JPH09232685A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
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- JPH09232685A JPH09232685A JP3964696A JP3964696A JPH09232685A JP H09232685 A JPH09232685 A JP H09232685A JP 3964696 A JP3964696 A JP 3964696A JP 3964696 A JP3964696 A JP 3964696A JP H09232685 A JPH09232685 A JP H09232685A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】低雑音で安定な横モードを備え、かつ長寿命の
連続動作が可能な、青色から近紫外の波長領域のＧａＮ
系のＬＤ、及び同じ波長領域のＧａＮ系の高輝度、長寿
命なＬＥＤを実現すること。 【解決手段】高濃度の不純物添加により比抵抗を大幅に
低減したＢＰ、ＧａＮ又はＳｉＣをコンタクト層として
用いること、またこれらの材料を電流阻止層として用い
ることにより、電流阻止機能と同時に横モード制御機能
を有する低雑音で高密度な光読みだしが可能なＬＤ、及
び高輝度青色ＬＥＤを得ることができる。
連続動作が可能な、青色から近紫外の波長領域のＧａＮ
系のＬＤ、及び同じ波長領域のＧａＮ系の高輝度、長寿
命なＬＥＤを実現すること。 【解決手段】高濃度の不純物添加により比抵抗を大幅に
低減したＢＰ、ＧａＮ又はＳｉＣをコンタクト層として
用いること、またこれらの材料を電流阻止層として用い
ることにより、電流阻止機能と同時に横モード制御機能
を有する低雑音で高密度な光読みだしが可能なＬＤ、及
び高輝度青色ＬＥＤを得ることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は多層の化合物半導体
より構成され、青色から近紫外の波長領域において、低
雑音でかつ長時間の連続動作が可能なレーザーダイオー
ド、及び高輝度で長寿命な発光ダイオード等の半導体発
光装置に関するものである。
より構成され、青色から近紫外の波長領域において、低
雑音でかつ長時間の連続動作が可能なレーザーダイオー
ド、及び高輝度で長寿命な発光ダイオード等の半導体発
光装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】窒素を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体で
あるＧａＮ及びＧａＮ系混晶は、禁制帯幅が３．４ｅＶ
以上と大きく、また直接遷移形であるため短波長の半導
体レーザーダイオード（以下ＬＤと略称）の材料として
期待されている。発光ダイオード（以下ＬＥＤと略称）
としても、ＧａＮを用いた青色ＬＥＤの開発が従来から
行われている。しかし、ＧａＮ及びＧａＮ系混晶を用い
たＬＤにおいては、パルス動作が報告されているのみで
あり連続動作は実現していない。短波長のＬＤを高密度
記録用の光源として使用するためには、連続動作が可能
であるばかりでなく横モードが単峰に制御され、かつ低
雑音でなくてはならないが、まだこれらの事項について
は、何等の検討もなされていない。またＧａＮを用いた
青色ＬＥＤについても、高輝度で長寿命のものは得られ
ていない。
あるＧａＮ及びＧａＮ系混晶は、禁制帯幅が３．４ｅＶ
以上と大きく、また直接遷移形であるため短波長の半導
体レーザーダイオード（以下ＬＤと略称）の材料として
期待されている。発光ダイオード（以下ＬＥＤと略称）
としても、ＧａＮを用いた青色ＬＥＤの開発が従来から
行われている。しかし、ＧａＮ及びＧａＮ系混晶を用い
たＬＤにおいては、パルス動作が報告されているのみで
あり連続動作は実現していない。短波長のＬＤを高密度
記録用の光源として使用するためには、連続動作が可能
であるばかりでなく横モードが単峰に制御され、かつ低
雑音でなくてはならないが、まだこれらの事項について
は、何等の検討もなされていない。またＧａＮを用いた
青色ＬＥＤについても、高輝度で長寿命のものは得られ
ていない。
【０００３】図９に発光層と第１、第２のとじ込め層を
具備する従来の代表的な可視領域ＬＤの構造を示す。Ｇ
ａＩｎＰ（以下特に必要な場合のほかＡx Ｂ1-x Ｃ、０
≦ｘ≦１の化合物をＡＢＣと略称する。４元系も同じ）
から成る発光層３７の下部にｎ−ＡｌＧａＡｓから成る
第１のとじ込め層３６が設けられ、前記発光層３７の上
部に凸状に加工されたｐ−ＡｌＧａＩｎＰから成る第２
のとじ込め層３８が形成される。凸状に加工された前記
第２のとじ込め層３８の両側面に接して、基板３４と同
じ格子定数を有するｎ−ＧａＡｓ又はｎ−ＡｌＧａＡｓ
から成る電流阻止層３９を設ける。凸状に加工された第
２のとじ込め層３８の頂上面にｐ+ −ＧａＩｎＰから成
る中間コンタクト層４０が形成され、前記中間コンタク
ト層４０及び前記電流阻止層３９の上部と電流供給用電
極４２との間にｐ−ＧａＡｓから成るコンタクト層４１
が形成される。なお３５はｎ−ＧａＡｓ基板３４上への
多層成長を容易にするためのｎ−ＧａＡｓバッファ層、
４３は前記基板に設けた電流電極である。
具備する従来の代表的な可視領域ＬＤの構造を示す。Ｇ
ａＩｎＰ（以下特に必要な場合のほかＡx Ｂ1-x Ｃ、０
≦ｘ≦１の化合物をＡＢＣと略称する。４元系も同じ）
から成る発光層３７の下部にｎ−ＡｌＧａＡｓから成る
第１のとじ込め層３６が設けられ、前記発光層３７の上
部に凸状に加工されたｐ−ＡｌＧａＩｎＰから成る第２
のとじ込め層３８が形成される。凸状に加工された前記
第２のとじ込め層３８の両側面に接して、基板３４と同
じ格子定数を有するｎ−ＧａＡｓ又はｎ−ＡｌＧａＡｓ
から成る電流阻止層３９を設ける。凸状に加工された第
２のとじ込め層３８の頂上面にｐ+ −ＧａＩｎＰから成
る中間コンタクト層４０が形成され、前記中間コンタク
ト層４０及び前記電流阻止層３９の上部と電流供給用電
極４２との間にｐ−ＧａＡｓから成るコンタクト層４１
が形成される。なお３５はｎ−ＧａＡｓ基板３４上への
多層成長を容易にするためのｎ−ＧａＡｓバッファ層、
４３は前記基板に設けた電流電極である。
【０００４】図９に示す従来の可視領域のＬＤにおいて
は、横モード制御は発光層３７からの発光エネルギーが
前記電流阻止層３９の禁制帯幅よりも大きいことによる
光吸収効果を利用して行われる。またこの構造では、最
後に成長するコンタクト層４１として、成長基板３４及
び前記電流阻止層３９と同じ材料が用いられているため
に装置全体として格子整合がとり易く、凸状にエッチン
グ加工された第２の光とじ込め層３８の両側面に接して
再成長により形成される前記電流阻止層３９も高品質と
することができる。しかし上記のようなＬＤの構成では
横モード制御が以下に述べるように光吸収により行われ
る。図９のＬＤの構成は、格子整合の立場からは優れて
いるが、光吸収の効果が大きいために、レーザ発光のし
きい値電流が大きくなる欠点がある。
は、横モード制御は発光層３７からの発光エネルギーが
前記電流阻止層３９の禁制帯幅よりも大きいことによる
光吸収効果を利用して行われる。またこの構造では、最
後に成長するコンタクト層４１として、成長基板３４及
び前記電流阻止層３９と同じ材料が用いられているため
に装置全体として格子整合がとり易く、凸状にエッチン
グ加工された第２の光とじ込め層３８の両側面に接して
再成長により形成される前記電流阻止層３９も高品質と
することができる。しかし上記のようなＬＤの構成では
横モード制御が以下に述べるように光吸収により行われ
る。図９のＬＤの構成は、格子整合の立場からは優れて
いるが、光吸収の効果が大きいために、レーザ発光のし
きい値電流が大きくなる欠点がある。
【０００５】上記の従来例の説明に用いたように、閉じ
込め層とは、キャリヤを発光層内に集中し、またＬＤ発
光が高い効率で安定に生ずるよう光の導波モードを前記
発光層と整合させるため、前記発光層の上下両面に構成
