JP2007285961A - ガスセンサ素子及びその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】被測定ガス側リード部の剥離を防ぐことができるガスセンサ素子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】固体電解質体11と、固体電解質体11の一方の面に形成された被測定ガス側電極121及び被測定ガス側リード部122と、固体電解質体11の他方の面に形成された基準ガス側電極131及び基準ガス側リード部132と、被測定ガス側リード部122を覆うように配置された緻密保護層14と、被測定ガス側電極121を覆うように積層された多孔質保護層15とを有する。緻密保護層14の基端部141は被測定ガス側リード部122上に配されている。被測定ガス側リード部122は、緻密保護層14の基端部141よりも基端側の部分の空隙率をQA、緻密保護層14の基端部141から0.5mm先端側までの間の部分の空隙率をQBとしたとき、QB≧0.8QAを満たす。
【選択図】図1

Description

本発明は、被測定ガス中の特定ガス濃度を検出するガスセンサ素子及びその製造方法に関する。
従来より、被測定ガス側電極と基準ガス側電極の間にジルコニア固体電解質体を介在させてなる電気化学素子として、例えば特許文献1〜3に示される酸素センサが知られている。これらの酸素センサは、被測定ガス側電極に被測定ガスを接触させ、基準ガス側電極に基準ガスを接触させることにより、被測定ガス側電極と基準ガス側電極の間に発生する起電力を測定し、排ガス中の酸素濃度成分を検出する。
特許文献1に示されているセンサでは、被測定ガス側電極の被測定ガスと接触する部分を単一の多孔質保護層で被覆し、排気電極のリード線は多孔質保護層とその上に更に配置した気密質層との2層にて覆われている。
また、特許文献2に示されているセンサでは、被測定ガス側電極の被測定ガスと接触する部分のうち高温度部を多孔質保護層で被覆し、排気電極のリード線となる低温度部を気密質保護層にて被覆している。
また、特許文献3に示されるセンサでは、被測定ガス側電極の高温度部を第1多孔質保護層で被覆し、排気電極のリード線となる低温度部を第1多孔質保護層よりもガス透過性の低い第2多孔質保護層にて被覆している。
しかしながら、特許文献1、3に示されるセンサの場合、電極に連結された電極リード線部も多孔質保護層で被覆されているのみであるため、この部位にも被測定ガスに曝される結果となり、電極リード線部も電極としての機能を発することとなり、特性バラツキが大きくなってしまうという問題が発生する。特に、ポンピング作用を利用する限界電流式のセンサの場合影響が大きい。
一方、特許文献2に示されているセンサの場合、電極に連結された電極リード線部は気密質保護層にて被覆されているため、上述のような特性バラツキの問題は発生しないが、リード線剥離等の問題が発生する。
即ち、酸素センサの製造プロセスにおいては、加工や検査等の際にセンサ素子が各種水溶液やスラリー等に曝される。このとき、多孔質保護層内に水溶液等の水分が浸入することとなる。さらに、電極層及び電極リード線は、ジルコニア固体電解質との付着性等の特性の制約上、多孔質とせざるを得ず、多孔質保護層内に浸入した水分は電極及び電極リード線部内にも浸入して行くこととなる。
そして、この後、これらの水分除去やセラミックの焼き付けを目的とした熱処理が実施されることとなる。その際、電極リード線部等に浸入した水分は急速に蒸発(ガス化)することとなる。この蒸発による蒸気圧が、電極リード線を覆う気密質保護層の強度を上回ると、破壊に至り、その際、電極リード線部が気密質保護層と一緒に剥れ、電極リード線部の断線を招くおそれがあるという問題がある。
また、気密質保護層の基端部を電極リード線部の途中の位置に配置することで、電力リード線部に浸入した水分を、気密質保護層の基端部から解放するよう構成することが考えられる。しかし、かかる構成を採用する場合、気密質保護層の基端部が配される位置における電極リード線部の空隙率が小さくなり、水蒸気の逃げ道がなくなってしまうおそれがある。
