷電キャリアの移動方向に対して垂直である。このような構造は、光学的導波路としておよびＴＥＭ電磁波ガイドとして機能し得るよう構成されている。この場合には、容量（帯電定数ＲＣ）に基づく制限が、光学的グループの速度と電気的グループの速度との間の不適合に基づく制限によって、代替される。この主題に関するさらなる情報は、“Traveling-Wave Photo-detectors”by K.S.
Giboney et al., IEEE Photon. Tech. Lett., Vol. 4, N0. 12, 1992, pages 1363 to
1365 という文献に記載されている。
"High-Speed InGaAs Metal-Semiconductor-MetalPhoto-detectors with Thin Absorption Layers"by W.A. Wohmuth et al., IEEEPhoton. Tech. Lett., Vol. 9, N0. 5, 1997, pages 654 to 656 "High-Responsivity InGaAs MSM Photo-detectors withSemi-Transparent Schottky Contacts"by R.H. Yuang et al., IEEE Photon. Tech.Lett., Vol. 7, N0. 11, 1995, pages 1333 to 1335 "Resonant Cavity-Enhanced (RCE) Photo-detectors"by K.Kishino et al., IEEE J. Quantum Electron., Vol. 78, N0. 2, 1995, pages 607 to639 "Traveling-Wave Photo-detectors"by K.S. Giboney et al.,IEEE Photon. Tech. Lett., Vol. 4, N0. 12, 1992, pages 1363 to 1365
Giboney et al., IEEE Photon. Tech. Lett., Vol. 4, N0. 12, 1992, pages 1363 to
1365 という文献に記載されている。
"High-Speed InGaAs Metal-Semiconductor-MetalPhoto-detectors with Thin Absorption Layers"by W.A. Wohmuth et al., IEEEPhoton. Tech. Lett., Vol. 9, N0. 5, 1997, pages 654 to 656 "High-Responsivity InGaAs MSM Photo-detectors withSemi-Transparent Schottky Contacts"by R.H. Yuang et al., IEEE Photon. Tech.Lett., Vol. 7, N0. 11, 1995, pages 1333 to 1335 "Resonant Cavity-Enhanced (RCE) Photo-detectors"by K.Kishino et al., IEEE J. Quantum Electron., Vol. 78, N0. 2, 1995, pages 607 to639 "Traveling-Wave Photo-detectors"by K.S. Giboney et al.,IEEE Photon. Tech. Lett., Vol. 4, N0. 12, 1992, pages 1363 to 1365
本発明においては、小さな活性容積をゆうしたＭＳＭ構造内へと共振的に光を集中化することにより、従来技術における様々なデバイスの欠点を克服することが、提案される。共振は、デバイスの底部に位置した高反射率のミラー（例えば、ブラッグミラー）と、表面上における金属製電極ネットワークと、の間におけるファブリペロータイプのものとされる。電極ネットワークの周期は、入射光の波長よりも短いものとされる。電極ネットワーク（ファブリペローキャビティにおける第２ミラー）は、ネットワークの幾何学的パラメータによって制御される。このようにして形成されたキャビティは、２つの部分を備えている。すなわち、内部で光キャリアが形成される薄い吸収製層と、非吸収性層と、を備えている。電極によって収集されるべき光キャリアが通過すべき経路が短いことにより、このデバイスの本来的振舞いが極めて高速であること（１ｐｓよりも短い応答時間）が保証され、同時に、入射光との共振結合が、大きな外部量子効率（典型的には、現時点での最良の性能よりも、１０倍良好）を保証する。
したがって、本発明の目的は、入射光を検出し得るよう構成されたＭＳＭタイプの光検出器であって、支持体の第１面上に成膜されるとともに、ファブリペロータイプの共振キャビティの第１ミラーを形成するような、反射手段と；入射光を吸収しない材料から形成された材料層と；入射光を吸収する半導体材料から形成された活性層と；検出した信号を収集する複数の分極電極からなるネットワークと；を具備し、電極ネットワークが、活性層の上に配置されるとともに、入射光の波長よりも短い一様間隔でもって配置された互いに平行な複数の導電性ストリップを備えて構成され、電極ネットワークが、共振キャビティのための第２ミラーを形成し、この第２ミラーの光学的特性が、複数の導電性ストリップの幾何学的寸法によって決定され、第１ミラーと第２ミラーとの離間距離が、これら２つのミラー間において入射光がファブリペロータイプの共振を起こし得るような距離とされている。
