RU2469432C1 - Способ выращивания гетероструктуры для инфракрасного фотодетектора - Google Patents
Способ выращивания гетероструктуры для инфракрасного фотодетектора Download PDFInfo
- Publication number
- RU2469432C1 RU2469432C1 RU2011131881/28A RU2011131881A RU2469432C1 RU 2469432 C1 RU2469432 C1 RU 2469432C1 RU 2011131881/28 A RU2011131881/28 A RU 2011131881/28A RU 2011131881 A RU2011131881 A RU 2011131881A RU 2469432 C1 RU2469432 C1 RU 2469432C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- quantum wells
- quantum
- barriers
- substrate
- growing
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 19
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 7
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 9
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 238000005275 alloying Methods 0.000 abstract 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 3
- 238000003887 surface segregation Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002730 additional effect Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02538—Group 13/15 materials
- H01L21/02546—Arsenides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/0257—Doping during depositing
- H01L21/02573—Conductivity type
- H01L21/02576—N-type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
- H01L31/035236—Superlattices; Multiple quantum well structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/184—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIIBV compounds, e.g. GaAs, InP
- H01L31/1844—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIIBV compounds, e.g. GaAs, InP comprising ternary or quaternary compounds, e.g. Ga Al As, In Ga As P
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
Изобретение относится к технологии выращивания полупроводниковых гетероструктур со множественными квантовыми ямами методом молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) и может быть использовано при изготовлении устройств на основе фотоприемных матриц с чувствительностью в глубоком инфракрасном диапазоне (8-12 мкм). Сущность изобретения: в способе выращивания гетероструктуры для инфракрасного фотодетектора, включающей подложку и вышележащие полупроводниковые слои - контактные и слои, образующие активную область, содержащую множество квантовых ям и барьеров, методом молекулярно-пучковой эпитаксии путем нагрева подложки в вакууме и попеременной подачи потоков реагентов в квантовые ямы и барьеры, а также легирующей примеси - Si в квантовые ямы, в квантовые ямы подают реагенты: Ga и As, а в квантовые барьеры - Al, Ga и As, в квантовые ямы дополнительно подают Аl в количестве, обеспечивающем его мольную долю в квантовой яме 0,02-0,10, при этом в процессе выращивания слоев, образующих активную область, температуру подложки поддерживают в пределах 700-750°С, а уровень легирования квантовых ям поддерживают в пределах (2-5)×1017 см-3. Изобретение обеспечивает снижение количества кристаллических дефектов и повышение тем самым чувствительности (отношение сигнал/шум) и обнаружительной способности (минимальное значение детектируемого сигнала фотодетектора). 1 ил.
Description
Изобретение относится к технологии выращивания полупроводниковых гетероструктур со множественными квантовыми ямами методом молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) и может быть использовано при изготовлении устройств на основе фотоприемных матриц с чувствительностью в глубоком инфракрасном диапазоне (8-12 мкм). Фоточувствительность в указанном спектральном диапазоне может быть обеспечена при низких температурах (менее 77К) за счет поглощения энергии при непрямых переходах носителей между подзонами в активной области гетероструктуры, состоящей из чередующихся пар квантовых ям (материала с меньшей шириной запрещенной зоны) и барьеров (материала с большей шириной запрещенной зоны). При выращивании таких гетероструктур необходимо решить ряд взаимосвязанных проблем:
- абсолютная величина поглощения в одной квантовой яме достаточно низка, поэтому в активной области гетероструктуры используют несколько десятков (от 20 до 50) пар квантовых ям и барьеров, химический состав и толщина которых должны быть выдержаны как можно более точно для обеспечения необходимой спектральной чувствительности;
- для увеличения эффективности поглощения квантовые ямы обычно модулированно легируют (например, донорной примесью - Si) до высоких концентраций (в том числе, применяется так называемое «дельта-легирование»), однако при этом необходимо учитывать явление поверхностной сегрегации, приводящее к неоднородности концентрации примеси, наиболее выраженное при повышенных температурах роста;
- для обеспечения точности поддержания состава и толщины слоев активной области и резкости гетерограниц между ними предпочтительно снижать температуру выращивания, однако при этом в материалах слоев образуется повышенное количество кристаллических дефектов (дислокаций и глубоких примесей, главным образом, кислорода), являющихся центрами рекомбинации (DX-центрами), снижающими эффективность поглощения в квантовых ямах;
- повышение концентрации легирующей примеси в квантовых ямах увеличивает чувствительность активной области, однако приводит к повышенному «темновому» току фотодетектора и, следовательно, к необходимости снижения рабочей температуры.