即ち、電極リード線部を覆うように気密質保護層を形成した後には、表面平滑化を目的としたプレスを行う(図5、図6参照)。このとき、気密質保護層の基端部が電極リード線部の途中の位置に配置されていると、気密質保護層の基端部が電極リード線部に沈み込み、電極リード線部の空隙率が小さくなるおそれがある。
これは、スクリーン印刷等により形成される気密質保護層は、その基端部に他の部分よりも厚みの大きい印刷サドルが形成される(図8参照)。この印刷サドルが、上記プレス時に電極リード線部に食込み、その周辺の電極リード線部が緻密化し、空隙率が低下する。これにより、この部分において電極リード線部に栓がされた状態となり、電極リード線部に浸入した水分の逃げ道が塞がれることとなる。その結果、電極リード線部における水分が水蒸気となり膨張したとき、電極リード線部の剥離を起こす原因となるおそれがある。
特開昭60−36948号公報 特開昭60−36949号公報 特開平4−303753号公報
本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてなされたもので、被測定ガス側リード部の剥離を防ぐことができるガスセンサ素子及びその製造方法を提供しようとするものである。
第1の発明は、酸素イオン伝導性の固体電解質体と、該固体電解質体の一方の面に形成された被測定ガス側電極及びその基端側に連続形成された被測定ガス側リード部と、上記固体電解質体の他方の面に形成された基準ガス側電極及びその基端側に連続形成された基準ガス側リード部と、上記被測定ガス側リード部を覆うように上記固体電解質体に配置された緻密保護層と、上記被測定ガス側電極を覆うように上記緻密保護層に積層された多孔質保護層とを有し、
上記緻密保護層の基端部は、上記被測定ガス側リード部上に配されており、
上記被測定ガス側リード部は、上記緻密保護層の基端部よりも基端側の部分の空隙率をQA、上記緻密保護層の基端部から0.5mm先端側までの間の部分の空隙率をQBとしたとき、QB≧0.8QAを満たすことを特徴とするガスセンサ素子にある(請求項1)。
次に、本発明の作用効果につき説明する。
上記ガスセンサ素子においては、上記緻密保護層の基端部が上記被測定ガス側リード部上に配されている。これにより、被測定ガス側リード部に水分が浸入し水蒸気となって膨張しても、この水蒸気を上記緻密保護層よりも基端側の部分から外部へ放出することができる。
そして、上記被測定ガス側リード部は、上記緻密保護層の基端部よりも基端側の部分の空隙率QAと、上記緻密保護層の基端部から0.5mm先端側までの間の部分の空隙率QBとが、QB≧0.8QAを満たす。これにより、緻密保護層の基端部に位置する被測定ガス側リード部の空隙を充分に確保し、この部分からの水蒸気の放出を充分に行うことができる。即ち、緻密保護層の基端部付近における被測定ガス側リード部の空隙に栓がされる状態を回避することができ、被測定ガス側リード部に浸入した水分の水蒸気を、緻密保護層よりも基端側の部分から充分に外部へ放出することができる。
その結果、被測定ガス側リード部に浸入した水分に起因する被測定ガス側リード部の剥離を防ぐことができる。
以上のごとく、本発明によれば、被測定ガス側リード部の剥離を防ぐことができるガスセンサ素子を提供することができる。
第2の発明は、酸素イオン伝導性の固体電解質体の一方の面に被測定ガス側電極及びその基端側に連続する被測定ガス側リード部を形成し、上記固体電解質体の他方の面に基準ガス側電極及びその基端側に連続する基準ガス側リード部を形成し、上記被測定ガス側リード部を覆うように緻密保護層を上記固体電解質体に配置して一次積層体を得る一次積層体形成工程と、
上記緻密保護層の基端部よりも0.5mm以上先端側の部分において、上記一次積層体を両面からプレスして該両面を平滑化する平滑化工程と、
上記被測定ガス側電極を覆うように上記一次積層体における上記緻密保護層の表面に多孔質保護層を積層すると共に、上記固体電解質体の上記基準ガス側電極を設けた面に基準ガスを導入するダクトを形成するためのダクト形成層を積層して二次積層体を得る二次積層体形成工程と、