第１ミラーを形成している反射手段は、ブラッグミラーから構成することができ、例えば、ＡｌＡｓ層とＡｌＧａＡｓ層との交互積層、あるいは、ＧａＩｎＡｓＰ層とＩｎＰ層との交互積層、あるいは、ＡｌＧａＩｎＡｓ層とＡｌＩｎＡｓ層との交互積層、あるいは、ＡｌＧａＡｓＳｂ層とＡｌＡｓＳｂ層との交互積層、から構成することができる。
また、第１ミラーを形成している反射手段は、金属層から構成することができる。好ましくは、第１ミラーを形成している金属層は、入射光に対して、銀表面、あるいは、金表面、あるいは、アルミニウム表面、を呈する。
また、第１ミラーを形成している反射手段は、多層誘電体ミラーから構成することができる。
入射光を吸収しない材料層は、ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓから形成することができ、活性層は、ＧａＡｓから形成することができる。好ましくは、ｘは、８００ｎｍという波長における動作に際しては、０．３５とされる。
また、１５００ｎｍという波長に対しての動作に際しては、入射光を吸収しない材料層は、ＡｌＩｎＡｓから形成することができ、活性層は、ＩｎＧａＡｓから形成することができる。
電極ネットワークは、相互噛合した２つの櫛形電極を形成することができる。一変形例においては、電極ネットワークは、互いに隣接配置されかつ浮遊電位とされた導電性ストリップから構成することができる。
有利には、導電性ストリップは、銀または金から形成することができる。
誘電体材料からなる保護層を、電極ネットワーク上に成膜することができる。例えば、保護層は、二酸化シリコンまたは窒化シリコンから形成することができる。
可能であれば、支持体の第２面は、電極を支持し、電極に電界を印加することにより、電気光学効果によって、共振キャビティの共振波長を変化させることができる。
添付図面を参照しつつ、本発明を何ら限定するものではなく単なる例示としての好ましい実施形態に関する以下の詳細な説明を読むことにより、本発明が、より明瞭に理解され、本発明の他の利点や特徴点が、より明瞭となるであろう。
本発明が提案する構造は、検出対象をなす光を吸収する半導体材料からなる薄層上に配置された複数の金属製電極からなるネットワークから構成されている。薄層は、下側ミラー上に成膜された透明層の上に成膜されている。本発明は、一次的に、電極ネットワークを通しての、入射波（ＴＥ分極、および、ＴＭ分極）の部分的透過を使用する。電極ネットワークは、半反射性ミラー（上側ミラー）として機能する。本発明は、二次的に、上側ミラーと下側ミラーとの間における共振を使用する。入射光の大部分は、電極に対して非常に近いところにおいて吸収することができ、活性層の厚さは、５０ｎｍとすることができる。
電極ネットワーク上に成膜された保護層の存在は、ネットワークパラメータをわずかしか変化させず、また、２つのミラー間の間隔をわずかしか変化させず、よって、本発明において使用される共振の存在に対して悪影響を及ぼすことがない。
デバイスの裏面上に配置された第３電極を使用することにより、表面に対して垂直に電界を印加したときには、電気光学効果を引き起こして、共振波長を変化させることができる。これにより、波長に対して光検出器をチューニングするための手段を提供することができる。
図１は、本発明による光検出器の一部を破断して示す斜視図である。光検出器は、ＧａＡｓ基板（１）をベースとして形成されている。符号（２）は、下側ミラーを示している。この場合、下側ミラー（２）は、ブラッグミラーとされている。このブラッグミラーは、複数の層（２１，２２）の交互積層によって形成されている。層（２１，２２）を構成している材料は、共に光を吸収しない材料であるとともに、互いに屈折率が相違する材料である。ＧａＡｓ基板の場合には、ブラッグミラーは、ＡｌＡｓ層とＡｌＧａＡｓ層との交互積層とすることができる。これら層の厚さは、反射すべき波長範囲の関数として計算される。層（２１，２２）は、基板（１）上におけるエピタキシャル成長（例えば、分子ジェットによるエピタキシャル成長）によって得ることができる。
次なるステップは、下側ミラー（２）上に、層（３）と活性層（４）とをこの順に成膜することである。層（３）をなす材料は、検出すべき光を吸収するものではない。これら層（３，４）も、また、エピタキシャル成長によって成膜することができる。層（３）は、ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓとすることができ、係数（ｘ）は、最適には、０．３５として選択される。活性層（４）は、ＧａＡｓから形成することができる。活性層（４）は、金または銀またはアルミニウムからなる複数の電極（５）を支持する。複数の電極（５）は、一様間隔の平行ストリップを形成している。これらストリップの幾何学的寸法は、電極ネットワーク（５）と活性層（４）との間の界面のところに上側ミラーを形成するように、選択されている。
例えば、約７９０ｎｍという波長の入射光の場合には、下側ミラーと上側ミラーとの間の離間間隔は、７０ｎｍとすることができる。ここで、吸収層の厚さが４０ｎｍであり、透明層の厚さが３０ｎｍである。電極層ネットワークの周期は、２００ｎｍとすることができ、導電性ストリップは、幅が１００ｎｍでありかつ厚さが３０ｎｍであるものとすることができる。
この構造は、従来技術において提案されてきた共振ＭＳＭ構造とは、相違している。なぜなら、本発明においては、電極どうしを互いに接近させていることにより、もはや光を遮蔽してしまうという欠点を有していないだけでなく、上側ミラーの反射率を制御するという基本的役割をも果たしている。
