JP4941525B2 - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
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Claims (4)
- III−V族半導体からなる基板上に、InGaAs−GaAsSbのタイプIIの量子井戸構造から構成される受光層を含みIII−V族半導体からなる第1の半導体層を形成する工程と、
前記第1の半導体層を形成した後に、該第1の半導体層よりも大きなバンドギャップエネルギーを有しIII−V族半導体からなる第2の半導体層を前記第1の半導体層上に形成する工程と
を備え、
前記第1の半導体層に含まれており前記基板との界面から所定の厚みを有する第1の層の形成を第1の温度のもとで行った後に、前記第1の半導体層のうち前記第1の層を除いた第2の層の形成、及び/又は、前記第2の半導体層に含まれており前記第1の半導体層との界面から所定の厚みを有する第3の層の形成、を第2の温度のもとで行い、
前記第1の層は、前記受光層を含み、
前記第2の層は、InGaAsからなり、
前記第3の層は、InPからなり、
前記第2の温度は、前記第1の温度よりも高く、
前記第1の温度は、摂氏500度程度であり、
前記第2の温度は、摂氏525度〜摂氏675度の範囲内の温度であり、
前記第2の層、及び/又は、前記第3の層、を形成する工程では、前記第2の層と前記第3の層との界面が、前記第2の温度のもとで形成される、
ことを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 前記第2の半導体層を形成する工程は、前記第2の半導体層のうち前記第3の層を除いた第4の層の形成を、前記第2の温度よりも小さい第3の温度のもとで行い、
前記第4の層は、InPからなり、
前記第3の温度は、摂氏450度以上摂氏525度以下である、
ことを特徴とする請求項1記載の半導体素子の製造方法。 - 前記第1の半導体層を形成する工程は、InxGa1−xAs(0.38≦x≦0.68)とGaAs1−ySby(0.36≦y≦0.62)とのペア、又は、Ga1−tIntNuAs1−u(0.4≦t≦0.8,0<u≦0.2)とGaAs1−vSbv(0.36≦v≦0.62)とのペアから成るタイプIIの多重量子井戸構造を有する前記受光層を形成する、ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記第1の半導体層を形成する工程は、InPからなる前記基板上に前記第1の半導体層を形成する、ことを特徴とする請求項1〜請求項3の何れか一項に記載の半導体素子の製造方法。
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