JP2007305705A - 光検知装置およびその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】広い温度範囲で高感度の光検知を行うことを可能とする。
【解決手段】埋め込み層16と、埋め込み層16によって埋め込まれた量子ドット15aと、を有する量子ドット構造15と、動作時に、量子ドット構造15に対して垂直方向に流れる電子の量子ドット構造15下流側に、埋め込み層12,14と、禁制帯幅が埋め込み層12,14よりも小さい量子井戸層13aを有する量子井戸構造13が形成されることで、光検知部10aの電子が超えなくてはならない電位障壁の温度依存性が小さくなり、埋め込み層14の高温時の電位障壁が低下する。
【選択図】図1

Description

本発明は光検知装置およびその製造方法に関し、特に量子ドットを有する光検知装置およびその製造方法に関する。
従来、光検知装置の光検知部に量子井戸層を有する量子井戸構造を用いた光検知装置が利用されていた(例えば、特許文献1参照。)。
この量子井戸層を、例えば、ガリウム砒素(GaAs)系の半導体材料により構成することにより、これまで困難とされていた波長が10μm程度の赤外光を検知することが可能となった。
しかし、量子井戸構造を利用した光検知装置は、量子井戸層の積層面に対して垂直に入射する光を検知しない。このため、量子井戸層の積層面に対して入射する光をほぼ平行にするための特殊な光学系装置や回折格子を設けるなどの工夫を要した。この結果、量子井戸構造を利用した光検知装置の構成は複雑となり、製造コストが大きくなるという問題があった。一方、この量子井戸構造を利用した光検知装置において、雑音源になりうる暗電流が動作温度に対して指数関数的に増大するという問題があった。このため、量子井戸構造を利用した光検知装置は、実用化を図るうえで重要な77Kでの動作が難しく、暗電流の影響を無視できる温度まで冷却しなくてはならず、冷却するためのコストも大きくなるという課題もあった。
そこで、光検知部に量子井戸構造の代わりに量子ドットを有する量子ドット構造を利用した光検知装置が提案された(例えば、非特許文献1参照。)。
量子ドット構造を利用した光検知装置は、光検知部の量子ドット構造の積層面に対して、垂直に入射する光を検知することができる。そして、光励起されたキャリアが再び量子ドットに捕獲される確率が少ないことから、高い光電流利得を有し、高い感度が得られることが期待される。さらに、光検知部に量子ドット構造を利用すると、比較的高い温度でも暗電流に埋もれずに信号電流の検出が期待される。このため、暗電流制御のための量子ドット構造の冷却装置の簡素化が可能となり、光検知装置の小型化および冷却コストの削減も期待される。
特開2000−323742号公報 セミコンダクターサイエンスアンドテクノロジー(Semiconductor Science and Technology)1996,Vol.11,p.759−p.765
しかし、実際に、量子ドット構造を利用した光検知装置を作製すると、光検知部の温度上昇に伴い、急激に光検知の感度が劣化してしまうという問題があった。
この原因の1つとして、光検知部の温度上昇による電子の放出確率の低下が挙げられる。以下、この機構について説明する。
図5は量子ドット構造を利用した光検知装置の要部断面模式図、図6は図5に示した光検知装置の伝導帯電位分布の模式図である。図5の光検知装置100は、基板101上に、単一の埋め込み層102が形成され、さらにその上に量子ドット105aおよび単一の埋め込み層106を有する量子ドット構造105が順に形成されることにより構成されている。そして、図6は図5のX−X’のフェルミ順位を基準とした伝導帯電位分布を模式的に表したものであり、量子ドット105aのポテンシャルエネルギー105b、フェルミ順位(E)、低温時の伝導帯端(Ec1)および高温時の伝導帯端(Ec2)がそれぞれ示されている。