受領した入射光に対しての吸収層内における電磁界の電気的成分の強度を考慮するならば、その吸収が、ＴＥ分極におけるキャリアの収集に対して、非常に導電的であることがわかる。それは、吸収が、主に電極間において行われるからであり、これにより、光キャリア収集時間を最小化しているからである。ＴＭ分極においては、電磁界は、弱い静電界を有した領域内に配置され、この領域は、光キャリアの高速収集に関して導電的ではない。
電極の形状は、図２に示すように、相互噛合タイプのものとすることができる。図２は、本発明による光検出器を示す平面図である。電極ネットワークは、活性層（１４）上に配置されている。電極ネットワークは、共通のコンタクト（３５）に対して電気的に接続されているとともに第１櫛を形成する複数の平行ストリップ（１５）と、共通のコンタクト（４５）に対して電気的に接続されているとともに第２櫛を形成する複数の平行ストリップ（２５）と、から構成されている。これら２つの櫛形電極は、相互に噛合している。この例においては、電極ネットワークによって被覆された表面は、５μｍ×５μｍである。
また、図３は、図２に示す光検出器を符号（１０）によって示しているような、平面図である。光検出器（１０）は、基板（１１）上に形成されている。複数の金属製ストリップ（図２におけるストリップ（１５，２５））の図示は、省略されている。
図３は、コンタクト（３５）に対して接続されかつ基板（１１）上に成膜された導電性トラック（３６）と、コンタクト（４５）に対して接続されかつ基板（１１）上に成膜された導電性トラック（４６）と、を示している。基板（１１）は、さらに、金属化領域（１２，１３）を支持している。これら金属化領域（１２，１３）は、光検出器（１０）と導電性トラック（３６，４６）とを囲んでいる。第１に、金属製トラック（１２，１３，４６）から構成されたアセンブリと、第２に、金属製トラック（１２，１３，３６）から構成されたアセンブリとは、生成された光電流信号の伝搬のための、制御されたインピーダンスを有した、同一平面的な２つのラインを形成している。
電極は、また、仏国特許出願公開第２ ８０３ ９５０号明細書に記載されているように、浮遊電位を有した互いに隣接する複数の導電性ストリップから形成することもできる。
図４Ａ〜図４Ｆは、本発明による光検出器に関し、電極ネットワークと関連コンタクトとの製造を例示している。これら図は、図１と同様の断面図である。
図４Ａは、基板（５１）を示している。基板（５１）は、下側ミラー（５２）と非吸収性層（５３）と活性層（５４）とからなる構造体を、支持している。基板がＧａＡｓから形成されている場合には、下側ミラーは、ブラッグミラーとすることができ、このブラッグミラーは、ＡｌＡｓ層とＡｌＧａＡｓ層との交互積層（８対をなす層、あるいは、１６対をなす層）とすることができる。非吸収性層は、ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓとすることができ、活性層は、ＧａＡｓ層とすることができる。活性層（５４）上には、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）からなる層（６０）を、厚さが１０ｎｍのものとして、形成した。電子的リソグラフィーによって層（６０）内に、活性層（５４）にまで到達するような複数の開口を形成した。これら開口は、電極ネットワークを形成するためのものである。したがって、各開口の幅は、１００ｎｍとすることができる。
その後、金または銀からなる層を、厚さを３０ｎｍとして、エッチング済みＰＭＭＡ層上に成膜した。この金または銀からなる層は、図４Ｂにおいては、符号（６１）によって示されている。層（６１）は、残部層（６０）上に、および、エッチングによって露出された部分に関しては、活性層（５４）をなす部分上に、支持されている。
次なるステップは、トリクロロエチレン内へとＰＭＭＡを溶解させることによる『リフトオフ（持ち去り）』操作を行うことである。得られた結果が、図４Ｃに示されている。活性層（５４）は、全体的に符号（６２）によって示された電極ネットワークを、支持している。
次に、樹脂層（７０）を、電極ネットワーク（６２）を支持している活性層（５４）上に成膜する。樹脂層（７０）に対して、光学的リソグラフィー操作とエッチング操作とを行うことにより、電極に関連するコンタクトを形成すべき部分において、活性層（５４）を露出させる。この様子は、図４Ｄに示されている。
次なるステップは、図４Ｅに示されている。図４Ｅは、電極ネットワークと同じ材料から形成されたあるいは他の材料から形成された層（７１）を示している。この層（７１）は、樹脂層（７０）上に成膜されており、また、エッチングによって樹脂層（７０）が露出された部分については、活性層（５４）上に成膜されている。層（７１）は、層（６１）（図４Ｂ参照）よりも厚いものとされている。
次なるステップは、さらなる『リフトオフ（持ち去り）』操作を行うことである。これにより、図４Ｆに示す構造が得られる。符号（７２）は、電極ネットワーク（６２）に関連するコンタクトを示している。
図５Ａ〜図５Ｃは、本発明による他の光検出器の製造に関する各ステップを示している。この変形例においては、下側ミラーが、金属層から構成されている。これら図は、図１と同様の断面図である。
図５Ａは、半導体基板（８０）を示している。半導体基板（８０）は、停止層（８５）と活性層（８４）と非吸収性層（８３）と下側ミラーをなす金属層（８２）とからなる構造体を、支持している。基板（８０）がＧａＡｓから形成されている場合には、停止層（８５）は、ＧａＩｎＰから形成することができ、活性層（８４）は、ＧａＡｓから形成することができ、非吸収性層（８３）は、ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓとすることができる。金属層（８２）は、二重層とすることができ、非吸収性層（８３）に対して隣接しているような、銀製の第１下層を有することができる。金属層（８２）は、その後の半田付けのために使用されることとなる第２下層を有している。この第２下層は、例えば、金およびゲルマニウム合金から構成することができる。下側ミラーは、さらに、多層誘電体ミラーとすることもできる。
