JP2007158244A - 半導体装置に配設される中継部材、半導体装置、及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ボンディング位置やボンディングワイヤの接続形態を任意に設定可能として、中継部材を備えた半導体装置、及び当該半導体装置を安価に製造することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の半導体素子２及び第２の半導体素子６と、前記第１の半導体素子２及び第２の半導体素子６との接続、又は前記第２の半導体素子６と配線基板１又はリードフレーム２２との接続を中継する中継部材４と、を備えた半導体装置１０。前記中継部材４は、前記第１の半導体素子２及び第２の半導体素子６の間に配設され、前記中継部材４の主面の全面が導体物からなり、前記中継部材４と前記第２の半導体素子６、及び前記中継基板４と前記第１の半導体素子２又は前記配線基板１又は前記リードフレーム２２とが、ボンディングワイヤ７により接続される。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体装置に配設される中継部材、半導体装置、及び半導体装置の製造方法に関し、より具体的には、複数の半導体チップ同士、又は半導体チップと配線基板又はリードフレームとを接続するために半導体装置に配設される中継部材、当該中継部材を具備する半導体装置、及び当該半導体装置の製造方法に関する。

複数の異なる機能の半導体チップ（半導体素子）を配線基板又はリードフレームのダイパッド上に積層して配置し、夫々の半導体チップの電極パッドと配線基板上のボンディングパッド或いはリードフレームのインナーリードとを、又は複数の半導体チップの電極パッド間を、ボンディングワイヤにより配線した構成のチップ積層型半導体装置（スタックドパッケージと称されることもある）が知られている。

かかる構造を有する半導体装置においては、半導体チップにおける電極パッドと配線基板のボンディングパッド又はリードフレームのボンディングリードの配置構成や、積層する複数の半導体チップの配置構成により、ボンディングワイヤ同士の交差・重畳を生じてしまう、又はボンディングワイヤ長が長くなりすぎてしまう等、ワイヤーボンディングを行うことが困難な場合がある。

これらの問題を解消すべく、配線及び当該配線の端部に端子を形成した中継部材を用意し、積層する半導体チップ間にこの中継部材を配置して、半導体チップと基板又はリードフレームのインナーリードとを、又は複数の半導体チップの電極パッド間を、この中継部材を介してワイヤーボンディングを行って電気的に接続する態様が、従来より提案されている。

例えば、配線パターン及び配線パターンの端部に端子を有する配線シートを複数の半導体チップの間に配設した構造（特許文献１参照）、基板上に積層された複数の半導体チップ間に、ワイヤーボンディング用のワイヤを中継配線するための配線層を設けた構造（特許文献２参照）、絶縁シートと当該絶縁シート上に形成された複数の導体金属パターンとを備えた再配置用シートを、基板上に積層された複数の半導体チップ間に介在させた構造（特許文献３参照）、基板上に積層された複数の半導体チップ間に、接続配線が形成されたインターポーザチップを配設した構造（特許文献４参照）が知られている。
特開２００１−７２７８号公報 特開２００２−７６２５０号公報 特開２００２−２６１２３４号公報 特開２００４−２３５３５２号公報

しかしながら、半導体チップ並びに配線基板の大きさ、半導体チップに形成される電極パッド或いは配線基板に形成されるボンディングパッドの数並びにその配置形態は様々である一方、上述の公知の態様では、何れの場合も、中継部材に予め所定の配線パターン及び端子が形成されている。

従って、一つの半導体装置に適した中継部材であっても、必ずしも他の半導体装置に適するとは限らない。即ち、従来の中継部材では、半導体装置ごとに、半導体チップの電極パッドと配線基板又はリードフレームのボンディングパッド部の配置とに対応させて中継部材に配線パターン及び端子を形成していた。従って、半導体チップと配線基板のパッド又はリードフレームの位置関係によっては、従来の公知の中継部材では対応できず、当該位置関係に応じてその都度中継部材を設計し製造しなければならず、汎用性に乏しかった。

また、半導体装置に配設される半導体チップの仕様の変更に伴い、半導体チップの電極パッドの配置、或いは半導体チップと配線基板又はリードフレームとのワイヤボンディング部との接続構成を変更しなければならない場合がある。更に、製造歩留りを向上させる目的で既存の半導体装置において中継部材の配線パターンや端子を変更せざるを得ない場合等もある。これらの場合にも、前記従来の中継部材では対応できず、別の構造を有する中継部材を新たに配設する必要があった。

更に、上述の公知の中継部材における配線パターンは、フォトリソグラフィ技術を用いて形成されるため、当該中継部材及び当該中継部材を備えた半導体装置の製造コストは高コスト化してしまう。

また、中継部材を半導体チップ間に配置する場合、中継部材の端子と半導体チップの電極パッドとが所定の相対位置となるように中継部材を半導体チップ間に精度良く積層配置させる必要がある。例えば、画像認識を用いた位置合せ機構を備えた装置を用いることにより中継部材を半導体チップ間に配置する場合、１つの中継部材を半導体チップ間に積層配置する毎に、当該配置の認識から位置合わせに至るまでの動作を行う必要がある。かかる動作には、多大な時間を必要とするため、半導体装置の生産性が低下し、結果として当該半導体装置の製造コストの上昇を招いてしまう。

そこで、本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであって、半導体装置に配設される中継部材であって、当該中継部材におけるボンディング位置やボンディングワイヤの接続形態を任意に設定可能として、異なる機能・構成を有する半導体装置に対しても適用することができる中継部材、当該中継部材を備えた半導体装置、及び当該半導体装置を安価に製造することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

本発明の一観点によれば、半導体装置に配設される中継部材であって、全面が導体物からなる主面を有することを特徴とする中継部材が提供される。

本発明の別の観点によれば、第１及び第２の半導体素子と、前記第１の半導体素子と前記第２の半導体素子との接続、又は前記第２の半導体素子と配線基板又はリードフレームとの接続を中継する中継部材と、を備えた半導体装置において、前記中継部材は、前記第１及び第２の半導体素子の間に配設され、前記中継部材の主面の全面が導体物からなり、前記中継部材と前記第２の半導体素子、及び前記中継基板と前記第１の半導体素子又は前記配線基板又は前記リードフレームとが、ボンディングワイヤにより接続されたことを特徴とする半導体装置が提供される。

本発明の更に別の観点によれば、中継部材を備えた半導体装置の製造方法であって、前記中継部材にフィルム状の接着剤を貼り付ける工程と、一の箇所では前記中継部材のみを切断し、他の箇所では前記中継部材と前記中継部材に貼り付けられた前記接着剤の双方を切断して、共通の単一の前記フィルム状接着剤に接着している複数の分割された中継部材を形成する工程と、当該複数の分割された中継部材を同時に半導体素子に配設する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。

本発明によれば、半導体装置に配設される中継部材であって、当該中継部材におけるボンディング位置やボンディングワイヤの接続形態を任意に設定可能として、異なる機能・構成を有する半導体装置に対しても適用することができる中継部材、当該中継部材を備えた半導体装置、及び当該半導体装置を安価に製造することができる半導体装置の製造方法を提供することができる。

説明の便宜上、本発明の中継部材及び当該中継部材を備えた半導体装置の実施の形態について説明し、次いで、当該半導体装置の製造方法の実施の形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の説明において、「半導体チップ」が特許請求の範囲の「半導体素子」に相当する。
[１．本発明の中継部材及び当該中継部材を備えた半導体装置の実施の形態]
[第１の実施の形態]
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る中継部材及び当該中継部材を備えた半導体装置の断面図である。図２は、図１に示す半導体装置の部分拡大平面図であり、図１に示す封止樹脂９の図示は省略している。図３は、図１及び図２に示すダイパッド（ダイステージ）２１、インナーリード部２２等が形成されたリードフレーム２０の部分平面図である。

図１及び図２を参照するに、本発明の第１の実施の形態に係る中継部材を備えた半導体装置１０は、外部接続端子としてリードをパッケージの四辺に配したリードフレーム型のＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）の半導体装置である。

半導体装置１０において、銅合金、鉄・ニッケル合金等からなるリードフレーム２０（図３参照）のダイパッド（ダイステージ）２１上に第１の半導体チップ２が接着剤５Ａにより接着固定されている。第１の半導体チップ２の上には、第１の半導体チップ２の主面よりも小さい主面を有する中継部材４が接着剤５Ｂにより接着固定されている。中継部材４の上には、中継部材４の主面よりも小さい主面を有する第２の半導体チップ６が接着剤５Ｃにより接着固定されている。即ち、第１の半導体チップ４と第２の半導体チップ６との間に、中継部材４が配置されている。

中継部材４と第１の半導体チップ２の電極、中継部材４と第２の半導体チップ６の電極、
第１の半導体チップ２の電極と第２の半導体チップ６の電極、第１の半導体チップ２の電極とリードフレーム２０のインナーリード部２２は、それぞれボンディングワイヤ７によって接続されている。

第１の半導体チップ２、第２の半導体チップ６、中継部材４、ボンディングワイヤ７及びインナーリード部２２は、封止樹脂９によって封止され、外部接続端子としてのアウターリード部２３が突出した半導体装置１０が形成されている。

接着剤５としては、エポキシ、ポリイミド等のフィルム状又はペースト状の樹脂接着剤を用いることができるが、これに限定するものではない。

図３を参照するに、図１及び図２に示したダイパッド（ダイステージ）２１、インナーリード部２２、アウターリード部２３は、エッチング又は金型による打抜きによりリードフレーム２０から形づけられる。インナーリード部２２の外側には、半導体装置１０の外部接続端子となるアウターリード部２３が形成され、インナーリード部２２に接続している。また、ダイパッド２１は、周辺フレーム部２５に接続しているダイパッド支持部２４により支持されている。

