JP6233070B2 - 半導体積層体および半導体装置、ならびにそれらの製造方法 - Google Patents
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Description
最初に本願発明の実施態様を列記して説明する。本願の半導体積層体は、III−V族化合物半導体からなるベース層と、ベース層上に接触して配置され、III−V族化合物半導体からなる半導体層と、を備えている。半導体層を構成するIII−V族化合物半導体はV族元素としてSbを含んでいる。そして、半導体層は、1×1018cm−3以上1×1021cm−3以下のAsを含有する砒素含有領域を含んでいる。
次に、本発明にかかる半導体積層体の一実施の形態を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付しその説明は繰返さない。
10 半導体積層体
20 基板
20A 主面
21 酸化被膜
30 バッファ層
30A 主面
31 砒素含有領域
32 砒素フリー領域
40 量子井戸構造
40A 主面
41 第1要素層
42 第2要素層
50 コンタクト層
50A 主面
60 ベースバッファ層
60A 主面
80 パッシベーション膜
81,82 開口部
91 p側電極
92 n側電極
99 トレンチ
99A 側壁
99B 底壁
Claims (13)
- III−V族化合物半導体からなるベース層と、
前記ベース層上に接触して配置され、III−V族化合物半導体からなる半導体層と、を備え、
前記半導体層を構成するIII−V族化合物半導体はV族元素としてSbを含んでおり、
前記半導体層は、1×1018cm−3以上1×10 20 cm−3以下のAsを含有する砒素含有領域を含んでいる、半導体積層体。 - III−V族化合物半導体からなるベース層と、
前記ベース層上に接触して配置され、III−V族化合物半導体からなる半導体層と、を備え、
前記半導体層を構成するIII−V族化合物半導体はV族元素としてSbを含んでおり、
前記半導体層は、1×10 18 cm −3 以上1×10 21 cm −3 以下のAsを含有する砒素含有領域を含んでおり、
前記砒素含有領域内においてAsは前記ベース層から離れるにしたがって低濃度となるように分布している、半導体積層体。 - 前記砒素含有領域の厚みは50nm以上である、請求項1または請求項2に記載の半導体積層体。
- 前記半導体層と前記ベース層とは、同一のIII−V族化合物半導体からなっている、請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の半導体積層体。
- 前記砒素含有領域の厚みは800nm以下である、請求項4に記載の半導体積層体。
- 前記砒素含有領域は、前記ベース層に接触して配置される、請求項1〜請求項5のいずれか1項に記載の半導体積層体。
- 前記ベース層の、前記半導体層との界面を含む領域には、酸化被膜が形成されている、請求項6に記載の半導体積層体。
- 前記半導体層を構成するIII−V族化合物半導体はGaSbである、請求項1〜請求項7のいずれか1項に記載の半導体積層体。
- 前記半導体層上に配置された量子井戸構造をさらに備える、請求項1〜請求項8のいずれか1項に記載の半導体積層体。
- 請求項1〜9のいずれか1項に記載の半導体積層体と、
前記半導体積層体上に形成された電極と、を備える、半導体装置。 - III−V族化合物半導体からなるベース層を準備する工程と、
前記ベース層上に、III−V族化合物半導体からなる半導体層を形成する工程と、を備え、
前記半導体層を形成する工程では、V族元素としてSbを含むIII−V族化合物半導体からなる前記半導体層が形成され、
前記半導体層を形成する工程では、1×1018cm−3以上1×10 20 cm−3以下のAsを含有する砒素含有領域を含むように、前記半導体層が形成される、半導体積層体の製造方法。 - III−V族化合物半導体からなるベース層を準備する工程と、
前記ベース層上に、III−V族化合物半導体からなる半導体層を形成する工程と、を備え、
前記半導体層を形成する工程では、V族元素としてSbを含むIII−V族化合物半導体からなる前記半導体層が形成され、
前記半導体層を形成する工程では、1×10 18 cm −3 以上1×10 21 cm −3 以下のAsを含有する砒素含有領域を含み、前記砒素含有領域内においてAsは前記ベース層から離れるにしたがって低濃度となるように分布するように、前記半導体層が形成される、半導体積層体の製造方法。 - 請求項11または請求項12に記載の半導体積層体の製造方法により製造された半導体積層体を準備する工程と、
前記半導体積層体上に電極を形成する工程と、を備える、半導体装置の製造方法。
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