図５Ｂは、支持体（８１）に対して固定された先の構造を示している。金属層（８２）と、支持体（８１）上に成膜された半田付け層（８６）と、の間において半田付けを行った。支持体（８１）は、使用されているプロセスに適合した任意の材料から形成することができる。
基板（８０）は、機械的研磨や機械的化学的研磨や化学的研磨によって、停止層（８５）に到達する程度にまで、除去される。停止層（８５）自体は、選択的化学エッチングによって除去される。これにより、図５Ｃに示すように、活性層（８４）を露出させることができる。
電極ネットワークと関連コンタクトとを得るためのその後のプロセスについては、図４Ａ〜図４Ｆを参照して上述した通りである。
本発明によって新規に提案されたＭＳＭ構造は、ブラッグミラーと、金からなる金属製の『波長よりも短い』ネットワークと、の間に共振キャビティを備えているものであって、１００ｎｍ未満の電極間間隔を有した４０ｎｍ厚さの活性層内において、入射光（０．８μｍという波長）の５０％以上を吸収するための手段を提供する。よって、効率は、吸収性を１回だけ通過することによって得られる場合よりも、２５倍大きなものである。この効率は、銀製ネットワークを使用することにより、また、ブラッグミラーの反射率を改良することにより、また、吸収性層の厚さを増大させることにより、かなり向上させることができる。
ＴＥ分極において実験的デバイスに関して得られた外部量子効率は、４０ｎｍ厚さの層内において、１５％である。５０％以上の効率を得ることの障害となるような技術的困難性が存在しないことは、明らかである。
本発明は、また、共振キャビティを使用した任意のタイプの光検出器に関して、適用することができる。複数の金属製電極からなるネットワークは、キャビティにおけるミラーとして、および、検出器の電気分極手段として、使用される。例えば、デバイスは、ＰＩＮタイプのコネクタとすることができる。このコネクタは、ＰＩＮ接合を形成するｐタイプおよびｎタイプの半導体層と、真性領域（ゾーンＩ）と、からなる積層体を備えている。積層体は、共振キャビティ内に配置される。例えば、ブラッグミラーと、複数の金属製電極からなるネットワークを備えたミラーと、からなる共振キャビティ内に配置される。このネットワークは、また、接合のｐ層またはｎ層を分極させるために使用することができる。デバイスは、さらに、ショットキータイプの検出器とすることができる。このデバイスは、ブラッグミラーと、複数の金属製電極からなるネットワークと、の間に介装された非吸収性半導体層から構成することができる。この場合、ネットワークは、キャビティのためのミラーとして、および、電気分極用電極として、および、吸収領域として、機能する。
１ 基板（支持体）
２ 下側ミラー（第１ミラー、反射手段）
３ 材料層
４ 活性層
５ 電極ネットワーク
５１ 基板（支持体）
５２ 下側ミラー（第１ミラー、反射手段）
５３ 材料層
５４ 活性層
６２ 電極ネットワーク
８１ 基板（支持体）
８２ 金属層、下側ミラー（第１ミラー、反射手段）
８３ 材料層
８４ 活性層
２ 下側ミラー（第１ミラー、反射手段）
３ 材料層
４ 活性層
５ 電極ネットワーク
５１ 基板（支持体）
５２ 下側ミラー（第１ミラー、反射手段）
５３ 材料層
５４ 活性層
６２ 電極ネットワーク
８１ 基板（支持体）
８２ 金属層、下側ミラー（第１ミラー、反射手段）
８３ 材料層
８４ 活性層
Claims (15)
- 入射光を検出し得るよう構成されたＭＳＭタイプの光検出器であって、
支持体（１，５１，８１）の第１面上に成膜されるとともに、ファブリペロータイプの共振キャビティの第１ミラーを形成するような、反射手段（２，５２，８２）と；
前記入射光を吸収しない材料から形成された材料層（３，５３，８３）と；
前記入射光を吸収する半導体材料から形成された活性層（４，５４，８４）と；
検出した信号を収集する複数の分極電極からなるネットワークと；
を具備し、
前記電極ネットワーク（５，６２）が、前記活性層の上に配置されるとともに、前記入射光の波長よりも短い一様間隔でもって配置された互いに平行な複数の導電性ストリップを備えて構成され、
前記電極ネットワーク（５，６２）が、前記共振キャビティのための第２ミラーを形成し、
この第２ミラーの光学的特性が、前記複数の導電性ストリップの幾何学的寸法によって決定され、
前記第１ミラーと前記第２ミラーとの離間距離が、これら２つのミラー間において前記入射光がファブリペロータイプの共振を起こし得るような距離とされていることを特徴とする光検出器。 - 請求項１記載の光検出器において、
前記第１ミラーを形成している前記反射手段が、ブラッグミラー（２，５２）から構成されていることを特徴とする光検出器。 - 請求項２記載の光検出器において、
前記ブラッグミラー（２，５２）が、ＡｌＡｓ層とＡｌＧａＡｓ層との交互積層、あるいは、ＧａＩｎＡｓＰ層とＩｎＰ層との交互積層、あるいは、ＡｌＧａＩｎＡｓ層とＡｌＩｎＡｓ層との交互積層、あるいは、ＡｌＧａＡｓＳｂ層とＡｌＡｓＳｂ層との交互積層、から構成されていることを特徴とする光検出器。 - 請求項１記載の光検出器において、
前記第１ミラーを形成している前記反射手段が、金属層（８２）から構成されていることを特徴とする光検出器。 - 請求項４記載の光検出器において、
前記第１ミラーを形成している前記金属層（８２）が、前記入射光に対して、銀表面、あるいは、金表面、あるいは、アルミニウム表面、を呈していることを特徴とする光検出器。 - 請求項１記載の光検出器において、
