JPH06267927A - ＩｎＳｂ半導体装置の表面処理方法 - Google Patents
ＩｎＳｂ半導体装置の表面処理方法Info
- Publication number
- JPH06267927A JPH06267927A JP5048424A JP4842493A JPH06267927A JP H06267927 A JPH06267927 A JP H06267927A JP 5048424 A JP5048424 A JP 5048424A JP 4842493 A JP4842493 A JP 4842493A JP H06267927 A JPH06267927 A JP H06267927A
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- Japan
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- insb
- film
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- oxide film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＩｎＳｂの陽極酸化膜を保全し、かつ寄生抵
抗のない良好な電気的特性を有するフォトダイオードを
形成しうる表面処理方法を提供する。 【構成】 ＩｎＳｂ基体表面の一部に陽極酸化膜が形成
されてなる該陽極酸化膜と前記ＩｎＳｂとの露出面に対
し、臭素とアルコール類との混合液で処理を施す工程を
含むＩｎＳｂ半導体装置の表面処理方法。
抗のない良好な電気的特性を有するフォトダイオードを
形成しうる表面処理方法を提供する。 【構成】 ＩｎＳｂ基体表面の一部に陽極酸化膜が形成
されてなる該陽極酸化膜と前記ＩｎＳｂとの露出面に対
し、臭素とアルコール類との混合液で処理を施す工程を
含むＩｎＳｂ半導体装置の表面処理方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＩｎＳｂ（インジウム
・アンチモン）の表面に陽極酸化膜が形成されており、
しかも前記陽極酸化膜の一部及びＩｎＳｂの一部が露出
しているＩｎＳｂ半導体装置の表面処理方法に関する。
・アンチモン）の表面に陽極酸化膜が形成されており、
しかも前記陽極酸化膜の一部及びＩｎＳｂの一部が露出
しているＩｎＳｂ半導体装置の表面処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩｎＳｂは赤外線センサーに適している
半導体材料である。ＩｎＳｂを用いた一例の赤外線セン
サーとしてフォトダイオードの従来の製造方法について
図３を参照して以下に説明する。
半導体材料である。ＩｎＳｂを用いた一例の赤外線セン
サーとしてフォトダイオードの従来の製造方法について
図３を参照して以下に説明する。
【０００３】まずｎ形ＩｎＳｂ基板２１の表面に選択的
にｐ形ＩｎＳｂ領域２２を形成し、前記ｐ形ＩｎＳｂ領
域２２表面にフォトレジスト膜２３を形成する（図４
（ａ））。
にｐ形ＩｎＳｂ領域２２を形成し、前記ｐ形ＩｎＳｂ領
域２２表面にフォトレジスト膜２３を形成する（図４
（ａ））。
【０００４】次に、ＩｎＳｂの表面を例えば電解液とし
て１％のＫＯＨ（水酸化カリウム）水溶液を用い、Ｉｎ
Ｓｂを陽極として選択的に陽極酸化膜２４を形成する
（図４（ｂ））。上記ＩｎＳｂ陽極酸化膜はＩｎＳｂに
対して優れた電気的特性を示す絶縁膜である。
て１％のＫＯＨ（水酸化カリウム）水溶液を用い、Ｉｎ
Ｓｂを陽極として選択的に陽極酸化膜２４を形成する
（図４（ｂ））。上記ＩｎＳｂ陽極酸化膜はＩｎＳｂに
対して優れた電気的特性を示す絶縁膜である。
【０００５】次にフォトレジスト膜２３を除去し、全面
に電極金属２６を形成し、パターニングを施しフォトダ
イオードが出来る（図４（ｃ））。
に電極金属２６を形成し、パターニングを施しフォトダ
イオードが出来る（図４（ｃ））。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】叙上の従来法では電極
金属を形成するときにＩｎＳｂと電極金属との間に寄生
抵抗が入り、図３に示すダイオード特性の電流−電圧
（Ｉ−Ｖ）特性における曲線の一部が破線で示されるよ
うに劣化するという問題があった。この原因はＩｎＳｂ
表面に自然酸化膜２５が形成されるためと考えられ、こ
のため電気的には直列抵抗が増加する。しかしＩｎＳｂ
表面の陽極酸化膜を保ったまま自然酸化膜だけを除去し
ようとすると、それに適した表面処理方法が無いという
問題があった。例えばフッ酸、塩酸等の鉱酸類は陽極酸
化膜を瞬間的にエッチングし、表面処理に適さないとい
う欠点があった。
金属を形成するときにＩｎＳｂと電極金属との間に寄生
抵抗が入り、図３に示すダイオード特性の電流−電圧
（Ｉ−Ｖ）特性における曲線の一部が破線で示されるよ