される多層構造をいう。電流阻止層とは、前記発光層と
これに電流を供給する上部電極との間に、一部の領域を
除いて電流を阻止することができる構造を構成し、これ
を用いて前記発光層の面内に、ＬＤの横モード制御に適
した電流の集中を生じさせることをいう。この時前記電
流阻止層は、同時にＬＤ発光の横モードを制御するよう
に構成することができる。
込め層とは、キャリヤを発光層内に集中し、またＬＤ発
光が高い効率で安定に生ずるよう光の導波モードを前記
発光層と整合させるため、前記発光層の上下両面に構成
される多層構造をいう。電流阻止層とは、前記発光層と
これに電流を供給する上部電極との間に、一部の領域を
除いて電流を阻止することができる構造を構成し、これ
を用いて前記発光層の面内に、ＬＤの横モード制御に適
した電流の集中を生じさせることをいう。この時前記電
流阻止層は、同時にＬＤ発光の横モードを制御するよう
に構成することができる。
【０００６】とくに発光層へのキャリヤ集中のみ着目し
たヘテロ障壁によるキャリヤ閉じ込め層、ヘテロ界面の
屈折率の差を用いた光閉じ込め層、導波層、クラッド層
等の通常の技術用語は必要に応じて随時使用する。
たヘテロ障壁によるキャリヤ閉じ込め層、ヘテロ界面の
屈折率の差を用いた光閉じ込め層、導波層、クラッド層
等の通常の技術用語は必要に応じて随時使用する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は低雑音で安定
な横モードを備え、かつ長寿命の連続動作が可能な、青
色から近紫外の波長領域のＧａＮ系のＬＤ、及び同様な
波長領域のＧａＮ系の高輝度、長寿命なＬＥＤを実現す
ることを目的としている。
な横モードを備え、かつ長寿命の連続動作が可能な、青
色から近紫外の波長領域のＧａＮ系のＬＤ、及び同様な
波長領域のＧａＮ系の高輝度、長寿命なＬＥＤを実現す
ることを目的としている。
【０００８】図９を用いて説明したように、従来の代表
的な可視領域ＬＤの構造においては、電流阻止層３９の
禁制帯幅がＧａＩｎＰ発光層３７の発光エネルギーより
も小さいために、電流阻止層３９の屈折率がＡｌＧａＩ
ｎＰ閉じ込め層３８の屈折率よりも大きく、屈折率差に
基づく電流阻止層３９の横モード制御機能を期待するこ
とはできない。
的な可視領域ＬＤの構造においては、電流阻止層３９の
禁制帯幅がＧａＩｎＰ発光層３７の発光エネルギーより
も小さいために、電流阻止層３９の屈折率がＡｌＧａＩ
ｎＰ閉じ込め層３８の屈折率よりも大きく、屈折率差に
基づく電流阻止層３９の横モード制御機能を期待するこ
とはできない。
【０００９】発明者の研究によれば、このとき横モード
制御に対して有効となるのは、屈折率の虚数部に相当す
る光吸収係数であることが判明した。すなわち従来の代
表的な可視領域ＬＤの構造において、横モード制御は、
ｎ−ＧａＡｓから成る電流阻止層３９の大きな光吸収に
基づくものであることが明らかとなった。
制御に対して有効となるのは、屈折率の虚数部に相当す
る光吸収係数であることが判明した。すなわち従来の代
表的な可視領域ＬＤの構造において、横モード制御は、
ｎ−ＧａＡｓから成る電流阻止層３９の大きな光吸収に
基づくものであることが明らかとなった。
【００１０】従来の可視領域のＬＤに比べてはるかに発
光波長の短い、青色から近紫外の波長領域のＧａＮ系の
ＬＤ、ＬＥＤでは、ＬＤ動作を行うために約３倍から４
倍の励起キャリヤ密度が必要である。このため、ＬＤの
しきい値電流を大きくする光吸収の効果を小さくしなけ
ればならない。ＧａＮ系のＬＤでは、基板に相当する材
料がＧａＮとなるために、ＧａＮよりも禁制帯幅の小さ
いＧａＩｎＮを発光層とし、電流阻止層としてＧａＮを
用いれば電流阻止層による光吸収が小さく、かつ格子整
合のとれた構成となるが、一方電流阻止層の光吸収が小
さいため横モードの不安定や雑音の増加が予想される。
このように、従来の可視領域ＬＤ構成の考え方を単に延
長するのみでは、実用的なＧａＮ系青色ＬＤ、ＬＥＤを
得ることができない。
光波長の短い、青色から近紫外の波長領域のＧａＮ系の
ＬＤ、ＬＥＤでは、ＬＤ動作を行うために約３倍から４
倍の励起キャリヤ密度が必要である。このため、ＬＤの
しきい値電流を大きくする光吸収の効果を小さくしなけ
ればならない。ＧａＮ系のＬＤでは、基板に相当する材
料がＧａＮとなるために、ＧａＮよりも禁制帯幅の小さ
いＧａＩｎＮを発光層とし、電流阻止層としてＧａＮを
用いれば電流阻止層による光吸収が小さく、かつ格子整
合のとれた構成となるが、一方電流阻止層の光吸収が小
さいため横モードの不安定や雑音の増加が予想される。
このように、従来の可視領域ＬＤ構成の考え方を単に延
長するのみでは、実用的なＧａＮ系青色ＬＤ、ＬＥＤを
得ることができない。
【００１１】上記のようにＧａＮ及びＧａＮ系混晶を用
いたＬＤ、ＬＥＤの装置構成として、サファイヤ、Ｓｉ
Ｃ等の基板上にＧａＮ系混晶材料から成る発光層、光及
びキャリヤ閉じ込めのための閉じ込め層から成る多層構
造を形成したものが、候補として考えられる。しかし前
記多層構造と、これを成長するサファイヤ、ＳｉＣ等の
成長基板との間の格子不整合、あるいは多層構造を構成
する化合物半導体薄層間の格子不整合が存在するため
に、前記多層構造中に高密度の転位が発生し、発光強度
の低下や寿命の低下を生ずる。
いたＬＤ、ＬＥＤの装置構成として、サファイヤ、Ｓｉ
Ｃ等の基板上にＧａＮ系混晶材料から成る発光層、光及
びキャリヤ閉じ込めのための閉じ込め層から成る多層構
造を形成したものが、候補として考えられる。しかし前
記多層構造と、これを成長するサファイヤ、ＳｉＣ等の
成長基板との間の格子不整合、あるいは多層構造を構成
する化合物半導体薄層間の格子不整合が存在するため
に、前記多層構造中に高密度の転位が発生し、発光強度
の低下や寿命の低下を生ずる。
【００１２】室温で連続動作するＬＤを実現するには、
動作電流を低減するために発光層の厚さを０．００１〜
０．０１μｍ程度にしなければならない。またキャリヤ
と光の十分な閉じ込め効果を発揮させるためには、閉じ
込め層の膜厚が十分に厚いことと、活性層と閉じ込め層
の禁制帯幅の差が大きく、かつ発光層と閉じ込め層の間
のヘテロ接合介面が平坦であることが要求される。
動作電流を低減するために発光層の厚さを０．００１〜
０．０１μｍ程度にしなければならない。またキャリヤ
と光の十分な閉じ込め効果を発揮させるためには、閉じ
込め層の膜厚が十分に厚いことと、活性層と閉じ込め層
の禁制帯幅の差が大きく、かつ発光層と閉じ込め層の間
のヘテロ接合介面が平坦であることが要求される。
【００１３】発明者の研究によれば、Ａｌx Ｇａ1-x Ｎ
（０≦ｘ≦１）を用いて閉じ込め層を形成するには、Ａ
ｌ組成ｘとして最低０．１、望ましくは０．１５から
０．３の値を有することが必要であり、また発光層との
格子整合の関係からは０．１５以下とすることが望まし
い。しかし、ｘの値を０．１５以下とすれば、光の閉じ
込め効果が低下するために、動作電流の増加が避けられ
ない。前記光閉じ込め効果の低下を回復するためには、
発光層と光閉じ込め層との間に両者の中間の禁制帯幅を
有する光導波層を挿入することが有効な方法であるが、
このとき前記発光層へのキャリヤ閉じ込め効果が低下す
るため、その対策として前記発光層を、光導波層を構成
するＡｌＧａＮより禁制帯幅の小さいＧａＩｎＮにしな
ければならない。
（０≦ｘ≦１）を用いて閉じ込め層を形成するには、Ａ
ｌ組成ｘとして最低０．１、望ましくは０．１５から
０．３の値を有することが必要であり、また発光層との
格子整合の関係からは０．１５以下とすることが望まし
い。しかし、ｘの値を０．１５以下とすれば、光の閉じ
込め効果が低下するために、動作電流の増加が避けられ
ない。前記光閉じ込め効果の低下を回復するためには、
発光層と光閉じ込め層との間に両者の中間の禁制帯幅を
有する光導波層を挿入することが有効な方法であるが、
このとき前記発光層へのキャリヤ閉じ込め効果が低下す
るため、その対策として前記発光層を、光導波層を構成
するＡｌＧａＮより禁制帯幅の小さいＧａＩｎＮにしな
ければならない。
【００１４】一方閉じ込め層の膜厚は、青色から近紫外