前記第１ミラーを形成している前記反射手段が、多層誘電体ミラーから構成されていることを特徴とする光検出器。 - 請求項１記載の光検出器において、
前記入射光を吸収しない前記材料層（３，５３，８３）が、ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓから形成され、
前記活性層（４，５４，８４）が、ＧａＡｓから形成されていることを特徴とする光検出器。 - 請求項７記載の光検出器において、
前記ｘが、０．３５とされていることを特徴とする光検出器。 - 請求項１記載の光検出器において、
前記入射光を吸収しない前記材料層（３，５３，８３）が、ＡｌＩｎＡｓから形成され、
前記活性層（４，５４，８４）が、ＩｎＧａＡｓから形成されていることを特徴とする光検出器。 - 請求項１記載の光検出器において、
前記電極ネットワーク（５，６２）が、相互噛合した２つの櫛形電極を形成していることを特徴とする光検出器。 - 請求項１記載の光検出器において、
前記電極ネットワーク（５，６２）が、互いに隣接配置されかつ浮遊電位とされた前記導電性ストリップから構成されていることを特徴とする光検出器。 - 請求項１記載の光検出器において、
前記導電性ストリップが、銀または金またはアルミニウムから形成されていることを特徴とする光検出器。 - 請求項１記載の光検出器において、
誘電体材料からなる保護層が、前記電極ネットワーク上に成膜されていることを特徴とする光検出器。 - 請求項１３記載の光検出器において、
前記保護層が、二酸化シリコンまたは窒化シリコンから形成されていることを特徴とする光検出器。 - 請求項１記載の光検出器において、
前記支持体の第２面が、電極を支持し、
前記電極に電界を印加することにより、電気光学効果によって、前記共振キャビティの共振波長が変化することを特徴とする光検出器。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR0209430A FR2842945B1 (fr) | 2002-07-25 | 2002-07-25 | Dispositif de photodetection de type msm et a cavite resonnante comprenant un miroir a reseau d'electrodes metalliques |
| FR02/09430 | 2002-07-25 | ||
| PCT/FR2003/002343 WO2004012275A2 (fr) | 2002-07-25 | 2003-07-24 | Dispositif de photodetection de type msm et a cavite resonnante comprenant un miroir a reseau d'electrodes metalliques |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006501638A true JP2006501638A (ja) | 2006-01-12 |
| JP4916664B2 JP4916664B2 (ja) | 2012-04-18 |
Family
ID=30011467
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004523876A Expired - Fee Related JP4916664B2 (ja) | 2002-07-25 | 2003-07-24 | 金属電極格子からなるミラーを備えた共鳴キャビティが設けられているｍｓｍタイプの光検出器 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7629663B2 (ja) |
| EP (1) | EP1525624B1 (ja) |
| JP (1) | JP4916664B2 (ja) |
| CN (1) | CN100442544C (ja) |
| AU (1) | AU2003269054A1 (ja) |
| CA (1) | CA2493465C (ja) |
| FR (1) | FR2842945B1 (ja) |
| WO (1) | WO2004012275A2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2010021073A1 (ja) * | 2008-08-18 | 2012-01-26 | 日本電気株式会社 | 半導体受光素子、光通信デバイス、光インターコネクトモジュール、光電変換方法 |
| JP2012514322A (ja) * | 2008-12-24 | 2012-06-21 | コミサリア ア エナジー アトミック エ オックス エナジーズ オルタネティヴ | 非常に薄い半導体領域を有する光検出器 |
| JP2015008326A (ja) * | 2007-09-24 | 2015-01-15 | クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド | 干渉式太陽電池セル |
| WO2019168175A1 (ja) * | 2018-03-01 | 2019-09-06 | 国立大学法人東京工業大学 | 光電変換素子 |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050158008A1 (en) * | 2003-09-05 | 2005-07-21 | Sae Magnetics (H.K.) Ltd. | Free space MSM photodetector assembly |