次に、中継部材４の構造について、図４を参照して説明する。図４は、図１及び図２に示す中継部材４の断面図である。

図４に示されるように、中継部材４は板状形状を有する。中継部材４は導体物から形成されており、主面（上面）全体が連続した導体面となっている。中継部材４は、例えば、銅、アルミニウム、金、銀、チタン等の金属又はこれら何れかの合金からなる。

中継部材４の厚さ（図４中、上下方向の長さ）は約２０乃至３００μｍとしてもよい。配設される半導体装置を薄型に構成するためには、中継部材４の厚さは例えば約１５０μｍ以下であることが望ましい。また、中継部材４の厚さは、半導体チップ２及び６（図１又は図２参照）と略同一の厚さであってもよく、この場合、半導体チップ２及び６を配設する場合に使用する装置と同じ装置を用いて取り扱うことができ、容易に中継部材４を第１の半導体チップ２上に配設することができる。

また、中継部材４の主面（上面）に金めっき、銅めっき、銀めっき、ニッケルと金との２層めっき、ニッケルとパラジウムと金の３層めっき、銅とニッケルと金の３層めっき等の金属めっき被膜を形成してもよい。例えば、金めっきが中継部材４の主面（上面）に形成されている場合は、金はボンディングワイヤの接合性に優れているため、良好なワイヤボンディング性を得ることができる。

中継部材４の主面（上面）に金属めっき被膜を形成する場合、その被膜の厚さはめっきする金属の種類によって適宜選択されるが、約０．０２乃至２０μｍとしてもよい。

このように、中継部材４には、従来のように所定の配線パターン及び端子が形成されておらず、主面（上面）全体が導体面となっている。従って、半導体チップの大きさ、半導体チップに形成される電極パッドの数並びにその配置形態に応じて、中継部材４の任意の場所にワイヤボンディグすることができ、汎用性が高い。

図５−（Ａ）に示すように、第１の半導体チップ２と第２の半導体チップ６との間に中継部材４を配設しない構造の場合、第１の半導体チップ２と第２の半導体チップ６とを接続するボンディグワイヤ７−ａ及び７−ｂは互いに交差してしまう。しかしながら、本実施形態（図５−（Ｂ）参照）のように、主面（上面）全体が導体面となっている中継部材４を第１の半導体チップ２と第２の半導体チップ６との間に配設することにより、ボンディングワイヤ７−ａによる接続を、中継部材４を介して短いボンディングワイヤ７−ａ１及び７−ａ２による接続にすることができ、ボンディグワイヤ７−ａ及び７−ｂの交差を回避することができる。

ところで、中継部材４の構造は、図４に示す例に限られない。図６乃至図１２に示す構造であってもよい。

図６は、本発明の第１の実施の形態の中継部材４の第１の変形例に係る中継部材３０の断面図である。図６を参照するに、本例では、基材部３１の上に導体部３２が設けられている。

基材部３１は、エポキシ、ポリイミド等の有機材料又はガラス、セラミック等の無機材料からなる。基材部３１の厚さ（図６中、上下方向の長さ）は約２０乃至３００μｍとしてもよい。

導体部３２は、図４に示した中継部材４と同様に、導体部３２は、例えば、銅、アルミニウム、金、銀、チタン等の金属又はこれら何れかの合金からなる。導体部３２の主面（上面）全体が連続した導体面となっている。基材部３１の厚さは約２乃至３０μｍとしてもよい。

基材部３１上への導体部３２の形成は、箔状の前記金属を接着剤による貼り付け、蒸着法、無電解メッキ法等、基材部３１の材質に合わせた方法を適宜用いることにより成し得る。

また、図４に示した中継部材４と同様に、導体部３２の主面（上面）に金めっき、銅めっき、銀めっき、ニッケルと金との２層めっき、ニッケルとパラジウムと金の３層めっき、銅とニッケルと金の３層めっき等の金属めっき被膜を形成してもよい。中継部材４の主面（上面）に金属めっき被膜を形成する場合、その被膜の厚さはめっきする金属の種類によって適宜選択されるが、約０．０２乃至２０μｍとしてもよい。

図７は、本発明の第１の実施の形態の中継部材４の第２の変形例に係る中継部材３５の断面図である。図７を参照するに、本例では、基板３６の上に絶縁層３７が、絶縁層３７の上に導体部３２が設けられている。

基板３６は、例えばシリコン等、第１の半導体チップ２又は第２の半導体チップ６の何れかと同一の材料からなる。従って、中継部材３５を第１の半導体チップ２又は第２の半導体チップ６と同じ製造装置を用いて製造することができ、中継部材３５の外形形状（厚み）を第１の半導体チップ２又は第２の半導体チップ６と同じく高精度に製造することができる。

また、中継部材３５を第１の半導体チップ２上に積層配設する際に使用する装置や接着剤５Ｂとして、第２の半導体チップ６を中継部材３５に積層配設する際に使用する装置や接着剤５Ｃと同じものを使用することができ便利である。更に、基板３６は、第１の半導体チップ２又は第２の半導体チップ６の何れかと同一の材料からなるため、材料の熱膨張率の差に起因する半導体装置１０の内部での熱応力によるひずみの集中を軽減することができる。

なお、基板３６の厚さ（図７中、上下方向の長さ）は約２０乃至３００μｍとしてもよい。

絶縁膜３７は、例えば、シリコン酸化膜、絶縁樹脂膜等からなる。絶縁膜の厚さは、約０．５乃至１μｍとしてもよい。

導体部３２は、図６に示した例の場合と同様に、例えば、銅、アルミニウム、金、銀、チタン等の金属又はこれら何れかの合金からなる。また、導体部３２の主面（上面）全体が導体面となっている。導体部３２の厚さは約２乃至３０μｍとしてもよい。

また、導体部３２の主面（上面）に金めっき、銅めっき、銀めっき、ニッケルと金との２層めっき、ニッケルとパラジウムと金の３層めっき、銅とニッケルと金の３層めっき等の金属めっき被膜を形成してもよい。中継部材４の主面（上面）に金属めっき被膜を形成する場合、その被膜の厚さはめっきする金属の種類によって適宜選択されるが、約０．０２乃至２０μｍとしてもよい。

図８は、本発明の第１の実施の形態の中継部材４の第３の変形例に係る中継部材４０の断面図である。図８において、図７を参照して説明した部分と同じ部分には同じ番号を付して、その説明を省略する。

図８を参照するに、導体部３２の主面であって、第２の半導体チップ６（図１又は図２参照）を当該主面に載置した場合に第２の半導体チップ６と重ならない領域に、所定の開口部４２を有する樹脂膜４１が形成されている。

樹脂膜４１は、例えば、ポリイミド、エポキシ等の絶縁性樹脂からなる。

開口部４２には、第１の半導体チップ２、第２の半導体チップ６、又はインナーリード部２２と中継部材４０とを電気的に接続するためにボンディングワイヤ７（図１又は図２参照）が接続される。従って、開口部４２は、例えば、開口径５０μｍ以上等、少なくともワイヤボンディグを行うことができる大きさ以上であればよく、その大きさや形状に限定はない。

また、第２の半導体チップ６を配設した場合に第２の半導体チップ６と重ならない領域であって、ワイヤボンディングされない箇所を選択的に被膜するように樹脂膜４１が形成されているため、中継部材４０と封止樹脂９（図１参照）との密着性が向上する。即ち、樹脂と封止樹脂との密着性は金属面と封止樹脂との密着性よりも優れているため、上述の構造により、中継部材４０と封止樹脂９との密着性が向上し、半導体装置の信頼性を向上させることができる。

上述の中継部材４０と封止樹脂９との密着性という点に鑑みれば、開口部４２の大きさは小さい方が望ましいともいえるが、半導体チップの大きさ、半導体チップに形成される電極パッドの数並びにその配置形態に応じて、中継部材の任意の場所にワイヤボンディグすることができるよう、中継部材に高い汎用性をもたせる必要がある。

そこで、開口部４２の開口パターンを、図９乃至図１２に示すように設定してもよい。ここで、図９乃至図１２は、開口部４２の開口パターンの第１乃至第４の例を示した図であり、それぞれ中継部材４０の平面図である。

図９に示す例では、樹脂膜４１を主面の略中央に設け、その周囲を開口部４２とし、導体部３２が露出している。

図１０に示す例では、樹脂膜４１を主面の四辺に沿って設けると共に、当該四辺から格子状に樹脂膜４１と開口部４２とが交互に設けられ、開口部４２において導体部３２が露出している。

図１１に示す例では、主面の略全面に樹脂膜４１を設け、当該主面の四辺に沿って部分的に開口部４２を形成し、開口部４２において導体部３２が露出している。

図１２に示す例では、樹脂膜４１を主面の略中央に設け、その周囲に開口部４２を、当該開口部４２の周囲に樹脂膜４１を交互に設け、開口部４２において導体部３２が露出している。

このように、中継部材４０の主面に設けた樹脂膜４１に開口部４２を所定のパターンにより形成して導体部３２を露出することにより、中継部材４０と封止樹脂９との密着性を向上させつつ、開口部４２によりワイヤボンディングを行う際のボンディング位置の位置決めを容易に行うことができる。

次に、本実施の形態における、パッド上での複数のボンディングワイヤの接続構造について、先に述べた図５−（Ｂ）及び図１３を参照して説明する。ここで、図１３は、パッド上での複数のボンディングワイヤの接続構造を示した図である。

図５−（Ｂ）及び図１３を参照するに、第１の半導体チップ２に設けられたパッド４５の上に、先ずスタッドバンプ４６が配設されている。当該スタッドバンプ４６の上に、インナーリード部２２に接続されるボンディングワイヤ７−ｃの端部が接続されている。更に、当該ボンディングワイヤ７−ｃの上に、第２の半導体チップ６に接続されたボンディングワイヤ７−ｂが重ねて設けられている。