上記二次積層体を焼成する焼成工程とを有することを特徴とするガスセンサ素子の製造方法にある(請求項2)。
次に、本発明の作用効果につき説明する。
上記平滑化工程においては、上記緻密保護層の基端部よりも0.5mm以上先端側の部分において、上記一次積層体を両面からプレスする。そのため、得られる上記被測定ガス側リード部における上記緻密保護層の基端部付近の部分が緻密になりすぎることを防ぐことができる。
即ち、緻密保護層は、例えばスクリーン印刷により形成される場合等、その基端部付近が他の部分よりも厚みが大きくなりやすい。この厚みの大きい基端部付近が上記プレス時に被測定ガス側リード部に食込むと、その周辺の被測定ガス側リード部が緻密化し、空隙率が低下し、この部分において被測定ガス側リード部の空隙に栓がされた状態となるおそれがある。
しかし、本発明の製造方法によれば、上記のごとく、平滑化工程においては、上記緻密保護層の基端部よりも0.5mm以上先端側の部分においてプレスを行うため、上記の厚みの大きい基端部は被測定ガス側リード部に食込むこともない。それ故、この部分における被測定ガス側リード部の空隙を充分に確保することができる。その結果、当該部分において上記被測定ガス側リード部の空隙に栓がされた状態を回避することができ、上記被測定ガス側リード部に浸入した水分を、上記緻密保護層よりも基端側から外部へ充分に放出することができる。それ故、被測定ガス側リード部の剥離を充分に防ぐことができる。
以上のごとく、本発明によれば、被測定ガス側リード部の剥離を防ぐことができるガスセンサ素子の製造方法を提供することができる。
上記第1の発明(請求項1)及び上記第2の発明(請求項2)において、上記ガスセンサ素子としては、例えば、内燃機関の排ガス中の酸素濃度を検出する酸素センサ素子等がある。
また、本明細書において、ガスセンサを排気管等に挿入する側を先端側、その反対側を基端側として説明する。
また、上記第1の発明(請求項1)において、上記空隙率は、例えば、以下のようにして求める。即ち、被測定ガス側リード部の断面において、充分に奥まで連通している空隙の面積の総和を、被測定ガス側リード部の総断面積で割ることにより求める。そして、充分奥まで連通している空隙の面積の総和は、具体的には、例えば、被測定ガス側リード部の断面を撮像し、その画像についてコンピュータの画像解析を行うことにより求めることができる。
空隙率QAとQBとの関係がQB<0.8QAの場合には、被測定ガス側リード部に水分が浸入し水蒸気となって膨張したとき、その水蒸気を充分に外部へ放出することが困難となり、被測定ガス側リード部の剥離を招くおそれがある。
また、上記第2の発明(請求項2)において、上記平滑化工程におけるプレスを、緻密保護層の基端部から0.5mm未満の部分に行うと、緻密保護層の基端部が被測定ガス側リード部に食込み、この部分に栓を形成するおそれがある。これにより、被測定ガス側リード部に浸入した水分を外部に放出することが困難となり、被測定ガス側リード部の剥離を招くおそれがある。
(実施例1)
本発明の実施例にかかるガスセンサ素子及びその製造方法につき、図1〜図10を用いて説明する。
本例のガスセンサ素子1は、図1〜図3に示すごとく、酸素イオン伝導性の固体電解質体11と、該固体電解質体11の一方の面に形成された被測定ガス側電極121及びその基端側に連続形成された被測定ガス側リード部122と、固体電解質体11の他方の面に形成された基準ガス側電極131及びその基端側に連続形成された基準ガス側リード部132とを有する。また、ガスセンサ素子1は、被測定ガス側リード部122を覆うように固体電解質体11に配置された緻密保護層14と、被測定ガス側電極121を覆うように緻密保護層14に積層された多孔質保護層15とを有する。
図1、図4に示すごとく、緻密保護層14の基端部141は、被測定ガス側リード部122上に配されている。
被測定ガス側リード部122は、緻密保護層14の基端部141よりも基端側の部分(領域A)の空隙率をQA、緻密保護層の基端部から0.5mm先端側までの間の部分(領域B)の空隙率をQBとしたとき、QB≧0.8QAを満たす。