の波長領域では少なくとも０．２μｍ、望ましくは０．
３μｍから０．５μｍとしなければならない。しかし、
Ａｌ組成の高いＡｌＧａＮは、とくにｐ形の比抵抗が高
く、このため閉じ込め層の膜厚が大であれば、発光装置
の動作電圧が大となり、実用的な装置を得ることができ
ない。
の波長領域では少なくとも０．２μｍ、望ましくは０．
３μｍから０．５μｍとしなければならない。しかし、
Ａｌ組成の高いＡｌＧａＮは、とくにｐ形の比抵抗が高
く、このため閉じ込め層の膜厚が大であれば、発光装置
の動作電圧が大となり、実用的な装置を得ることができ
ない。
【００１５】従って本発明の解決しようとする課題は、
ＧａＮ系青色ＬＤにおいて、しきい値電流低減につなが
る発光層の厚さ方向の光とじ込めを屈折率差で行い、低
雑音化と高密度記録につながる横モード制御を、電流阻
止層に不純物を添加して適度な光吸収係数を生じさせる
ことにより達成することにある。すなわちＧａＩｎＮ発
光層を中心として、これらの諸機能を具備し、かつ格子
整合のとれた化合物半導体材料の最適な組み合わせを見
い出だすことにある。高輝度ＬＥＤは、ＬＤと同様な構
造のものを、しきい値電流以下で動作することにより達
成されるので、技術的課題は基本的にはＬＤと同様であ
る。
ＧａＮ系青色ＬＤにおいて、しきい値電流低減につなが
る発光層の厚さ方向の光とじ込めを屈折率差で行い、低
雑音化と高密度記録につながる横モード制御を、電流阻
止層に不純物を添加して適度な光吸収係数を生じさせる
ことにより達成することにある。すなわちＧａＩｎＮ発
光層を中心として、これらの諸機能を具備し、かつ格子
整合のとれた化合物半導体材料の最適な組み合わせを見
い出だすことにある。高輝度ＬＥＤは、ＬＤと同様な構
造のものを、しきい値電流以下で動作することにより達
成されるので、技術的課題は基本的にはＬＤと同様であ
る。
【００１６】
【課題を解決するための手段】前記の課題を解決する手
段は次の通りである。高濃度の不純物添加により比抵抗
を大幅に低減したＧａＮ又はＢＰをコンタクト層として
用いることにより、ＧａＮ系ＬＤ、ＬＥＤの動作電圧を
低減することができる。また従来の可視ＬＤのように、
電流阻止層と発光層との禁制帯幅の差に基づく電流阻止
層の極めて大きな光吸収により、横モードを制御するの
ではなく、高濃度に不純物を添加する方法で電流阻止層
の光吸収を適度に増加することにより、電流阻止層に横
モード制御機能を付与し、ＧａＮ系青色ＬＤの低雑音化
と高密度な光読取りを可能とすることができる。
段は次の通りである。高濃度の不純物添加により比抵抗
を大幅に低減したＧａＮ又はＢＰをコンタクト層として
用いることにより、ＧａＮ系ＬＤ、ＬＥＤの動作電圧を
低減することができる。また従来の可視ＬＤのように、
電流阻止層と発光層との禁制帯幅の差に基づく電流阻止
層の極めて大きな光吸収により、横モードを制御するの
ではなく、高濃度に不純物を添加する方法で電流阻止層
の光吸収を適度に増加することにより、電流阻止層に横
モード制御機能を付与し、ＧａＮ系青色ＬＤの低雑音化
と高密度な光読取りを可能とすることができる。
【００１７】光及びキャリヤを閉じ込めるための閉じ込
め層としては、ＧａＩｎＮ発光層と格子整合するＧａ
Ｎ、ＡｌＧａＮを用いることにより、屈折率の差に基づ
く光とじ込めとヘテロ界面によるキャリヤのとじ込めを
行う。また光閉じ込め層にＧａＩｎＮから成る可飽和吸
収層を含ませることにより、自己間欠動作する低雑音高
密度光読取り用ＬＤを得ることができる。
め層としては、ＧａＩｎＮ発光層と格子整合するＧａ
Ｎ、ＡｌＧａＮを用いることにより、屈折率の差に基づ
く光とじ込めとヘテロ界面によるキャリヤのとじ込めを
行う。また光閉じ込め層にＧａＩｎＮから成る可飽和吸
収層を含ませることにより、自己間欠動作する低雑音高
密度光読取り用ＬＤを得ることができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下図面を参照して本発明の第１
の実施の形態を説明する。図１に本発明の第１の実施の
形態の半導体発光装置である青色ＬＤの断面構造を示
す。ドナー濃度１−５×１０18／ｃｍ3 、望ましくは３
−５×１０18／ｃｍ3 の面指数（０００１）を有するｎ
−ＳｉＣ基板２のＳｉ面上に、Ｓｉドープｎ−ＡｌＮか
ら成る電子濃度１−５×１０19／ｃｍ3 、厚さ１−１０
０ｎｍのバッファ層３を１３５０℃の温度で形成する。
次に格子不整合による歪みを除去するために、ＮＨ3 と
水素の混合気流中で１４００℃で３０分アニールした
後、Ｓｉドープｎ−ＧａＮから成るドナー濃度１−５×
１０18／ｃｍ3 、厚さ１−５μｍの第１コンタクト層４
を成長する。
の実施の形態を説明する。図１に本発明の第１の実施の
形態の半導体発光装置である青色ＬＤの断面構造を示
す。ドナー濃度１−５×１０18／ｃｍ3 、望ましくは３
−５×１０18／ｃｍ3 の面指数（０００１）を有するｎ
−ＳｉＣ基板２のＳｉ面上に、Ｓｉドープｎ−ＡｌＮか
ら成る電子濃度１−５×１０19／ｃｍ3 、厚さ１−１０
０ｎｍのバッファ層３を１３５０℃の温度で形成する。
次に格子不整合による歪みを除去するために、ＮＨ3 と
水素の混合気流中で１４００℃で３０分アニールした
後、Ｓｉドープｎ−ＧａＮから成るドナー濃度１−５×
１０18／ｃｍ3 、厚さ１−５μｍの第１コンタクト層４
を成長する。
【００１９】引き続き装置の主要部を構成するＳｉドー
プｎ−Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎから成るドナー濃度５×１０
17／ｃｍ3 −３×１０18／ｃｍ3 、厚さ０．２−０．５
μｍの第１クラッド層５と、Ｓｉドープｎ−ＧａＮから
成るドナー濃度５×１０17／ｃｍ3 −１×１０18／ｃｍ
3 、厚さ０．１−０．２μｍの第１導波層６と、意識的
には不純物を添加しない厚さ０．００１−０．０５μｍ
のＧａ0.85Ｉｎ0.15Ｎから成る発光層７と、Ｍｇドープ
ｐ−Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎから成るアクセプタ濃度１−５
×１０18／ｃｍ3 、厚さ０．０１−０．０５μｍの第２
クラッド層８と、Ｍｇドープｐ−Ｇａ0.8 Ｉｎ0.2 Ｎか
ら成るアクセプタ濃度１−５×１０18／ｃｍ3 、厚さ
０．００１−０．０５μｍの可飽和吸収層９と、Ｍｇド
ープｐ−Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎから成るアクセプタ濃度１
−５×１０18／ｃｍ3 、厚さ０．０１−０．０５μｍの
第３クラッド層１０を形成する。
プｎ−Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎから成るドナー濃度５×１０
17／ｃｍ3 −３×１０18／ｃｍ3 、厚さ０．２−０．５
μｍの第１クラッド層５と、Ｓｉドープｎ−ＧａＮから
成るドナー濃度５×１０17／ｃｍ3 −１×１０18／ｃｍ
3 、厚さ０．１−０．２μｍの第１導波層６と、意識的
には不純物を添加しない厚さ０．００１−０．０５μｍ
のＧａ0.85Ｉｎ0.15Ｎから成る発光層７と、Ｍｇドープ
ｐ−Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎから成るアクセプタ濃度１−５
×１０18／ｃｍ3 、厚さ０．０１−０．０５μｍの第２
クラッド層８と、Ｍｇドープｐ−Ｇａ0.8 Ｉｎ0.2 Ｎか
ら成るアクセプタ濃度１−５×１０18／ｃｍ3 、厚さ
０．００１−０．０５μｍの可飽和吸収層９と、Ｍｇド
ープｐ−Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎから成るアクセプタ濃度１
−５×１０18／ｃｍ3 、厚さ０．０１−０．０５μｍの
第３クラッド層１０を形成する。
【００２０】次に凸形のストライプ状に加工したＭｇド
ープｐ−ＧａＮから成るアクセプタ濃度１−５×１０18
／ｃｍ3 、厚さ０．０１−０．１μｍの第２導波層１１
と、Ｍｇドープｐ−Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎから成るアクセ
