JP5998605B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
更に、例えばInAs/GaSbやInAs/GaInSbといった異種結合構造では、いわゆるタイプII型のバンド構造となるため、タイプI型であるGaAs/AlGaAsのような異種結合構造とは異なる、新しい物性の発現が期待されている。
第1実施形態による半導体装置及びその製造方法について図1乃至図7を用いて説明する。
第2実施形態による半導体装置の製造方法について図8乃至図10を用いて説明する。図1乃至図7に示す第1実施形態による半導体装置及びその製造方法と同様の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略し又は簡潔にする。
第3実施形態による半導体装置の製造方法について図11乃至図13を用いて説明する。図1乃至図10に示す第1及び第2実施形態による半導体装置及びその製造方法と同様の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略し又は簡潔にする。
第4実施形態による半導体装置の製造方法について図14乃至図16を用いて説明する。図1乃至図13に示す第1乃至第3実施形態による半導体装置及びその製造方法と同様の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略し又は簡潔にする。
上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
前記無機溶液による処理に引き続き、前記化合物半導体の前記表面を、ハロゲン元素を含有する有機溶液により処理する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記無機溶液による処理と前記有機溶液による処理とにより、前記化合物半導体の前記表面に、前記ハロゲン元素を含む第1の保護膜を形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記ハロゲン元素を含有する有機溶液で処理する工程の後、前記化合物半導体の前記表面上に第2の保護膜を形成する工程を更に有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記無機溶液により処理する工程と、前記有機溶液により処理する工程との間、前記化合物半導体を有機溶剤中に保管する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記有機溶液により処理する工程の後、前記化合物半導体を有機溶剤中に保管する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記無機溶液は、アンモニア水、水酸化カリウム水溶液、塩酸、硫酸又はリン酸である
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記ハロゲン元素は、臭素、塩素又は沃素である
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記化合物半導体は、III族元素としてGa、In及びAlの少なくとも1つを含み、V族元素としてSb又はSbとP及び/又はAsとを含むIII−V族化合物半導体である
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記化合物半導体の表面に形成され、ハロゲン元素を含有する第1の保護膜と
を有することを特徴とする半導体装置。
前記第1の保護膜は、前記化合物半導体の自然酸化膜であり、前記ハロゲン元素は、前記自然酸化膜中又は前記自然酸化膜と前記化合物半導体との界面に導入されている
ことを特徴とする半導体装置。
前記第1の保護膜上に形成され、前記化合物半導体を酸素又は水分から保護する第2の保護膜を更に有する
ことを特徴とする半導体装置。
複数の化合物半導体層の積層膜を有し、
前記複数の化合物半導体層の少なくとも一層が、前記化合物半導体により形成されており、
前記積層膜の側壁部分に、前記第1の保護膜が形成されている
ことを特徴とする半導体装置。
複数の化合物半導体層の積層膜を有し、
前記複数の化合物半導体層の最上層が、前記化合物半導体により形成されており、
前記積層膜の前記最上層上に、前記第1の保護膜が形成されている
ことを特徴とする半導体装置。
前記ハロゲン元素は、臭素、塩素又は沃素である
ことを特徴とする半導体装置。
前記化合物半導体は、III族元素としてGa、In及びAlの少なくとも1つを含み、V族元素としてSb又はSbとP及び/又はAsとを含むIII−V族化合物半導体である
ことを特徴とする半導体装置。
12…ポリイミド膜
14…電極
20…GaSb基板
22…GaSb下部電極層
24…p型超格子構造
26…i型超格子構造
28…n型超格子構造
30…InAs上部電極層
32…メサ構造
34…アンモニウム水溶液
36…Br−メタノール溶液
38…第1の保護膜
40…第2の保護膜
42…下部電極
44…上部電極
50…InAs基板
52…InAs緩衝層
54…GaAsSbグレーティング層
56…AlGaAsSb下部クラッド層
58…アンドープAlGaAsSb異種接合光閉じ込め層
60…活性層
62…AlGaAsSb上部クラッド層
64…InAs上部電極層
70…GaAs基板
72…アンドープAlGaSb緩衝層
74…AlGaSb正孔供給層
76…AlGaSb下部障壁層
78…アンドープInGaSbチャンネル層
80…アンドープAlGaSb上部障壁層
82…InAs電極層
84…ソース電極
86…ドレイン電極
88…リセス領域
90…ゲート電極
Claims (5)
- Sbを構成元素に含む化合物半導体の表面を活性化するために、アンモニア水、水酸化カリウム水溶液、塩酸、硫酸又はリン酸の無機溶液により処理する工程と、
前記無機溶液による処理に引き続き、前記化合物半導体の前記表面を、ハロゲン元素を含有する有機溶液により処理する工程とを有し、
前記無機溶液による処理と前記有機溶液による処理とにより、前記化合物半導体の前記表面に、前記ハロゲン元素を含む第1の保護膜を形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、
前記ハロゲン元素を含有する有機溶液で処理する工程の後、前記化合物半導体の前記表面上に第2の保護膜を形成する工程を更に有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法において、
前記ハロゲン元素は、臭素、塩素又は沃素である
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - Sbを構成元素に含む化合物半導体と、
前記化合物半導体の表面に形成され、ハロゲン元素を含有する第1の保護膜とを有し、
前記第1の保護膜は、前記化合物半導体の自然酸化膜であり、前記ハロゲン元素は、前記自然酸化膜中又は前記自然酸化膜と前記化合物半導体との界面に導入されている
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項4記載の半導体装置において、
前記第1の保護膜上に形成され、前記化合物半導体を酸素又は水分から保護する第2の保護膜を更に有する
ことを特徴とする半導体装置。
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