Известен способ выращивания гетероструктуры для инфракрасного детектора, включающей подложку и вышележащие полупроводниковые слои - контактные и слои, образующие активную область, содержащую 50 квантовых ям GaAs и квантовых барьеров AlGaAs. Квантовые ямы легированы Si с уровнем легирования 3,3-1018 см-3. Температуру подложки поддерживают 690°С, см. D.K.Sengupta и др. Growth and Characterization of n-Type GaAs / AlGaAs Quantum Well Infrared Photodetector on GaAs-on-Si Substrate, Journal of Electronic Materials, Vol.27, No.7, 1998, P.P.858859, США (копия прилагается). Данный способ не обеспечивает резкости гетерограниц из-за термической неустойчивости GaAs при температуре 690°C. Кроме того, при высоком уровне легирования при данной температуре вследствие поверхностной сегрегации атомов Si не обеспечивается однородность легирования квантовых ям. Это приводит к падению спектральной чувствительности фотодетектора и увеличению темнового тока.
Известен способ выращивания гетероструктуры для инфракрасного фотодетектора, включающей подложку и вышележащие полупроводниковые слои, образующие активную область, содержащую множество легированных кремнием квантовых ям, а также множество квантовых барьеров. Способ осуществляют методом МПЭ путем нагрева подложки в вакууме при t 580°C, в квантовые ямы подают реагенты Ga и As, а в квантовые барьеры - Al, Ga и As. Уровень легирования квантовых ям Si:1×1018 см-3, см. K.L.Tsai и др., Influence of oxygen on the performance of GaAs / AlGaAs quantum wellinfrared photodetectors, Journal of Applied Physics 76 (1), 1 July 1994, P.P.274-277 (копия прилагается).
Данное техническое решение принято в качестве прототипа настоящего изобретения. В данном способе температура процесса снижена по сравнению с вышеописанным аналогом, что предотвращает термическую неустойчивость GaAs и обеспечивает определенную резкость гетерограниц, однако низкая температура процесса обусловливает повышенное количество кристаллических дефектов (дислокаций и глубоких примесей, например кислорода), являющихся центрами рекомбинации (DX-центрами), снижающими эффективность поглощения в квантовых ямах и, соответственно, чувствительность и обнаружительную способность инфракрасного детектора.
Задачей настоящего изобретения является снижение количества кристаллических дефектов и повышение тем самым чувствительности (отношение сигнал/шум) и обнаружительной способности (минимальное значение детектируемого сигнала фотодетектора).
Согласно изобретению в способе выращивания гетероструктуры для инфракрасного фотодетектора, включающей подложку и вышележащие полупроводниковые слои - контактные и слои, образующие активную область, содержащую множество квантовых ям и барьеров, методом молекулярно-пучковой эпитаксии путем нагрева подложки в вакууме и попеременной подачи потоков реагентов в квантовые ямы и барьеры, а также легирующей примеси - Si в квантовые ямы, причем в квантовые ямы подают реагенты Ga и As, а в квантовые барьеры - Al, Ga и As, в квантовые ямы дополнительно подают Al в количестве, обеспечивающем его мольную долю в квантовой яме 0,02-0,10, при этом в процессе выращивания слоев, образующих активную область, температуру подложки поддерживают в пределах 700-750°C, а уровень легирования квантовых ям поддерживают в пределах (2-5)×1017 см-3.