プタ濃度１−３×１０19／ｃｍ3 、厚さ０．２−０．５
μｍの第４クラッド層１２と、Ｍｇドープｐ−ＧａＮか
ら成るアクセプタ濃度２−９×１０19／ｃｍ3 、厚さ
０．０１−０．１μｍの中間コンタクト層１３を順に形
成する。凸形のストライプ状に加工した前記第２導波層
１１と第４クラッド層１２と中間コンタクト層１３の上
にはＭｇドープｐ−ＢＰから成るアクセプタ濃度１−９
×１０19／ｃｍ3 、厚さ０．５５μｍのコンタクト層１
４を形成する。ここでコンタクト層の厚さとは、凸形ス
トライプの頂上面から、ＰａＺｎ／Ａｕから成る最上部
の電流供給用電極１５の下面までの距離である。なおＴ
ｉ／Ｐｔ／Ａｕから成る電流供給用の対向電極１がｎ−
ＳｉＣ基板２に設けられている。
ープｐ−ＧａＮから成るアクセプタ濃度１−５×１０18
／ｃｍ3 、厚さ０．０１−０．１μｍの第２導波層１１
と、Ｍｇドープｐ−Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎから成るアクセ
プタ濃度１−３×１０19／ｃｍ3 、厚さ０．２−０．５
μｍの第４クラッド層１２と、Ｍｇドープｐ−ＧａＮか
ら成るアクセプタ濃度２−９×１０19／ｃｍ3 、厚さ
０．０１−０．１μｍの中間コンタクト層１３を順に形
成する。凸形のストライプ状に加工した前記第２導波層
１１と第４クラッド層１２と中間コンタクト層１３の上
にはＭｇドープｐ−ＢＰから成るアクセプタ濃度１−９
×１０19／ｃｍ3 、厚さ０．５５μｍのコンタクト層１
４を形成する。ここでコンタクト層の厚さとは、凸形ス
トライプの頂上面から、ＰａＺｎ／Ａｕから成る最上部
の電流供給用電極１５の下面までの距離である。なおＴ
ｉ／Ｐｔ／Ａｕから成る電流供給用の対向電極１がｎ−
ＳｉＣ基板２に設けられている。
【００２１】この構造では、電流狭窄はＢＰとＡｌＧａ
Ｎ混晶及びＧａＮとの間の高いヘテロ障壁と、高濃度Ｍ
ｇドープ中間コンタクト領域での実効障壁高さの低下に
より達成される。ＡｌＧａＮ混晶及びＧａＮでは、正孔
の有効質量が極めて大きいので、わずかな障壁高さで正
孔電流を阻止することができる。また第４クラッド層１
２と中間コンタクト層１３の間の障壁を実質的に消失さ
せるには、両者の間に構成原子の相互拡散が誘発される
よう、Ｍｇのドーピング濃度を１×１０19／ｃｍ3 以上
とすることが望ましい。
Ｎ混晶及びＧａＮとの間の高いヘテロ障壁と、高濃度Ｍ
ｇドープ中間コンタクト領域での実効障壁高さの低下に
より達成される。ＡｌＧａＮ混晶及びＧａＮでは、正孔
の有効質量が極めて大きいので、わずかな障壁高さで正
孔電流を阻止することができる。また第４クラッド層１
２と中間コンタクト層１３の間の障壁を実質的に消失さ
せるには、両者の間に構成原子の相互拡散が誘発される
よう、Ｍｇのドーピング濃度を１×１０19／ｃｍ3 以上
とすることが望ましい。
【００２２】第２クラッド層８は発光層７からの電子の
漏れを抑制するものであり、第２導波層１１は第１導波
層６とほぼ同程度の厚さにすることにより、導波される
光強度の最大値を発光層７の位置に制御することによ
り、動作電流を低減する効果がある。この効果は０．０
１μｍ以下の極薄発光層の場合に重要である。
漏れを抑制するものであり、第２導波層１１は第１導波
層６とほぼ同程度の厚さにすることにより、導波される
光強度の最大値を発光層７の位置に制御することによ
り、動作電流を低減する効果がある。この効果は０．０
１μｍ以下の極薄発光層の場合に重要である。
【００２３】またｐ−ＡｌＧａＮ第３クラッド層１０
は、凸形のストライプをエッチング加工をする時、エッ
チング自己停止層としても機能する。すなわち、塩素イ
オンを用いた気相エッチングによりｐ−ＧａＮ第２光導
波層１１の途中まで除去した後、ｐ−ＢＰコンタクト層
１４を有機金属気相成長法で成長する直前に、水素中で
約１０００℃の熱処理をすることにより、残存するＧａ
Ｎ層のみを選択的に除去することができる。この方法は
前記エッチング後、ｐ−ＢＰコンタクト層１４を再成長
する時の表面清浄化工程としても有効であり、ｐ−ＢＰ
コンタクト層１４と第３クラッド層１０の表面及び２導
波層１１、第４クラッド層１２の側面との間のヘテロ接
合界面に良好な障壁を形成することにより、優れた電流
阻止機能を発揮することができる。
は、凸形のストライプをエッチング加工をする時、エッ
チング自己停止層としても機能する。すなわち、塩素イ
オンを用いた気相エッチングによりｐ−ＧａＮ第２光導
波層１１の途中まで除去した後、ｐ−ＢＰコンタクト層
１４を有機金属気相成長法で成長する直前に、水素中で
約１０００℃の熱処理をすることにより、残存するＧａ
Ｎ層のみを選択的に除去することができる。この方法は
前記エッチング後、ｐ−ＢＰコンタクト層１４を再成長
する時の表面清浄化工程としても有効であり、ｐ−ＢＰ
コンタクト層１４と第３クラッド層１０の表面及び２導
波層１１、第４クラッド層１２の側面との間のヘテロ接
合界面に良好な障壁を形成することにより、優れた電流
阻止機能を発揮することができる。
【００２４】ｐ−ＧａＩｎＮ可飽和吸収層９は、本実施
の形態のＬＤ装置を光記録の読取り光源として用いる
時、繰り返し周期数ＧＨｚ以上の自己間欠動作を行うこ
とにより戻り光による雑音を防止するため挿入されたも
のである。従って、本第１の実施の形態の発光装置を、
高輝度青色ＬＥＤとして用いるときには、前記可飽和吸
収層９は省略することができる。
の形態のＬＤ装置を光記録の読取り光源として用いる
時、繰り返し周期数ＧＨｚ以上の自己間欠動作を行うこ
とにより戻り光による雑音を防止するため挿入されたも
のである。従って、本第１の実施の形態の発光装置を、
高輝度青色ＬＥＤとして用いるときには、前記可飽和吸
収層９は省略することができる。
【００２５】ＢＰは間接遷移形半導体であるため比較的
光吸収係数が小さい。また直接遷移に対応する禁制帯幅
がＧａＮより大きいために屈折率がＧａＮより小さく、
屈折率による光の導波効果と閉じ込め効果が期待でき
る。このため、ＡｌＧａＮ、ＧａＮ層を薄くすることが
できる利点がある。またＢＰはＡｌＧａＮ、ＧａＮとの
ヘテロ接合界面で電流狭窄を行うと同時に、前記不純物
添加により生じた１０2〜１０3 ／ｃｍの適度な光吸収
損失により、ＬＤのしきい値電流を増加することなく安
定した基本横モードの制御を行うことができる。従って
低雑音で波面歪み等の少ない高密度の光ディスク用読取
り光源に適した良好な特性が実現される。
光吸収係数が小さい。また直接遷移に対応する禁制帯幅
がＧａＮより大きいために屈折率がＧａＮより小さく、
屈折率による光の導波効果と閉じ込め効果が期待でき
る。このため、ＡｌＧａＮ、ＧａＮ層を薄くすることが
できる利点がある。またＢＰはＡｌＧａＮ、ＧａＮとの
ヘテロ接合界面で電流狭窄を行うと同時に、前記不純物
添加により生じた１０2〜１０3 ／ｃｍの適度な光吸収
損失により、ＬＤのしきい値電流を増加することなく安
定した基本横モードの制御を行うことができる。従って
低雑音で波面歪み等の少ない高密度の光ディスク用読取
り光源に適した良好な特性が実現される。
【００２６】電流供給用のｎ側電極１は、Ｔｉ：０．１
μｍ、Ｐｔ：０．１μｍ、Ａｕ：０．５μｍ、ｐ側電極
１５は、ＰｄＺｎ：０．１μｍ、Ａｕ：０．５μｍを順
次形成した後、不活性ガスもしくは窒素ガス中で温度４
００〜８００℃で熱処理し、オーミック電極を形成す
る。このほかｎ側電極としてはＴｉＡｌ、Ｎｉを、ｐ側
電極としてはＮｉ、ＮｉＺｎ及びその合金を使用するこ
とができる。
μｍ、Ｐｔ：０．１μｍ、Ａｕ：０．５μｍ、ｐ側電極
１５は、ＰｄＺｎ：０．１μｍ、Ａｕ：０．５μｍを順
次形成した後、不活性ガスもしくは窒素ガス中で温度４
００〜８００℃で熱処理し、オーミック電極を形成す
る。このほかｎ側電極としてはＴｉＡｌ、Ｎｉを、ｐ側
電極としてはＮｉ、ＮｉＺｎ及びその合金を使用するこ
とができる。
【００２７】なおＡｌＮバッファ層３の成長に際して
は、他の窒化化合物層の成長時に比べて、ＮＨ3 流量を
１／１０から１／１００に減少した。これは成長初期に
ＳｉＣ基板２の表面が窒化し、高抵抗の膜を形成するの