うに劣化するという問題があった。この原因はＩｎＳｂ
表面に自然酸化膜２５が形成されるためと考えられ、こ
のため電気的には直列抵抗が増加する。しかしＩｎＳｂ
表面の陽極酸化膜を保ったまま自然酸化膜だけを除去し
ようとすると、それに適した表面処理方法が無いという
問題があった。例えばフッ酸、塩酸等の鉱酸類は陽極酸
化膜を瞬間的にエッチングし、表面処理に適さないとい
う欠点があった。
【０００７】本発明は上記従来の問題点を解決するため
に、ＩｎＳｂ陽極酸化膜を保全するとともに、寄生抵抗
のない良好な電気的特性を有するフォトダイオードを形
成する表面処理方法を提供する。
に、ＩｎＳｂ陽極酸化膜を保全するとともに、寄生抵抗
のない良好な電気的特性を有するフォトダイオードを形
成する表面処理方法を提供する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係るＩｎＳｂ半
導体装置の表面処理方法は、ＩｎＳｂ基体表面の一部に
陽極酸化膜が形成されてなる該陽極酸化膜と前記ＩｎＳ
ｂとの露出面に対し、臭素とアルコール類との混合液で
処理を施す工程を含むものである。
導体装置の表面処理方法は、ＩｎＳｂ基体表面の一部に
陽極酸化膜が形成されてなる該陽極酸化膜と前記ＩｎＳ
ｂとの露出面に対し、臭素とアルコール類との混合液で
処理を施す工程を含むものである。
【０００９】
【作用】本発明によるＩｎＳｂの表面処理方法は、Ｉｎ
Ｓｂの陽極酸化膜をエッチングせず、ＩｎＳｂ表面の自
然酸化膜をエッチングする。従ってこの後に電極金属を
形成すると寄生抵抗の無い、しかしＩｎＳｂの陽極酸化
膜が保たれるので良好な電気的特性を持つフォトダイオ
ードが得られる。
Ｓｂの陽極酸化膜をエッチングせず、ＩｎＳｂ表面の自
然酸化膜をエッチングする。従ってこの後に電極金属を
形成すると寄生抵抗の無い、しかしＩｎＳｂの陽極酸化
膜が保たれるので良好な電気的特性を持つフォトダイオ
ードが得られる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の一実施例について図１および
図２を参照して説明する。
図２を参照して説明する。
【００１１】ｎ形ＩｎＳｂ基板１１の表面に選択的にｐ
形ＩｎＳｂ領域１２を形成し、前記ｐ形ＩｎＳｂ領域１
２表面にフォトレジスト膜１３を形成したものである
（図１（ａ））。
形ＩｎＳｂ領域１２を形成し、前記ｐ形ＩｎＳｂ領域１
２表面にフォトレジスト膜１３を形成したものである
（図１（ａ））。
【００１２】次に、ＩｎＳｂの表面を電解液として１％
のＫＯＨ水溶液を用い、ＩｎＳｂを陽極として選択的に
陽極酸化膜１４を形成する。その後でフォトレジスト膜
１３を除去する（図１（ｂ））。
のＫＯＨ水溶液を用い、ＩｎＳｂを陽極として選択的に
陽極酸化膜１４を形成する。その後でフォトレジスト膜
１３を除去する（図１（ｂ））。
【００１３】従来はこの次に電極金属を形成していた
が、ここで本発明は表面処理を施す。即ち臭素とアルコ
ールとの混合溶液で表面処理を行い、自然酸化膜１５を
エッチング除去する（図１（ｃ））。アルコールとして
は種々のものがあり、またその混合の割合も種々考えら
れるが、ここでは一例として次のものを選択した。即ち
臭素の割合を１％としたイソプロピルアルコールとの混
合液を用いるものである。この混合液で１０秒程度処理
する。この処理でＩｎＳｂの表面の自然酸化膜１５がエ
ッチングされ、さらにｐ形ＩｎＳｂ１２も１００オング
ストローム程度エッチングされるがダイオード特性には
問題はない。しかもこの処理では陽極酸化膜１４は全く
エッチングされなかった。この表面処理方法を採用する
ことにより、従来法で問題になっていたダイオード特性
での直列抵抗は非常に小さくなり、問題がなくなった。
後の工程は従来例と同じである。電極金属を形成し、パ
ターニングして所定の場所に電極金属１８を残すとフォ
トダイオードが出来る（図２）。
が、ここで本発明は表面処理を施す。即ち臭素とアルコ
ールとの混合溶液で表面処理を行い、自然酸化膜１５を
エッチング除去する（図１（ｃ））。アルコールとして
は種々のものがあり、またその混合の割合も種々考えら
れるが、ここでは一例として次のものを選択した。即ち
臭素の割合を１％としたイソプロピルアルコールとの混
合液を用いるものである。この混合液で１０秒程度処理
する。この処理でＩｎＳｂの表面の自然酸化膜１５がエ
ッチングされ、さらにｐ形ＩｎＳｂ１２も１００オング
ストローム程度エッチングされるがダイオード特性には
問題はない。しかもこの処理では陽極酸化膜１４は全く
エッチングされなかった。この表面処理方法を採用する
ことにより、従来法で問題になっていたダイオード特性
での直列抵抗は非常に小さくなり、問題がなくなった。
後の工程は従来例と同じである。電極金属を形成し、パ
ターニングして所定の場所に電極金属１８を残すとフォ
トダイオードが出来る（図２）。