パッド４５上に、スタッドバンプ４６が設けられているため、ボンディングワイヤ７−ｃを、当該スタッドバンプ４６の高さ分高くして配線することができる。従って、ボンディングワイヤ７−ｃが垂れるなどして第１の半導体チップ２の表面や他の配線等に接触してしまうことを防止することができる。更に、ボンディングワイヤ７−ｃは、ボンディングワイヤ７−ｂとスタッドバンプ４６に挟持されているので、ボンディングワイヤ７−ｃとスタッドバンプ４６との間の密着性を高めることができる。

このように、本実施の形態における中継部材４、３０、３５及び４０では、従来のように所定の配線パターン及び端子が形成されておらず、主面（上面）全体が導体面となっている。

従って、半導体チップ２及び６の大きさ、半導体チップ２及び６に形成される電極パッドの数並びにその配置形態に応じて、当該中継部材４、３０、３５及び４０の任意の場所にワイヤボンディグすることができ、汎用性が高い。本実施の形態における中継部材４、３０、３５及び４０の主面は、その上に載置される第２の半導体チップ６よりも主面が大きい。従って、中継部材４、３０、３５及び４０の主面において、第２の半導体チップ６と重ならずに露出している領域に、第２の半導体チップ６から中継部材４、３０、３５及び４０に任意にワイヤボンディングすることができる。従って、ボンディングできる部分の自由度が高い。また、当該中継部材４、３０、３５及び４０を第１の半導体チップ２上に高精度に配設する必要はなく、当該配設の位置ずれの製造マージンが増えるため、半導体装置の製造歩留まりを向上させることができる。

また、本実施の形態における中継部材４、３０、３５及び４０には、所定の配線パターン及び端子が形成されていないため、当該中継部材の製造コストの低減を図ることができる。

このような高い汎用性の下、中継部材４、３０、３５及び４０を配設しない場合に生じ得るボンディングワイヤ７の交差を回避することができ、また、ボンディングワイヤ７のワイヤ長の短縮を図ることができる。従って、半導体装置１０の製造歩留まりが向上するとともに、ボンディングワイヤ７のワイヤループの高さを低く抑えることができる。よって、半導体装置１０の高さを低くすることができ、半導体装置１０の薄型化を実現することができる。

また、中継部材４、３０、３５及び４０が第２の半導体チップ６の接地電極又は電源電極と電気接続されてもよい。この場合、中継部材４、３０、３５及び４０の導体部３２が定電位となるため、第１の半導体チップ２と第２の半導体チップ６との間のノイズを低減することができ、半導体装置１０の動作が安定性・電気特性が向上する。

従って、第１の半導体チップ２又は第２の半導体チップ６の動作周波数が高くなった場合や、第２の半導体チップ６の厚みが極薄のため第１の半導体チップ２の回路面と第２の半導体チップ６の回路との距離が接近し、相互インタクタンス等が増大し互いの動作に悪影響を与えるような場合においても、半導体装置１０を安定して動作させることができる。よって、本実施の形態により、半導体装置の高速化・薄型化を実現することができる。

[第２の実施の形態]
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。なお、以下では、図１乃至図１３を参照して説明した部分と同じ部分については同じ符号を付して、その説明を省略する。

図１４は、本発明の第２の実施の形態に係る中継部材及び当該中継部材を備えた半導体装置の断面図である。図１５は、図１４に示す半導体装置の部分拡大平面図であり、図１４に示す封止樹脂９の図示は省略している。

上述の本発明の第１の実施の形態では、第１の半導体チップの上に、第１の半導体チップの主面よりも小さい主面を有する中継部材が１つ接着固定され、その中継部材の上に、中継部材の主面よりも小さい主面を有する第２の半導体チップが接着固定されていた。

これに対し、本発明の第２の実施の形態では、第１の半導体チップ２の上に、第１の半導体チップ２の主面よりも小さい主面を有する複数の中継部材５１ａ及び５１ｂが夫々接着剤５Ｂにより並列に独立して、互いに僅かに離間して接着固定されている。複数の中継部材５１ａ及び５１ｂの夫々の一部の上には、第２の半導体チップ６が接着剤５Ｃにより接着固定されている。

中継部材５１ａ及び５１ｂと第１の半導体チップ２の電極、中継部材５１ａ及び５１ｂと第２の半導体チップ６の電極、第１の半導体チップ２の電極と第２の半導体チップ６の電極、第１の半導体チップ２の電極とリードフレーム２０のインナーリード部２２は、それぞれボンディングワイヤ７によって接続されている。

なお、図１４及び図１５に示す例では、中継部材５１ａ及び５１ｂの内部構造は図４に示す構造と同様に導体物から形成され、主面（上面）全体が導体面となっており、従来のように所定の配線パターン及び端子が形成されていない。また、外形形状は、略板状形状である。しかしながら、本発明はこの例に限定されず、中継部材５１ａ又は５１ｂの内部構造は例えば、図６又は図７に示す構造でもよく、また主面は図８乃至図１２に示す構造を有していてもよい。

図１６−（Ａ）に示すように、第１の半導体チップ２と第２の半導体チップ６との間に中継部材５１ａ及び５１ｂを配設しない構造の場合、第１の半導体チップ２と第２の半導体チップ６とを接続するボンディグワイヤ７−ａ及び７−ｂは互いに交差してしまう。また、ボンディングワイヤ７−ｄのワイヤ長は長くなってしまう。

しかしながら、本実施形態（図１６−（Ｂ）参照）のように、主面（上面）全体が導体面となっている複数の中継部材５１ａ及び５１ｂを第１の半導体チップ２と第２の半導体チップ６との間に並列に、独立して互いに僅かに離間して配設し、第２の半導体チップ６を当該複数の中継部材５１ａ及び５１ｂの夫々の一部の上に設けることにより、ボンディングワイヤ７−ｄによる接続を、中継部材５１−ａを介して短いボンディングワイヤ７−ｅ１及び７−ｅ２による接続にすることができ、ボンディングワイヤのワイヤ長の短縮を図ることができる。また、ボンディングワイヤ７−ａによる接続を、中継部材５１−ｂを介して短いボンディングワイヤ７−ａ１及び７−ａ２による接続にすることができ、ボンディグワイヤ７−ａ及び７−ｂの交差を回避することができる。

図１４乃至図１６に示す例では、主面が略矩形形状の中継部材２つが用いられているが本発明はこれに限られず、例えば、図１７−（Ａ）乃至図２０−（Ａ）に示す例であってもよい。ここで、図１７乃至図２０は、本発明の第２の実施形態における複数の中継部材の配置の第１乃至第４の変形例を示す図であり、図１７−（Ａ）乃至図２０−（Ａ）は中継部材を第１の半導体チップ２と第２の半導体チップ６との間に配設している場合を示し、図１７−（Ｂ）乃至図２０−（Ｂ）は中継部材を第１の半導体チップ２と第２の半導体チップ６との間に配設していない場合を示す。

図１７−（Ａ）に示す例では、第１の半導体チップ２の上に、第１の半導体チップ２の主面よりも小さい主面を有する３つの中継部材５２ａ、５２ｂ及び５２ｃが並列に、独立して互いに僅かに離間して配設されている。中継部材５２ａ、５２ｂ及び５２ｃの主面（上面）は全体が連続した導体面である。当該３つの中継部材５２ａ、５２ｂ及び５２ｃの夫々の一部の上には、第２の半導体チップ６が配設されている。

図１７−（Ｂ）に示すように、第１の半導体チップ２と第２の半導体チップ６との間に中継部材５２ａ、５２ｂ及び５２ｃを配設しない構造の場合、第１の半導体チップ２と第２の半導体チップ６とを接続するボンディグワイヤ７−ｆ、７−ｈ、及び７−ｊのワイヤ長は長くなってしまうと共に、隣り合うボンディグワイヤとの交差が生じてしまう。

しかしながら、図１７−（Ａ）に示すように、第１の半導体チップ２と第２の半導体チップ６との間に中継部材５２ａ、５２ｂ及び５２ｃを配設することにより、ボンディングワイヤ７−ｆによる接続を、中継部材５２ａを介して短いボンディングワイヤ７−ｇ１及び７−ｇ２による接続にすることができ、ボンディングワイヤ７−ｈによる接続を、中継部材５２ｂを介して短いボンディングワイヤ７−ｉ１及び７−ｉ２による接続にすることができ、ボンディングワイヤ７−ｊによる接続を、中継部材５２ｃを介して短いボンディングワイヤ７−ｋ１及び７−ｋ２による接続にすることができ、ボンディングワイヤのワイヤ長の短縮及び、隣り合うボンディグワイヤの交差を回避することができる。

図１８−（Ａ）に示す例では、第１の半導体チップ２の上に、第１の半導体チップ２の主面よりも小さい主面を有する４つの中継部材５３ａ、５３ｂ、５３ｃ及び５３ｄが全体として略正方形を形成するように独立して互いに僅かに離間して配設されている。中継部材５３ａ、５３ｂ、５３ｃ及び５３ｄの主面（上面）は全体が連続した導体面である。当該４つの中継部材５３ａ、５３ｂ、５３ｃ及び５３ｄの夫々の一部の上には、第２の半導体チップ６が配設されている。

図１８−（Ｂ）に示すように、第１の半導体チップ２と第２の半導体チップ６との間に中継部材５３ａ、５３ｂ、５３ｃ及び５３ｄを配設しない構造の場合、第１の半導体チップ２と第２の半導体チップ６とを接続するボンディグワイヤ７−ｌ、７−ｎ、７−ｐ、７−ｒのワイヤ長は長くなってしまうと共に、隣り合うボンディグワイヤとの交差が生じてしまう。