を防止するためである。ＡｌＮバッファ層の膜厚は０．
００１〜０．１μｍとするのが適切である。これ以下で
はバッファ層が完全な連続膜にならないため、その上に
成長する窒化化合物層の結晶品質が低下する。また膜厚
が厚すぎる場合にはひび割れが発生し、電気抵抗が増加
する。
は、他の窒化化合物層の成長時に比べて、ＮＨ3 流量を
１／１０から１／１００に減少した。これは成長初期に
ＳｉＣ基板２の表面が窒化し、高抵抗の膜を形成するの
を防止するためである。ＡｌＮバッファ層の膜厚は０．
００１〜０．１μｍとするのが適切である。これ以下で
はバッファ層が完全な連続膜にならないため、その上に
成長する窒化化合物層の結晶品質が低下する。また膜厚
が厚すぎる場合にはひび割れが発生し、電気抵抗が増加
する。
【００２８】図２は本発明の第１の実施の形態の変形例
を示す青色ＬＤの断面図である。本変形例では凸形に加
工されたｐ−ＧａＮ第２導波層１１、ｐ−ＡｌＧａＮ第
４クラッド層１２、ｐ+ −ＧａＮ中間コンタクト層１３
の両側の面上にｎ−ＢＰ電流阻止層１６を設け、前記１
３と１６の上にｐ−ＢＰコンタクト層１７を形成したも
のである。この時電流狭窄は、ｎ−ＢＰ１６とｐ−ＢＰ
１７及びｐ−ＡｌＧａＮ１０等の間に形成されるヘテロ
ｐｎ接合により行われるため障壁高さが大となり、第
３、第４のｐ形クラッド層１０、１２及び第２導波層１
１のドーピング濃度をより高くしてＬＤの動作抵抗を低
減することができる。
を示す青色ＬＤの断面図である。本変形例では凸形に加
工されたｐ−ＧａＮ第２導波層１１、ｐ−ＡｌＧａＮ第
４クラッド層１２、ｐ+ −ＧａＮ中間コンタクト層１３
の両側の面上にｎ−ＢＰ電流阻止層１６を設け、前記１
３と１６の上にｐ−ＢＰコンタクト層１７を形成したも
のである。この時電流狭窄は、ｎ−ＢＰ１６とｐ−ＢＰ
１７及びｐ−ＡｌＧａＮ１０等の間に形成されるヘテロ
ｐｎ接合により行われるため障壁高さが大となり、第
３、第４のｐ形クラッド層１０、１２及び第２導波層１
１のドーピング濃度をより高くしてＬＤの動作抵抗を低
減することができる。
【００２９】図３はＢＰが厚膜成長可能でありかつ安定
であることを利用して、図２に示すＬＤ構造を形成の
後、バッファ層３を含めてｎ−ＳｉＣ基板２を研磨によ
り除去した他の変形例である。この時ｎ−ＧａＮの電流
供給電極１８としてＴｉ／Ａｌを用いる。この様にｎ−
ＳｉＣ基板２及びバッファ層３を除去することにより、
ＬＤの動作電圧を低減し、長寿命の連続動作に必要な熱
抵抗の大幅な低減を達成することができる。
であることを利用して、図２に示すＬＤ構造を形成の
後、バッファ層３を含めてｎ−ＳｉＣ基板２を研磨によ
り除去した他の変形例である。この時ｎ−ＧａＮの電流
供給電極１８としてＴｉ／Ａｌを用いる。この様にｎ−
ＳｉＣ基板２及びバッファ層３を除去することにより、
ＬＤの動作電圧を低減し、長寿命の連続動作に必要な熱
抵抗の大幅な低減を達成することができる。
【００３０】図４は図２の凸形に加工されたｐ形層の両
脇に、ｎ−ＳｉＣ電流阻止層１９を設けた他の変形例で
ある。ｎ−ＳｉＣを用いる場合には、アルミナをマスク
としてｐ形層を凸に加工した後、選択成長により電流阻
止層を自己整合的に形成することができる利点がある。
脇に、ｎ−ＳｉＣ電流阻止層１９を設けた他の変形例で
ある。ｎ−ＳｉＣを用いる場合には、アルミナをマスク
としてｐ形層を凸に加工した後、選択成長により電流阻
止層を自己整合的に形成することができる利点がある。
【００３１】図５は、本発明の第２の実施の形態を示す
利得ガイド形青色ＬＤの断面図である。参照番号１〜８
までは図１と同様であるため説明を省略する。ｐ−Ａｌ
ＧａＮ第２クラッド８の上にｐ−ＧａＮ第２導波層２
０、ｐ−ＡｌＧａＮ第３クラッド層２１を形成する。ｐ
−ＧａＩｎＮ過飽和吸収層（図示されていない）は、必
要に応じて前記第２、第３のクラッド層の間に挿入す
る。平坦な第３クラッド層上に凹状に加工したｐ−Ｇａ
Ｎ第３導波層２２と、その両側の上面に電流阻止用のｎ
−ＧａＮ２３を形成する。前記凹状に加工したｐ−Ｇａ
Ｎ第３導波層２２及び電流阻止用のｎ−ＧａＮ２３の上
に凹面を埋め込むようにｐ−ＢＰコンタクト層２４が形
成される。
利得ガイド形青色ＬＤの断面図である。参照番号１〜８
までは図１と同様であるため説明を省略する。ｐ−Ａｌ
ＧａＮ第２クラッド８の上にｐ−ＧａＮ第２導波層２
０、ｐ−ＡｌＧａＮ第３クラッド層２１を形成する。ｐ
−ＧａＩｎＮ過飽和吸収層（図示されていない）は、必
要に応じて前記第２、第３のクラッド層の間に挿入す
る。平坦な第３クラッド層上に凹状に加工したｐ−Ｇａ
Ｎ第３導波層２２と、その両側の上面に電流阻止用のｎ
−ＧａＮ２３を形成する。前記凹状に加工したｐ−Ｇａ
Ｎ第３導波層２２及び電流阻止用のｎ−ＧａＮ２３の上
に凹面を埋め込むようにｐ−ＢＰコンタクト層２４が形
成される。
【００３２】この時電流阻止はｎ−ＧａＮ２３とｐ−Ｂ
Ｐ２４との間のヘテロｐｎ接合により行われる。また横
モード制御は前記ＢＰにより埋め込まれた発光層上部の
凹状の閉じ込め層により生じた横方向の実効屈折率の変
化に基づき行われる。本変形例はＬＤ動作のしきい値電
流以下で、このまま高輝度青色ＬＥＤとして動作するこ
ともできるが、とくに高輝度青色ＬＥＤ又はパルス動作
の青色ＬＤとして用いる場合には、ｐ−ＧａＮ第３導波
層２２の凹状加工と、電流阻止用のｎ−ＧａＮ２３を省
略し、ＢＰを含めて全て平坦な多層構造とすることがで
きる。
Ｐ２４との間のヘテロｐｎ接合により行われる。また横
モード制御は前記ＢＰにより埋め込まれた発光層上部の
凹状の閉じ込め層により生じた横方向の実効屈折率の変
化に基づき行われる。本変形例はＬＤ動作のしきい値電
流以下で、このまま高輝度青色ＬＥＤとして動作するこ
ともできるが、とくに高輝度青色ＬＥＤ又はパルス動作
の青色ＬＤとして用いる場合には、ｐ−ＧａＮ第３導波
層２２の凹状加工と、電流阻止用のｎ−ＧａＮ２３を省
略し、ＢＰを含めて全て平坦な多層構造とすることがで
きる。
【００３３】次に図６に示す青色ＬＤの断面図に基づ
き、本発明の第３の実施の形態を説明する。本実施の形
態ではｎ−ＳｉＣ基板２への電流電極としてＡｕＧｅ／
Ａｕ２５を用いている他、ＧａＩｎＮ発光層７まで第１
の実施の形態と同じであるため、説明を省略する。Ｇａ
ＩｎＮ発光層７の上にＭｇドープｐ−ＧａＮから成る厚
さ０．０５μｍの第２光導波層２６、ｐ−ＧａＩｎＮ過
飽和吸収層９、凸形ストライプ状に加工したＭｇドープ
ｐ−Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎから成る厚さ０．３μｍの第２
クラッド層２８、Ｍｇドープｐ−ＧａＮから成る厚さ
０．５μｍの中間コンタクト層２８が順次形成される。
き、本発明の第３の実施の形態を説明する。本実施の形
態ではｎ−ＳｉＣ基板２への電流電極としてＡｕＧｅ／
Ａｕ２５を用いている他、ＧａＩｎＮ発光層７まで第１
の実施の形態と同じであるため、説明を省略する。Ｇａ
ＩｎＮ発光層７の上にＭｇドープｐ−ＧａＮから成る厚
さ０．０５μｍの第２光導波層２６、ｐ−ＧａＩｎＮ過
飽和吸収層９、凸形ストライプ状に加工したＭｇドープ
ｐ−Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎから成る厚さ０．３μｍの第２
クラッド層２８、Ｍｇドープｐ−ＧａＮから成る厚さ
０．５μｍの中間コンタクト層２８が順次形成される。
【００３４】凸形のストライプ状に加工した第２クラッ
ド層２７と中間コンタクト層２８の両側には、１０19〜
１０20／ｃｍ3 と高濃度にＭｎをドープすることにより
光吸収を増加させたＧａＮ電流阻止層２９が、酸化シリ
コン又は窒化シリコンをマスクとして、選択成長により
形成される。最後にＭｇドープｐ−ＧａＮから成る厚さ
０．５μｍのコンタクト層３０が形成される。
ド層２７と中間コンタクト層２８の両側には、１０19〜
１０20／ｃｍ3 と高濃度にＭｎをドープすることにより
光吸収を増加させたＧａＮ電流阻止層２９が、酸化シリ
コン又は窒化シリコンをマスクとして、選択成長により
形成される。最後にＭｇドープｐ−ＧａＮから成る厚さ