一般に、伝導帯端(E)とEとの差である、半導体層によって生じている電位障壁E−Eは、電荷中性条件から、次式(1)で表すことができる。
−E=kT×ln(N/N)・・・(1)
なお、式(1)において、kはボルツマン定数、Tは光検知部100aの温度、Nは埋め込み層102,106の伝導帯有効状態密度、Nは不純物密度である。
この式(1)から示されるように、電位障壁E−Eは光検知部100aの温度に比例して大きくなる。すなわち、図6に示したように、光検知部100aの温度の上昇に比例して、量子ドット構造105近傍における電位障壁は、大きく(Ec2−E>Ec1−E)なることがわかる。
このため、光検知部100aの量子ドット構造105の光吸収により、光のエネルギーを得て、励起された電子が光電流として放出される過程において、光検知部100aの温度が高くなると、電位障壁も大きくなるため、電子の放出確率が低下する。この結果、光検知装置100の光検知の感度が急激に低下してしまう。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、広い温度範囲で高感度の光検知を行うことが可能な光検知装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
本発明では上記課題を解決するために、図1に示すように、量子ドットを有する光検知装置において、埋め込み層16と、埋め込み層16によって埋め込まれた量子ドット15aと、を有する量子ドット構造15と、動作時に、量子ドット構造15に対して垂直方向に流れる電子の量子ドット構造15下流側に形成され、埋め込み層12,14と、埋め込み層12,14に挟まれ、禁制帯幅が埋め込み層12,14よりも小さい量子井戸層13aと、を有する量子井戸構造13と、を有することを特徴とする光検知装置10が提供される。
上記の構成によれば、埋め込み層16と、埋め込み層16によって埋め込まれた量子ドット15aと、を有する量子ドット構造15と、動作時に、量子ドット構造15に対して垂直方向に流れる電子の量子ドット構造15下流側に、埋め込み層12,14と、禁制帯幅が埋め込み層12,14よりも小さい量子井戸層13aを有する量子井戸構造13が形成されることで、光検知部10aの電子が超えなくてはならない電位障壁の温度依存性が小さくなり、埋め込み層14の高温時の電位障壁が低下する。
また、本発明では、量子ドットを有する光検知装置の製造方法において、第1の埋め込み層と、前記第1の埋め込み層によって埋め込まれた量子ドットと、を有する量子ドット構造を形成する工程と、動作時に、前記量子ドット構造に対して垂直方向に流れる電子の前記量子ドット構造下流側に形成され、第2,第3の埋め込み層と、前記第2,第3の埋め込み層に挟まれ、禁制帯幅が前記第2,第3の埋め込み層よりも小さい量子井戸層と、を有する量子井戸構造を形成する工程と、を有することを特徴とする光検知装置の製造方法が提供される。
上記の方法によれば、第1の埋め込み層と、第1の埋め込み層によって埋め込まれた量子ドットと、を有する量子ドット構造が形成され、動作時に、量子ドット構造に対して垂直方向に流れる電子の量子ドット構造下流側に形成され、第2,第3の埋め込み層と、第2,第3の埋め込み層に挟まれ、禁制帯幅が第2,第3の埋め込み層よりも小さい量子井戸層と、を有する量子井戸構造が形成されるので、光検知部の電位障壁が温度に依存されなくなり、高温時の埋め込み層の電位障壁が低下される。
本発明の光検知装置によれば、埋め込み層と、この埋め込み層によって埋め込まれた量子ドットと、を有する量子ドット構造を形成し、動作時に、量子ドット構造に対して垂直方向に流れる電子の量子ドット構造下流側に、埋め込み層と、禁制帯幅がその埋め込み層よりも小さい量子井戸層とを有する量子井戸構造を形成するため、光検知部の電位障壁の温度依存性が小さくなり、高温時の埋め込み層の電位障壁を低下させることができる。これにより、高温環境下での使用において、光検知の感度の低下を防ぐことができる光検知装置を製造することができるようになる。