しかしながら、図１８−（Ａ）に示すように、第１の半導体チップ２と第２の半導体チップ６との間に並列に、独立して互いに僅かに離間して中継部材５３ａ、５３ｂ、５３ｃ及び５３ｄを配設することにより、ボンディングワイヤ７−ｌによる接続を、中継部材５３ａを介して短いボンディングワイヤ７−ｍ１及び７−ｍ２による接続にすることができ、ボンディングワイヤ７−ｎによる接続を、中継部材５３ｂを介して短いボンディングワイヤ７−ｏ１及び７−ｏ２による接続にすることができ、ボンディングワイヤ７−ｐによる接続を、中継部材５３ｃを介して短いボンディングワイヤ７−ｑ１及び７−ｑ２による接続にすることができ、ボンディングワイヤ７−ｒによる接続を、中継部材５３ｄを介して短いボンディングワイヤ７−ｓ１及び７−ｓ２による接続にすることができ、ボンディングワイヤのワイヤ長の短縮及び、隣り合うボンディグワイヤの交差を回避することができる。

図１９−（Ａ）に示す例では、第１の半導体チップ２の上に、略Ｌ字型形状の主面を有する２つの中継部材５４ａ及び５４ｂが、独立して互いに僅かに離間して配設されている。中継部材５４ａ及び５４ｂの主面（上面）は全体が連続した導体面である。当該中継部材５４ａ及び５４ｂの夫々の一部の上には、第２の半導体チップ６が配設されている。

図１９−（Ｂ）に示すように、第１の半導体チップ２と第２の半導体チップ６との間に中継部材５４ａ及び５４ｂを配設しない構造の場合、第１の半導体チップ２と第２の半導体チップ６とを接続するボンディグワイヤ７−ｔ及び７−ｖのワイヤ長は長くなってしまうと共に、隣り合うボンディグワイヤとの交差が生じてしまう。

しかしながら、図１９−（Ａ）に示すように、第１の半導体チップ２と第２の半導体チップ６との間に中継部材５４ａ及び５４ｂを並列に、独立して互いに僅かに離間して配設することにより、ボンディングワイヤ７−ｔによる接続を、中継部材５４ａを介して短いボンディングワイヤ７−ｕ１及び７−ｕ２による接続にすることができ、ボンディングワイヤ７−ｖによる接続を、中継部材５４ｂを介して短いボンディングワイヤ７−ｗ１及び７−ｗ２による接続にすることができ、ボンディングワイヤのワイヤ長の短縮及び、隣り合うボンディグワイヤの交差を回避することができる。

図２０−（Ａ）に示す例では、第１の半導体チップ２の上に、外形部分に曲線部分が形成された主面を有する２つの中継部材５５ａ及び５５ｂが、独立して互いに僅かに離間して配設されている。中継部材５５ａ及び５５ｂの主面（上面）は全体が連続した導体面である。当該中継部材５５ａ及び５５ｂの夫々の一部の上には、第２の半導体チップ６が配設されている。

図２０−（Ｂ）に示すように、第１の半導体チップ２と第２の半導体チップ６との間に中継部材５５ａ及び５５ｂを配設しない構造の場合、第１の半導体チップ２と第２の半導体チップ６とを接続するボンディグワイヤ７−ｘ及び７−αのワイヤ長は長くなってしまうと共に、隣り合うボンディグワイヤとの交差が生じてしまう。

しかしながら、図２０−（Ａ）に示すように、第１の半導体チップ２と第２の半導体チップ６との間に中継部材５５ａ及び５５ｂを並列に、独立して互いに僅かに離間して配設することにより、ボンディングワイヤ７−ｘによる接続を、中継部材５５ａを介して短いボンディングワイヤ７−ｙ１及び７−ｙ２による接続にすることができ、ボンディングワイヤ７−αによる接続を、中継部材５５ｂを介して短いボンディングワイヤ７−β１及び７−β２による接続にすることができ、ボンディングワイヤのワイヤ長の短縮及び、隣り合うボンディグワイヤの交差を回避することができる。

なお、図１７乃至図２０に示した各中継部材は、単一の中継部材からブレードによるダイシング、レーザ加工、エッチング法等を用いて分割して形成することができる。特に、レーザ加工により、図１９に示すように主面が略Ｌ字型形状の中継部材を、また図２０に示すように外形部分に曲線部分が形成された主面を有する中継部材を容易に形成することができる。

また、図１７乃至図２０に示した各中継部材の内部構造として図４、図６、及び図７に示す構造を採用してもよく、主面の構造として図８乃至図１２に示す構造を採用してもよい。

このように、本実施形態によれば、複数の中継部材を第１の半導体チップ２と第２の半導体チップ６との間に並列に、独立して互いに僅かに離間して配設し、第２の半導体チップ６が当該複数の中継部材の夫々の一部の上に設けているため、第１の半導体チップ２と第２の半導体チップ６との結線端子数を増やすことができる。従って、別の電位で第１の半導体チップと第２の半導体チップとを中継することができる。

本実施形態においても本発明の第１の実施形態と同様の効果を得ることができるが、本実施形態では、本発明の第１の実施形態に比し、第１の半導体チップ２、第２の半導体チップ６、及びインナーリード部２２の結線及び配置の組合せの自由度を向上させることができ、より効果的にボンディングワイヤ７の交差を回避することができ、また、ボンディングワイヤ７のワイヤ長の短縮を図ることができる。従って、半導体装置１０の製造歩留まりが一層向上するとともに、ボンディングワイヤ７のワイヤループの高さを一層低く抑えることができる。よって、半導体装置１０の高さを一層低くすることができ、半導体装置１０の薄型化を実現することができる。

[第３の実施の形態]
次に、本発明の第３の実施の形態について説明する。なお、以下では、図１４を参照して説明した部分と同じ部分については同じ符号を付して、その説明を省略する。

図２１は、本発明の第３の実施の形態に係る中継部材及び当該中継部材を備えた半導体装置の断面図である。図２２は、図２１において点線Ａで囲んだ部分の拡大図である。

上述の本発明の第２の実施の形態では、第１の半導体チップ２の上に、第１の半導体チップ２の主面よりも小さい主面を有する複数の中継部材５１ａ及び５１ｂが夫々接着剤５Ｂにより並列に、独立して互いに僅かに離間して接着固定され、複数の中継部材５１ａ及び５１ｂの夫々の一部の上に第２の半導体チップ６が接着剤５Ｃにより接着固定されていた。

これに対し、本発明の第３の実施の形態では、第１の半導体チップ２の上に、第１の半導体チップ２の主面よりも小さい主面を有する複数の中継部材５１ａ及び５１ｂが、共通の単一のフィルム状の接着剤５Ｄにより、並列に、独立して互いに僅かに離間して接着固定されている。複数の中継部材５１ａ及び５１ｂの夫々の一部の上には、第２の半導体チップ６が接着剤５Ｃにより接着固定されている。

かかる構造により、半導体装置１０の製造工程において、複数の中継部材５１ａ及び５１ｂを同時に第１の半導体チップ２上に配設することができるため、半導体装置１０の生産性を向上することができ、結果として、低コストに半導体装置１０を製造することができる。また、当該複数の中継部材５１ａ及び５１ｂ間の相対位置の精度を向上させることができ、製造歩留りが向上する。

更に、図２２に示されるように、複数の中継部材５１ａ及び５１ｂが互いに離間して形成されている間隙部にもフィルム状の接着剤５Ｄが配在されるため、中継部材５１ａ及び５１ｂ間の間隙部の空間領域が少なくなる。従って、第２の半導体チップ６を配設する部位の間隙部６１を第２の半導体チップ６を配設固着する接着剤５Ｃで埋め込むことが容易となり、第２の半導体チップ６の中継部材５１ａ及び５１ｂに対する接着性が向上し、半導体装置の信頼性が向上する。

なお、本実施形態においても、本発明の第１及び第２の実施形態と同様の効果を得ることができることは言うまでもない。

また、中継部材５１ａ及び５１ｂの内部構造として図４、図６、及び図７に示す構造を採用してもよく、主面の構造として図８乃至図１２に示す構造を採用してもよい。

[第４の実施の形態]
次に、本発明の第４の実施の形態について説明する。なお、以下では、図１乃至図２２
を参照して説明した部分と同じ部分については同じ符号を付して、その説明を省略する。

図２３は、本発明の第４の実施の形態に係る中継部材及び当該中継部材を備えた半導体装置の断面図である。図２４は、図２３に示す半導体装置の部分拡大平面図であり、図２３に示す封止樹脂９の図示は省略している。また、図２５は、本発明の第４の実施の形態に係る中継部材の部分拡大断面図である。図２６は、本発明の第４の実施の形態に係る中継部材の平面図である。

上述の本発明の第２の実施の形態では、第１の半導体チップ２の上に、第１の半導体チップ２の主面よりも小さい主面を有する複数の中継部材５１ａ及び５１ｂが夫々接着剤５Ｂにより並列に、独立して互いに僅かに離間して接着固定され、複数の中継部材５１ａ及び５１ｂの夫々の一部の上に第２の半導体チップ６が接着剤５Ｃにより接着固定されていた。

これに対し、本発明の第４の実施の形態では、図２３及び図２５に示すように、第１の半導体チップ２の主面に配設する中継部材７５は、図７を参照して説明した構造と同様の構造、即ち、基板３６の上に絶縁層３７が、絶縁層３７の上に導体部３２が設けられている構造を有し、更に、図２６に示すように、基板３６を除く部分、即ち、導体部３２及び絶縁層３７に溝部７６が形成されて、導体部３２及び絶縁層３７が２つの領域７５ａ及び７５ｂに分割されている。中継部材７５上に第２の半導体チップ６（図２３参照）を配設しない状態では、溝部７６を介して基板３６が露出している
図２３に示すように、かかる構造を有する中継部材７５の分割された夫々の領域７５ａ及び７５ｂを橋設するように、第２の半導体チップ６が中継部材７５の導体部３２の主面（導体面）上に設けられている。