| DE102005051571B4 (de) * | 2005-10-21 | 2013-06-20 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Photodioden-Chip hoher Grenzfrequenz |
| JP4963120B2 (ja) * | 2006-02-14 | 2012-06-27 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 光電界効果トランジスタ，及びそれを用いた集積型フォトディテクタ |
| WO2008072688A1 (ja) | 2006-12-14 | 2008-06-19 | Nec Corporation | フォトダイオード |
| CN101882629B (zh) * | 2009-05-06 | 2011-08-31 | 中国科学院半导体研究所 | 可实现自旋存储探测和光探测器复合功能的器件 |
| CN101916792B (zh) * | 2009-11-17 | 2011-08-31 | 中国科学院半导体研究所 | 具有低暗电流特性的谐振腔增强型光电探测器 |
| FR2954853B1 (fr) * | 2009-12-24 | 2011-12-09 | Commissariat Energie Atomique | Photodetecteur a structure plasmon |
| FR2959352B1 (fr) * | 2010-04-23 | 2014-02-21 | Centre Nat Rech Scient | Structure nanometrique absorbante de type mim asymetrique et methode de realisation d'une telle structure |
| FR2971594B1 (fr) * | 2011-02-14 | 2017-03-10 | Centre Nat Rech Scient | Modulateur terahertz |
| WO2011147380A2 (zh) * | 2011-06-08 | 2011-12-01 | 华为技术有限公司 | 光发射机、光探测器和无源光网络系统 |
| CN103367473B (zh) * | 2012-03-31 | 2016-12-14 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种金属微腔光耦合太赫兹量子阱光子探测器 |
| US8829633B2 (en) | 2012-05-03 | 2014-09-09 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Self-aligned semiconductor ridges in metallic slits as a platform for planar tunable nanoscale resonant photodetectors |
| WO2013183178A1 (ja) * | 2012-06-05 | 2013-12-12 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光検出器 |
| FR2996356B1 (fr) * | 2012-09-28 | 2015-08-07 | Centre Nat Rech Scient | Composant photovoltaique a fort rendement de conversion |
| US8963274B2 (en) * | 2013-03-15 | 2015-02-24 | Sensors Unlimited, Inc. | Epitaxial structure for vertically integrated charge transfer gate technology in optoelectronic materials |
| CN103762220A (zh) * | 2014-01-17 | 2014-04-30 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 等离激元微腔耦合结构的高线性偏振度量子阱红外探测器 |
| US9324747B2 (en) | 2014-03-13 | 2016-04-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Imaging device |
| CN104241414B (zh) * | 2014-09-09 | 2016-08-24 | 华中科技大学 | 基于超材料的毫米波单谱信号探测器及其制备方法 |
| KR101711440B1 (ko) | 2015-12-16 | 2017-03-03 | 위덕대학교 산학협력단 | 다결정실리콘 광검출기의 제조방법 |
| CN109326616A (zh) * | 2018-09-14 | 2019-02-12 | 哈尔滨工业大学 | 一种低暗电流的大阵面铟砷化镓msm结构光电混频探测器阵列及其制造方法 |
| CN109817730A (zh) * | 2018-12-29 | 2019-05-28 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 一种光探测器和光探测器的制作方法 |
