JP5573448B2 - 量子ドット型赤外線検出器の製造方法 - Google Patents
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Description
2 i型AlxGa1−xAs中間層
3 AlAs層
4 InyGa1−yAs量子ドット
5 AlAs層
10 量子ドット型赤外線検出器
11 半絶縁性GaAs基板
12 i型GaAsバッファ層
13 n型GaAsコンタクト層
14 i型Al0.2Ga0.8As中間層
15 AlAs層
16 InAs量子ドット
17 AlAs層
18 n型GaAsコンタクト層
19 陰極
20 陽極
21 バンプ
22 信号読出回路基板
23 i型GaAs中間層
30 量子ドット型赤外線検出器
41 半絶縁性GaAs基板
42 GaAsバッファ層
43 n型GaAsコンタクト層
44 i型AlGaAs中間層
45 AlAs層
46 InAs量子ドット
47 AlAs層
48 活性領域
49 n型GaAsコンタクト層
Claims (3)
- V族元素がAsであるIII-V族化合物半導体からなる中間層を形成する工程と、
前記中間層上にキャリアに対するエネルギーポテンシャルが低くV族元素がAsであるIII-V族化合物半導体からなる量子ドットを含む量子ドット層を形成する工程と、
前記量子ドット層の上にV族元素がAsであるIII-V族化合物半導体からなる中間層を形成する工程と、
前記量子ドット層と前記量子ドット層を覆う中間層との界面にAlAs層を形成する工程とを少なくとも有する量子ドット型赤外線検出器の製造方法であって、
前記中間層、前記量子ドット層及び前記AlAs層の成長方法が、分子線エピタキシー法であり、
前記量子ドット層と前記量子ドット層を覆う中間層との界面にAlAs層を形成する工程において、As/Al供給比を前記AlAs層を表面が平坦な基板に成長させた場合に前記AlAs層が最も平坦な表面を有するように成長するAs/Al供給比の3倍〜8倍にする量子ドット型赤外線検出器の製造方法。 - 前記量子ドット層と前記量子ドットを覆う中間層との界面にAlAs層を形成する工程における基板温度が470℃であり、且つ、前記As/Al供給比が、72〜108である請求項1に記載の量子ドット型赤外線検出器の製造方法。
- 前記中間層がAlxGa1−xAs(但し、0≦x<1)からなり、且つ、前記量子ドット層がInyGa1−yAs(但し、0<y≦1)からなることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の量子ドット型赤外線検出器の製造方法。
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