このように、１つの中継部材７５において導体部３２が２つに分割され、その夫々の一部の上に第２の半導体チップ６が設けられているため、１つの中継部材７５を用いながら、複数の中継部材を用いる本発明の第２及び第３の実施の形態と同様の効果を得ることができる。よって、第１の半導体チップ２又は第２の半導体チップ６との結線端子数を増やすことができ、第１の半導体チップ２、第２の半導体チップ６、及びインナーリード部２２との結線の組合せの自由度を向上させることができる。なお、絶縁層３７は必ずしも分割されていなくてもよい。

ところで、上述の溝部７６の形成は、図２６に示す例に限られない。第１の半導体チップ２、第２の半導体チップ６、及びインナーリード部２２とのボンディングワイヤの結線の仕方、第１の半導体チップ２、第２の半導体チップ６、及びインナーリード部２２の配置の仕方等は様々である。溝部７６の形成の仕方を変えることにより、中継部材の分割の仕方、即ち、中継部材の導体面の形状を変えることができ、これに対応することができる。例えば、図２７乃至図３０に示すように、溝部７６の形成の仕方を変えてもよい。ここで、図２７乃至図３０は、本発明の第４の実施の形態に係る中継部材の第１乃至第４の変形例を示す平面図である。

図２７に示す例では、中継部材８０に２本の溝部８１を略平行に形成し、導体部３２（及び絶縁層３７）を３つの領域８０ａ、８０ｂ、及び８０ｃに分割している。

図２８に示す例では、中継部材８５に２本の溝部８６を略直交するように形成し、導体部３２（及び絶縁層３７）を、４つの領域８５ａ、８５ｂ、８５ｃ及び８５ｄに分割している。４つの領域８５ａ、８５ｂ、８５ｃ及び８５ｄの主面（導体面）は、夫々略正方形状を有している。

図２９に示す例では、中継部材９０に溝部９１を折れ線状に形成し、導体部３２（及び絶縁層３７）を２つの領域９０ａ及び９０ｂに分割している。２つの領域９０ａ及び９０ｂの主面（導体面）は、夫々略Ｌ字型形状を有している。

図３０に示す例では、中継部材９５に溝部９６を曲線状に形成し、導体部３２（及び絶縁層３７）を２つの領域９５ａ及び９５ｂに分割している。

上述の溝部７６、８１、８６、９１、及び９６の形成、即ち、中継部材７５、８０、８５、９０及び９５の導体部３２（及び絶縁層３７）の分割の方法として、ブレードによるダイシング、レーザ加工、エッチング法等を用いることができる。

特に、レーザ加工により、図２９に示すように、分割して形成された２つの領域の主面（導体面）が夫々略Ｌ字型形状を有するように、溝部９１を折れ線状に容易に形成することができ、また、図３０に示すように、分割して形成された２つの領域の主面（導体面）の外形部分が曲線部分を有するように、溝部９６を曲線状に容易に形成することができる。

なお、本実施形態においても、本発明の第１の実施形態と同様の効果を得ることができることは言うまでもない。

また、中継部材７５の主面の構造として、図８乃至図１２に示す構造を採用してもよい。

[第５の実施の形態]
次に、本発明の第５の実施の形態について説明する。なお、以下では、図１乃至３０を参照して説明した部分と同じ部分については同じ符号を付して、その説明を省略する。

図３１は、本発明の第５の実施の形態に係る中継部材及び当該中継部材を備えた半導体装置の断面図である。図３２は、図３１に示す半導体装置の部分拡大平面図であり、図３１に示す封止樹脂９の図示は省略している。

上述の本発明の第２の実施の形態では、リードフレーム型半導体装置１０において、第１の半導体チップ２の上に、第１の半導体チップ２の主面よりも小さい主面を有する複数の中継部材５１ａ及び５１ｂが夫々接着剤５Ｂにより並列に、独立して互いに僅かに離間して接着固定され、複数の中継部材５１ａ及び５１ｂの夫々の一部の上に第２の半導体チップ６が接着剤５Ｃにより接着固定されていた。

これに対し、本発明の第５の実施の形態では、詳細は後述するが、半導体チップを配線基板に配設したタイプの半導体装置において、中継部材上に、複数の第２の半導体チップが配設されている。

図３１及び図３２を参照するに、本発明の第５の実施の形態に係る中継部材を備えた半導体装置１００は、所謂ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）パッケージ型の半導体装置である。

下面に複数の球状電極（バンプ）３が形成された配線基板１上に、第１の半導体チップ２が載置され、接着剤５Ａにより配線基板１に接着固定されている。第１の半導体チップ２の上には、第１の半導体チップ２の主面よりも小さい主面を有する中継部材１０４が接着剤５Ｂにより接着固定されている。中継部材１０４の上には、中継部材４の主面よりも小さい主面を有する複数の第２の半導体チップ６−１及び６−２が並列して接着剤５Ｃにより接着固定されている。

中継部材１０４と第１の半導体チップ２、中継部材１０４と第２の半導体チップ６−１及び６−２、第１の半導体チップ２と第２の半導体チップ６−１及び６−２、第１の半導体チップ２と配線基板１、第２の半導体チップ６−１及び６−２と配線基板１、中継部材１０４と配線基板１のそれぞれにおける電極は、それぞれボンディングワイヤ７によって相互に接続されている。

第１の半導体チップ２、第２の半導体チップ６−１及び６−２、中継部材１０４、ボンディングワイヤ７は、封止樹脂９によって封止され、半導体装置１００が形成されている。

配線基板１として、ガラスエポキシ、ガラスＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）等からなるプリント基板を用いることができる。この場合、多層配線構造を容易に構成することができ、また、高密度配線を基板内に構成することができ、設計の自由度が高い。また、半導体装置の多ピン化に容易に対応することができる。

また、配線基板１として、ポリイミドフィルム等のフレキシブルなテープ基板を用いることができる。この場合、微細な配線を形成することができるため、一つの配線層内での配線密度を高めることができ、プリント基板に比し基板の配線層数を少なくすることができる。また、フィルムの厚さを薄くすることにより、半導体装置を薄型に構成することができる。

更に、配線基板１としてセラミック、ガラス、シリコン等からなる無機基板を用いてもよい。

このように、中継部材１０４の上に、複数の第２の半導体チップ６−１及び６−２が配設されているため、半導体装置の多機能化、大容量化、高密度化を実現することができる。
但し、中継部材１０４に設けられる第２の半導体チップ６の数に限定はなく、２つ以上の第２の半導体チップ６を中継部材１０４に配設してもよい。半導体装置内に配設する半導体チップの数を増やすことにより、半導体装置の一層の多機能化、大容量化、高密度化を実現することができる。

なお、本実施形態においても、本発明の第１の実施形態と同様の効果を得ることができることは言うまでもない。

また、中継部材１０４の内部構造として図４、図６、及び図７に示す構造を採用してもよく、主面の構造として図８乃至図１２に示す構造を採用してもよい。

[第６の実施の形態]
次に、本発明の第６の実施の形態について説明する。なお、以下では、図１乃至３２を参照して説明した部分と同じ部分については同じ符号を付して、その説明を省略する。

図３３は、本発明の第６の実施の形態に係る中継部材及び当該中継部材を備えた半導体装置の部分平面図であり、説明の便宜上、半導体装置を樹脂封止するための封止樹脂の図示は省略している。

上述の本発明の第５の実施の形態では、半導体チップを配線基板に配設したタイプの半導体装置において、中継部材上に、複数の第２の半導体チップが配設されている。

これに対し、本発明の第６の実施の形態では、本発明の第２の実施形態と第５の実施の形態の双方の構造としている。即ち、第１の半導体チップの上に、複数の中継部材が配設され、当該複数の中継部材の夫々の一部に第２の半導体チップを複数配設している。

図３３を参照するに、第１の半導体チップ２の上に、中継部材１０４−１及び１０４−２が並列して互いに所定長さ離間して設けられ、当該中継部材１０４−１及び１０４−２の夫々の一部の上に、第２の半導体チップ６−１及び６−２を複数配設している。

かかる構造の下、上述した本発明の第２の実施の形態の効果と、第５の実施の形態の効果を奏することができる。更に、中継部材１０４−１及び１０４−２の長辺側の端部を第１の半導体チップ２より突出して配置していることにより、この突出部にワイヤボンディングを行うことで、結線の自由度をより向上することができる。

なお、中継部材１０４−１及び１０４−２の内部構造として図４、図６、及び図７に示す構造を採用してもよく、主面の構造として図８乃至図１２に示す構造を採用してもよい。また、中継部材１０４−１及び１０４−２の配置の仕方を本発明の第３の実施の形態に示すようにしてもよい。更に、複数の中継部材を用いる代わりに、本発明の第４の実施の形態のように、分割された複数の導体部を有する１つの中継部材を用いてもよい。

[第７の実施の形態]
次に、本発明の第７の実施の形態について説明する。なお、以下では、図１乃至図３３
を参照して説明した部分と同じ部分については同じ符号を付して、その説明を省略する。

図３４は、本発明の第７の実施の形態に係る中継部材及び当該中継部材を備えた半導体装置の断面図である。図３５は、図３４に示す半導体装置の部分拡大平面図であり、図３４に示す封止樹脂９の図示は省略している。

図３４及び図３５を参照するに、本実施形態の半導体装置１１０においては、配線基板１上に接着剤５Ａを介して配設された第１の半導体チップ１０２が、その主面の四辺の周縁部に列状に配置された第１の電極パッド１０３と当該第１の電極パッド１０３より内側の領域であって、主面の略中央に配置された第２の電極パッド１０４とを複数備える。第２の電極パッド１０４は、電源電位に設定された電源供給用の電極パッドである。

かかる構造を有する第１の半導体チップ１０２の主面において、第１の電極パッド１０３及び第２の電極パッド１０４が形成されていない領域であって、図３５において第２の電極パッド１０４の左側には中継部材１０５−１及び１０５−２が、図３５において第２の電極パッド１０４の右側には中継部材１０５−３が、それぞれ接着剤５Ｂを介して配設されている。