ここで、上記空隙率は、例えば、以下のようにして求める。即ち、図7に示すごとく、被測定ガス側リード部122の断面を撮像し、その画像についてコンピュータの画像解析を行うことにより、充分に奥まで連通している空隙6の面積の総和を求めることができる。そして、被測定ガス側リード部122の断面において、充分に奥まで連通している空隙6の面積の総和を、被測定ガス側リード部122の総断面積で割った値を上記空隙率とする。
なお、図7は、被測定ガス側リード部122及びその周囲の固体電解質体11及び緻密保護層14の断面の電子顕微鏡写真(倍率約4000倍)を表し、空隙6と判定された領域に白抜きのマーキングを施したものである。
ガスセンサ素子1は、図1、図2に示すごとく、先端部付近にガス濃度を検出する検出部を設けており、該検出部に被測定ガス側電極121と基準ガス側電極131とを有する。この検出部においては、図2に示すごとく、以下の構成となっている。
即ち、固体電解質体11(図9(A))における被測定ガス側電極121(図9(B))を設けた面には、被測定ガス側電極121の周囲に緻密保護層14(図9(C))が積層されている。緻密保護層14は、被測定ガス側電極121に対応する位置に開口部143を有する。そして、図2に示すごとく、被測定ガス側電極121を覆うように、接着層152を介して、緻密保護層14に多孔質保護層15(図9(D))が積層されている。接着層152は、多孔質保護層15と同様の構成を有し、実質的に多孔質保護層15の一部となる。
また、固体電解質体11における基準ガス側電極131を設けた面には、接着層171を介して、ダクト形成層17が積層されている。このダクト形成層17と固体電解質体11との間に、基準ガス(大気)を導入するダクト170が形成されている。該ダクト170に、基準ガス側電極131が面している。
また、ダクト形成層17には、ガスセンサ素子1を加熱するためのヒータ18が埋め込まれている。
また、基準ガス側電極131の基端側には、基準ガス側リード部132が連続形成されており、ガスセンサ素子1の基端部の電極端子133に接続されている。一方、被測定ガス側リード部122は、ガスセンサ素子1の基端部の電極端子123に接続されている。
また、図1、図4に示すごとく、緻密保護層14の基端部141は、電極端子123、133よりも先端側に配されており、緻密保護層14の基端部と電極端子123との間の領域が、上記領域Aとなる。
上記固体電解質体11はジルコニアからなり、緻密保護層14、多孔質保護層15、接着層152、171、ダクト形成層17は、アルミナからなる。
また、緻密保護層14はガス透過性を有さず、多孔質保護層15(及び接着層152)はガス透過性を有する。
また、被測定ガス側電極121、被測定ガス側リード部122、基準ガス側電極131、基準ガス側リード部132、電極端子123、133は、白金等の金属とセラミックとを混合したサーメット材料からなる。
また、ガスセンサ素子1は、図10に示すごとく、ガスセンサ2に内蔵される。即ち、ガスセンサ2は、ガスセンサ素子1と、該ガスセンサ素子1を挿通保持する素子側絶縁碍子3と、該素子側絶縁碍子3を内側に保持するハウジング4とを有する。ここで、ガスセンサ素子1の多孔質保護層15は、基端部を素子側絶縁碍子3の先端部31よりも基端側に配置している。
上記素子側絶縁碍子3の基端部には、該素子側絶縁碍子3とガスセンサ素子1との間の隙間を封止するガラスからなる封止材21が配置されている。
また、ハウジング4の先端側には、ガスセンサ素子1の先端部をカバーする素子カバー26が固定されている。該素子カバー26は二重構造となっており、各素子カバー26には、被測定ガスを通過させる通気孔261が形成されている。
また、素子側絶縁碍子3の基端側には、大気側絶縁碍子22が配されており、該大気側絶縁碍子22の内側に、ガスセンサ素子1の電極端子123、133に接触する金属端子221が配設されている。