Заявителем не выявлены источники, содержащие информацию о технических решениях, идентичных настоящему изобретению, что позволяет сделать вывод о его соответствии критерию «Новизна».
Реализация отличительных признаков изобретения обусловливает важное новое свойство заявленного способа: обеспечение резкости гетерограниц наряду с уменьшением количества кристаллических дефектов. Подача в квантовые ямы Al в количестве, обеспечивающем его мольную долю в квантовой яме в пределах 0,02-0,10, повышает термическую устойчивость материала квантовой ямы и предотвращает снижение резкости гетерограниц даже при достаточно высоких (700-750°C) температурах, при которых количество кристаллических дефектов значительно снижается. Нижний предел - 700°C обусловлен тем, что при температурах выше 700°C адсорбция примесей (атомов кислорода) пренебрежимо мала, повышение температуры процесса выше 750°C нерационально, так как не дает дополнительного эффекта. При этом поверхностная сегрегация атомов Si понижена за счет снижения уровня легирования до (2-5)×1017 см-3 (практически, на порядок ниже в сравнении с прототипом), что уменьшает неоднородность концентрации примесей.
Снижение уровня легирования до указанных выше значений стало возможным благодаря тому, что при повышенной до 700-750°C температуре процесса количество дефектов уменьшается и, соответственно, увеличивается чувствительность активной области гетероструктуры, что компенсирует снижение чувствительности, связанное с уровнем легирования.
Указанные новые свойства изобретения обусловливают, по мнению заявителя, соответствие изобретения критерию «Изобретательский уровень».
Заявленный способ иллюстрируется приведенной на чертеже схемой установки для МПЭ.
В вакуумной камере 1 размещают кристаллическую подложку 2 для выращивания гетероструктуры. Для поддержания высокого вакуума в ходе процесса используют криопанели 3 с жидким азотом. Маневрирование подложкой 2 и ее нагрев осуществляют при помощи манипулятора 4. Исходные реагенты в виде атомарных пучков металлов III группы (Al, Ga) и легирующей примеси (Si) подают на подложку 2 из испарителей 5, а подача мышьяка (As) осуществляется через источник с крекером 6.
Сначала подложку 2 нагревают до температуры 580-600°C для удаления собственного окисла путем его термического разложения. Затем на нагретую поверхность подложки 2 одновременно подают потоки As из источника 6 и атомов Ga и Si из испарителей 5 для выращивания нижнего контактного слоя заданной толщины и концентрации носителей. Затем за короткий промежуток времени одновременно повышают температуру подложки до значений в диапазоне 700-750°C, перекрывают поток атомов Si и на подложку подают атомарный поток Al для выращивания первого барьерного слоя. По достижении заданной толщины барьерного слоя переключают потоки атомов Al так, чтобы мольная доля алюминия находилась в диапазоне 0,02-0,10, и открывают поток атомов Si, обеспечивающий уровень легирования (2-5)×1017 см-3 квантовой ямы. В этом режиме проводят выращивание заданной толщины квантовой ямы, после чего проводят обратное переключение к режиму выращивания барьерного слоя. Цикл выращивания пары «квантовая яма/барьер» повторяют заданное число раз, после чего перекрывают поток атомов Al и проводят выращивание верхнего контактного слоя GaAs.
Таким образом, выращенная согласно заявленному способу гетероструктура для инфракрасного фотодетектора имеет значительно меньшую концентрацию глубоких центров рекомбинации в барьерных слоях и при обеспечении резкости гетерограниц, соответственно, обладает высокой эффективностью преобразования падающего излучения.
Реализация способа осуществляется с помощью известных оборудования и материалов. По мнению заявителя, изобретение соответствует критерию «Промышленная применимость».