また、本発明の光検知装置の製造方法によれば、埋め込み層と、この埋め込み層によって埋め込まれた量子ドットと、を有する量子ドット構造を形成でき、動作時に、量子ドット構造に対して垂直方向に流れる電子の量子ドット構造下流側に、埋め込み層と、禁制帯幅がその埋め込み層よりも小さい量子井戸層とを有する量子井戸構造を形成することができるため、光検知部の電位障壁の温度依存性を小さくすることができ、高温時の埋め込み層の電位障壁を低下させることができる。このため、高温環境下での使用において、高感度の光検知部を有する光検知装置を製造することができるようになる。
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。
まず、光検知装置の動作原理について説明する。
図1は光検知装置の要部断面模式図である。
光検知装置10は、半導体基板11上に、埋め込み層12、量子井戸層13aおよび埋め込み層14を有する量子井戸構造13と、量子ドット15aおよび量子ドット15aの上部に埋め込み層16を有する量子ドット構造15により構成されている。なお、光検知装置10は、図5の光検知装置100と異なり、量子井戸層13aが設けられている。そして、量子井戸層13aの禁制帯幅は、埋め込み層12,14の禁制帯幅よりも小さいものとする。
なお、上記構成の光検知装置10は、動作時に、積層面に垂直方向下向きに電子を流す時のものである。
ここでは、簡単のため1準位系を例に、光検知装置10の光検知部10aの温度と電位障壁について簡単に説明する。
光検知装置10において、量子井戸層13aに不純物濃度Nとして不純物を添加すると、量子井戸層13a中に形成される量子準位Eに捕獲される電子数nは、量子井戸層13aのポテンシャルエネルギーの幅をLとすると、電子数n=NLと表され、さらに、次式(2)と表すことができる。
n=4πmkT/hln{1+(E−E/kT)}・・・(2)
なお、式(2)において、mは電子の有効質量、hはプランク定数である。
この時、電位障壁E−Eは、
−E=E−E−kT×ln{exp(nh/4πmkT)−1}・・・(3)
と表すことができる。
図2は、光検知部の電位障壁の温度依存性を示した図である。具体的には、N=1×1016cm−3、L=25nm、m=0.067m(m:電子の静止質量)、E−E=137meVとした時の式(1)および式(3)を比較したものである。図2の式(1)によれば、例えば、図5の光検知装置100において、量子ドット構造105で構成される光検知部100a場合、この電位障壁E−Eは、温度上昇に比例して大きくなっている。一方、図2の式(3)によれば、図1の光検知装置10において、量子ドット構造15および量子井戸構造13で構成される光検知部10aの電位障壁E−Eは、温度上昇に比例せずほぼ一定であることがわかる。
図3は、光検知装置の伝導帯電位分布の模式図である。図3は、図1のY−Y’のフェルミ準位を基準とした伝導帯電位分布を模式的に表しており、量子ドット15aのポテンシャルエネルギー15b、量子井戸層13aのポテンシャルエネルギー13b、E、Ec1およびEc2がそれぞれ示されている。禁制帯幅が埋め込み層12,14よりも小さい量子井戸層13aを設けることにより、高温時に電子が超えなくてはならない電位障壁Ec2−Eの高さが、量子ドット構造105で構成される光検知部100aの電位障壁の高さと比べて低下する。
以上のことから、光検知装置10は、量子ドット構造15と、埋め込み層12,14と禁制帯幅が埋め込み層12,14よりも小さい量子井戸層13aを有する量子井戸構造13と、を光検知部10aに設けることによって、埋め込み層14における電位障壁が小さくなる。すなわち、光検知部10aの量子ドット構造15の光吸収により、光エネルギーを得て、励起された電子が光電流として放出される過程において、電子が超えなくてはならない電位障壁の温度依存性が小さくなり、高温環境下での使用においても、光検知装置10の光検知の感度の低下を防ぐことが可能となる。