また、ハウジング4の基端側には、大気側絶縁碍子22の外側を覆うように形成された大気側カバー23が固定されている。該大気側カバー23の基端部には、該基端部を密閉するゴムブッシュ231が配置している。該ゴムブッシュ231には、金属端子221に電気的に接続される外部リード部222が挿通されている。
また、大気側絶縁碍子22とゴムブッシュ231との間における大気側カバー23の側面には、大気導入口232が形成されている。
本例のガスセンサ素子1を製造するに当たっては、下記の一次積層体形成工程と、平滑化工程と、二次積層体形成工程と、焼成工程とを行う。
上記一次積層体形成工程においては、固体電解質体11の一方の面に被測定ガス側電極121及び被測定ガス側リード部122を形成し、他方の面に基準ガス側電極131及び基準ガス側リード部132を形成する。そして、被測定ガス側リード部122を覆うように緻密保護層14を固体電解質体11に配置する。これにより、図5に示す一次積層体101を得る。
次に、上記平滑化工程においては、図5、図6に示すごとく、緻密保護層11の基端部よりも0.5mm以上先端側の部分において、一次積層体101を両面からプレスして該両面を平滑化する。
次に、上記二次積層体形成工程においては、図1、図2に示すごとく、被測定ガス側電極121を覆うように一次積層体101における緻密保護層14の表面に多孔質保護層15を積層する。また、固体電解質体11の基準ガス側電極131を設けた面に基準ガスを導入するダクト170を形成するためのダクト形成層17を積層する。これにより、図2〜図4に示すごとく、二次積層体102を得る。
そして、上記焼成工程において、上記二次積層体102を焼成する。これにより、ガスセンサ素子1を得る。
この製造工程のより具体的な一例を以下に示す。
まず、上記一次積層体形成工程においては、固体電解質体11となる厚さ250μmのジルコニアシートの所定の位置にスルーホールを形成し、該スルーホールに白金(Pt)ペーストを充填する。該白金ペーストは、白金粉末、ジルコニア粉末、及び有機バインダ等によって構成される。
そして、ジルコニアシートの一方の面に、被測定ガス側電極121、被測定ガス側リード部122、及び電極端子123、133を、上記白金ペーストによって印刷する。更に、ジルコニアシートの他方の面に、基準ガス側電極131及び基準ガス側リード部132を上記白金ペーストによって印刷する。上記基準ガス側リード部132と上記電極端子133とは、上記スルーホールを介して電気的に接続される。
上記被測定ガス側リード部122及び基準ガス側リード部132は、被測定ガス側リード部121、基準ガス側リード部131、電極端子123、133に比べて幅が小さい。
次に、被測定ガス側リード部122を覆うように、セラミックペーストを印刷し、緻密保護層14を形成する。このセラミックペーストは、アルミナ粉末及び有機バインダ等によって構成される。以上により、一次積層体101を得る。
次に、上記平滑化工程において、図5、図6に示すごとく、一次積層体101に対して、その両面から下型51と上型52とによってプレスする。このとき、下型51及び上型52の基端部511、521が、緻密保護層14の基端部141から5mm以上先端側に配されるようにプレスを行う。
次に、上記二次積層体形成工程においては、平滑化工程によって平滑化した一次積層体101の表面に、常温にて接着性を有するセラミック粉末を有する接着ペースト(接着層152及び171)を印刷し、この接着ペーストを介して、電極保護層15とヒータ18を埋設したダクト形成層17を積層する(図2〜図4)。
これにより得られた二次積層体102を焼成することにより、ガスセンサ素子1を得る。
次に、本例の作用効果につき説明する。
上記ガスセンサ素子1においては、上記緻密保護層14の基端部141が上記被測定ガス側リード部122上に配されている。これにより、被測定ガス側リード部122に水分が浸入し水蒸気となって膨張しても、この水蒸気を緻密保護層14よりも基端側の部分から外部へ放出することができる。
