JP5082233B2 - 赤外線検知器の製造方法 - Google Patents
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図8参照
図8は、従来の変調ドープ法による量子ドット構造の概念的要部断面図であり、量子ドット埋込層51上に量子ドット53を形成したのち、量子ドット埋込層54を成長させる際に、量子ドット53から離れた位置にSiを選択的にドープして変調ドープ層55を設けたものである。
なお、図における符号52は量子ドット形成に伴う濡れ層であり、また、実際のQDIPにおいては、この様な量子ドット構造を数層から数十層積層した多層構造になっている。
図9は、変調ドープ型QDIPの量子ドットの近傍における要部の伝導帯端のプロファイルであり、実線で示す変調ドープした場合に、破線で示す従来例に比べて伝導帯端が引き下げられる。
その結果、本来、φa であった電位障壁がφb に低下して低電位側の電極層の電子56が高電位側の電極層に流れて暗電流となる。
即ち、系が熱平衡であるとき、系全体でフェルミエネルギーは一定となることから、概ね、両端に設けたn型電極層(図示を省略)のフェルミエネルギー位置である伝導帯端と量子ドット53の基底準位が一定のエネルギー位置となるように、量子ドット積層部分の伝導帯端が盛り上がる。
図10は、ドットドープ法による量子ドット構造の概念的要部断面図であり、量子ドット埋込層61上にn型量子ドット63を形成したのち、量子ドット埋込層64を成長させたものである。
なお、この場合の量子ドット形成に伴う濡れ層はn型濡れ層62となり、実際のQDIPにおいては、この様な量子ドット構造を数層から数十層積層した多層構造になっている。
図11は、ドットドープ型QDIPの量子ドットの近傍における要部の伝導帯端のプロファイルであり、実線で示す変調ドープした場合に、破線で示す従来例に比べて伝導帯端が引き下げられる。
その結果、本来、φa であった電位障壁がφc に低下して低電位側の電極層の電子67が高電位側の電極層に流れて暗電流となる。
この場合も破線で示す従来例における伝導帯端の盛り上がりは、多層積層構造による伝導帯端の盛り上がりを模式的に示したものである。
なお、図における符号6は量子ドット埋込層である。
図1参照
上記課題を解決するために、本発明は、赤外線検知器の製造方法において、量子ドットとなる材料の供給を開始してから実際に量子ドット構造が形成されるまでの間、電気的特性を制御するための不純物材料の供給を行い、量子ドット形成開始直後に不純物材料の供給を停止することを特徴とする。
この格子歪を利用したストランスキー−クラスタノフ(Stranski−Krastanov)結晶成長モードでは、下地層1上に量子ドット4となる半導体材料を供給すると、その初期においては下地の結晶構造を引き継いだ形で面状に成長が生じ、さらに供給を続けると、下地材料との格子定数の違いによる歪のエネルギーを緩和するため、この面状の構造から再配列を起こして3次元的な量子ドット構造を形成する。
即ち、SKモードでの量子ドット4の形成過程における2次元的(面状)成長から3次元的成長に遷移は、特に、分子線エピタキシャル成長法では、反射型高エネルギー電子線回折装置(RHEED)により検知可能であるので、この検知情報を用いれば良い。
図2参照
図2は、本発明の実施例に用いる半導体結晶成長装置の概念的構成図であり、通常の分子線エピタキシャル結晶成長装置にRHEED装置を設けたものである。
図3はRHEED観察による反射電子線強度の量子ドット形成過程依存性の説明図であり、SK成長モードによる量子ドット成長過程において、成長中の結晶表面をRHEED観察することにより、その反射電子線強度が図に示すように時間的に変化することが知られている(例えば、中田、菅原,”Molecular Beam Epitaxial Growth of Self−Assembled InAs/GaAs Quantum Dots”、菅原編”Self−Assembled InGaAs/GaAs Quantum Dots”(Semiconductors And Semimetals Vol.60),Academic Press(USA),1999参照)。
図4参照
図4は、量子ドット形成開始時点の検出方法の説明図であり、一定区間Tの間の反射電子線強度の平均値Na ,Nb をその一周期前の平均値Na-1 ,Nb-1 と比較し、その値があらかじめ決められた値よりも大きくなった時に、量子ドット形成開始時点と判断する。
なお、その値は、暗電流が許容できる程度に小さくなる数値を具体的埋込材料及び量子ドット材料を用いた実験によって定める。
なお、この場合の継続周期数も、暗電流が許容できる程度に小さくなる数値を具体的埋込材料及び量子ドット材料を用いた実験によって定める。
図5参照
まず、図2に示した半導体結晶成長装置を用いて、分子線エピタキシャル成長法によって、例えば、600℃の基板温度において、半絶縁性GaAs基板31上に厚さが、例えば、100nmのi型GaAsバッファ層32、厚さが、例えば、1000nmでSi濃度が2×1018cm-3のn型GaAs下部電極層33、及び、i型GaAs下地層34を順次堆積させる。
この量子ドット構造の形成開始時点を上述のRHEED観察による反射電子線強度の変化により検知してSiの供給を停止する。
図7は、In,As及びSiの供給のタイムチャートであり、時点AでInとSiの供給を開始し、量子ドットの成長が開始した時点BでSiの供給と停止する。
なお、Asは量子ドットの形成の前後にi型GaAs層を形成するために連続して供給する。
次いで、InAsの供給を停止してGaAsを供給することによって厚さが、例えば、50nmのi型GaAs層39を成長させて量子ドット37を埋め込む。
以降は、このような工程を必要とする積層数、例えば、9回繰り返すことによって、計10層の量子ドット層を成長させたのち、基板温度600℃に昇温し、厚さが、例えば、1000nmでSi濃度が2×1018cm-3のn型GaAs上部電極層40を順次堆積させる。
2 量子ドット層
3 濡れ層
4 量子ドット
5 過剰成長層
6 量子ドット埋込層
11 結晶成長槽
12 材料供給器
13 材料供給制御装置
14 試料
15 電子銃
16 反射電子
17 蛍光スクリーン
18 光ファイバー
19 受光装置
20 終点検出装置
31 半絶縁性GaAs基板
32 i型GaAsバッファ層
33 n型GaAs下部電極層
34 i型GaAs下地層
35 n型InAs濡れ層
36 n型量子ドット
37 量子ドット
38 i型InAs過剰成長層
39 i型GaAs層
40 n型GaAs上部電極層
41 電極
42 電極
51 量子ドット埋込層
52 濡れ層
53 量子ドット
54 量子ドット埋込層
55 変調ドープ層
56 電子
61 量子ドット埋込層
62 n型濡れ層
63 n型量子ドット
64 量子ドット埋込層
65 n型過剰成長層
66 量子ドット
67 電子
Claims (2)
- 量子ドットとなる材料の供給を開始してから実際に量子ドット構造が形成されるまでの間、電気的特性を制御するための不純物材料の供給を行い、量子ドット形成開始直後に不純物材料の供給を停止することを特徴とする赤外線検知器の製造方法。
- 前記量子ドットとなる材料及び不純物材料の供給開始後、反射型高エネルギー電子線回折の反射電子線強度変化により量子ドット構造の形成開始を検知して前記不純物材料の供給を停止することを特徴とする請求項1に記載の赤外線検知器の製造方法。
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JP2005354559A JP5082233B2 (ja) | 2005-12-08 | 2005-12-08 | 赤外線検知器の製造方法 |
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