Claims (1)
- Способ выращивания гетероструктуры для инфракрасного фотодетектора, включающей подложку и вышележащие полупроводниковые слои - контактные и слои, образующие активную область, содержащую множество квантовых ям и барьеров, методом молекулярно-пучковой эпитаксии путем нагрева подложки в вакууме и попеременной подачи потоков реагентов в квантовые ямы и барьеры, а также легирующей примеси - Si в квантовые ямы, причем в квантовые ямы подают реагенты: Ga и As, а в квантовые барьеры - Al, Ga и As, отличающийся тем, что в квантовые ямы дополнительно подают Аl в количестве, обеспечивающем его мольную долю в квантовой яме 0,02-0,10, при этом в процессе выращивания слоев, образующих активную область, температуру подложки поддерживают в пределах 700-750°С, а уровень легирования квантовых ям поддерживают в пределах (2-5)·1017 см-3.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2011131881/28A RU2469432C1 (ru) | 2011-07-28 | 2011-07-28 | Способ выращивания гетероструктуры для инфракрасного фотодетектора |
| CN201280047193.5A CN103959441B (zh) | 2011-07-28 | 2012-07-27 | 生长用于红外光检测器的异质结构的方法 |
| PCT/RU2012/000621 WO2013015722A1 (ru) | 2011-07-28 | 2012-07-27 | Способ выращивания гетероструктуры для инфракрасного фотодетектора |
| IL230699A IL230699A (en) | 2011-07-28 | 2014-01-28 | A method for growing a heterogeneous structure for infrared light detectors |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2011131881/28A RU2469432C1 (ru) | 2011-07-28 | 2011-07-28 | Способ выращивания гетероструктуры для инфракрасного фотодетектора |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2469432C1 true RU2469432C1 (ru) | 2012-12-10 |
Family
ID=47601357
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2011131881/28A RU2469432C1 (ru) | 2011-07-28 | 2011-07-28 | Способ выращивания гетероструктуры для инфракрасного фотодетектора |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103959441B (ru) |
| IL (1) | IL230699A (ru) |
| RU (1) | RU2469432C1 (ru) |
| WO (1) | WO2013015722A1 (ru) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2065644C1 (ru) * | 1994-06-14 | 1996-08-20 | Институт физики полупроводников СО РАН | Способ изготовления фотоприемного элемента на основе многослойных гетероструктур ga as/al ga as |
| RU2089656C1 (ru) * | 1993-12-23 | 1997-09-10 | Ольга Викторовна Гончарова | Способ получения фоточувствительных резистивных и оптически нелинейных тонкопленочных гетероструктур на основе полупроводниковых и диэлектрических материалов |
| US6559471B2 (en) * | 2000-12-08 | 2003-05-06 | Motorola, Inc. | Quantum well infrared photodetector and method for fabricating same |
| US7399988B2 (en) * | 2006-05-10 | 2008-07-15 | Fujitsu Limited | Photodetecting device and method of manufacturing the same |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5995260A (en) * | 1997-05-08 | 1999-11-30 | Ericsson Inc. | Sound transducer and method having light detector for detecting displacement of transducer diaphragm |
-
2011
- 2011-07-28 RU RU2011131881/28A patent/RU2469432C1/ru active
-
2012
- 2012-07-27 CN CN201280047193.5A patent/CN103959441B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2012-07-27 WO PCT/RU2012/000621 patent/WO2013015722A1/ru active Application Filing
-
2014
- 2014-01-28 IL IL230699A patent/IL230699A/en active IP Right Grant
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2089656C1 (ru) * | 1993-12-23 | 1997-09-10 | Ольга Викторовна Гончарова | Способ получения фоточувствительных резистивных и оптически нелинейных тонкопленочных гетероструктур на основе полупроводниковых и диэлектрических материалов |
| RU2065644C1 (ru) * | 1994-06-14 | 1996-08-20 | Институт физики полупроводников СО РАН | Способ изготовления фотоприемного элемента на основе многослойных гетероструктур ga as/al ga as |