中継部材１０５−１及び１０５−２の夫々の一部の上には第２の半導体チップ６−１が、また、中継部材１０５−３の上には、当該中継部材１０５−３の主面よりも小さい主面を有する第２の半導体チップ６−２が、それぞれ接着剤５Ｃを介して配設されている。

中継部材１０５−１乃至１０５−３と第１の半導体チップ１０２、中継部材１０５−１及び１０５−２と第２の半導体チップ６−１、中継部材１０５−３と第２の半導体チップ６−２、第１の半導体チップ１０２と第２の半導体チップ６−１及び６−２、第１の半導体チップ１０２と配線基板１、第２の半導体チップ６−１及び６−２と配線基板１、中継部材１０５−１乃至１０５−３と配線基板１のそれぞれにおける電極は、それぞれボンディングワイヤ７によって相互に接続されている。

第１の半導体チップ１０２の第２の電極パッド１０４と、第２の半導体チップ６−１に接続する中継部材１０５−２及び第２の半導体チップ６−２に接続する中継部材１０５−３とがボンディングワイヤ７により接続されているため、第１の半導体チップ１０２において生じ得る電圧降下（ＩＲドロップ）を容易に回避することができる。即ち、第１の半導体チップ１０２のように半導体チップが大きなサイズを有する場合や、半導体チップにおける配線が複雑である場合等に電圧降下が生じ得るが、本実施の形態の構造によれば、短いワイヤ長で電源を供給できるため、従って、第１の半導体チップ１０２における電圧降下を容易に回避することができ、第１の半導体チップ１０２の動作の安定性を向上させることができる。

また、図３５において、第２の電極パッド１０４−１、１０４−２をそれぞれ異なる電位に設定することで、独立した異なる電位の電源を第１の半導体チップ１０２の内部回路に供給することができるため、より複雑な回路を第１の半導体チップ１０２に構成することが可能になる。

なお、本実施形態においても、本発明の第１の実施形態と同様の効果を得ることができることは言うまでもない。

また、中継部材１０５−１及び１０５−３の内部構造として図４、図６、及び図７に示す構造を採用してもよく、主面の構造として図８乃至図１２に示す構造を採用してもよい。また、中継部材１０５−１及び１０５−２の配置の仕方を本発明の第３の実施の形態に示すようにしてもよい。更に、複数の中継部材を用いる代わりに、本発明の第４の実施の形態のように、分割された複数の導体部を有する１つの中継部材を用いてもよい。

[第８の実施の形態]
次に、本発明の第８の実施の形態について説明する。なお、以下では、図１乃至図３５
を参照して説明した部分と同じ部分については同じ符号を付して、その説明を省略する。

図３６は、本発明の第７の実施の形態に係る中継部材及び当該中継部材を備えた半導体装置の平面図である。また、図３７は、図３６に示す半導体装置の平面図である。図３７−（Ａ）は図３６における線Ｘ−Ｘ’に沿った断面図であり、図３７−（Ｂ）は図３６における線Ｙ−Ｙ’に沿った断面図である。なお、図３６では、図３７に示す封止樹脂９の図示は省略している。

図３６及び図３７を参照するに、半導体装置１５０においては、配線基板１の上に第１の半導体チップ２が接着剤５Ａによって接着固定され、当該第１の半導体チップ２の上に本発明に係る中継部材１５１及び１５２が並列して所定長さ離間して接着剤５Ｂによって接着固定され、更に当該中継部材１５１及び１５２の上に第２の半導体チップ１５５が接着剤５Ｃによって接着固定されている。

かかる構成において、中継部材１５１及び１５２が配設されている部分のＸ−Ｘ’方向（図３７）の長さは、第１の半導体チップ２及び第２の半導体チップ１５５のＸ−Ｘ’方向の長さよりも短い（図３７−（Ａ）参照）。一方、中継部材１５１及び１５２のＹ−Ｙ’方向（図３７）の長さは、第１の半導体チップ２及び第２の半導体チップ１５５のＹ−Ｙ’方向の長さよりも長い（図３７−（Ｂ）参照）。

従って、図３７−（Ｂ）に示すように、中継部材１５１及び１５２のＹ−Ｙ’方向の端部近傍は、ボンディングワイヤ７によって、配線基板１及び第２の半導体チップ１５５に接続される。

一方、図３７−（Ａ）に示すように、中継部材１５１及び１５２は、第１の半導体チップ２と第２の半導体チップ１５５との間にスペース（隙間）Ｓを生じさせている。

より具体的には、第１の半導体チップ２と第２の半導体チップ１５５との間に配設されている中継部材１５１及び１５２は、図３７−（Ａ）に示す第１の半導体チップ２のＸ−Ｘ’方向の端部近傍に設けられた電極パッドに重ならないように位置づけられ、第２の半導体チップ１５２が所定長さ離間した状態で当該電極パッドに重なるように位置づけられている。かかる状況の下、図３７−（Ａ）に示すように、第２の半導体チップ１５５と配線基板１がボンディングワイヤ７によって、また、第１の半導体チップ２と配線基板４とがボンディングワイヤ７によって接続されている。

このように、中継部材１５１及び１５２は、第１の半導体チップ２と第２の半導体チップ１５５との間にスペースＳを形成しているため、ボンディングワイヤ７が、その上部に位置する第２の半導体チップ１５５に接触することなく、第１の半導体チップ２と配線基板１とを接続することができる。

なお、本実施形態においても、本発明の第１の実施形態と同様の効果を得ることができることは言うまでもない。

なお、中継部材１５１及び１５２の内部構造として図４、図６、及び図７に示す構造を採用してもよく、主面の構造として図８乃至図１２に示す構造を採用してもよい。また、中継部材１５１及び１５２の配置の仕方を本発明の第３の実施の形態に示すようにしてもよい。更に、複数の中継部材を用いる代わりに、本発明の第４の実施の形態のように、分割された複数の導体部を有する１つの中継部材を用いてもよい。

[第９の実施の形態]
次に、本発明の第９の実施の形態について説明する。なお、以下では、図１乃至図３７
を参照して説明した部分と同じ部分については同じ符号を付して、その説明を省略する。

図３８は、本発明の第９の実施の形態に係る中継部材及び当該中継部材を備えた半導体装置の断面図である。図３９は、図３８に示す半導体装置の部分拡大平面図であり、図３４に示す封止樹脂９の図示は省略している。

上述の本発明の各実施の形態においては、第１の半導体チップ４と第２の半導体チップ６との間に、中継部材４が配置されていた。本発明の第９の実施の形態では、第１の半導体チップ４の上に第２の半導体チップ６が配設され、当該第２の半導体チップ６の上に中継部材４が配設されている。

即ち、図３８及び図３９を参照するに、配線基板１上に、第１の半導体チップ２が接着剤５Ａを介して載置され、当該第１の半導体チップ２の上には、第１の半導体チップ２の主面よりも小さい主面を有する第２の半導体チップ６が接着剤５Ｃにより接着固定されている。第２の半導体チップ６の上には、中継部材４が接着剤５Ｂにより接着固定されている。

中継部材４と第１の半導体チップ２、中継部材４と第２の半導体チップ６、第１の半導体チップ２と第２の半導体チップ６、第１の半導体チップ２と配線基板１、第２の半導体チップ６と配線基板１、中継部材４と配線基板１のそれぞれにおける電極は、それぞれボンディングワイヤ７によって相互に接続されている。

第１の半導体チップ２、第２の半導体チップ６、中継部材４、ボンディングワイヤ７は、封止樹脂９によって封止され、半導体装置２００が形成されている。

本実施の形態では、封止樹脂９で樹脂封止される前の状態では、導体面である中継部材４の主面（上面）全面が露出している。従って、第１の半導体チップ２と第２の半導体チップ６との間に中継部材４を配置する場合に比し、中継部材４の主面においてワイヤボンディングすることができる領域を広くとることができ、ボンディングワイヤによる接続の自由度が向上する。特に第１の半導体チップ２と第２の半導体チップ６の大きさの差が小さい場合に、この効果は大きい。

なお、本実施の形態では、導体面である中継部材４の主面（上面）全面が露出した状態で封止樹脂９と接しているため、中継部材４の主面と封止樹脂９の界面で両者の剥離が発生することが考えられ得るが、例えば、図８乃至図１２に示すような中継部材４の主面上に所定の開口部を有する樹脂膜を形成し、当該開口部にのみワイヤボンディングすることにより、この問題を回避することができる。

なお、本実施形態においても、本発明の第１の実施形態と同様の効果を得ることができることは言うまでもない。

また、中継部材４の内部構造として図４、図６、及び図７に示す構造を採用してもよい。

[第１０の実施の形態]
次に、本発明の第１０の実施の形態について説明する。なお、以下では、図１乃至図３９を参照して説明した部分と同じ部分については同じ符号を付して、その説明を省略する。

図４０は、本発明の第１０の実施の形態に係る中継部材及び当該中継部材を備えた半導体装置の断面図である。図４１は、図４０に示す半導体装置の部分拡大平面図であり、図４０に示す封止樹脂９の図示は省略している。

上述の本発明の第１乃至第９の実施の形態においては、第１の半導体チップ４と第２の半導体チップ６との間に、中継部材４が配置されていた。本発明の第１０の実施の形態では、第１の半導体チップ４の上に、第２の半導体チップ６と中継部材４とを並列に所定長さ離間して配設されている。

即ち、図３８及び図３９を参照するに、配線基板１上に、第１の半導体チップ２が接着剤５Ａを介して載置され、当該第１の半導体チップ２の上に、第１の半導体チップ２の主面よりも小さい主面を有する第２の半導体チップ６が接着剤５Ｃにより、また、中継部材４が接着剤５Ｂにより並列に所定長さ離間して接着固定されている。