そして、被測定ガス側リード部122は、緻密保護層14の基端部141よりも基端側の部分の空隙率QAと、緻密保護層14の基端部141から0.5mm先端側までの間の部分の空隙率QBとが、QB≧0.8QAを満たす。これにより、緻密保護層14の基端部141に位置する被測定ガス側リード部122の空隙6を充分に確保し、この部分からの水蒸気の放出を充分に行うことができる。即ち、緻密保護層14の基端部141付近における被測定ガス側リード部122の空隙6に栓がされる状態を回避することができ、被測定ガス側リード部122に浸入した水分の水蒸気を、緻密保護層14よりも基端側の部分から充分に外部へ放出することができる。
その結果、被測定ガス側リード部122に浸入した水分に起因する被測定ガス側リード部122の剥離を防ぐことができる。
また、上記ガスセンサ素子1を製造するに当たり、上記平滑化工程においては、緻密保護層14の基端部141よりも0.5mm以上先端側の部分において、上記一次積層体101を両面からプレスする。そのため、得られる被測定ガス側リード部122における緻密保護層14の基端部141付近の部分が緻密になりすぎることを防ぐことができる。
即ち、図8に示すごとく、緻密保護層14は、例えばスクリーン印刷により形成される場合等、その基端部141付近が他の部分よりも厚みが大きくなりやすい。この厚みの大きい基端部141付近が上記プレス時に被測定ガス側リード部122に食込むと、その周辺の被測定ガス側リード部122が緻密化し、空隙率が低下し、この部分において被測定ガス側リード部122の空隙6に栓がされた状態となるおそれがある。
しかし、本例の製造方法によれば、上記のごとく、平滑化工程においては、緻密保護層14の基端部141よりも0.5mm以上先端側の部分においてプレスを行うため、上記の厚みの大きい基端部141は被測定ガス側リード部122に食込むこともない。それ故、この部分における被測定ガス側リード部122の空隙6を充分に確保することができる。その結果、当該部分において被測定ガス側リード部122の空隙6に栓がされた状態を回避することができ、被測定ガス側リード部122に浸入した水分を、緻密保護層14よりも基端側から外部へ充分に放出することができる。それ故、被測定ガス側リード部122の剥離を充分に防ぐことができる。
以上のごとく、本例によれば、被測定ガス側リード部の剥離を防ぐことができるガスセンサ素子及びその製造方法を提供することができる。
(実施例2)
本例は、図11、図12、表1に示すごとく、被測定ガス側リード部122における各領域の空隙率を種々変化させたガスセンサ素子1を作製し、それらの被測定ガス側リード部122の剥離発生率を比較した例である。
即ち、緻密保護層14の基端部141よりも基端側の部分(領域A)の空隙率をQA、緻密保護層14の基端部141から0.5mm先端側までの間の部分(領域B)の空隙率をQB、緻密保護層14の基端部141から0.5mm先端側の位置から更に先端側の部分(領域C)の空隙率をQCとする。
そして、平滑化工程において、プレス位置を適宜調整することにより、各領域の空隙率を、表1に示すように変化させた。この表1に示す空隙率の組合せとなる試料1〜10を、各200個作製した。
これらの試料につき、次の試験を行った。
即ち、図11に示すごとく、試料となるガスセンサ素子1を水Wの中に24時間放置した。その後、ガスセンサ素子1を、図12に示すごとく、予め500℃に保持しておいた電気炉7の中に投入し、15分間放置した。その後、ガスセンサ素子1を炉外に取出し、室温となるまで放冷した。そして、緻密保護層14が形成されている部分の被測定ガス側リード部122に剥離が生じているか否かを、10倍の拡大鏡にて調べた。調査結果を表1に示す。
表1から分かるように、試料3、6、7、8,9において剥離の発生が認められ、それ以外の試料1,2,4,5,10には剥離の発生は認められなかった。この結果から、QB≧0.8QAを満たすことにより、被測定ガス側リード部122の剥離の発生を防ぐことができることが分かる。
(実施例3)
本例は、図13に示すごとく、平滑化工程におけるプレス位置と、被測定ガス側リード部122の剥離発生率との関係を調べた例である。