なお、ここでは、動作時に積層面に垂直方向下向きに電子を流す場合の構成を例にして述べたが、積層面に垂直方向上向きに電子を流す場合では、上述の積層との順序が逆となる。すなわち、下から順に、量子ドット構造15および量子井戸構造13を形成するように構成する。
次に、光検知装置について具体的に説明する。
図4は、光検知装置の要部断面模式図である。
図4に示す光検知装置50は、光検知部50aが量子井戸構造55と量子ドット構造57の組み合わされた構造が複数回積層されることにより構成されている。なお、図4は光検知装置50の積層面に垂直方向下向きに電子を流す場合の構成を図示している。
光検知装置50は、GaAs基板51上にGaAs緩衝層52が形成され、GaAs緩衝層52上にGaAs下部コンタクト層53が形成され、GaAs下部コンタクト層53上に、アルミニウムガリウム砒素(AlGaAs)埋め込み層54、GaAs量子井戸層55aおよびAlGaAs埋め込み層56を有する量子井戸構造55が形成され、量子井戸構造55上に、インジウム砒素(InAs)量子ドット57aおよびAlGaAs埋め込み層58を有する量子ドット構造57が形成され、この量子井戸構造55と量子ドット構造57の組み合わされた構造が複数回形成され、量子ドット構造57上に、GaAs上部コンタクト層59が形成されることで構成されている。このような構成の光検知装置50は、例えば、次のようにして形成される。
まず、GaAs基板51上に、分子線エピタキシー(MBE:Molecular Beam Epitaxy)法により、GaAs緩衝層52、GaAs下部コンタクト層53を順次形成する。この時、各層の膜厚が、GaAs緩衝層52では100nm、GaAs下部コンタクト層53では500nmとなるように形成する。また、GaAs下部コンタクト層53の不純物濃度が1×1018cm−3となるように、シリコン(Si)をGaAs下部コンタクト層53にドーピングする。
続いて、GaAs下部コンタクト層53上に、AlGaAs埋め込み層54、GaAs量子井戸層55aおよびAlGaAs埋め込み層56を、MBE法を用いて、基板温度580℃で、AlGaAs埋め込み層54,56の膜厚が12.5nmおよびアルミニウム(Al)組成は15%、およびGaAs量子井戸層55aの膜厚が25nmとなるように成長させ、量子井戸構造55を形成する。なお、GaAs量子井戸層55aは、上述の光検知装置の動作構成にて説明した通り、禁制帯幅がAlGaAs埋め込み層54,56よりも小さい禁制帯幅を有するようにする。
続いて、量子井戸構造55上に、InAsを材料として、SK(Stranski−Krasnotav)成長を用いて、供給速度を0.1分子層毎秒、総供給量2.3分子層相当を基板温度500℃で供給し、InAs量子ドット57aを形成する。形成されたInAs量子ドット57aの形状は、同じ成長条件の試料で評価したところでは、高さが6.5nm、横が35nmの形状であった。次いで、InAs量子ドット57a上に埋め込み層として、MBE法を用いて、基板温度580℃として、AlGaAs埋め込み層58をその膜厚12.5nmおよびAl組成が15%となるように形成し、量子ドット構造57が構成される。
続いて、量子井戸構造55と量子ドット構造57の組み合わされた構造を所望の回数、例えば、10回繰り返し形成することにより、多層量子ドット構造を形成する。
最後に、多層量子ドット構造の最上層上に、GaAs上部コンタクト層59を膜厚が50nm形成することにより、光検知装置50が作製される。
このように作製された光検知装置50に、公知半導体プロセス技術を用いて、必要な電極などを形成することにより、光検知装置50を有する光検知器を作製することができる。
