JP5302270B2 - 量子ドット型赤外線検知素子及び量子ドット型赤外線撮像装置 - Google Patents
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Description
2 量子ドット
3 中間層
4,5 スペーサ層
6,7 電極形成層
11 半絶縁性GaAs基板
12 n型GaAs層
13 i型Al0.2Ga0.8Asスペーサ層
14 InAs量子ドット
15 i型Al0.2Ga0.8As中間層
16 量子ドット積層構造
17 i型Al0.2Ga0.8Asスペーサ層
18 n型GaAs層
19 陰極
20 陽極
21 検知器
22 電源
31 量子ドット型赤外線検知器
32 Si集積回路装置
33 バンプ
51 量子ドット積層構造
52 量子ドット
53 中間層
54,55 電極形成層
56 伝導帯側量子準位
57,58,59,61 電子
60 赤外線
Claims (3)
- 複数のIn1−xGaxAs(0≦x<1)組成の量子ドットからなる量子ドット層と前記量子ドット層を挟み込むとともに前記量子ドットよりバンドギャップが広いAlyGa1−yAs(0≦y≦1)組成の中間層からなる積層構造を複数積層した量子ドット積層構造と、前記量子ドット積層構造を挟み込む上下のAlzGa1−zAs(0≦z≦1)組成のスペーサ層と、前記上下のスペーサ層の外側に設ける上下の電極形成層とを有し、
前記上下の各スペーサ層の厚さの前記量子ドット積層構造の厚さに対する比が、0.5〜1.4であり、且つ、前記中間層の厚さが30nm以上である量子ドット型赤外線検知素子。 - 前記スペーサ層のAl組成比zが、前記中間層のAl組成比yと等しい請求項1に記載の量子ドット型赤外線検知素子。
- 複数のIn1−xGaxAs(0≦x<1)組成の量子ドットからなる量子ドット層と前記量子ドット層を挟み込むとともに前記量子ドットよりバンドギャップが広いAlyGa1−yAs(0≦y≦1)組成の中間層からなる積層構造を複数積層した量子ドット積層構造と、前記量子ドット積層構造を挟み込む上下のAlzGa1−zAs(0≦z≦1)組成のスペーサ層と、前記上下のスペーサ層の外側に設ける上下の電極形成層とを有し、前記上下の各スペーサ層の厚さの前記量子ドット積層構造の厚さに対する比が、0.5〜1.4であり、且つ、前記中間層の厚さが30nm以上である量子ドット型赤外線検知素子をマトリクス状に形成するとともに、前記各量子ドット型赤外線検知素子の陽極側の電極形成層に突起状電極を設けた量子ドット型赤外線検知器と、前記各突起状電極に対応する位置に接続パッドを有するとともに、信号処理回路を備えた半導体集積回路装置とを有する量子ドット型赤外線撮像装置。
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