| FR3093235B1 (fr) | 2019-02-27 | 2021-03-12 | Commissariat Energie Atomique | Structure de détection de rayonnement électromagnétique à haute efficacité d’absorption et un procédé de fabrication d’une telle structure |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0846593A (ja) * | 1994-07-26 | 1996-02-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 波長多重発光装置および受光装置 |
| JPH0955532A (ja) * | 1995-08-14 | 1997-02-25 | Sony Corp | 半導体受光素子 |
| JP2001044451A (ja) * | 1999-08-02 | 2001-02-16 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 半導体受光素子 |
| JP2002100799A (ja) * | 2000-09-25 | 2002-04-05 | Canon Inc | 半導体受光素子、半導体発光受光装置、およびその作製方法 |
| JP2002111042A (ja) * | 2000-09-27 | 2002-04-12 | Toshiba Corp | 赤外線検出方法 |
| JP2002151731A (ja) * | 2000-11-06 | 2002-05-24 | Agere Systems Optoelectronics Guardian Corp | 共振空洞で強化されるプレーナ型受光素子 |
| JP2003163361A (ja) * | 2001-11-29 | 2003-06-06 | Mitsubishi Electric Corp | 受光素子および光通信デバイス |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5227648A (en) * | 1991-12-03 | 1993-07-13 | Woo Jong Chun | Resonance cavity photodiode array resolving wavelength and spectrum |
| GB9322246D0 (en) * | 1993-10-28 | 1993-12-15 | Hitachi Europ Ltd | Improved metal-semiconductor-metal photodetector |
| US5663639A (en) * | 1994-01-18 | 1997-09-02 | Massachusetts Institute Of Technology | Apparatus and method for optical heterodyne conversion |
| CN1122520A (zh) * | 1994-12-20 | 1996-05-15 | 解青华 | 高光电转换效率的金属-半导体复合膜 |
| EP0723302B1 (en) * | 1995-01-23 | 2001-08-22 | AGENCY OF INDUSTRIAL SCIENCE & TECHNOLOGY MINISTRY OF INTERNATIONAL TRADE & INDUSTRY | Photo-receiving device |
| FR2803950B1 (fr) * | 2000-01-14 | 2002-03-01 | Centre Nat Rech Scient | Dispositif de photodetection a microresonateur metal- semiconducteur vertical et procede de fabrication de ce dispositif |
| US6528827B2 (en) * | 2000-11-10 | 2003-03-04 | Optolynx, Inc. | MSM device and method of manufacturing same |
-
2002
- 2002-07-25 FR FR0209430A patent/FR2842945B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-07-24 WO PCT/FR2003/002343 patent/WO2004012275A2/fr active Application Filing
- 2003-07-24 CA CA2493465A patent/CA2493465C/fr not_active Expired - Fee Related
- 2003-07-24 US US10/521,879 patent/US7629663B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-07-24 JP JP2004523876A patent/JP4916664B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-07-24 EP EP03750840.5A patent/EP1525624B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 2003-07-24 AU AU2003269054A patent/AU2003269054A1/en not_active Abandoned