即ち、平滑化工程において、緻密保護層14の基端部141を基準にして、下型51および上型52の基端部511、521(図5、図6)を先端側へ所定量ずらした状態で、プレスを行う。そして、各所定のずらし量(プレス基端部の位置)と、被測定ガス側リード部122の剥離発生率との関係を図13に、プロット「●」にて示す。
ここで、剥離発生率は、各水準200個のサンプルのうち、被測定ガス側リード部122が剥離したサンプルの個数の割合である。
図13から分かるように、プレス基端部の位置が0.5mm未満であると剥離が発生し、0.5mm以上とすることにより剥離発生率を0とすることができる。また、剥離の生じたサンプルをミクロ観察すると、緻密保護層14は、基端部141から約0.4mm先端側までの間において厚みが大きくなっている、いわゆる印刷サドルが発生していた。それ故、この部分を外した位置においてプレスを行うことにより、被測定ガス側リード部122の局部的な緻密化を回避することができ、剥離を防ぐことができると考えられるが、上記のプレス基端部の位置と剥離発生率との関係の調査結果(図13)は、この理屈と整合するものであると考えられる。
実施例1における、ガスセンサ素子の正面図。 図1のD−D線矢視断面図。 図1のE−E線矢視断面図。 図1のF−F線矢視断面相当の部分断面説明図。 実施例1における、平滑化工程を示す断面図。 実施例1における、平滑化工程を示す平面図。 実施例1における、被測定ガス側リード部の断面の電子顕微鏡写真(倍率約4000倍)。 実施例1における、緻密保護層の基端部付近を示す断面図。 実施例1における、ガスセンサ素子の展開図。 実施例1における、ガスセンサの縦断面図。 実施例2における、ガスセンサ素子の水中浸漬の状態を示す説明図。 実施例2における、ガスセンサ素子の加熱保持の状態を示す説明図。 実施例3における、プレス位置と被測定ガス側リード部の剥離発生率との関係を示すプロット図。
符号の説明
1 ガスセンサ素子
11 固体電解質体
121 被測定ガス側電極
122 被測定ガス側リード部
131 基準ガス側電極
132 基準ガス側リード部
14 緻密保護層
141 基端部
15 多孔質保護層

Claims (2)

  1. 酸素イオン伝導性の固体電解質体と、該固体電解質体の一方の面に形成された被測定ガス側電極及びその基端側に連続形成された被測定ガス側リード部と、上記固体電解質体の他方の面に形成された基準ガス側電極及びその基端側に連続形成された基準ガス側リード部と、上記被測定ガス側リード部を覆うように上記固体電解質体に配置された緻密保護層と、上記被測定ガス側電極を覆うように上記緻密保護層に積層された多孔質保護層とを有し、
    上記緻密保護層の基端部は、上記被測定ガス側リード部上に配されており、
    上記被測定ガス側リード部は、上記緻密保護層の基端部よりも基端側の部分の空隙率をQA、上記緻密保護層の基端部から0.5mm先端側までの間の部分の空隙率をQBとしたとき、QB≧0.8QAを満たすことを特徴とするガスセンサ素子。
  2. 酸素イオン伝導性の固体電解質体の一方の面に被測定ガス側電極及びその基端側に連続する被測定ガス側リード部を形成し、上記固体電解質体の他方の面に基準ガス側電極及びその基端側に連続する基準ガス側リード部を形成し、上記被測定ガス側リード部を覆うように緻密保護層を上記固体電解質体に配置して一次積層体を得る一次積層体形成工程と、
    上記緻密保護層の基端部よりも0.5mm以上先端側の部分において、上記一次積層体を両面からプレスして該両面を平滑化する平滑化工程と、
    上記被測定ガス側電極を覆うように上記一次積層体における上記緻密保護層の表面に多孔質保護層を積層すると共に、上記固体電解質体の上記基準ガス側電極を設けた面に基準ガスを導入するダクトを形成するためのダクト形成層を積層して二次積層体を得る二次積層体形成工程と、
    上記二次積層体を焼成する焼成工程とを有することを特徴とするガスセンサ素子の製造方法。
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