JP2007081260A - 半導体素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明は、単結晶材料層101と、その単結晶材料層101の表面上に形成された燐化硼素系半導体層102とを備えてなる半導体素子10において、単結晶材料層101は六方晶からなり、その{1.1.−2.0.}結晶面からなる表面上に、六方晶からなる上記燐化硼素系半導体層102を設けるものである。
【選択図】 図2
Description
T. Udagawa and G. Shimaoka, J. Ceramic Processing Res.,(大韓民国), 第4巻、第2号、2003年,80-83頁. T. Udagawa他、Appl. Surf. Sci.,(アメリカ合衆国),第244巻、2004年,285-288頁.
100 LED用途積層構造体
101 サファイア基板(六方晶単結晶材料層)
102 六方晶燐化硼素系半導体層(六方晶単量体BP層)
103 六方晶III族窒化物半導体層(GaN層)
104 下部クラッド層
105 発光層
106 上部クラッド層
107 コンタクト層
108 p形オーミック電極
109 n形オーミック電極
Claims (5)
- 単結晶材料層と、その単結晶材料層の表面上に形成された燐化硼素系半導体層とを備えてなる半導体素子において、
上記単結晶材料層は六方晶からなり、その{1.1.−2.0.}結晶面からなる表面上に、六方晶からなる上記燐化硼素系半導体層が設けられている、
ことを特徴とする半導体素子。 - 上記燐化硼素系半導体層は、上記単結晶材料層の<1.−1.0.0.>方向に平行に<1.―1.0.0.>方向が配向した、表面を{1.1.−2.0.}結晶面とする結晶から構成されている、請求項1に記載の半導体素子。
- 上記単結晶材料層はサファイア(α−アルミナ単結晶)からなる層である、請求項1または2に記載の半導体素子。
- 上記燐化硼素系半導体層は、単量体の燐化硼素(BP)から構成されている、請求項1乃至3の何れか1項に記載の半導体素子。
- 上記燐化硼素系半導体層上に六方晶のIII族窒化物半導体層が設けられている、請求項1乃至4の何れか1項に記載の半導体素子。
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