- 2003-07-24 CN CNB03817894XA patent/CN100442544C/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0846593A (ja) * | 1994-07-26 | 1996-02-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 波長多重発光装置および受光装置 |
| JPH0955532A (ja) * | 1995-08-14 | 1997-02-25 | Sony Corp | 半導体受光素子 |
| JP2001044451A (ja) * | 1999-08-02 | 2001-02-16 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 半導体受光素子 |
| JP2002100799A (ja) * | 2000-09-25 | 2002-04-05 | Canon Inc | 半導体受光素子、半導体発光受光装置、およびその作製方法 |
| JP2002111042A (ja) * | 2000-09-27 | 2002-04-12 | Toshiba Corp | 赤外線検出方法 |
| JP2002151731A (ja) * | 2000-11-06 | 2002-05-24 | Agere Systems Optoelectronics Guardian Corp | 共振空洞で強化されるプレーナ型受光素子 |
| JP2003163361A (ja) * | 2001-11-29 | 2003-06-06 | Mitsubishi Electric Corp | 受光素子および光通信デバイス |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015008326A (ja) * | 2007-09-24 | 2015-01-15 | クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド | 干渉式太陽電池セル |
| JPWO2010021073A1 (ja) * | 2008-08-18 | 2012-01-26 | 日本電気株式会社 | 半導体受光素子、光通信デバイス、光インターコネクトモジュール、光電変換方法 |
| US8466528B2 (en) | 2008-08-18 | 2013-06-18 | Nec Corporation | Semiconductor light-receiving element, optical communication device, optical interconnect module, and photoelectric conversion method |
| JP2012514322A (ja) * | 2008-12-24 | 2012-06-21 | コミサリア ア エナジー アトミック エ オックス エナジーズ オルタネティヴ | 非常に薄い半導体領域を有する光検出器 |
| US8698207B2 (en) | 2008-12-24 | 2014-04-15 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Photodetector having a very thin semiconducting region |
| WO2019168175A1 (ja) * | 2018-03-01 | 2019-09-06 | 国立大学法人東京工業大学 | 光電変換素子 |
| JPWO2019168175A1 (ja) * | 2018-03-01 | 2020-12-17 | 国立大学法人東京工業大学 | 光電変換素子 |
| JP7075605B2 (ja) | 2018-03-01 | 2022-05-26 | 国立大学法人東京工業大学 | 光電変換素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN100442544C (zh) | 2008-12-10 |
| WO2004012275A3 (fr) | 2004-04-08 |
| AU2003269054A8 (en) | 2004-02-16 |
| US7629663B2 (en) | 2009-12-08 |
| JP4916664B2 (ja) | 2012-04-18 |
| FR2842945B1 (fr) | 2005-11-11 |
| WO2004012275A2 (fr) | 2004-02-05 |
| US20060151807A1 (en) | 2006-07-13 |
| CA2493465A1 (fr) | 2004-02-05 |
| FR2842945A1 (fr) | 2004-01-30 |
| EP1525624A2 (fr) | 2005-04-27 |
| EP1525624B1 (fr) | 2018-03-28 |
| CA2493465C (fr) | 2012-08-28 |
| AU2003269054A1 (en) | 2004-02-16 |
| CN1672267A (zh) | 2005-09-21 |
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| A521 | Written amendment |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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