| US6559471B2 (en) * | 2000-12-08 | 2003-05-06 | Motorola, Inc. | Quantum well infrared photodetector and method for fabricating same |
| US7399988B2 (en) * | 2006-05-10 | 2008-07-15 | Fujitsu Limited | Photodetecting device and method of manufacturing the same |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| D.K.Sengupta et al, Growth and Characterization of n-Type GaAs / AlGaAs Quantum Well Infrared Photodetector on GaAs-on-Si Substrate, Journal of Electronic Materials, Vol.27, No.7, 1998, p.858-859. * |
| K.L.Tsai et al, Influence of oxygen on the performance of GaAs / AlGaAs quantum well infrared photodetectors, Journal of Applied Physics 76 (1), 1 July 1994, p.274-277. * |
| K.L.Tsai et al, Influence of oxygen on the performance of GaAs / AlGaAs quantum well infrared photodetectors, Journal of Applied Physics 76 (1), 1 July 1994, p.274-277. D.K.Sengupta et al, Growth and Characterization of n-Type GaAs / AlGaAs Quantum Well Infrared Photodetector on GaAs-on-Si Substrate, Journal of Electronic Materials, Vol.27, No.7, 1998, p.858-859. * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103959441B (zh) | 2016-10-05 |
| WO2013015722A1 (ru) | 2013-01-31 |
| IL230699A0 (en) | 2014-03-31 |
| CN103959441A (zh) | 2014-07-30 |
| IL230699A (en) | 2017-09-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Lee et al. | Electrical properties and radiation detector performance of free-standing bulk n-GaN | |
| Srour et al. | Solar blind metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors using quasi-alloy of BGaN/GaN superlattices | |
| Sorianello et al. | High responsivity near-infrared photodetectors in evaporated Ge-on-Si | |
| Cai et al. | AlGaN ultraviolet avalanche photodiodes based on a triple-mesa structure | |
| Aggarwal et al. | Impact on photon-assisted charge carrier transport by engineering electrodes of GaN based UV photodetectors | |
| Luong et al. | Making germanium, an indirect band gap semiconductor, suitable for light-emitting devices | |
| Polyakov et al. | Crystal orientation dependence of deep level spectra in proton irradiated bulk β-Ga2O3 | |
| Kim et al. | Impact of thermal annealing on bulk InGaAsSbN materials grown by metalorganic vapor phase epitaxy | |
| Majkowycz et al. | New insight into defect energy levels in HgCdTe | |
| Dupuis et al. | Growth and fabrication of high-performance GaN-based ultraviolet avalanche photodiodes | |
| Migliore et al. | β-rays induced displacement damage on epitaxial 4H-SiC revealed by exciton recombination | |
| JP2012094761A (ja) | 半導体ウエハの製造方法、半導体装置の製造方法およびセンサアレイの製造方法 | |
| RU2469432C1 (ru) | Способ выращивания гетероструктуры для инфракрасного фотодетектора | |
| Xiang et al. | Oxygen-related deep level defects in solid-source MBE grown GaInP | |
| De la Mare et al. | Growth and characterization of InAsN/GaAs dilute nitride semiconductor alloys for the midinfrared spectral range | |
| Kim et al. | Electrical properties of semi-insulating CdTe0: 9Se0: 1: Cl crystal and its surface preparation | |
| Nasieka et al. | Photoluminescence-based material quality diagnostics in the manufacturing of CdZnTe ionizing radiation sensors | |
| TWI718159B (zh) | 在有晶格參數幾近匹配ＧａＡｓ之基板上具有稀釋氮化物層的光電偵測器 | |
| Oehme et al. | GeSn photodetection and electroluminescence devices on Si | |
| Wei et al. | Influence of negative-U centers related carrier dynamics on donor-acceptor-pair emission in fluorescent SiC | |
| Wight et al. | Minority carrier diffusion length in CdTe | |
| Kostecki et al. | Virtual substrate technology for Ge1-XSnX heteroepitaxy on Si substrates | |
| Becla | Advanced infrared photonic devices based on HgMnTe | |
| JP7310727B2 (ja) | シリコン試料中の酸素濃度測定方法 | |
| Fedorov et al. | GaAs PIN structures as detectors of x-ray radiation |