上記のような構成を有する光検知装置50によれば、量子ドット構造57を複数回積層することにより光検知の感度を上げることができると共に、光検知部50aに量子ドット構造57と量子井戸構造55を設けることによって、埋め込み層におけるフェルミ準位の温度依存性を小さくすることができる。すなわち、光吸収によって光のエネルギーを得た電子が量子ドット構造から放出される過程において、電子が超えなくてはならない電位障壁の高さの温度依存性が小さくなるため、光検知部50aが高温時の光検知の感度の低下を防ぐことが可能となる。その結果、比較的高い動作温度において高性能かつ信頼性の高い光検知装置が実現可能となる。
なお、上記の光検知装置50の構成の説明において、結晶成長法として、MBE法を例に説明したが、その他の公知結晶成長法として、例えば、有機金属気相成長法(MOCVD:Metal Organic Chemical Vapor Deposition)などを用いても同様の効果を得ることができる。また、GaAs緩衝層52、GaAs下部,上部コンタクト層53,59、GaAs量子井戸層55a、AlGaAs埋め込み層54,56,58およびInAs量子ドット57aについては、例えば、InAs量子ドット57aでは、InAsの代わりに、インジウムガリウム砒素(InGaAs)を用いるなど、光検知装置50の設計に応じて、材料、膜厚および不純物濃度などを適宜変化させることが可能である。
光検知装置の要部断面模式図(その1)である。 光検知部の電位障壁の温度依存性を示した図である。 光検知装置の伝導帯電位分布の模式図である。 光検知装置の要部断面模式図(その2)である。 量子ドット構造を利用した光検知装置の要部断面模式図である。 図5に示した光検知装置の伝導帯電位分布の模式図である。
符号の説明
10 光検知装置
10a 光検知部
11 半導体基板
12,14,16 埋め込み層
13 量子井戸構造
13a 量子井戸層
15 量子ドット構造
15a 量子ドット

Claims (10)

  1. 量子ドットを有する光検知装置において、
    第1の埋め込み層と、前記第1の埋め込み層によって埋め込まれた量子ドットと、を有する量子ドット構造と、
    動作時に、前記量子ドット構造に対して垂直方向に流れる電子の前記量子ドット構造下流側に形成され、第2,第3の埋め込み層と、前記第2,第3の埋め込み層に挟まれ、禁制帯幅が前記第2,第3の埋め込み層よりも小さい量子井戸層と、を有する量子井戸構造と、
    を有することを特徴とする光検知装置。
  2. 前記量子ドット構造と、前記量子井戸構造と、を交互に複数回積層することを特徴とする請求項1記載の光検知装置。
  3. 前記第1,第2,第3の埋め込み層に、アルミニウムガリウム砒素を用いることを特徴とする請求項1記載の光検知装置。
  4. 前記量子ドットに、インジウム砒素またはインジウムガリウム砒素を用いることを特徴とする請求項1記載の光検知装置。
  5. 前記量子井戸層に、ガリウム砒素を用いることを特徴とする請求項1記載の光検知装置。
  6. 量子ドットを有する光検知装置の製造方法において、
    第1の埋め込み層と、前記第1の埋め込み層によって埋め込まれた量子ドットと、を有する量子ドット構造を形成する工程と、
    動作時に、前記量子ドット構造に対して垂直方向に流れる電子の前記量子ドット構造下流側に形成され、第2,第3の埋め込み層と、前記第2,第3の埋め込み層に挟まれ、禁制帯幅が前記第2,第3の埋め込み層よりも小さい量子井戸層と、を有する量子井戸構造を形成する工程と、
    を有することを特徴とする光検知装置の製造方法。
  7. 前記量子ドット構造と、前記量子井戸構造と、を交互に複数回積層することを特徴とする請求項6記載の光検知装置の製造方法。
  8. 前記第1,第2,第3の埋め込み層に、アルミニウムガリウム砒素を用いることを特徴とする請求項6記載の光検知装置の製造方法。
  9. 前記量子ドットに、インジウム砒素またはインジウムガリウム砒素を用いることを特徴とする請求項6記載の光検知装置の製造方法。
  10. 前記量子井戸層に、ガリウム砒素を用いることを特徴とする請求項6記載の光検知装置の製造方法。
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