中継部材４と第１の半導体チップ２、中継部材４と第２の半導体チップ６、第１の半導体チップ２と第２の半導体チップ６、第１の半導体チップ２と配線基板１、第２の半導体チップ６と配線基板１、中継部材４と配線基板１のそれぞれにおける電極は、それぞれボンディングワイヤ７によって相互に接続されている。

第１の半導体チップ２、第２の半導体チップ６、中継部材４、ボンディングワイヤ７は、封止樹脂９によって封止され、半導体装置３００が形成されている。

このように、本実施の形態では、第１の半導体チップ２の上に、第２の半導体チップ６及び中継部材４を配設する２段構造となっているので、第１の半導体チップ２と第２の半導体チップ６との間に中継部材４を配置する３段構造の場合に比し、半導体装置３００を薄型にすることができる。

本実施形態においても、本発明の第１の実施形態と同様の効果を得ることができることは言うまでもない。

なお、中継部材４の内部構造として図４、図６、及び図７に示す構造を採用してもよく、主面の構造として図８乃至図１２に示す構造を採用してもよい。

ところで、第１乃至第４の実施の形態では、半導体チップをリードフレームのダイパッド上に積層して配置し、夫々の半導体チップの電極パッドとリードフレームのインナーリードとを、又は複数の半導体チップの電極パッド間を、ボンディングワイヤにより配線した構成のチップ積層型半導体装置に、中継部材を配設した場合を例として説明したが、半導体チップを配線基板に積層して配置し、夫々の半導体チップの電極パッドと配線基板上のボンディングパッドとを、又は複数の半導体チップの電極パッド間を、ボンディングワイヤにより配線した構成のチップ積層型半導体装置に当該中継部材を配設してもよい。

また、第５乃至第１０の実施の形態では、半導体チップを配線基板に積層して配置し、夫々の半導体チップの電極パッドと配線基板上のボンディングパッドとを、又は複数の半導体チップの電極パッド間を、ボンディングワイヤにより配線した構成のチップ積層型半導体装置に、中継部材を配設した場合を例として説明したが、半導体チップをリードフレームのダイパッド上に積層して配置し、夫々の半導体チップの電極パッドとリードフレームのインナーリードとを、又は複数の半導体チップの電極パッド間を、ボンディングワイヤにより配線した構成のチップ積層型半導体装置に当該中継部材を配設してもよい。
[２．本発明の半導体装置の製造方法の実施の形態]
次に、上述の本発明の中継部材及び半導体装置の製造方法の実施の形態について説明する。

図４２乃至図４５は、本発明の中継部材及び半導体装置の製造方法の実施の形態を説明するための図（その１乃至その４）である。

まず、リードフレームのダイパッド（ダイステージ）２１上に第１の半導体チップ２を接着剤５Ａにより接着固定する（図４２−（Ａ））。

次に、この第１の半導体チップ２上に、中継部材４を接着剤５Ｂにより接着固定する（図４２−（Ｂ））。

このとき、本発明の第３の実施の形態のように、複数の中継部材５１ａ及び５１ｂを、単一のフィルム状の接着剤５Ｄにより、並列に独立して互いに僅かに離間して第１の半導体チップ２上に接着固定する場合には、図４４に示す工程を採用する。

図４４−（Ａ）に示すように、まず、ダイシングシート４００上にフィルム状の接着剤５Ｄを介して中継部材４を貼り付ける。当該貼り付けは、約５０乃至１００℃に加熱しながら行ってもよい。

次に、図４４−（Ｂ）に示すように、図示を省略するブレードによるダイシングにより、中継部材４及び接着剤５Ｄを切断する。このとき、切り込みを深さを異ならせて、ある切断箇所では中継部材４のみを、別の切断箇所では中継部材４及び接着剤５Ｄの双方を切り込ませることができる。図４４−（Ｂ）に示す例では、中継部材が２つずつ（５１ａ、５１ｂ）単一の接着剤５Ｄに接着した状態が形成されている。

また、上述の図４４−（Ｂ）に示す工程において、全ての切断箇所において中継部材４及び接着剤５Ｄの双方を切り込ませることにより、１つの中継部材４を、夫々に独立して接着剤５Ｄが貼り付けられている本発明の第２の実施形態を実現することができる。

更に、上述の図４４−（Ｂ）に示す工程において、中継部材４を完全に切断せずに、中継部材４の導体部３２（及び絶縁層３７）のみを切断することにより、導体部３２及び絶縁層３７に溝部７６が形成されて１つの中継部材が２つの分割された導体領域を有する本発明の第４の実施形態を実現することができる。

また、上述したが、中継部材４等の切断は、ブレードによるダイシングのほかレーザ加工、エッチング法等を用いることができる。特に、レーザ加工により、図１９及び図２９に示すように、分割して形成された２つの主面（導体面）が夫々略Ｌ字型形状を有するように、溝部９１を折れ線状に容易に形成することができ、また、図２０及び図３０に示すように、分割して形成された２つの主面（導体面）の外形部分が曲線部分を有するように、溝部９６を曲線状に容易に形成することができる。

次に、図４５−（Ｃ）に示すように、突き上げピン４０１等の突き上げ治具を用いて、接着剤５Ｄに接着した中継部材２つ（５１ａ、５１ｂ）を１つのセットとして同時に突上げ、当該中継部材５１ａ及び５１ｂをボンディングツール４０２に吸着させる。

次に、図４５−（Ｄ）に示すように、第１の半導体チップ４上の所定の部位に加圧して配設し、中継部材５１ａ及び５１ｂを同時に接着固定する。このときの加圧圧力は、接着剤５Ｄの特性（粘度・粘着性等）にも因るが、例えば、約０．０２乃至０．５ＭＰａに設定してもよい。また、第１の半導体チップ４又は中継部材５１ａ及び５１ｂを、又はその両方をを例えば約５０乃至２００℃に加熱してもよい。

次に、第２の半導体チップ６に接着剤５Ｃを貼り付ける（図４２−（Ｃ））。このとき、図４２−（Ｃ）の例では第２の半導体チップ６は１つだけ用意されているが、複数用意し、後述する工程により中継部材４の上に配設することにより本発明の第５の実施形態を実現することができる。

次に、中継部材４の上に、第２の半導体チップ６を接着剤５Ｃにより接着固定する（図４２−（Ｄ））。このとき、本発明の第２及び第３の実施形態のように中継部材が複数配設されている場合及び本発明の第４の実施形態のように１つの中継部材が２つの分割された導体領域を有する場合には、第２の半導体チップ６を、複数の導体領域の夫々の一部に配設する。

次に、中継部材４と第１の半導体チップ２の電極、中継部材４と第２の半導体チップ６の電極、第１の半導体チップ２の電極と第２の半導体チップ６の電極、第１の半導体チップ２の電極とリードフレーム２０のインナーリード部２２は、それぞれボンディングワイヤ７によって接続する（図４３−（Ｅ））。

次いで、中継部材４、第１の半導体チップ２、第２の半導体チップ６、リードフレームのダイパッド２２及びインナーリード部２２、及びボンディングワイヤ７を、封止樹脂９により樹脂封止する（図４３−（Ｆ））。

最後に、アウターリード部２３を切断及び折曲することにより半導体装置が完成する（図４３−（Ｇ））。

このように、上述の本発明の中継部材及び半導体装置の製造方法の実施の形態によれば、図４４−（Ｂ）、図４５−（Ｃ）、及び図４５−（Ｄ）に示す工程において、複数の中継部材又は２つの分割された導体領域を有する１つの中継部材を、同時に第１の半導体チップ上に配設することができるため、半導体装置の生産性が向上し、半導体装置の製造コストの削減を図ることができる。

また、図４４−（Ｂ）、図４５−（Ｃ）、及び図４５−（Ｄ）に示す工程により、複数の中継部材又は２つの分割された導体領域を有する１つの中継部材を、単一の接着剤に接着させた１つの中継部材から形成することができるため、当該複数の中継部材又は１つの中継部材から分割された２つの導体領域間の相対位置の精度を向上させることができ、製造歩留りが向上する。

なお、上述の例では、半導体チップをリードフレームのダイパッド上に積層して配置し、夫々の半導体チップの電極パッドとリードフレームのインナーリードとを、又は複数の半導体チップの電極パッド間を、ボンディングワイヤにより配線した構成のチップ積層型半導体装置の製造方法の実施形態について説明したが、半導体チップを配線基板に積層して配置し、夫々の半導体チップの電極パッドと配線基板上のボンディングパッドとを、又は複数の半導体チップの電極パッド間を、ボンディングワイヤにより配線した構成のチップ積層型半導体装置の製造方法についても、本発明を適用することができる。この場合、上述のリードフレームのダイパッドが配線基板に対応し、リードフレームのインナーリードが配線基板におけるボンディングパッドに対応する。

以上、本発明の実施の形態について詳述したが、本発明は特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形及び変更が可能である。