【００１４】上記説明では表面処理液として臭素とアル
コールとしてイソプロピルアルコールを用いたが、アル
コールとしてほかのもの、例えばエタノールを用いても
同様な効果が得られる。但し同じ混合比ではＩｎＳｂの
エッチング速度が異なるので、適当な混合比を選択する
と良い。
コールとしてイソプロピルアルコールを用いたが、アル
コールとしてほかのもの、例えばエタノールを用いても
同様な効果が得られる。但し同じ混合比ではＩｎＳｂの
エッチング速度が異なるので、適当な混合比を選択する
と良い。
【００１５】
【発明の効果】以上述べたように、電極形成前に本発明
による方法でＩｎＳｂ表面の自然酸化膜を除去するので
ＩｎＳｂと電極金属の間に寄生抵抗が入らないし、また
ＩｎＳｂの陽極酸化膜が保持されるので、図２に実線で
示される良好なフォトダイオード特性が得られる。
による方法でＩｎＳｂ表面の自然酸化膜を除去するので
ＩｎＳｂと電極金属の間に寄生抵抗が入らないし、また
ＩｎＳｂの陽極酸化膜が保持されるので、図２に実線で
示される良好なフォトダイオード特性が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例にかかるＩｎＳｂフォトダイ
オードの製造工程の一部を示すいずれも断面図。
オードの製造工程の一部を示すいずれも断面図。
【図２】本発明の一実施例にかかるＩｎＳｂフォトダイ
オードの製造工程の一部を示す断面図。
オードの製造工程の一部を示す断面図。
【図３】フォトダイオードの電気特性を示す線図。
【図４】従来例のＩｎＳｂフォトダイオードの製造工程
を示すいずれも断面図。
を示すいずれも断面図。
１１、２１…ｎ形ＩｎＳｂ基板 １２、２２…ｐ形ＩｎＳｂ領域 １３、２３…フォトレジスト膜 １４、２４…ＩｎＳｂ陽極酸化膜 １５、２５…自然酸化膜 １６、２６…電極金属
Claims (1)
- 【請求項１】 ＩｎＳｂ基体表面の一部に陽極酸化膜が
形成されてなる該陽極酸化膜と前記ＩｎＳｂとの露出面
に対し、臭素とアルコール類との混合液で処理を施す工
程を含むＩｎＳｂ半導体装置の表面処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5048424A JPH06267927A (ja) | 1993-03-10 | 1993-03-10 | ＩｎＳｂ半導体装置の表面処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5048424A JPH06267927A (ja) | 1993-03-10 | 1993-03-10 | ＩｎＳｂ半導体装置の表面処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06267927A true JPH06267927A (ja) | 1994-09-22 |
Family
ID=12802957
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5048424A Pending JPH06267927A (ja) | 1993-03-10 | 1993-03-10 | ＩｎＳｂ半導体装置の表面処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06267927A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6384579B2 (en) | 2000-06-27 | 2002-05-07 | Origin Electric Company, Limited | Capacitor charging method and charging apparatus |
| JP2013222922A (ja) * | 2012-04-19 | 2013-10-28 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
-
1993
- 1993-03-10 JP JP5048424A patent/JPH06267927A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6384579B2 (en) | 2000-06-27 | 2002-05-07 | Origin Electric Company, Limited | Capacitor charging method and charging apparatus |
| JP2013222922A (ja) * | 2012-04-19 | 2013-10-28 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
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