０．５μｍのコンタクト層３０が形成される。
【００３５】上記の構造において、第１導波層６の厚さ
０．１〜０．２μｍが、第２導波層２６の厚さ０．０５
μｍよりも厚いのは、ＧａＩｎＮ発光層内の正孔の有効
質量が大きいために、第１導波層６と発光層７との間の
ヘテロ障壁により十分な正孔の閉じ込め効果が得られ、
第１導波層６での正孔の再結合を無視することができる
ことによる。ｐ−ＧａＮから成る第２導波層２６は比抵
抗が高いので、これを薄くすることによりコンタクト層
との間の電圧降下を低減することができる。
０．１〜０．２μｍが、第２導波層２６の厚さ０．０５
μｍよりも厚いのは、ＧａＩｎＮ発光層内の正孔の有効
質量が大きいために、第１導波層６と発光層７との間の
ヘテロ障壁により十分な正孔の閉じ込め効果が得られ、
第１導波層６での正孔の再結合を無視することができる
ことによる。ｐ−ＧａＮから成る第２導波層２６は比抵
抗が高いので、これを薄くすることによりコンタクト層
との間の電圧降下を低減することができる。
【００３６】可飽和吸収層９の働きで繰返し数ＧＨｚ以
上の自己間欠動作を生じ、光読取りの際の戻り光による
雑音の増大が防止される。なお図６の構成をパルス動作
の青色ＬＤ又は高輝度青色ＬＥＤとして用いるときに
は、前記可飽和吸収層９と電流阻止層２９を省略し、全
て平面の多層構造により前記ＬＤ、ＬＥＤを構成するこ
とができる。
上の自己間欠動作を生じ、光読取りの際の戻り光による
雑音の増大が防止される。なお図６の構成をパルス動作
の青色ＬＤ又は高輝度青色ＬＥＤとして用いるときに
は、前記可飽和吸収層９と電流阻止層２９を省略し、全
て平面の多層構造により前記ＬＤ、ＬＥＤを構成するこ
とができる。
【００３７】電流電極はｎ側の電極２５にＡｕＧｅ：
０．１μｍ、Ａｕ：０．５μｍ、ｐ側の電極３１にＰ
ｄ：０．５μｍ、Ｃｒ：０．１μｍ、Ａｕ：０．５μ
ｍ、を形成の後不活性ガス又は窒素ガス中で４００〜８
００℃で熱処理することによりオーミックコンタクトが
形成される。
０．１μｍ、Ａｕ：０．５μｍ、ｐ側の電極３１にＰ
ｄ：０．５μｍ、Ｃｒ：０．１μｍ、Ａｕ：０．５μ
ｍ、を形成の後不活性ガス又は窒素ガス中で４００〜８
００℃で熱処理することによりオーミックコンタクトが
形成される。
【００３８】上記のようにＧａＮ電流阻止層２９には不
純物として高濃度のＭｎをドープするが、Ｍｎをドープ
することによりＧａＮが高抵抗となり、動作電流を阻止
することができる。同時に前記ＧａＮ電流阻止層２９は
１０2 〜１０3 ／ｃｍの適度な光吸収係数を示すように
なり、ＬＤ発光の横モードを制御することができる。こ
の時電流阻止層２９への添加不純物は、Ｍｎ以外にも遷
移金属Ｃｒ、Ｖなどを用いることができる。ドナーとア
クセプタを同時に高濃度に添加してもよい。ドナーとし
てはＳｉ、Ｓｅ、アクセプタとしてはＺｎ、Ｃｄなどが
ある。ＣとＨの同時添加も同様な効果がある。例えばプ
ロパン等の炭化水素を、不純物として添加することによ
り、同程度のＣとＨが取り込まれるため、製造上有利で
ある。
純物として高濃度のＭｎをドープするが、Ｍｎをドープ
することによりＧａＮが高抵抗となり、動作電流を阻止
することができる。同時に前記ＧａＮ電流阻止層２９は
１０2 〜１０3 ／ｃｍの適度な光吸収係数を示すように
なり、ＬＤ発光の横モードを制御することができる。こ
の時電流阻止層２９への添加不純物は、Ｍｎ以外にも遷
移金属Ｃｒ、Ｖなどを用いることができる。ドナーとア
クセプタを同時に高濃度に添加してもよい。ドナーとし
てはＳｉ、Ｓｅ、アクセプタとしてはＺｎ、Ｃｄなどが
ある。ＣとＨの同時添加も同様な効果がある。例えばプ
ロパン等の炭化水素を、不純物として添加することによ
り、同程度のＣとＨが取り込まれるため、製造上有利で
ある。
【００３９】図７、図８は前記第３の実施の形態の変形
例である。図７においてはコンタクト層としてｐ−ＢＰ
１７を用いている。また図８においてはコンタクト層と
してＡｌを高濃度に添加したｐ−ＳｉＣを用いている。
ＢＰもＳｉＣも共に間接遷移形であるため比較的光吸収
が小さく、かつ正孔の移動度が大きいのでｐ−ＡｌＧａ
Ｎ第２クラッド層２７、ｐ−ＧａＮ中間コンタクト層２
８の厚さを薄くしても、コンタクト層３２の光吸収の影
響が小さいので、動作電圧を大幅に低減することができ
る。前述の通りＢＰではＧａＮよりも屈折率が小さいた
めに、コンタクト層としての機能のほかに光閉じ込めに
も寄与するので、前記第２クラッド層２７、中間コンタ
クト層２８の厚さを更に薄くできる利点がある。なお図
８に示す変形例では、ＳｉＣコンタクト層３２を厚く成
長した後、ＳｉＣ基板２とバッファ層３を研磨により除
去することができる。このようにして、動作電圧と熱抵
抗を大幅に低減することができる。
例である。図７においてはコンタクト層としてｐ−ＢＰ
１７を用いている。また図８においてはコンタクト層と
してＡｌを高濃度に添加したｐ−ＳｉＣを用いている。
ＢＰもＳｉＣも共に間接遷移形であるため比較的光吸収
が小さく、かつ正孔の移動度が大きいのでｐ−ＡｌＧａ
Ｎ第２クラッド層２７、ｐ−ＧａＮ中間コンタクト層２
８の厚さを薄くしても、コンタクト層３２の光吸収の影
響が小さいので、動作電圧を大幅に低減することができ
る。前述の通りＢＰではＧａＮよりも屈折率が小さいた
めに、コンタクト層としての機能のほかに光閉じ込めに
も寄与するので、前記第２クラッド層２７、中間コンタ
クト層２８の厚さを更に薄くできる利点がある。なお図
８に示す変形例では、ＳｉＣコンタクト層３２を厚く成
長した後、ＳｉＣ基板２とバッファ層３を研磨により除
去することができる。このようにして、動作電圧と熱抵
抗を大幅に低減することができる。
【００４０】図１０は本発明のＬＤ、ＬＥＤを作製する
のに用いた製造装置の構成を示す断面図である。石英反
応管６１のガス導入口６２から、気相成長の原料となる
混合ガスが導入される。図の６３はガスの排気口であ
る。反応管６１の内部には、カーボンサセプタ６４が配
置され、ＳｉＣ成長基板６７が前記カーボンサセプタ６
４の上に載置される。カーボンサセプタ６４は高周波コ
イル６５により誘導加熱される。基板６７の温度は熱電
対６６を用いて測定され、温度コントローラ（図示され
ていない）により制御される。本発明のＬＤ、ＬＥＤは
前記図１０の製造装置を用いて次のような方法で作製さ
れる。
のに用いた製造装置の構成を示す断面図である。石英反
応管６１のガス導入口６２から、気相成長の原料となる
混合ガスが導入される。図の６３はガスの排気口であ
る。反応管６１の内部には、カーボンサセプタ６４が配
置され、ＳｉＣ成長基板６７が前記カーボンサセプタ６
４の上に載置される。カーボンサセプタ６４は高周波コ
イル６５により誘導加熱される。基板６７の温度は熱電
対６６を用いて測定され、温度コントローラ（図示され
ていない）により制御される。本発明のＬＤ、ＬＥＤは
前記図１０の製造装置を用いて次のような方法で作製さ
れる。
【００４１】ＳｉＣ成長基板６７をカーボンサセプタ６
４に載置した後、ガス導入口６２から高純度水素を１ｌ
／ｍｉｎ導入し、反応管６１の大気を置換する。次にガ
ス排気口６３をロータリポンプに接続し、反応管内部の
圧力を１０〜１００ｔｏｒｒの範囲に設定する。
４に載置した後、ガス導入口６２から高純度水素を１ｌ
／ｍｉｎ導入し、反応管６１の大気を置換する。次にガ
ス排気口６３をロータリポンプに接続し、反応管内部の
圧力を１０〜１００ｔｏｒｒの範囲に設定する。
【００４２】ＳｉＣ成長基板６７を水素中で１５００℃
に加熱し表面を清浄化する。次に基板温度を１０５０〜
１４００℃に低下し、水素ガスにＮＨ3 ガス、Ｎ2 Ｈ4
ガス、又はＮを含む有機化合物、例えば（ＣＨ3 ）2 Ｎ
2 Ｈ2 を導入すると共に、有機金属化合物を導入し気相
成長を行う。Ｇａ化合物としては、例えばＧａ（ＣＨ
3 ）3 又はＧａ（Ｃ2 Ｈ5 ）3 を導入して成長を行う。
Ａｌ化合物としては、例えばＡｌ（ＣＨ3 ）3 又はＡｌ
（Ｃ2 Ｈ5 ）3 、Ｉｎ化合物としては、例えばＩｎ（Ｃ
Ｈ3 ）3 又はＩｎ（Ｃ2 Ｈ5 ）3 を導入してＡｌ、Ｉｎ
の添加を行う。不純物を添加する場合には不純物原料を