以上の説明に関し、更に以下の項を開示する。
（付記１） 半導体装置に配設される中継部材であって、
全面が導体物からなる主面を有することを特徴とする中継部材。
（付記２） 当該中継基板は、前記半導体装置に配設される少なくとも１つの半導体素子と同一の材料から成る基板を含み、
前記主面は前記基板の上方に形成されていることを特徴とする付記１記載の中継部材。
（付記３） 前記主面上に、開口部を有する樹脂膜が形成されたことを特徴とする付記１又は２記載の中継部材。
（付記４） 前記主面に溝部が形成され、前記溝部により前記主面は複数の領域に分割されていることを特徴とする付記１乃至３いずれか一項記載の中継部材。
（付記５） 第１及び第２の半導体素子と、
前記第１の半導体素子と前記第２の半導体素子との接続、又は前記第２の半導体素子と配線基板又はリードフレームとの接続を中継する中継部材と、を備えた半導体装置において、
前記中継部材は、前記第１及び第２の半導体素子の間に配設され、
前記中継部材の主面の全面が導体物からなり、
前記中継部材と前記第２の半導体素子、及び前記中継基板と前記第１の半導体素子又は前記配線基板又は前記リードフレームとが、ボンディングワイヤにより接続されたことを特徴とする半導体装置。
（付記６） 前記中継部材は、前記第１及び第２の半導体素子の少なくとも１つの半導体素子と同一の材料から成る基板を含み、
前記主面は前記基板の上方に形成されていることを特徴とする付記５記載の半導体装置。
（付記７） 前記中継部材の前記主面上に、前記ボンディングワイヤを接続することが可能な開口部を有する樹脂膜が形成されていることを特徴とする付記５又は６記載の半導体装置。
（付記８） 前記中継部材の前記主面に溝部が形成され、前記溝部により前記中継部材の前記主面は複数の領域に分割されていることを特徴とする付記５乃至７いずれか一項記載の半導体装置。
（付記９） 前記第２の半導体素子は、前記中継部材の上に配設され、
前記中継部材の前記主面は、前記第２の半導体素子の主面よりも大きいことを特徴とする付記５乃至８いずれか一項記載の半導体装置。
（付記１０） 前記中継部材は、前記第２の半導体素子の電源電極又は接地電極と接続されていることを特徴とする付記９記載の半導体装置。
（付記１１） 前記中継部材は、前記第１及び第２の半導体素子の間に複数配設され、
前記第２の半導体素子が、当該複数の中継部材の夫々の一部の上に設けられていることを特徴とする付記５乃至１０いずれか一項記載の半導体装置。
（付記１２） 前記複数の中継部材は、共通の単一のフィルム状接着剤により、第１の半導体素子の上に固着されていることを特徴とする付記１１記載の半導体装置。
（付記１３） 前記第２の半導体素子は、前記中継部材の上に複数配設されていることを特徴とする付記５乃至１２いずれか一項記載の半導体装置。
（付記１４） 前記第１の半導体素子の上に前記中継部材が形成され、前記中継部材の上に前記第２の半導体素子が形成され、
前記中継部材の一の方向における長さは、当該一の方向における前記第１の半導体及び前記第２の半導体素子の長さよりも短く、前記第１の半導体素子において前記中継部材と重ならない領域が形成され、
前記中継部材の他の方向における長さは、当該他の方向における前記第１の半導体及び前記第２の半導体素子の長さよりも長く、前記中継部材において前記第２の半導体素子と重ならない領域が形成されていることを特徴とする付記５乃至８いずれか一項記載の半導体装置。
（付記１５） 中継部材を備えた半導体装置の製造方法であって、
前記中継部材にフィルム状の接着剤を貼り付ける工程と、
一の箇所では前記中継部材のみを切断し、他の箇所では前記中継部材と前記中継部材に貼り付けられた前記接着剤の双方を切断して、共通の単一の前記フィルム状接着剤に接着している複数の分割された中継部材を形成する工程と、
当該複数の分割された中継部材を同時に半導体素子に配設する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記１６） 前記中継部材のみの切断は、前記中継部材の導体部の切断であることを特徴とする付記１５記載の製造方法。
（付記１７） 前記中継部材のみの切断は、レーザ加工によって行われることを特徴とする付記１５又は１６記載の半導体装置の製造方法。

本発明の第１の実施の形態に係る中継部材及び当該中継部材を備えた半導体装置の断面図である。 図１に示す半導体装置の部分拡大平面図である。 リードフレームの部分平面図である。 図１及び図２に示す中継部材の断面図である。 第１の半導体チップと第２の半導体チップとの間に本発明の第１の実施形態に係る中継部材を、配設しない場合と配設する場合との相違を示す図である。 本発明の第１の実施の形態の中継部材の第１の変形例を示す図である。 本発明の第１の実施の形態の中継部材の第２の変形例を示す図である。 本発明の第１の実施の形態の中継部材の第３の変形例を示す図である。 開口部の開口パターンの第１の例を示した図である。 開口部の開口パターンの第２の例を示した図である。 開口部の開口パターンの第３の例を示した図である。 開口部の開口パターンの第４の例を示した図である。 パッド上での複数のボンディングワイヤの接続構造を示した図である。 本発明の第２の実施の形態に係る中継部材及び当該中継部材を備えた半導体装置の断面図である。 図１４に示す半導体装置の部分拡大平面図である。 第１の半導体チップと第２の半導体チップとの間に本発明の第２の実施形態に係る中継部材を、配設しない場合と配設する場合との相違を示す図である。 本発明の第２の実施形態における複数の中継部材の配置の第１の変形例を示す図である。 本発明の第２の実施形態における複数の中継部材の配置の第２の変形例を示す図である。 本発明の第２の実施形態における複数の中継部材の配置の第３の変形例を示す図である。 本発明の第２の実施形態における複数の中継部材の配置の第４の変形例を示す図である。 本発明の第３の実施の形態に係る中継部材及び当該中継部材を備えた半導体装置の断面図である。 図２１において点線Ａで囲んだ部分の拡大図である。 本発明の第４の実施の形態に係る中継部材及び当該中継部材を備えた半導体装置の断面図である。 図２３に示す半導体装置の部分拡大平面図である。 本発明の第４の実施の形態に係る中継部材の部分拡大断面図である。 本発明の第４の実施の形態に係る中継部材の平面図である。 本発明の第４の実施の形態に係る中継部材の第１の変形例を示す図である。 本発明の第４の実施の形態に係る中継部材の第２の変形例を示す図である。 本発明の第４の実施の形態に係る中継部材の第３の変形例を示す図である。 本発明の第４の実施の形態に係る中継部材の第４の変形例を示す図である。 本発明の第５の実施の形態に係る中継部材及び当該中継部材を備えた半導体装置の断面図である。 図３１に示す半導体装置の部分拡大平面図である。 本発明の第６の実施の形態に係る中継部材及び当該中継部材を備えた半導体装置の部分平面図である。 本発明の第７の実施の形態に係る中継部材及び当該中継部材を備えた半導体装置の断面図である。 図３４に示す半導体装置の部分拡大平面図である。 本発明の第７の実施の形態に係る中継部材及び当該中継部材を備えた半導体装置の平面図である。 図３６に示す半導体装置の平面図である。 本発明の第９の実施の形態に係る中継部材及び当該中継部材を備えた半導体装置の断面図である。 図３８に示す半導体装置の部分拡大平面図である。 本発明の第１０の実施の形態に係る中継部材及び当該中継部材を備えた半導体装置の断面図である。 図４０に示す半導体装置の部分拡大平面図である。 本発明の中継部材及び半導体装置の製造方法の実施の形態を説明するための図（その１）である。 本発明の中継部材及び半導体装置の製造方法の実施の形態を説明するための図（その２）である。 本発明の中継部材及び半導体装置の製造方法の実施の形態を説明するための図（その３）である。 本発明の中継部材及び半導体装置の製造方法の実施の形態を説明するための図（その４）である。

符号の説明

１ 配線基板
２ 第１の半導体素子
４、４０、５１、５２、５３、５４、５５、７５、８０、８５、９０、９５、１０４、１０５、１５１ 中継部材
５ 接着剤
６ 第２の半導体素子
７ ボンディングワイヤ
１０、５０、６０、７０、１００、１１０、１５０、２００、３００ 半導体装置
２２ リードフレーム
３２ 導体部
３６ 基板
７６、８１、８６、９１、９６ 溝部

Claims (10)

1. 半導体装置に配設される中継部材であって、
   全面が導体物からなる主面を有することを特徴とする中継部材。
2. 当該中継基板は、前記半導体装置に配設される少なくとも１つの半導体素子と同一の材料から成る基板を含み、
   前記主面は前記基板の上方に形成されていることを特徴とする請求項１記載の中継部材。
3. 前記主面に溝部が形成され、前記溝部により前記主面は複数の領域に分割されていることを特徴とする請求項１又は２記載の中継部材。
4. 第１及び第２の半導体素子と、
   前記第１の半導体素子と前記第２の半導体素子との接続、又は前記第２の半導体素子と配線基板又はリードフレームとの接続を中継する中継部材と、を備えた半導体装置において、
   前記中継部材は、前記第１及び第２の半導体素子の間に配設され、
   前記中継部材の主面の全面が導体物からなり、
   前記中継部材と前記第２の半導体素子、及び前記中継基板と前記第１の半導体素子又は前記配線基板又は前記リードフレームとが、ボンディングワイヤにより接続されたことを特徴とする半導体装置。
5. 前記第２の半導体素子は、前記中継部材の上に配設され、
   前記中継部材の前記主面は、前記第２の半導体素子の主面よりも大きいことを特徴とする請求項４記載の半導体装置。
6. 前記中継部材は、前記第１及び第２の半導体素子の間に複数配設され、
   前記第２の半導体素子が、当該複数の中継部材の夫々の一部の上に設けられていることを特徴とする請求項４又は５記載の半導体装置。
7. 前記複数の中継部材は、共通の単一のフィルム状接着剤により、第１の半導体素子の上に固着されていることを特徴とする請求項６記載の半導体装置。
8. 中継部材を備えた半導体装置の製造方法であって、
   前記中継部材にフィルム状の接着剤を貼り付ける工程と、
   一の箇所では前記中継部材のみを切断し、他の箇所では前記中継部材と前記中継部材に貼り付けられた前記接着剤の双方を切断して、共通の単一の前記フィルム状接着剤に接着している複数の分割された中継部材を形成する工程と、
   当該複数の分割された中継部材を同時に半導体素子に配設する工程と、
   を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
9. 前記中継部材のみの切断は、前記中継部材の導体部の切断であることを特徴とする請求項８記載の製造方法。
10. 前記中継部材のみの切断は、レーザ加工によって行われることを特徴とする請求項８又は９記載の半導体装置の製造方法。

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