JP2007088343A - 化合物半導体素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明は、六方晶の単結晶材料31と、その単結晶材料31の表面上に形成された燐化硼素系半導体層32と、その燐化硼素系半導体層32上に形成された化合物半導体からなる化合物半導体層33とを備えて成る積層構造体30に電極34,35を配置して構成した化合物半導体素子において、燐化硼素系半導体層32は六方晶の単量体の燐化硼素結晶からなり、c軸の長さを0.52ナノメーター(nm)以上で0.53nm以下とするものである。
【選択図】 図3
Description
T. Udagawa and G. Shimaoka, J. Ceramic Processing Res.,(大韓民国), 第4巻、第2号、2003年,80-83頁. T. Udagawa他、Appl. Surf. Sci.,(アメリカ合衆国),第244巻、2004年,285-288頁.
20 結晶配列による空隙
30 積層構造体
31 基板
32 六方晶BP層
33 発光部
34 一方の極性のオーミック電極
35 他方の極性のオーミック電極
40 積層構造体
41 基板
42 六方晶BP層
43 発光部
44 一方の極性のオーミック電極
45 他方の極性のオーミック電極
50 積層構造体
51 基板
52 六方晶BP層
53 III族窒化物半導体電子走行層
54 III族窒化物半導体電子供給層
55 ソース電極
56 ドレイン電極
57 ゲート電極
60 化合物半導体LED
600 LED用途積層構造体
601 結晶基板
602 六方晶燐化硼素半導体層
603 六方晶III族窒化物半導体層
604 下部クラッド層
605 発光層
606 上部クラッド層
607 コンタクト層
608 p形オーミック電極
609 n形オーミック電極
P 六方晶BP層を構成する燐(P)原子
B 六方晶BP層を構成する硼素(B)原子
Claims (5)
- 六方晶の単結晶材料と、その単結晶材料の表面上に形成された燐化硼素系半導体層と、その燐化硼素系半導体層上に形成された化合物半導体からなる化合物半導体層とを備えてなる積層構造体に電極を配置して構成した化合物半導体素子において、
上記燐化硼素系半導体層は六方晶の単量体の燐化硼素結晶からなり、c軸の長さが0.52ナノメーター(nm)以上で0.53nm以下の範囲である、
ことを特徴とする化合物半導体素子。 - 上記化合物半導体層は六方晶の化合物半導体からなり、上記燐化硼素系半導体層をなす{0001}結晶面に平行に配列した{0001}結晶面を有する、請求項1に記載の化合物半導体素子。
- 上記燐化硼素系半導体層をなす{0001}結晶面と、上記化合物半導体層をなす{0001}結晶面とが、上記積層構造体の積層方向に平行に配列されている、請求項2に記載の化合物半導体素子。
- 上記電極に通流して得られる素子駆動電流が、上記燐化硼素系半導体層をなす{0001}結晶面と、上記化合物半導体層をなす{0001}結晶面との何れにも略平行な方向となるように電極が配置されている、請求項2または3に記載の化合物半導体素子。
- 上記電極に通流して得られる素子駆動電流が、上記燐化硼素系半導体層をなす{0001}結晶面と、上記化合物半導体層をなす{0001}結晶面との何れにも略垂直な方向となるように電極が配置されている、請求項2または3に記載の化合物半導体素子。
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