同時に導入する。
に加熱し表面を清浄化する。次に基板温度を１０５０〜
１４００℃に低下し、水素ガスにＮＨ3 ガス、Ｎ2 Ｈ4
ガス、又はＮを含む有機化合物、例えば（ＣＨ3 ）2 Ｎ
2 Ｈ2 を導入すると共に、有機金属化合物を導入し気相
成長を行う。Ｇａ化合物としては、例えばＧａ（ＣＨ
3 ）3 又はＧａ（Ｃ2 Ｈ5 ）3 を導入して成長を行う。
Ａｌ化合物としては、例えばＡｌ（ＣＨ3 ）3 又はＡｌ
（Ｃ2 Ｈ5 ）3 、Ｉｎ化合物としては、例えばＩｎ（Ｃ
Ｈ3 ）3 又はＩｎ（Ｃ2 Ｈ5 ）3 を導入してＡｌ、Ｉｎ
の添加を行う。不純物を添加する場合には不純物原料を
同時に導入する。
【００４３】不純物添加の原料としては、ｎ形不純物用
としてＳｉ水素化物、例えばＳｉＨ4 、有機金属Ｓｉ化
合物、例えばＳｉ（ＣＨ3 ）4 、又はＨ2 Ｓｅ等があ
る。ｐ形不純物用として有機金属Ｍｇ化合物、例えばＣ
ｐ2 Ｍｇ（シクロペンタジエニルマグネシウム）又は有
機金属Ｚｎ（ＣＨ3 ）2 等を使用する。炭素を添加する
ためにはプロパンガス、エタン、ペンタンを使用する。
Ｉｎの取り込み率を改善するためＩｎを含む層を形成す
る際には、窒素、アルゴン等の水素を含まない雰囲気中
で成長し、原料としてはＮＨ3 ガスより分解率が高い
（ＣＨ3 ）2 Ｎ2 Ｈ2 を用いる。
としてＳｉ水素化物、例えばＳｉＨ4 、有機金属Ｓｉ化
合物、例えばＳｉ（ＣＨ3 ）4 、又はＨ2 Ｓｅ等があ
る。ｐ形不純物用として有機金属Ｍｇ化合物、例えばＣ
ｐ2 Ｍｇ（シクロペンタジエニルマグネシウム）又は有
機金属Ｚｎ（ＣＨ3 ）2 等を使用する。炭素を添加する
ためにはプロパンガス、エタン、ペンタンを使用する。
Ｉｎの取り込み率を改善するためＩｎを含む層を形成す
る際には、窒素、アルゴン等の水素を含まない雰囲気中
で成長し、原料としてはＮＨ3 ガスより分解率が高い
（ＣＨ3 ）2 Ｎ2 Ｈ2 を用いる。
【００４４】ｐ形不純物の活性化率を増加するために
は、結晶中への水素の混入を抑制することが重要であ
る。このため、成長温度から冷却する際、７００〜８５
０℃まではＮＨ3 ガス中で冷却して窒素の解離を抑え、
それ以下の温度では不活性ガス中で冷却することにより
水素の混入を抑制する。ｐ形不純物の活性化率を高める
ためには、ＲＦプラズマにより生成した窒素ラジカル中
で熱処理する。この方法によれば、結晶中からの窒素原
子の離脱を完全に防止することができるため、９００〜
１２００℃での高温熱処理が可能であるばかりでなく、
窒素空孔等の格子欠陥を除去することもできる。
は、結晶中への水素の混入を抑制することが重要であ
る。このため、成長温度から冷却する際、７００〜８５
０℃まではＮＨ3 ガス中で冷却して窒素の解離を抑え、
それ以下の温度では不活性ガス中で冷却することにより
水素の混入を抑制する。ｐ形不純物の活性化率を高める
ためには、ＲＦプラズマにより生成した窒素ラジカル中
で熱処理する。この方法によれば、結晶中からの窒素原
子の離脱を完全に防止することができるため、９００〜
１２００℃での高温熱処理が可能であるばかりでなく、
窒素空孔等の格子欠陥を除去することもできる。
【００４５】高温熱処理の具体例は次の通りである。原
料としてＮＨ3 を１×１０-3ｍｏｌ／ｍｉｎ、Ｇａ（Ｃ
Ｈ3 ）3 を１×１０-5ｍｏｌ／ｍｉｎ、Ａｌ（ＣＨ3 ）
3 を１×１０-6ｍｏｌ／ｍｉｎ導入して成長を行う。基
板温度は１０５０℃、圧力７６ｔｏｒｒ、原料ガスの総
流量は１ｌ／ｍｉｎ、ｎ形不純物としてＳｉとＳｅ、ｐ
形不純物としてＭｇと炭素を用いる。この時の不純物の
原料ガスはＳｉＨ4 、Ｈ2 Ｓｅ、Ｃｐ2 Ｍｇ、プロパン
を使用する。
料としてＮＨ3 を１×１０-3ｍｏｌ／ｍｉｎ、Ｇａ（Ｃ
Ｈ3 ）3 を１×１０-5ｍｏｌ／ｍｉｎ、Ａｌ（ＣＨ3 ）
3 を１×１０-6ｍｏｌ／ｍｉｎ導入して成長を行う。基
板温度は１０５０℃、圧力７６ｔｏｒｒ、原料ガスの総
流量は１ｌ／ｍｉｎ、ｎ形不純物としてＳｉとＳｅ、ｐ
形不純物としてＭｇと炭素を用いる。この時の不純物の
原料ガスはＳｉＨ4 、Ｈ2 Ｓｅ、Ｃｐ2 Ｍｇ、プロパン
を使用する。
【００４６】ＧａＮ系ヘテロ構造部を成長後、３塩化硼
素を用いたプラズマエッチングにより、図１に示した中
間コンタクト層１３、第４クラッド層１２、ＧａＮ第２
導波層１１を凸形に加工する。この時前述のように、前
記ＧａＮ第２導波層１１を途中までエッチングして凸形
のメサストライプを形成した後、有機金属気相成長の炉
内で、ＮＨ3 と水素を含む雰囲気中で温度約１０００〜
１２００℃で３０分熱処理する。この熱処理により表面
が清浄化されると共に、前記プラズマエッチングで故意
に残されたＧａＮ第２導波層が選択的に除去される。こ
の熱処理工程により再現性よく前記凸形構造が形成さ
れ、良好なモード制御が達成される。
素を用いたプラズマエッチングにより、図１に示した中
間コンタクト層１３、第４クラッド層１２、ＧａＮ第２
導波層１１を凸形に加工する。この時前述のように、前
記ＧａＮ第２導波層１１を途中までエッチングして凸形
のメサストライプを形成した後、有機金属気相成長の炉
内で、ＮＨ3 と水素を含む雰囲気中で温度約１０００〜
１２００℃で３０分熱処理する。この熱処理により表面
が清浄化されると共に、前記プラズマエッチングで故意
に残されたＧａＮ第２導波層が選択的に除去される。こ
の熱処理工程により再現性よく前記凸形構造が形成さ
れ、良好なモード制御が達成される。
【００４７】次に基板温度を１１００〜１２５０℃に設
定し、反応管にジボランとホスフィンを導入してｐ−Ｂ
Ｐコンタクト層１４を成長する。ｐ形不純物としてはＭ
ｇ、Ｚｎ、ｎ形不純物としてはＳｉ、Ｓｅを用いる。図
６に示すように最後にｐ−ＧａＮコンタクト層３０を成
長する場合には、ウエハを窒素ラジカル中で温度４００
〜１０００℃、好ましくは６００〜８００℃で熱処理す
ることにより、熱処理中の窒素の抜けを抑え、ｐ形層を
より低抵抗とすることができる。
定し、反応管にジボランとホスフィンを導入してｐ−Ｂ
Ｐコンタクト層１４を成長する。ｐ形不純物としてはＭ
ｇ、Ｚｎ、ｎ形不純物としてはＳｉ、Ｓｅを用いる。図
６に示すように最後にｐ−ＧａＮコンタクト層３０を成
長する場合には、ウエハを窒素ラジカル中で温度４００
〜１０００℃、好ましくは６００〜８００℃で熱処理す
ることにより、熱処理中の窒素の抜けを抑え、ｐ形層を
より低抵抗とすることができる。
【００４８】図１１に熱処理装置の構成の概要を示す。
ガス導入口からアルゴンと窒素の混合ガスを導入し、排
気口よりロータリポンプを用いて排気することにより、
石英管７１の内部の圧力をプラズマ発生部で安定なガス
プラズマが維持されるよう調整する。図の７５はプラズ
マ発生用の高周波電源である。支持台７３上に被処理体
を載置して前記の熱処理を行う。例えば図１に示すよう
に、最後に成長するコンタクト層がｐ−ＢＰである場合
には、前記熱処理を加えなくてもコンタクト層として十
分低抵抗の特性を得ることができる。
ガス導入口からアルゴンと窒素の混合ガスを導入し、排
気口よりロータリポンプを用いて排気することにより、
石英管７１の内部の圧力をプラズマ発生部で安定なガス
プラズマが維持されるよう調整する。図の７５はプラズ
マ発生用の高周波電源である。支持台７３上に被処理体
を載置して前記の熱処理を行う。例えば図１に示すよう
に、最後に成長するコンタクト層がｐ−ＢＰである場合
には、前記熱処理を加えなくてもコンタクト層として十
分低抵抗の特性を得ることができる。
【００４９】
【発明の効果】以上述べたように高濃度の不純物添加に
より比抵抗を大幅に低減したＢＰ、ＧａＮ又はＳｉＣを
コンタクト層として用いることにより、ＧａＮ系青色Ｌ
Ｄ、ＬＥＤの動作電圧を低減し、長寿命の連続動作を実
現することができる。
より比抵抗を大幅に低減したＢＰ、ＧａＮ又はＳｉＣを
コンタクト層として用いることにより、ＧａＮ系青色Ｌ
Ｄ、ＬＥＤの動作電圧を低減し、長寿命の連続動作を実
現することができる。
【００５０】ＢＰ、ＧａＮ又はＳｉＣから成る電流阻止
層に、高濃度の不純物を添加することにより、電流阻止
層としての機能と横モード制御機能を有する低雑音で高
