JP5391945B2 - 受光素子及びエピタキシャルウェハ - Google Patents
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前記基板上に設けられた受光層と、前記受光層に接して設けられ、III−V族半導体からなる拡散濃度分布調整層と、前記拡散濃度分布調整層に接して設けられ、前記拡散濃度分布調整層よりも大きいバンドギャップエネルギーを有し、III−V族半導体からなる窓層と、を備え、前記受光層は、前記基板と前記拡散濃度分布調整層との間に設けられ、前記拡散濃度分布調整層は、前記受光層と前記窓層との間に設けられ、前記窓層と前記拡散濃度分布調整層との接合面から該窓層内または前記拡散濃度分布調整層内に延びる所定領域内のドナーの濃度の最大値は、5×1015cm−3以上1×1019cm−3以下の範囲内にある、ことを特徴とする。
Claims (12)
- III−V族半導体からなる基板と、
前記基板上に設けられた受光層と、
前記受光層に接して設けられ、III−V族半導体からなる拡散濃度分布調整層と、
前記拡散濃度分布調整層に接して設けられ、前記拡散濃度分布調整層よりも大きいバンドギャップエネルギーを有し、III−V族半導体からなる窓層と、
を備え、
前記受光層は、前記基板と前記拡散濃度分布調整層との間に設けられ、
前記拡散濃度分布調整層は、前記受光層と前記窓層との間に設けられ、
前記窓層及び前記拡散濃度分布調整層からなる半導体領域は、前記受光層との接合面に沿って順に配置された第1と第2の領域からなり、
前記第2の領域は、所定の不純物元素を含み前記第1の領域に接しており、
前記第2の領域の導電型はp型であり、
前記窓層と前記拡散濃度分布調整層との接合面から前記第1の領域において少なくとも前記窓層内に延びる所定領域内のn型のキャリア濃度の最大値は、5×1015cm−3以上1×1019cm−3以下の範囲内にあり、前記窓層内又は前記拡散濃度分布調整層内にあって前記所定領域に接する他の領域内のn型のキャリア濃度の最大値よりも大きく、
前記受光層は、タイプIIの多重量子井戸構造である、ことを特徴とする受光素子。 - III−V族半導体からなる基板と、
前記基板上に設けられた受光層と、
前記受光層に接して設けられ、III−V族半導体からなる拡散濃度分布調整層と、
前記拡散濃度分布調整層に接して設けられ、前記拡散濃度分布調整層よりも大きいバンドギャップエネルギーを有し、III−V族半導体からなる窓層と、
を備え、
前記受光層は、前記基板と前記拡散濃度分布調整層との間に設けられ、
前記拡散濃度分布調整層は、前記受光層と前記窓層との間に設けられ、
前記窓層及び前記拡散濃度分布調整層からなる半導体領域は、前記受光層との接合面に沿って順に配置された第1と第2の領域からなり、
前記第2の領域は、所定の不純物元素を含み前記第1の領域に接しており、
前記第2の領域の導電型はp型であり、
前記窓層と前記拡散濃度分布調整層との接合面から少なくとも前記窓層内に延びる所定領域内のドナーの濃度の最大値は、5×1015cm−3以上1×1019cm−3以下の範囲内にあり、前記窓層内又は前記拡散濃度分布調整層内にあって前記所定領域に接する他の領域内のドナーの濃度の最大値よりも大きく、
前記受光層は、タイプIIの多重量子井戸構造である、ことを特徴とする受光素子。 - 前記ドナーはSiである、ことを特徴とする請求項2に記載の受光素子。
- 前記所定領域の厚みは0.02μm以上0.2μm以下である、ことを特徴とする請求項1〜請求項3のうち何れか一項に記載の受光素子。
- 前記不純物元素はZnである、ことを特徴とする請求項1〜請求項4のうち何れか一項に記載の受光素子。
- 前記拡散濃度分布調整層はInGaAsからなる、ことを特徴とする請求項1〜請求項5のうち何れか一項に記載の受光素子。
- 前記窓層はInPからなる、ことを特徴とする請求項1〜請求項6のうち何れか一項に記載の受光素子。
- 前記多重量子井戸構造は、InxGa1−xAs(0.38≦x≦0.68)とGaAs1−ySby(0.36≦y≦0.62)とのペア、又は、Ga1−tIntNuAs1−u(0.4≦t≦0.8,0<u≦0.2)とGaAs1−vSbv(0.36≦v≦0.62)とのペアから成る、ことを特徴とする請求項1〜請求項7のうち何れか一項に記載の受光素子。
- III−V族半導体からなる基板と、
前記基板上に設けられた受光層と、
前記受光層に接して設けられ、III−V族半導体からなる拡散濃度分布調整層と、
前記拡散濃度分布調整層に接して設けられ、前記拡散濃度分布調整層よりも大きいバンドギャップエネルギーを有し、III−V族半導体からなる窓層と、
を備え、
前記受光層は、前記基板と前記拡散濃度分布調整層との間に設けられ、
前記拡散濃度分布調整層は、前記受光層と前記窓層との間に設けられ、
前記窓層と前記拡散濃度分布調整層との接合面から少なくとも前記窓層内に延びる所定領域内のn型のキャリア濃度の最大値は、5×1015cm−3以上1×1019cm−3以下の範囲内にあり、前記窓層内又は前記拡散濃度分布調整層内にあって前記所定領域に接する他の領域内のn型のキャリア濃度の最大値よりも大きく、
前記受光層は、タイプIIの多重量子井戸構造である、ことを特徴とするエピタキシャルウェハ。 - III−V族半導体からなる基板と、
前記基板上に設けられた受光層と、
前記受光層に接して設けられ、III−V族半導体からなる拡散濃度分布調整層と、
前記拡散濃度分布調整層に接して設けられ、前記拡散濃度分布調整層よりも大きいバンドギャップエネルギーを有し、III−V族半導体からなる窓層と、
を備え、
前記受光層は、前記基板と前記拡散濃度分布調整層との間に設けられ、
前記拡散濃度分布調整層は、前記受光層と前記窓層との間に設けられ、
前記窓層と前記拡散濃度分布調整層との接合面から少なくとも前記窓層内に延びる所定領域内のドナーの濃度の最大値は、5×1015cm−3以上1×1019cm−3以下の範囲内にあり、前記窓層内又は前記拡散濃度分布調整層内にあって前記所定領域に接する他の領域内のドナーの濃度の最大値よりも大きく、
前記受光層は、タイプIIの多重量子井戸構造である、ことを特徴とするエピタキシャルウェハ。 - 前記ドナーはSiである、ことを特徴とする請求項10に記載のエピタキシャルウェハ。
- 前記所定領域の厚みは0.02μm以上0.2μm以下である、ことを特徴とする請求項9〜請求項11のうち何れか一項に記載のエピタキシャルウェハ。
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