密度な光読み出しが可能なＬＤを得ることができる。
層に、高濃度の不純物を添加することにより、電流阻止
層としての機能と横モード制御機能を有する低雑音で高
密度な光読み出しが可能なＬＤを得ることができる。
【００５１】また発光層にＧａＩｎＮ混晶を用い、電流
阻止層及びコンタクト抵抗低減のための材料にＢＰ、Ｇ
ａＮ又はＳｉＣを用いて、発光層との間の禁制帯幅の差
を小さくし、前記禁制帯幅の差に基づく過大な光吸収に
よる損失を防止することにより、動作電流の小さい青色
ＬＤ、又は高輝度の青色ＬＥＤを得ることができる。ま
た光閉じ込め層にＧａＩｎＮ混晶から成る過飽和吸収層
を含ませることにより、自己間欠動作する低雑音高密度
記録用ＬＤを得ることができる。
阻止層及びコンタクト抵抗低減のための材料にＢＰ、Ｇ
ａＮ又はＳｉＣを用いて、発光層との間の禁制帯幅の差
を小さくし、前記禁制帯幅の差に基づく過大な光吸収に
よる損失を防止することにより、動作電流の小さい青色
ＬＤ、又は高輝度の青色ＬＥＤを得ることができる。ま
た光閉じ込め層にＧａＩｎＮ混晶から成る過飽和吸収層
を含ませることにより、自己間欠動作する低雑音高密度
記録用ＬＤを得ることができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態のＬＤの構造を示す
断面図。
断面図。
【図２】本発明の第１の実施の形態の変形例を示す断面
図。
図。
【図３】基板を除去した本発明のＬＤ構造の変形例を示
す断面図。
す断面図。
【図４】本発明の第１の実施の形態の他の変形例を示す
断面図。
断面図。
【図５】本発明の第２の実施の形態のＬＤの構造を示す
断面図。
断面図。
【図６】本発明の第３の実施の形態のＬＤの構造を示す
断面図。
断面図。
【図７】本発明の第３の実施の形態の変形例を示す断面
図。
図。
【図８】本発明の第３の実施の形態の他の変形例を示す
断面図。
断面図。
【図９】従来の可視光領域のＬＤの構造を示す断面図。
【図１０】本発明のＬＤ、ＬＥＤの製造装置の構成を示
す断面図。
す断面図。
【図１１】本発明のＬＤ、ＬＥＤ熱処理装置の構成を示
す略図。
す略図。
１ Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ電極 ２ ｎ−ＳｉＣ基板 ３ ｎ−ＡｌＮバッファ層 ４ ｎ−ＧａＮ第１コンタクト層 ５ ｎ−ＡｌＧａＮ第１クラッド層 ６ ｎ−ＧａＮ第１導波層 ７ ＧａＩｎＮ発光層 ８ ｐ−ＡｌＧａＮ第２クラッド層 ９ ｐ−ＧａＩｎＮ可飽和吸収層 １０ ｐ−ＡｌＧａＮ第３クラッド層 １１ ｐ−ＧａＮ第２導波層 １２ ｐ−ＡｌＧａＮ第４クラッド層 １３ ｐ+ −ＧａＮ中間コンタクト層 １４ ｐ−ＢＰコンタクト層 １５ ＰｄＺｎ／Ａｕ電極 １６ ｎ−ＢＰ電流阻止層 １７ ｐ−ＢＰコンタクト層 １８ Ｔｉ／Ｎ電極 １９ ｎ−ＳｉＣで電流阻止層 ２０ ｐ−ＧａＮ第２導波層 ２１ ｐ−ＡｌＧａＮ第３クラッド層 ２２ ｐ−ＧａＮ第３導波層 ２３ ｎ−ＧａＮ電流阻止層 ２４ ｐ−ＢＰコンタクト層 ２５ ＡｕＧｅ／Ａｕ電極 ２６ ｐ−ＧａＮ第２導波層 ２７ ｐ−ＡｌＧａＮ第２クラッド層 ２８ ｐ+ ＧａＮ中間コンタクト層 ２９ ＧａＮ：Ｍｎ電流阻止層 ３０ ｐ−ＧａＮコンタクト層 ３１ Ｐｄ／Ｃｒ／Ａｕ電極 ３２ ｐ−ＳｉＣ：Ａｌコンタクト層 ３３ Ｎｉ／Ａｕ電極 ３４ ｎ−ＧａＡｓ基板 ３５ ｎ−ＧａＡｓバッファ層 ３６ ｎ−ＡｌＧａＡｓ第１閉じ込め層 ３７ ＧａＩｎＰ発光層 ３８ ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第２閉じ込め層 ３９ ｎ−ＧａＡｓ電流阻止層 ４０ ｐ+ ＧａＩｎＰ中間コンタクト層 ４１ ｐ−ＧａＡｓコンタクト層 ４２ 上部電極 ４３ 下部電極 ６１ 石英容器 ６２ ガス導入口 ６３ 排気口 ６４ カーボンサセプター ６５ 高周波コイル ６６ 熱電対 ６７ 気相成長基板 ７１ 石英容器 ７２ 被熱処理基板 ７３ 支持台 ７４ 高周波コイル ７５ 高周波源
Claims (7)
- 【請求項１】 Ａｌx ＧａＩｎ1-x-y Ｎ（０≦ｘ＋ｙ≦
１、０≦ｘ、ｙ≦１）から構成された、第１導電形の第
１閉じ込め層と、発光層と、第２導電形の第２閉じ込め
層から成るダブルヘテロ接合構造部とを有し、 このダブルヘテロ構造部と前記ダブルヘテロ接合構造部
に動作電流を供給する電極面との間に、ＢＰ又はＧａＮ
又はＳｉＣより成るコンタクト層が形成されたことを特
徴とする半導体発光装置。 - 【請求項２】 第１導電形の第１閉じ込め層と、発光層
と、ストライプ状の凸部又は凹部を有する第２導電形の
第２閉じ込め層から成るダブルヘテロ接合構造部と、 前記第２導電形の第２閉じ込め層の、前記凸部の頂上面
又は凹部の底面をなす動作電流供給面を除いて形成され
た電流阻止層とを具備し、 前記第２導電形の第２閉じ込め層の前記凸部の頂上面又
は凹部の底面と、前記電流阻止層の上に第２導電形のコ
ンタクト層が形成された半導体発光装置において、 前記第１導電形の第１閉じ込め層、発光層、及び第２導
電形の第２閉じ込め層が、Ａｌx ＧａＩｎ1-x-y Ｎ（０
≦ｘ＋ｙ≦１、０≦ｘ、ｙ≦１）から構成され、前記第
２導電形のコンタクト層がＢＰ又はＧａＮ又はＳｉＣか
ら成ることを特徴とする半導体発光装置。 - 【請求項３】 前記電流阻止層はＢＰ、又はＳｉＣ、又
は高濃度のＭｎ添加により発光波長における光吸収が増
大したＧａＮ、又は高濃度のＺｎとＳｉの添加により発
光波長における光吸収が増大したＧａＮ、又は高濃度の
２族不純物の添加により発光波長における光吸収が増大
したＧａＮであることを特徴とする請求項２に記載した
半導体発光装置。 - 【請求項４】 前記第２導電形の第２閉じ込め層の前記
凸部の頂上面又は凹部の底面をなす動作電流供給面上
に、第２導電形のＧａＮから成る中間コンタクト層を設
けた後に、前記電流阻止層と前記中間コンタクト層上
に、前記第２導電形のコンタクト層を形成することを特
徴とする請求項２又は請求項３に記載の半導体発光装
置。 - 【請求項５】 前記第２導電形の第２閉じ込め層は、第
２導電形の可飽和吸収層を含むものであることを特徴と
する請求項２乃至請求項４のいずれかに記載した半導体
発光装置。 - 【請求項６】 前記閉じ込め層の少なくとも一方はＧａ
ＮとＡｌx Ｇａ1-xＮ（０≦ｘ≦１）の２層構造から成
ることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載し
た半導体発光装置。 - 【請求項７】 前記可飽和吸収層はＧａ1-x Ｉｎx Ｎ
（０≦ｘ≦１）であることを特徴とする請求項５記載の
半導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3964696A JP3754120B2 (ja) | 1996-02-27 | 1996-02-27 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3964696A JP3754120B2 (ja) | 1996-02-27 | 1996-02-27 | 半導体発光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09232685A true JPH09232685A (ja) | 1997-09-05 |
| JP3754120B2 JP3754120B2 (ja) | 2006-03-08 |
Family
ID=12558857
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3964696A Expired - Fee Related JP3754120B2 (ja) | 1996-02-27 | 1996-02-27 | 半導体発光装置 |
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|---|---|
| JP (1) | JP3754120B2 (ja) |
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